TW200940639A - Transparent composite material - Google Patents

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TW200940639A
TW200940639A TW098103076A TW98103076A TW200940639A TW 200940639 A TW200940639 A TW 200940639A TW 098103076 A TW098103076 A TW 098103076A TW 98103076 A TW98103076 A TW 98103076A TW 200940639 A TW200940639 A TW 200940639A
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transparent composite
ester resin
synthetic
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Ryoji Toita
Kenji Shimamura
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Showa Denko Kk
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    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
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    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Description

200940639 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種線膨脹係數小之透明複合材料、其 製造方法及使用其之顯示裝置、以及太陽電池用基板。 【先前技術】 以往,液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置用之顯示元 φ 件基板、彩色濾光片基板、太陽電池用基板等已廣泛使用 玻璃。但,玻璃基板易龜裂且不能彎曲,比重大且不適輕 量化等之理由,故近年已硏究塑膠材料作爲其替代。已提 出例如由聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二酸乙二酯、聚碳 酸酯、聚烯烴、聚醚楓所構成之基板(例如,特開2007-2687 1 1號公報;專利文獻1 )。 但,此等習知之玻璃替代用塑膠材料係線膨脹係數大 於玻璃。因此,若使用此等之材料而製造顯示器基板,從 φ 塑膠基板與設於其上之透明電極之線膨脹係數的差,加熱 /冷卻時產生翹曲或配線之斷線等問題,可尋求線膨脹率 小之透明塑膠基板。 另外,於特表2002-512286號公報(專利文獻2; WO 99/054393 )係已揭示含有層狀之黏土礦物的環氧基乙烯 基酯樹脂、不飽和聚酯樹脂,但本發明之目的在於耐熱性 、機械強度的改良。進一步,低濃度(2 %〜6 % )添加專利 文獻2之實施例所記載之多層狀無機材料(無機層狀矽酸 鹽等)時係可維持樹脂本身之透明性,但無法達成目的之 -5- 200940639 低線膨脹係數。亦即’並非具備透明性,且線膨脹係數低 之組成物者。 (專利文獻1)特開2007-2 68711號公報 (專利文獻2)特表2002-512286號公報 【發明內容】 (發明欲解決之課題) 本發明之課題在於提供一種透明複合材料,其係線膨 脹係數小’可適宜使用於透明性優之液晶顯示裝置用、有 機EL顯示裝置用塑膠基板、電子紙用基板等的顯示器用 基板或太陽電池用基板。 (用以解決課題之手段) 本發明人等係爲解決前述課題,經專心硏究之結果, 發現藉由以4級銨鹽及/或4級鐃鹽陽離子交換之合成蒙 脫石分散之乙烯基酯樹脂組成物所構成之透明複合材料, 可解決上述課題。亦即,本發明係關於以下之透明複合材 料、其製造方法、以其透明複合材料作爲基材之顯示裝置 及太陽電池用基板。 1· 一種透明複合材料,其特徵在於:使組成物硬化而成, 而該組成物係於含有由脂肪族環氧化合物所合成之乙烯基 酯樹脂之乙烯基酯樹脂組成物60質量%〜90質量%中,分 散有合成蒙脫石10重量%~40重量%,該合成蒙脫石係藉 4級銨鹽及/或4級錢鹽有機化處理之數目平均粒徑爲 -6- 200940639 10nm〜300nm,且長寬比爲10〜300者。 2_如前述第1項之透明複合材料,其中前述乙烯基酯樹脂 爲由具有脂環式構造之環氧化合物所合成之乙烯基酯樹脂 〇 3·如前述第1或2項之透明複合材料,其中前述乙烯基酯 樹脂爲由氫化雙酣A型環氧樹脂所合成之乙嫌基酯樹脂 〇 0 4.如前述第1〜3項中任—項之透明複合材料,其中前述乙 烯基酯樹脂組成物爲由乙烯基酯樹脂30質量%〜1 〇〇質量 %與具有乙烯性不飽和基之反應性單體〇重量%〜7〇重量% 所構成。 5_如前述第1項之透明複合材料,其中前述合成蒙脫石爲 選自合成水輝石、合成鋅蒙脫石及合成矽鎂石之一種以上 〇 6. 如前述第1項之透明複合材料’其中用以有機化處理前 φ 述合成蒙脫石之4級銨鹽爲選自月桂基三甲基銨鹽、硬脂 基三甲基銨鹽、三辛基甲基銨鹽、二硬脂基二甲基銨鹽、 —硬化牛S曰一甲基銨鹽、一硬脂基二苯甲基錢鹽、及N_ 聚氧乙烯-N -月桂基-N,N-二甲基銨鹽之一種以上。 7. 如前述第1、5或6項之透明複合材料,其中存在於合 成蒙脫石之表面的經基爲被表面改質劑處理者。 8. 如即述第7項之透明複合材料,其中前述表面改質劑爲 選自砂院偶合劑、鈦酸酯偶合劑、縮水甘油基化合物、異 氰酸酯化合物、羧酸類、及醇類者。 200940639 9·一種透明板,其係由前述第丨〜8項中任一項之透明複合 材料所構成’其中50。(: ~25(TC之面方向的平均線膨脹係 數爲30Ppm/-C以^ ’且每1〇〇μιη厚之全光線透過率爲 85%以上。 1〇·—種如前述第1〜8項中任—項之透明複合材料之製造 方法’其特徵爲:使硬化前之含有乙烯基酯樹脂組成物、 合成蒙脫石’及溶劑之組成物,塗佈於表面爲平滑的平面 上之後’乾燥溶劑’以表面爲平滑的薄片或薄膜挾住,再 電子束(ΕΒ )、紫外線(UV )或熱使其硬化。 11· 一種顯示裝置,其係以前述第卜8項中任一項之透明 複合材料作爲基材。 12·如前述第11項之顯示裝置,其中前述顯示裝置爲液晶 顯示器、有機EL顯示器、或電子紙。 13.—種太陽電池用基板,其係以前述第卜8項中任一項 之透明複合材料作爲基材。 [發明之效果] 在習知之顯示器用塑膠基板中係基板與設於其上之透 明電極之線膨脹係數的差大,故有加熱/冷卻時之翹曲或 配線之斷線等問題。使用本發明之透明複合材料的顯示器 用基板係線膨脹係數極小,故解決如其之問題,可提供耐 久性高的顯示器,工業上極有用。又,若依本發明之透明 複合材料,採取特定之樹脂組成,可提供柔軟且熱膨脹係 數小之透明薄片,故亦可使用於液晶顯示器、有機EL顯 -8- 200940639 示器、電子紙等之可撓性顯示器基板或太陽電池用基板等 [用以實施發明之最佳型態] [透明複合材料] 以往,直接維持樹脂之透明性’可改善機械特性及熱 特性之濾光片,已知有玻璃布或奈米二氧化矽等。