TW200930166A - Flexible film and display device comprising the same - Google Patents

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TW200930166A
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TW
Taiwan
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metal layer
film
thickness
flexible film
dielectric film
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Application number
TW97119361A
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English (en)
Inventor
Sang-Gon Lee
Dae-Sung Kim
Woo-Hyuck Chang
Original Assignee
Lg Electronics Inc
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Description

200930166 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明請求2 00 7年12月26日在韓國智慧財產局提出 之韓國專利申請案第10-200 7-0137753號的優先權，其揭示 在此全部倂入作爲參考。 本發明關於一種撓性薄膜，而且更特別是一種包括金 屬層與介電膜之厚度比例爲1:1.5至1:10之撓性薄膜，如 此可具有優良之耐熱性、優良之尺寸安定性、及優良之拉 伸強度。 【先前技術】 隨近來平板顯示技術之改良，其已發展各種型式之平 板顯示裝置，如液晶顯示器（LCD)、電獎顯示面板（PDP)、 及有機發光二極管（OLED)。平板顯示裝置包括驅動單元與 面板、及將影像信號自驅動單元傳送至多個包括於面板中 之電極的顯示影像。 印刷電路板（PCB)可作爲平板顯示裝置之驅動單元。即 PCB可對多個包括於面板中之電極施加影像信號，如此可 使面板顯示影像。平板顯示裝置之驅動單元可使用覆晶玻 璃基板（COG)法將影像信號傳送至面板之多個電極。 【發明内容】 本發明提供一種撓性薄膜，其包括厚度爲特定比例之 金屬層與介電膜，如此可具有優良之耐熱性、優良之尺寸 安定性、及優良之拉伸強度。 依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄膜’其包括介 200930166 電膜；及配置於介電膜上之金屬層，其中金屬層之厚度 介電膜之厚度的比例爲約1:1.5至1:10。 依照本發明之另一個態樣提供一種撓性薄膜，其包 介電膜；配置於介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之 屬層；及配置於金屬層上之積體電路（1C)晶片，其中金 層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:1.5至1:1〇，及 晶片連接至電路圖案。 依照本發明之另一個態樣提供一種顯示裝置，其包 面板；驅動單元；及配置於面板與驅動單元間之撓性薄 :其中撓性薄膜包含介電膜、配置於介電膜上且包含電 圖案印刷於其上之金屬層、及配置於金屬層上之1C晶片 而且金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:1.5 1:10。 【實施方式】 本發明在以下參考其中顯示本發明之例示具體實施 的附圖而詳述。 第la及lb圖分別描述依照本發明具體實施例之撓 薄膜100a至l〇〇b的橫切面圖。參考第la及lb圖，撓性 膜100a與100b將捲帶自動黏結（TAB)型顯示裝置驅動單 提供之影像信號傳送至TAB型顯示裝置面板上之電極。 參考第la圖，撓性薄膜100a具有雙層結構且爲單 。撓性薄膜l〇〇a包括介電膜110a、配置於介電膜ii〇a 之第一金屬層120a、及配置於第一金屬層i20a上之第二 屬層1 3 0 a。 對 括 金 屬 1C 括 膜 路 ， 至 例 性 薄 元 面 上 金 ❹