但,玻 0 璃布之情形係樹脂與玻璃布之線膨脹係數很大差異,故加 熱、冷卻時之微龜裂進行白化,喪失材料之透明性。又, 塡充奈米二氧化矽時係以少量之添加可維持透明性者,但 爲達成於顯示器基板或太陽電池用基板之用途所要求之低 線膨脹係數,必須高塡充奈米二氧化矽。此時無法維持透 明性。又,塡充澎潤土等之天然泥土時係可謀求機械物性 、熱物性之提升,但不可能完全除去天然泥土結晶內之氧 化鐵或石英等之雜質,機械物性、熱物性、透明性之提升 φ 很難實現。本發明之透明複合材料係分散具有特定性狀之 合成蒙脫石且含有由脂肪族環氧化合物所合成之乙烯基酯 樹脂之乙烯基酯樹脂組成物的50 °C〜250。(:之面方向的平 均線膨脹係數爲30ppm/°C以下。 在本發明中’透明複合材料之透明性係以全光線透過 率進行評估。本發明之透明複合材料係謂在100μιη厚之 全光線透過率爲85 %以上且霧度値爲5%以下者。但全光 線透過率更宜爲90%以上。又,於透明複合材料之霧度値 宜爲5 %以下之材料。霧度値更宜爲3 %以下。若霧度値大 200940639 於5%’透過光會變形’欠缺鮮明度。全光線透過率係依 據JIS K-736 1 -1 ’霧度値係依據jIS K-7136所測定之値。 本發明之透明複合材料係其形狀不受限定,但尤適宜 爲薄膜、薄片、平板等之形狀的成形物。厚度爲ΐ〇μιηΗ 上200μπι以下者表現爲薄膜,厚度爲大於2〇〇μιη且 5000μιη以下者表現爲薄片、厚度大於5〇〇〇μιη者表現爲 板,但以後,無關於薄膜、薄片、板之厚度而均表現爲薄 片。 [乙烯基酯樹脂組成物] 本發明之乙烯基酯樹脂係亦被稱爲環氧基(甲基)丙 烯酸酯,一般意指(1)藉由以環氧基樹脂爲代表之環氧 基化合物、與具有(甲基)丙烯酸酯等之自由基聚合性之 碳-碳雙鍵(乙烯性不飽合基)的羧基化合物的羧基之開 環反應所合成之具乙烯性不飽和基的樹脂、或(2)藉由 具有羧基之化合物、與於縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等 之分子內具有環氧基之聚合性不飽和化合物之環氧基的開 環反應所合成之具有聚合性不飽和基之樹脂。更詳而言之 ,係記載於「聚酯樹脂手冊」、日刊工業新聞社、1 9 8 8 年發行、第336頁〜3 57頁等。此乙烯基酯樹脂係可依公 知之方法來製造。又,在本發明中,所謂乙烯基酯樹脂組 成物係謂含有乙烯基酯樹脂與反應性單體之組成物。 可顯現作爲透明薄片之透明性、低線膨脹係數的乙嫌 基酯樹脂係必須爲由脂肪族環氧基化合物所合成之乙嫌基 -10- 200940639 酯樹脂,其中,尤宜爲由具有脂環式構造之環氧基化合物 所合成之乙烯基酯樹脂。爲直接維持透明性藉由合成蒙脫 石之添加而達成低線膨脹係數(3 0 ppm/°C以下),必須 於熱硬化性樹脂大量地(40質量%以上)添加合成蒙脫 石。但,在如此之透明複合材料中,可達成透明性、低線 膨脹係數,但因合成蒙脫石添加量多,故無法顯現樹脂原 來之機械強度,而變成脆弱而易龜裂之材料。另外,使用 φ 由脂肪族環氧基化合物,尤其具有脂環式構造之環氧基化 合物所合成之乙烯基酯樹脂時,係從透明性、耐熱性之點 均衡性佳,進一步即使合成蒙脫石添加量降低至未達40 質量%,亦可達成低線膨脹係數。 前述脂環式環氧基化合物之例可舉例如氫化雙酚A 型環氧基樹脂、1,2-環己烷二羧酸二縮水甘油基酯、3,4-環氧基環己烯基甲基-3,,4’-環氧基環己烯羧酸酯、雙( 3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)己二酸酯等之環己烷型、 φ 3-氧代三環[3.2.1.〇2,4]辛烷-6-羧酸、3-氧代三環 [3.2.1.02,4]辛-6-基甲基酯等之降水片烯型、7-氧代雙環 [4.1.0]庚烷-3-羧酸、三環[3.3.1.13,7]癸烷-1,3-二基酯等 之金剛烷型等。此等之中從透明性、韌性、耐熱性之點, 更宜爲氫化雙酚A型環氧基樹脂。又,若分子量爲800 以上’可進一步提高靭性。即使原料之環氧基樹脂的平均 分子量未達500時,一部分使用琥珀酸、己二酸、十二碳 烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸之二羧酸而增大分子量亦無 妨。 -11 - 200940639 乙烯基酯樹脂之製造係將上述環氧基化合物、與具有 羧基之乙烯性不飽和化合物饋入反應器中,一邊吹入空氣 —邊進行反應。較佳之反應溫度爲70°C~150°C,更宜爲 8 0°C ~140°C。低於70°C時係反應時間變長,不經濟。高 於1 5 (TC時,進行凝膠化之情形很多。 反應觸媒係可加亦可不加,但加入者反應時間變短, 經濟性。較佳之觸媒可舉例如三級胺系化合物、磷化合物 、鎗鹽等。三級胺系化合物之具體例,可舉例如二甲環己 基胺、Ν,Ν-二甲基六氫化吡嗪、苯甲基二甲基胺等,磷系 化合物係可舉例如三苯基磷、三甲苯基磷、三環己基磷等 。又,鎗鹽可舉例如4級銨鹽或4級鱗鹽等,4級銨鹽可 舉例如氯化四甲基銨、氯化四丁基銨、溴化四甲基錢、溴 化四丁基銨、氯化癸基三甲基銨等,4級鱗鹽可舉例如氯 化四苯基鱗、氯化苯甲基三苯基鎸、溴化四苯基鳞、四甲 基鐵四苯基硼酸鹽等。此等觸媒之添加量係相對於具有環 氧基樹脂與羧基之乙烯性不飽和化合物之總和1〇〇質量份 ,宜爲0.05質量份〜3質量份,更宜爲〇.1質量份〜2質量 份。未達〇.〇5質量份時未顯現反應之促進效果’而若超 過3質量份,樹脂之著色變激烈,不佳。 [反應性單體] 本發明之乙烯基酯樹脂組成物係亦可以硬化速度之控 制、黏度調整(作業性之改善)、交聯密度之提升、功能 加成等爲目的而加入反應性單體。此等之反應性單體並無 -12- 200940639 特別限制,可使用各種者,但爲與乙烯基酯樹脂組成物反 應宜具有乙烯基、烯丙基等之自由基聚合性的碳-碳雙鍵 (乙烯性不飽和基)之單體。如此之單體,可舉例如於一 分子中具有一個乙烯性不飽和基之單官能單體、於一分子 中具有二個以上乙烯性不飽和基之多官能單體。將此等反 應性單體之較佳的具體例表示於以下。 單官能單體之例係可舉例如甲基(甲基)丙烯酸酯、 $ 乙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、第二 丁基(甲基)丙烯酸酯、第三丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、十 二碳基(甲基)丙烯酸酯、十八碳基(甲基)丙烯酸酯、 異冰片基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、 甲基環己基(甲基)丙烯酸酯、4-第三丁基環己基(甲基 )丙烯酸酯、二環戊烯基氧甲基(甲基)丙烯酸酯、二環 戊烯基氧乙基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基乙基(甲基)丙 φ 烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、2-羥乙基( 甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等之脂肪族 (甲基)丙烯酸酯、苯甲基(甲基)丙烯酸酯、苯基(甲 基)丙烯酸酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二 乙二醇(甲基)丙烯酸酯、1-萘基(甲基)丙烯酸酯、氟 苯基(甲基)丙烯酸酯、氯苯基(甲基)丙烯酸酯、氰苯 基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基苯基(甲基)丙烯酸酯及聯 苯基(甲基)丙烯酸酯等之芳香族(甲基)丙烯酸酯 '氟 甲基(甲基)丙烯酸酯、氯甲基(甲基)丙烯酸酯等之鹵 -13- 200940639 烷基(甲基)丙烯酸酯;縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、 烷基胺基(甲基)丙烯酸酯、氰丙烯酸酯等之(甲基)丙 烯酸酯化合物、丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二 乙基丙烯醯胺、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙 烯基-ε -己內醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮、1-乙烯基咪唑、 Ν-乙烯基咔唑、Ν-乙烯基嗎啉、Ν-乙烯基吡啶、丙烯醢氧 嗎啉等之含氮單體、苯乙烯、α -甲基苯乙烯、氯苯乙烯 、苯乙烯磺酸、4-羥基苯乙烯及乙烯基甲苯、醋酸乙烯酯 、丙酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯等。 多官能單體可舉例如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二 乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸 酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基) 丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲 基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丙二 醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯 ' 1,5 -戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、丨,6-己二醇二(甲基 )丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇 二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯 、二經甲基三環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二烯二( 甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧苯基)丙 院及2,2-雙(4-(ω-(甲基)丙烯醯氧乙氧基)苯基) 丙烷、雙酚Α之環氧乙烷加成物之二(甲基)丙烯酸酯 等的二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯 酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷 -14-
200940639 之環氧乙烷加成物之三丙烯酸酯、季戊四醇 烯酸酯等之三官能的交聯性單體、季戊四醇 烯酸酯、季戊四醇之環氧乙烷加成物的四( 酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之4 官能丙烯酸酯、酞酸二烯丙酯、異酞酸二烯 二甲基丙烯酸酯、對酞酸二烯丙酯、偏苯三 、2,6-萘二羧酸二烯丙酯、1,5-萘二羧酸二 二甲苯基二羧酸烯丙酯及4,4’-二苯基二羧 之芳香族羧酸二烯丙酯類、環己烷二羧酸二 甲基)烯丙基三聚異氰酸酯、三(甲基)烯 酯、氯菌酸二烯丙基(diallyl chlorendate ) 化合物。 上述反應性單體係可1種單獨,或組合2 用。此等之反應性單體的使用量並無特別限制 基酯樹脂30質量%~1 00質量%、反應性單體 Q 質量%。若反應性單體之使用量超過70質量 現乙烯基酯樹脂優異的透明性,或源自乙烯基 械強度降低,不佳。 [合成蒙脫石] 本發明所使用之合成蒙脫石係只要爲數目 10nm~300nm ’且長寬比爲10~300之合成蒙 無特別限定。 使用本發明之透明複合薄片於顯示器用 (甲基)丙 (甲基)丙 基)丙烯酸 能以上的多 酯、異酞酸 酸三烯丙酯 丙酯、1,4-二烯丙酯等 丙酯、三( 基三聚氰酸 等之烯丙基 種以上而使 ,但宜乙烯 0質量%~7 0 1,有時未顯 酯樹脂之機 平均粒徑爲 石即可,並 板等時,平 -15- 200940639 均粒徑必須充分小於可見光的波長者。又,此處所謂之可 見光係謂波長爲400nm~800nm之範圍的光。因此,合成 蒙脫石之數目平均粒徑係宜爲l〇nm〜3 00nm之範圍,更宜 爲30nm~200nm之範圍。數目平均粒徑未達10nm時係有 透明薄片之面方向的線膨脹係數不會變成非常小之傾向, 超過300nm時,亦包含與可見光波長重疊之粒徑者,故 就透明性而言,不佳。又,此處所謂之合成蒙脫石的數目 平均粒徑係指一邊分散於溶劑中,一邊依動態光散射法所 求出之數目平均粒徑。動態光散射法所得到之數目平均粒 徑係可依參照例如「粒子徑計測技術」(粉體工學會編, 19 94年)之第169頁〜179頁來求出。具體之測定裝置可 舉例如動態光散射式粒徑分布測定裝置(例如堀場製作所 公司製,LB-5 50型)。依前述動態光散射法所求出之合 成蒙脫石的數目平均粒徑係可認爲與本發明之樹脂中所分 散後的合成蒙脫石的數目平均粒徑實質上相同。 合成蒙脫石之長寬比(Z)係以Z = L/a之關係表示。 L係溶劑中依動態光散射法所求出之前述數目平均粒徑, a係合成蒙脫石之單位厚度。單位厚度a係可依粉末X光 繞射法而測定平板狀無機物質之繞射光譜所算出之値。本 發明之合成蒙脫石係長寬比爲1〇〜300之範圍,更宜爲 3 0〜100之範圍。從易配向於透明薄片之面方向的觀點, 長寬比宜爲10以上。長寬比未達10之合成蒙脫石時係恐 線膨脹係數不成爲特定之範圍(較佳係30ppm/°C以下) 。另外,使用長寬比超過300之合成蒙脫石,恐透明薄片 200940639 之全光線透過率降低。 如此之合成蒙脫石係亦可使用公知之方法(例如白水 晴雄著「黏土礦物學-黏土科學的基礎」朝倉書店、1988 年、第98頁~100頁)而合成,亦可使用市售之合成蒙脫 石。合成蒙脫石之例係可適宜使用合成水輝石、合成鋅蒙 脫石及合成矽鎂石,市售品可舉例如Co-op Chemical公 司製合成蒙脫石SWN (合成水輝石)、Kunimine工業公 & 司製合成無機高分子蒙脫石SA(合成鋅蒙脫石)、 Rockwood公司製合成矽酸鹽 LAPONITE (合成水輝石) 、水澤工業公司製合成矽酸鎂鹽富矽高嶺石(ionite )( 合成矽鎂石)。此等之中更佳者係透明性、陽離子交換容 量、尺寸而言,爲 Co-op Chemical公司製合成蒙脫石 SWN。 合成蒙脫石係均一地分散於樹脂中,故依4級銨鹽及 /或4級鐃鹽而進行疏水化(有機化處理)。有機化處理 φ 方法係使存在於合成蒙脫石之薄片狀結晶層間的鈉或鈣等 之交換性金屬陽離子,與具有如陽離子性界面活性劑等之 陽離子性的各種物質進行交換,***(Intercalate )於合 成蒙脫石之結晶層間。前述有機化處理方法亦謂以陽離子 性界面活性劑所進行之陽離子交換法,此方法係於本發明 之透明複合材料的樹脂成分爲低極性之情形很有效,可提 高合成蒙脫石與低極性樹脂之親和性,使合成蒙脫石於低 極性樹脂中更均一地微分散。 此時之合成蒙脫石的陽離子交換容量並無特別限定, -17- 200940639 但宜爲50毫當量/100 g〜1200毫當量/ l〇〇g。陽離子交換容 量未達50毫當量/10 0g時係藉陽離子交換***於合成蒙脫 石之結晶層間的陽離子性物質之量變少,故有時結晶層間 不被充分地非極性化(疏水化)。陽離子交換容量大於 1200毫當量/100g時係合成蒙脫石之結晶層間的結合力變 成太強固,有時結晶薄片很難剝離。 此處所使用之陽離子性界面活性劑並無特別限定,可 舉例如4級銨鹽、4級錢鹽等。其中,可使合成蒙脫石之 結晶層間充分地疏水化,故可適宜使用碳數6以上之烷基 銨離子鹽、芳香族4級銨離子鹽或雜環4級銨離子鹽。 前述4級銨鹽並無特別限定,可舉例如三甲基烷基銨 鹽、三乙基烷基銨鹽、三丁基烷基銨鹽、二甲基二烷基銨 鹽、二丁基二烷基銨鹽、甲基苯甲基二烷基銨鹽、二苯甲 基二烷基銨鹽、三烷基甲基銨鹽、三烷基乙基銨鹽、三烷 基丁基銨鹽:具有氯化苯甲基甲基{2-[2-(?-1,1,3,3-四 甲基丁基苯氧基)乙氧基]乙基}銨等之芳香環的4級銨 鹽;三甲基苯基銨等源自芳香族胺的4級銨鹽;烷基吡啶 鎗鹽、咪唑啉鎗鹽等具有雜環之4級銨鹽;具有2個聚乙 二醇鏈之二烷基4級銨鹽、具有2個聚丙二醇鏈之二烷基 4級銨鹽、具有1個聚乙二醇鏈之三烷基4級銨鹽、具有 1個聚丙二醇鏈之三烷基4級銨鹽等。其中,適宜爲月桂 基三甲基銨鹽、硬脂基三甲基銨鹽、三辛基甲基銨鹽、二 硬脂基二甲基銨鹽 '二硬化牛脂二甲基銨鹽、二硬脂基二 苯甲基銨鹽、N-聚氧乙烯基-N -月桂基·ν,Ν-二甲基銨鹽等 -18- 200940639 。此等之4級銨鹽係可單獨使用,亦可組合2種以上而使 用。 前述4級錢鹽並無特別限定,係可舉例如十二碳基三 苯基錢鹽、甲基三苯基銹鹽、月桂基三甲基錢鹽、硬脂基 三甲基銹鹽、三辛基甲基銹鹽、二硬脂基二甲基銹鹽、二 硬脂基二苯甲基鱗鹽等。此等之4級鱗鹽係可單獨使用, 亦可倂用2種以上。 ϋ 於脂肪族乙烯基酯樹脂中使用4級銨鹽及/或4級鱗 鹽,爲提昇合成蒙脫石之分散性,宜使用脂肪族系之4級 銨鹽及/或4級銹鹽,尤宜爲三烷基甲基銨鹽、具有1個 聚丙二醇鏈之三烷基4級銨鹽。 進一步,藉由使用表面改質劑,可於乙烯基酯樹脂中 高度地分散合成蒙脫石。若使用那一種的表面改質劑,分 散性會提高,係宜一般含有許多脂肪族碳鏈之乙烯基酯樹 脂中使用脂肪族系之表面改質劑。 Q 又,可使用於本發明之合成蒙脫石係不僅層間,表面 亦可進行有機處理。合成蒙脫石之表面係具有羥基等之官 能基,故可以對於此羥基具有反應性之官能基的化合物進 行有機處理。具有可與上述羥基進行化學結合之官能基的 化合物(表面改質劑)並無特別限定,而可舉例如具有上 述官能基之矽烷化合物(矽烷偶合劑)、鈦酸酯化合物( 鈦酸酯偶合劑)、縮水甘油基化合物、異氰酸酯化合物、 羧酸類、醇類等。此等之化合物係可單獨使用,亦可倂用 2種以上。 -19- 200940639 在前述化合物中係宜使用矽烷化合物。矽烷化合物之 具體例可舉例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽 烷、r-胺基丙基三甲氧基矽烷、r-胺基丙基甲基二甲氧 基矽烷、r-胺基丙基二甲基甲氧基矽烷、r-胺基丙基三 乙氧基矽烷、r-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、7-胺基丙 基二甲基乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧 基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三 乙氧基矽烷、十八碳基三甲氧基矽烷、十八碳基三乙氧基 矽烷、甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、τ-甲基 丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、τ -甲基丙烯醯氧丙基 三甲氧基矽烷、r-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷等。 此等之矽烷化合物係可單獨使用,亦可倂用2種以上。 透明複合材料中之合成蒙脫石的含量係相對於含有從 脂肪族環氧基化合物所合成之乙烯基酯樹脂的乙烯基酯樹 脂組成物與合成蒙脫石之總量,宜爲1 〇質量%~40質量% 之範圍,更宜爲15質量%~30質量%之範圍。合成蒙脫石 之含量未達10質量%時,透明複合材料之50°c ~250 °c的 平均線膨脹係數會變大,較30ppm/°c更大。又,合成蒙 脫石之含量超過40質量%,很難使合成蒙脫石均一地分 散於樹脂中,又,透明複合材料之機械強度降低,脆弱而 易龜裂。 [硬化劑] 使本發明之乙烯基酯樹脂組成物硬化時,宜爲電子束 -20- 200940639 (EB )硬化,但亦可爲紫外線(UV )或熱硬化。UV或熱 硬化時係亦可使用硬化劑。可使用之硬化劑並特別限制, 可使用一般使用來作爲聚合性樹脂之硬化劑者。其中,從 (甲基)丙烯醯氧基的聚合起始而言,宜添加自由基聚合 起始劑。自由基聚合起始劑可舉例如光聚合起始劑、有機 過氧化物、偶氮化合物等。從使本發明之乙烯基酯樹脂組 成物UV硬化而言,尤宜爲光聚合起始劑。 A 光聚合起始劑可舉例如2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙 烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、二苯甲酮、2-甲基-1-( 4-甲基硫苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苯甲基-2-二甲基 胺基-1-( 4 -嗎琳基苯基)-丁嗣-1、2 -經基-2-甲基-1-本基 丙烷-1-酮、1-[4- (2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-酮、 2-羥基-1-{ 4-[4- (2-羥基-2-甲基丙醯基)苯甲基]苯基 } -2-甲基丙烷-1-酮、氧苯基乙酸2-[2-氧代-2-苯基乙醯 氧基乙氧基]乙基酯、氧苯基乙酸2-[2-羥基乙氧基]乙基 0 酯、苯基乙醛酸甲基酯、2-二甲基胺基- 2-(4-甲基苯甲基 )-1-(4-嗎啉-4-基苯基)丁烷-1-酮、雙(2,4,6-三甲基 苯甲醯基)苯基磷氧化物、1,2-辛烷二酮、1-[4-(苯基硫 )苯基-、2-(0-苯甲醯基肟)]、乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H -咔唑-3-基]-、1-(0 -乙醯基肟)、碘 鑰、(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]六氟磷酸酯 (1-)、乙基-4-二甲基胺基苯甲酸酯、2-乙基己基-4-二 甲基胺基苯甲酸酯、及、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基磷 氧化物等。 -21 - 200940639 又,有機過氧化物係可使用過氧化二烷基、過氧化醯 基、氫過氧化物、酮過氧化物、過氧化酯等公知者。其具 體例可舉例如過氧化二異丁基、枯基過氧化新癸酸酯、二 正丁基過氧化二碳酸酯、二異丙基過氧化二碳酸酯、二第 二丁基過氧化二碳酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化新癸 酸酯、二(4-第三丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、第三己基過氧化新癸酸酯、 第三丁基過氧化新癸酸酯、第三丁基過氧化新庚酸酯、第 三己基過氧化特戊酸酯、第三丁基過氧化特戊酸酯、過氧 化二(3,5,5-三甲基己醯基、過氧化二月桂醯基、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、過氧化二琥珀酸、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己醯基過氧化)己烷、第三己基過 氧化-2-乙基己酸酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯基)、第 三丁基過氧化-2-乙基己酸酯、過氧化二(3-甲基苯甲醯 基)、過氧化苯甲醯基(3 -甲基苯甲醯基)、過氧化二苯 甲醯基、1,1-二(第三丁基過氧化)-2-甲基環己烷、1,1-二(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(第 三己基過氧化)環己烷、2,2-雙[4,4-二(第三丁基過氧化 )環己基]丙烷、第三己基過氧化異丙基單碳酸酯、第三 丁基過氧化馬來酸、第三丁基過氧化-3,5,5-三甲基己酸酯 、第三丁基過氧化月桂酸酯、第三丁基過氧化異丙基單碳 酸酯、第三丁基過氧化-2-乙基己基單碳酸酯、第三己基 過氧化苯甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲醯基過氧化) 己烷、第三丁基過氧化乙酸酯、2,2-二(第三丁過氧化) -22- 200940639 丁烷、第三丁基過氧化苯甲酸酯、正丁基-4,4-二(第 基過氧化)特戊酸酯、二(第三丁基過氧化異丙基) 過氧化二枯基、過氧化二(第三己基)、2,5-二甲基 二(第三丁基過氧化)己烷、過氧化第三丁基枯基、 化二第三丁基、氫過氧化對孟烷(menthane ) 、2,5- 基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烯-3、氫過氧化二異 苯、氫過氧化 1,1,3,3-四甲基丁基、氫過氧化異丙苯 φ 氫過氧化第三丁基等。 偶氮化合物可舉例如2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2: 甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、二 2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、2,2’-偶氮雙(2-甲基 )、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)、2,2’-偶氮雙[>^-丙烯基)-2-甲基丙醯胺]、1-[(卜氰-1-甲基乙基) 甲醯胺、2,2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙醯胺)、2,: 氮雙(N-環己基-2-甲基丙醯胺)等。 Q 此等之自由基聚合起始劑可爲1種,亦可組合2 上而使用。此等之硬化劑的調配量並無特別限制,但 於乙烯基酯樹脂組成物 100質量份,宜調配0.1質 ~1〇質量份,更宜爲0.5質量份〜5質量份。若硬化劑 配量少於〇 · 1質量份,很難得到充分的硬化速度,若 量超過10質量份,有時最終之硬化物變脆,機械強 低。 [添加劑] 三丁 苯、 -2,5- 過氧 二甲 丙基 、及 ,4-二 甲基 丁腈 (2- I氮] !,-偶 種以 相對 量份 之調 調配 度降 -23- 200940639 本發明之透明導電性基板用乙烯酯樹脂組成物中係就 改良硬度、強度、成形性、耐久性、耐水性之目的而言’ 可依需要而添加紫外線吸收劑、抗氧化劑、消泡劑、流平 劑、離型劑、滑劑、撥水劑、難燃劑、低收縮劑、交聯助 劑等之添加劑。 抗氧化劑並無特別限制,可使用一般所使用者。其中 ,宜爲酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑、硫系抗氧化劑 '磷 系抗氧化劑等,尤宜爲酚系抗氧化劑。酚系抗氧化劑可舉 例如2,6-二第三丁基對-甲酚、4,4-亞丁基雙-(6-第三丁 基-3-甲基酚)、2,2’-亞甲基雙-(4-甲基-6-第三丁基酚) 、2,2’-亞甲基雙-(4-乙基-6-第三丁基酚)、2,6-二第三 丁基-4-乙基酚、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5_第三丁基苯 基)丁烷、正十八碳基-3- (3,5-二第三丁基-4-羥基苯基 )丙酸酯、四[亞甲基·3· (3,5-二第三丁基-4-羥基苯基) 丙酸酯]甲烷、三乙二醇雙[3- (3-第三丁基_4_羥基甲基 苯基)丙酸酯]、三(3,5-二第三丁基-4-羥基苯甲基)三 聚異氰酸酯、4,4-硫雙-(6·第三丁基-3-甲基酚)、39_雙 [2-[3- ( 3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)]丙醯基氧]_ 1,1’-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧代螺[5,5]十一碳院、硫二 亞乙基雙[3- (3,5 -二第三丁基-4 -經基苯基)丙酸醋]、 比:^-己烷-^-二基雙^-^^-二第三丁基-扣羥基苯基) 丙醯胺]等。硫系抗氧化劑可舉例如二月桂基-3,3,-硫二丙 酸酯、雙十三碳基- 3,3’-硫二丙酸酯、二肉豆蔻基-3,3’_硫 二丙酸醋、二硬脂基- 3,3’-硫二丙酸醋、季戊四醇基四( -24- 200940639 3-月桂基硫丙酸酯)等。磷系抗氧化劑可舉例如三[2-[[2,4,8,10-四-第三丁 基苯並[d,f][l,3,2]二氧 phosphephine-6-基]氧]乙基]胺 '雙[2,4-雙(1,1-二甲基乙 基)-6-甲基苯基]乙基酯亞磷酸、四(2,4-二第三丁基苯 基)[1,1-聯苯基]-4,4’-二基雙?11〇1^七。此等之抗氧化劑 係可爲1種,亦可組合2種以上而使用。 滑劑並無特別限制,可使用一般所使用者。其中,宜 0 爲金屬皂系滑劑、脂肪酸酯系滑劑、脂肪族烴系滑劑等, 尤宜爲金屬皂系滑劑。金屬皂系滑劑可舉例如硬脂酸鋇、 硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂、及硬脂酸鋁等。此等係 可形成複合體而使用。 紫外線吸收劑並無特別限制,可使用一般所使用者。 其中,宜爲二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯並***系紫外線 吸收劑、氰丙烯酸酯系紫外線吸收劑,尤宜爲二苯甲酮系 紫外線吸收劑。二苯甲酮系紫外線吸收劑可舉例如2-( φ 2’-羥基- 5’-甲基苯基)苯並***、2- ( 2’-羥基- 5,-丁基苯 基)苯並***及2-(2-羥基-3,-第三丁基苯基)苯並*** 等。 但’此等之添加劑不限定於上述之具體例,在不阻礙 本發明之目的或效果之範圍可添加所有者。 [溶劑] 在本發明中使合成蒙脫石有效率地層剝離,爲分散於 乙烯基酯樹脂組成物中宜使用溶劑。溶劑可舉例如苯、甲 -25- 200940639 苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、正丙基苯、異丙基苯等 之芳香族烴類、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、醋酸丁 酯等之醋酸酯類、丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等之酮類 、二乙基醚、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚類 '甲醇、乙 醇、(異)丙醇、丁基醇等之醇類、氯仿、二氯甲烷等之 鹵化烴類、N,N-二甲基甲醯胺、N_甲基吡咯烷酮、吡啶、 乙腈等之含氮系溶劑等。較佳係從操作性之觀點,可舉例 如水、甲醇等之醇類、甲苯、二甲苯、N-甲基吡咯烷酮。 溶劑對合成蒙脫石之比率係依溶劑之種類而影響很大 ’但相對於合成蒙脫石1〇〇質量份爲1〇〇質量份〜10000 質量份,更宜爲200質量份〜5 000質量份。若溶劑之比率 少於100質量份’混合物之組成液黏度變高,很難均一地 混合。 [透明薄片之製造方法] 本發明之透明薄片係藉4級銨及/或4級鱗有機化處 理之合成蒙脫石、乙烯基酯樹脂組成物之混合物塗佈於基 材上’進行EB/UV或熱硬化,可使所得到之透明薄片剝 離而製造。 合成蒙脫石、乙烯基酯樹脂組成物、溶劑之混合係可 藉由如下來製造:(1)使樹脂成分溶解於溶劑之溶液與 合成蒙脫石分散於溶劑之分散液進行混合之方法、(2) 使合成蒙脫石分散於溶劑之分散液中直接添加樹脂成分而 溶解之方法、(3)使樹脂成分溶解於溶劑後加入合成蒙 -26- 200940639 脫石而分散之方法、或(4)使樹脂成分與合成蒙脫石進 行加熱混練所得到之混合物溶解於溶劑、分散之方法。其 中,從合成蒙脫石之分散性的觀點,宜爲使樹脂成分溶解 於溶劑之溶液與合成蒙脫石分散於溶劑之分散液進行混合 之方法。分散方法並無特別限定,但可以加熱處理、混合 旋轉器、磁攪拌子、均質機、漢歇爾混合機、粒磨機、超 高壓微粒化裝置、超音波照射等公知之方法分散。 @ 其次,使合成蒙脫石、乙烯基酯樹脂組成物、溶劑之 分散液藉減壓進行脫氣、濃縮,使分散液之黏度調整成最 適於塗佈之黏度。分散液黏度並無特別限定,但宜爲適於 成形之方法的黏度。例如,輥塗法及刮塗法時係宜在25 °C中之黏度爲〇_〇1 Pa· s ~ 1000 Pa· s的範圍。若黏度低 於0.01 Pa· s,或高於1000 Pa· s,作業性便差,不佳。 在常溫之黏度高時係可提高分散液之溫度而改善作業性。 又,減壓時間短時係無法充分除去分散液中之氣體,而塗 φ 佈、乾燥、硬化時產生氣泡,很難製作平滑的透明薄片。 塗佈係使用藉由減壓濃縮分散液,進行脫氣及黏度調 整者作爲塗佈液,可於玻璃、金屬、塑膠膜等之平滑基材 上藉由直接凹版法或逆凹版法及微凹版法、2根輥座塗佈 法、底供料3根逆式塗佈法等之輥塗法、及刮塗法或模縫 塗佈法、浸塗法、條棒塗佈法或組合此等之塗佈法等一般 工業上所使用之方法來進行。其中,宜爲以使合成蒙脫石 配向於面方向之方式朝與基材平行方向作用之力(剪力) 的方法即輥塗佈法及刮塗法。「配向於面方向」謂合成蒙 -27- 200940639 脫石之各層的大多數對於基材表面呈平行之方式配向。合 成蒙脫石朝面方向配向時係可有效地減少透明薄片之面方 向的線膨脹係數。又,藉由合成蒙脫石之各層朝面方向配 向,合成蒙脫石含量多時,全光線透過率亦變高。 可揮發之溶劑使用於合成蒙脫石之分散及黏度調整時 係可使合成蒙脫石進一步配向於面方向。亦即,使合成蒙 脫石、乙烯基酯樹脂組成物及溶劑之混合物塗佈於基材上 之後,若只使溶劑蒸發,只於塗佈液之厚度方向進行收縮 ,故結果,樹脂之合成蒙脫石係可進一步配向於面方向。 使用反應性單體時,係使用揮發性比較低之反應性單體, 倂用揮發性高的溶劑,宜以適當的條件(溫度、壓力、時 間等)乾燥。藉由使溶劑揮發,俾使合成蒙脫石朝面方向 配向之方法,係可與上述輥塗法及/或刮塗法倂用,但, 不施加剪力而進行塗佈之方法亦可單獨實施。 使溶劑揮發之溫度宜爲0°C~200°C。未達0°C時係揮 發速度明顯緩慢,故不佳。高於20(TC時係有可能溶劑急 劇地揮發或因沸騰造成發泡或產生樹脂之凝膠化,表面平 滑性降低,霧度値上昇,不佳。更佳係l〇°C ~100°C。使 溶劑揮發之壓力係宜爲lPa~lMPa。未達IPa時係恐發生 突沸,表面平滑性降低,有可能霧度値上昇,不佳。更佳 係10Pa~200Pa。使溶劑揮發之時間宜爲1分~120分鐘。 未達1分鐘時係無法充分地使溶劑揮發,而於硬化時產生 氣泡。較120分鐘長時係生產性變差,故不佳。使溶劑揮 發之時係亦可使用空氣、氮、氬、二氧化碳等之氣體。又 -28- 200940639 ,此等之氣體亦可含有溶劑之揮發成分。使溶劑揮發之時 之氣體的流速宜爲0.01m/s~200m/s。較0.01m/s慢時係溶 劑之揮發成分會滯留,故不佳。較200m/s快時係塗佈液 成爲不均一,故不佳。更佳爲〇.lm/s〜50m/s。 最後,以玻璃、金屬、塑膠膜等之平滑基材挾住, EB/UV或熱硬化,從基材離模以得到透明薄片。又,不以 玻璃、金屬、塑膠膜等之平滑基材挾住之情形,係在惰性 φ 氣體(例如氮、氬、二氧化碳等)環境下、EB/UV或熱硬 化後從基材離模以得到透明薄片。例如,合成蒙脫石被分 散,且含有溶劑之硬化前的乙烯基酯樹脂組成物以上述方 法塗佈於表面平滑之平面上例如雙軸延伸聚對苯二甲酸乙 二酯薄膜後,使溶劑揮發,以表面爲平滑之雙軸延伸聚對 苯二甲酸乙二酯薄膜挾住,再使其以EB/UV或熱硬化之 方法。硬化方法從硬化速度、著色之點宜爲EB硬化。 藉EB硬化使乙烯基酯樹脂組成物硬化時,不須聚合 φ 起始劑。但藉由後固化操作而使硬化完全時,係亦可倂用 熱聚合起始劑。EB照射時之電子束的加速電壓爲 30kV〜500kV,宜爲 50kV〜300kV。又,電子束照射量爲 lkGy~300kGy,宜爲 5kGy〜200kGy。電子束加速電壓未 達3 OkV時,組成物之厚度很厚時,恐產生電子束的透過 不足,大於500kV時係經濟性變差。又,電子束照射量 超過300kGy,恐損傷基材,故不佳。 藉UV硬化使乙烯基酯樹脂組成物硬化時,硬化溫度 爲 0°C〜150°c ,宜爲 10°C〜130°c。又,UV照射時間爲 -29- 200940639 0.0 1小時~ 1 0小時,宜爲ο · 0 5小時〜1小時,更宜爲0.1 小時〜0.5小時而硬化。UV積算光量爲 10mJ/cm2〜5000 mJ/cm2。若未達 10mJ/cm2,硬化不充分,不佳。大於 5000mJ/cm2時,生產性變差。 藉熱硬化使乙烯基酯樹脂組成物硬化時,硬化溫度爲 30°C〜160°C,宜爲40°C~130°C。又,若考慮硬化時之收 縮或變形之抑制,宜爲一邊昇溫一邊徐緩地硬化之方法, 爲0.5小時〜1 0 0小時,宜爲3小時〜5 0小時。
EB/UV或熱硬化後,乙烯基酯樹脂硬化物之硬化不充 分時,藉後固化而進行完全硬化。進行後固化時係可使透 明薄片從玻璃、金屬、塑膠膜等之平滑基材剝離亦無妨, 亦可不剝離。後固化之溫度爲5 0 °C〜3 00 °C,宜爲8 0 °C 〜250°C。後固化之時間爲〇·1小時〜10小時,宜爲0.5小 時〜5小時。後固化之壓力可在1.0xl0_7Pa〜IMPa之減壓〜 加壓環境下實施,較佳係l.〇xl〇_6Pa〜0.5MPa。後固化之 環境係可在空氣、氮、氬、二氧 從著色降低而言,宜爲氮環境下 製造由二層以上所構成之透明薄片時係可藉由如下方 法來製造:最初使一層塗佈於基材上(以及乾燥)後,於 其上使另一層反覆塗佈(及乾燥),EB/UV或熱硬化,從 基材剝離之方法;或製造2片以上之薄片,層合其2片以 上之薄片之方法。又,層合2片以上之薄片時,二片之界 面亦可實施電暈處理或錨定塗佈等之處理。 -30- 200940639 【實施方式】 [實施例] 以下,舉出合成例、實施例及比較例而說明本發明, 但,本發明不受此等之記載任何的限定。 [柔軟性] 柔軟性係使製成2mm φ 之玻璃棒的薄膜捲繞而評估 φ 。可捲繞時爲〇,不能時爲X。 [線膨脹係數、Tg之測定] 線膨脹係數係使用 SII Technology 公司製 TMA/SS6 100,以抗拉模式進行測定。薄膜狀試驗片係使 厚 ΙΟΟμιηχ 3mm X 12mm (卡盤間距離 10mm )、張力: O.OOlkgf,氮爲lOOmL/分之環境下以昇溫速度5°C/分昇 溫至250°C後,冷卻至50°C以下,再度以昇溫速度5°C/分 φ 於50°C〜250°C之間測定試驗片的伸長率。從50°C與250 °C之伸長率差與溫度差(200°C )計算50°C ~250°C之間的 面方向之平均線膨脹係數。又,使伸長率之不連續點的溫 度爲玻璃轉移溫度(Tg)。 [全光線透過率] 全光線透過率係使用東京電色公司製全自動霧度計 TC-H3DPK,依據 JIS K-73 6 1 - 1 而測定。 -31 - 200940639 [霧度] 霧度値係使用東京電色公司製全自動霧度計TC-H3DPK,依據 JIS K-7 136 而測定。 合成例1 :寡聚物(1 ) 於附帶溫度調節器、攪拌裝置、吉姆漏斗冷卻管、空 氣導入管之四口燒瓶中’饋入東都化成公司製氫加氫雙酚 A型環氧樹脂、ST-4000D (商品名、環氧基當量:725 ) 276_3份(質量份,以下相同)、甲苯202.5份、作爲聚 合抑制劑之4-甲氧基酚(MEHQ :氫醌甲基醚)0.19份, 一邊吹入乾燥空氣(2〇ml/分)一邊昇溫至8(TC,攪拌至 成爲均一。成爲均一後,加入Kuraray公司製丙烯酸27.5 份、作爲觸媒之氯化苯甲基三苯基錢(北興化學工業公司 製,商品名TPP-ZC) 1.24份,以ll〇°C進行溫度調製, 同時並反應7小時,酸價爲7.8mgKOH/g之時點終了,得 到寡聚物(1 )(甲苯溶液)。 合成例2:寡聚物(2) 於附帶蒸餾裝置之2升容量的三口燒瓶中,饋入1,4-環己烷二羧酸二烯丙酯1625g、丙二醇32<7g、氧化二丁錫 0.813g,氮氣流下,一邊餾去在18〇°C所生成之醇一邊進 行加熱。所飽去之醇在成爲約35〇g之時點於反應系內徐 緩地(約花4小時)減壓至6.6kPa,加速烯丙醇之餾出速 度。在餾出液幾乎出不來之時點,使反應系內減壓至 -32- 200940639 0.5kPa,進一步反應1小時後,使反應物冷卻至室溫。以 下,使依此所得到之反應物爲寡聚物爲(2)。 實施例1 : 於100ml試樣瓶內置入甲苯24g,再一邊以攪拌子攪 拌一邊少量少量地加入以三辛基甲基銨鹽陽離子交換處理 之親油性合成蒙脫石(Co-op Chemical公司製合成蒙脫石 φ STN :數目平均粒徑50nm,長寬比50、無機成分71%) 3g,。再蓋上試樣瓶子,以混合旋轉器在室溫下攪拌1日 ,得到蒙脫石分散液。於此蒙脫石分散液中加入寡聚物( 1 )的甲苯溶液(樹脂量換算7g ),進一步加入UV硬化 劑(Ciba Specialty Chemical 公司製 IRGACURE 65 1 ) 〇 · 3 5 g,充分攪拌,成爲組成物(1 )。將組成物(i )安 裝於蒸發器上,在室溫下以20kPa攪拌10分鐘,除去黏 度調整及組成物中之氣體成分。 〇 使此組成物(ο以條棒塗佈器以乾燥後之厚度成爲 ΙΟΟμιη之方式塗佈於PET薄膜(厚50μιη)上。以8〇°C之 熱風乾燥機乾燥30分鐘,使溶劑之甲苯揮發後,進一步 ,從上面以PET薄膜(厚50μιη)覆蓋。以UV照射量 1 000 mJ/cm2進行UV硬化,剝離雙面之PET薄膜,得到 試樣薄膜(1)。此薄膜之線膨脹係數爲13PPm/°C,Tg未 被觀察到。全光線透過率爲92%,霧度爲0.8%。 比較例1 : -33- 200940639 將寡聚物(η改變成雙酚a型乙烯基酯樹脂(昭和 高分子公司製,商品名SP-1529X)以外,其餘係與實施 例1同樣之操作。但,若加入乙烯基酯樹脂,在合成蒙脫 石分散液中會凝集。將此分散液塗佈於PET上,進行乾 燥,但無法均一地塗佈,而無法得到薄膜試樣。 比較例2 : 將寡聚物(1)改變成寡聚物(2)(樹脂量7g), 將UV照射量變更成3 000 J/cm2以外,其餘係與實施例1 同樣之操作。得到試樣薄膜(3 )。此薄膜之線膨脹係數 爲8 4ppm/°C ’ Tg未被檢測到。全光線透過率爲91%,霧 度爲2.1 %。 比較例3 : 除將前述親油性合成蒙脫石變更成被二甲基雙十八碳 基銨鹽陽離子交換處理之親油性天然蒙脫石(Hojun公司 製天然蒙脫石S-BEN NX:無機成分58%)以外,其餘係 與實施例1同樣之操作。得到試樣薄膜(4)。此薄膜之 線膨脹係數爲141ppm/°C,Tg未被檢測到。全光線透過率 爲88% ’霧度爲21.3%。 200940639 [表i] 樹脂 蒙脫石 柔軟性 (2mxn φ ) 線膨張係數 (ppm/°C ) 全光線 透過率 (%) 霧度 (%) 種類 添加量 (質量%) 實施例1 寡聚物⑴ 合成品 30 〇 13 92 0.8 比較例1 SP-1529X 合成品 30 _ _ 比較例2 寡聚物⑵ 合成品 30 〇 84 91 2.1 比較例3 寡聚物(1) 天然品 30 X 141 88 21.3
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Claims (1)

  1. 200940639 七、申請專利範圍: 1· 一種透明複合材料,其特徵在於:使組成物硬化而 成,而該組成物係於含有由脂肪族環氧化合物所合成之乙 烯基酯樹脂之乙烯基酯樹脂組成物60質量%〜90質量%中 ,分散有合成蒙脫石10重量%~40重量%,該合成蒙脫石 係藉4級銨鹽及/或4級鱗鹽有機化處理之數目平均粒徑 爲10nm〜300nm,且長寬比爲10~300者。 2. 如申請專利範圍第1項之透明複合材料,其中前述 乙烯基酯樹脂爲由具有脂環式構造之環氧化合物所合成之 乙烯基酯樹脂。 3. 如申請專利範圍第1或2項之透明複合材料,其中 前述乙烯基酯樹脂爲由氫化雙酚A型環氧樹脂所合成之 乙烯基酯樹脂。 4_如申請專利範圍第1項之透明複合材料,其中前述 乙烯基酯樹脂組成物爲由乙烯基酯樹脂30質量。/。〜丨〇〇質 量%與具有乙烯性不飽和基之反應性單體〇重量%〜7〇重 量%所構成。 5.如申請專利範圍第1項之透明複合材料,其中前述 合成蒙脫石爲選自合成水輝石、合成鋅蒙脫石及合成砂鎂 石之一種以上。 6 .如申請專利範圍第1項之透明複合材料,其中用以 有機化處理前述合成蒙脫石之4級銨鹽爲選自月桂基三甲 基銨鹽、硬脂基三甲基銨鹽、三辛基甲基銨鹽、二硬脂基 二甲基銨鹽、二硬化牛脂二甲基銨鹽、二硬脂基二苯甲基 -36- 200940639 ^ 銨鹽、及N -聚氧乙烯-N-月桂基-N,N-二甲基截鹽 之一種以上。 7. 如申請專利範圍第1、5或6項之透明複合材料, 其中存在於合成蒙脫石之表面的經基爲被表面改質劑處理 者。 8. 如申請專利範圍第7項之透明複合材料,其中前述 表面改質劑爲選自矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑、縮水甘油 0 基化合物、異氰酸酯化合物、羧酸類、及醇類者。 9. 一種透明板,其係由申請專利範圍第i項之透明複 合材料所構成,其中50。(:〜250 °C之面方向的平均線膨脹 係數爲30ppmrc以下’且每ΙΟΟμηι厚之全光線透過率爲 85%以上。 10. —種如申請專利範圍第1項之透明複合材料之製 造方法’其特徵爲:使硬化前之含有乙烯基酯樹脂組成物 口成象脫石’及溶劑之組成物,塗佈於表面爲平滑的平 〇 面上之後’乾燥溶劑,以表面爲平滑的薄片或薄膜挾住, 再電子束(ΕΒ)、紫外線(UV)或熱使其硬化。 1 1 ·—種顯示裝置’其係以如申請專利範圍第丨〜8項 中任一項之透明複合材料作爲基材。 12.如申請專利範圍第〗丨項之顯示裝置,其中前述顯 不裝置爲液晶顯示器、有機EL顯示器、或電子紙。 1 3 ·—種太陽電池用基板’其係以申請專利範圍第1〜8 項中任一項之透明複合材料作爲基材。 -37- 200940639 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明:無
    -3- 200940639 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120022191A1 (en) * 2009-03-27 2012-01-26 Showa Denko K.K. Transparent composite material
CN102181587A (zh) * 2011-03-31 2011-09-14 四川大学 THP盐-Laponite结合鞣制皮革的方法
US9416294B2 (en) * 2012-04-30 2016-08-16 H.B. Fuller Company Curable epoxide containing formaldehyde-free compositions, articles including the same, and methods of using the same
CN102816461B (zh) * 2012-08-27 2014-10-29 暨南大学 含季铵阳离子和季鏻阳离子的改性粘土及其制备与应用
CN103409420B (zh) * 2013-08-31 2015-04-15 西南大学 尼罗罗非鱼y染色体特异分子标记与基于该分子标记的遗传性别鉴定方法和超雄鱼生产方法
EP2863443B1 (de) * 2013-10-17 2016-04-27 DAS Energy GmbH Photovoltaik-Paneel und Verfahren zu dessen Herstellung
CN108376717B (zh) * 2016-10-31 2020-05-12 上迈(镇江)新能源科技有限公司 光伏组件层压结构的制备方法以及层压结构、光伏组件

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3327016A (en) * 1964-07-09 1967-06-20 Epoxylite Corp Epoxide compositions cured with 1, 4-bis (aminomethyl) cyclohexane
JPS63245416A (ja) * 1987-04-01 1988-10-12 Kao Corp 熱硬化性樹脂組成物
JPS63245417A (ja) * 1987-04-01 1988-10-12 Kao Corp ビニルエステル樹脂組成物
US6287992B1 (en) * 1998-04-20 2001-09-11 The Dow Chemical Company Polymer composite and a method for its preparation
DE60305611T2 (de) * 2002-11-14 2007-05-24 Rohm And Haas Co. Härtbare Tonzusammensetzung: Zusammensetzung, Verfahren und deren Verwendungen
JP4387772B2 (ja) * 2002-11-21 2009-12-24 積水化学工業株式会社 光通信用透明樹脂組成物
US7250477B2 (en) * 2002-12-20 2007-07-31 General Electric Company Thermoset composite composition, method, and article
EP1770125B1 (en) * 2004-07-15 2014-07-02 Toray Industries, Inc. Thermoplastic resin composition
US7898636B2 (en) * 2005-09-22 2011-03-01 Tomoegawa Co., Ltd. Clay thin film substrate, clay thin film substrate with electrode, and display device using the same
TW200829635A (en) * 2006-07-21 2008-07-16 Showa Denko Kk Transparent composite material
JP2009001727A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Akebono Brake Ind Co Ltd 熱硬化性樹脂複合材料の製造方法、その方法で得られた熱硬化性樹脂複合材料およびそれを用いた摩擦材

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