200930166 參考第lb圖，撓性薄膜100b具有雙層結構且 。撓性薄膜100b包括介電膜ll〇b、分別配置於介電 之上表面與下表面上的二屬第一金屬層120b、及配 第一金屬層120b上之二第二金屬層130b。第一金屬 可經無電極電鍍（electroless plating)形成，及第二 130b可經電鍍形成。 介電膜110a或110b可包括介電聚合物材料， 亞胺、聚酯或液晶聚合物。第一金屬層120 a或第一 120b可包括鎳、金、鉻、或銅。 第一金屬層120a或第一金屬層120b可經無電 形成。電鍍分類爲涉及使用電流之電鍍、或不使用 無電極電鍍。第一金屬層120a或第一金屬層i2〇b 電極電鑛形成，及第二金屬層13 0a或第二金屬層 經電鍍形成。 更具體而言，第一金屬層120a或第一金屬層 形成於介電膜110a或ll〇b上作爲子層。第一金屬 或第一金屬層120b可包括鎳、銅、金、或鉻。由於 且鉻具有低導電度，第一金屬層120a或第一金屬 可由具有低電阻之鎳或銅形成，以改良用於形成第 層130a或第二金屬層13 0b之電鍍效率。 無電極電鍍（其特徵爲經還原劑造成之還原反 含於電鍍液中之金屬離子成爲金屬）之實例包括取 及化學還原電鍍。第一金屬層120a或第一金屬層 藉由將介電膜ll〇a或ll〇b浸於含鎳或銅離子之無 .爲雙面 膜 110b !置於各 層 120b 金屬層 如聚醯 '金屬層 :極電鍍 電流之 可經無 130b 可 120b 可 層 120a 金昂貴 層 120b —*金屬 .應萃取 代電鑛 120b 可 :電極電 200930166 鍍液中，及使用還原劑自無電極電鍍液化學地萃取鎳或銅 離子，而經化學還原電鏟形成。第一金屬層120a或第一金 屬層120b可藉由使介電膜ll〇a或110b與無電極電鍍液均 勻接觸而形成均勻厚度。
無電極電鍍液可依照用以形成第一金屬層120a或第 一金屬層120b之金屬的型式含各種成分。例如爲了形成銅 之第一金屬層120a或第一金屬層120b，無電極電鍍液可含 硫酸銅。無電極電鍍液亦可包括拋光劑及安定劑，因而利 於無電極電鍍液之儲存及再循環。 第二金屬層130a或第二金屬層13 0b可經電鍍形成。 第二金屬層130a或第二金屬層130b可由金或銅形成，而 且特別是遠比金便宜之銅。更具體而言，第二金屬層13 0a 或第二金屬層130b可藉由將其上形成第一金屬層120a或 第一金屬層120b之介電膜1 l〇a或1 10b浸於含硫酸銅之電 鍍液中，及對電鍍液施加電流以萃取電鍍液中之銅離子成 爲銅而形成。 以下表1顯示在介電層厚38微米時，金屬層之厚度對 介電層之厚度的比例與撓性薄膜之性質間之關係。 表1 金屬層之厚度：介電膜之厚度 撓性 剝除強度 1:1.4 X ◎ 1:1.5 〇 〇 1:2 〇 〇 1:4 〇 〇 1:6 〇 〇 200930166
1:8 〇 〇 1:10 〇 〇 1:11 〇 X 1:12 ◎ X 1:13 ---—1 ◎ X ❺
參考表1，其可實行無電極電鍍或電鍍使得第一金屬 層120a與第二金屬層130a之厚度和對介電膜110a之厚度 的比例可在1:1.5至1:10之範圍內。如果第一金屬層120a 與第二金屬層130a之厚度和小於介電膜110a之厚度的十 分之一’則第一金屬層12〇a與第二金屬層130&之剝除強 度可能降低，如此第一金屬層120a與第二金屬層130a可 容易地自介電膜ll〇a脫離’或者電路圖案之尺寸安定性可 能退化。 另一方面，如果第一金屬層12〇a與第二金屬層130a 之厚度和大於介電膜110a之厚度的三分之二’則撓性薄膜 100a之撓性可能退化，或者實行電鍍花費之時間可能增加 ，因而增加第一與第二金屬層12〇a與130a被電鍍液損壞 之可能性。 介電膜110a可使用聚醯亞胺膜形成15-40微米之厚度 。更具體而言，介電膜110a可形成35-38微米之厚度。在 此情形’第一金屬層12〇a與第二金屬層130a可形成4-13 微米之厚度。其直接適用於雙面撓性薄膜。 以下表2顯示在第二金屬層厚8微米時，第一與第二 金屬層之厚度比例與撓性薄膜之性質（如安定性及剝除強 度）間之關係。 200930166 表2 第一金屬層之厚度：第二金屬層之厚度 安定性 剝除強度 1:4 〇 X 1:5 〇 〇 1:10 〇 〇 1:20 〇 〇 1:50 〇 〇 1:80 〇 〇 1:100 〇 〇 1:110 〇 〇 1:120 〇 〇 1:130 X 〇 1:140 X 〇 ❹
參考表2,第一金屬層120a之厚度對第二金屬層U〇a 之厚度的比例可爲1:5至1:120。如果第一金屬層l20a之 厚度大於第二金屬層130a之厚度的五分之一，則實行用於 形成第一金屬層120a之無電極電鍍花費之時間可能增加’ 如此第一金屬層120a之剝除強度可能由於無電極電鍍液中 之微量成分而退化。 另一方面，如果第一金屬層12 0a之厚度小於第二金屬 層130a之厚度的1/120，則在撓性薄膜100a之電路圖案上 的錫層之形成期間可能發生第一金屬層120 a與錫層間之取 代反應。在第一金屬層120a與第二金屬層130a之厚度和 爲4-13微米時，第一金屬層120a具有0.1微米之厚度，第 二金屬層130a及具有8微米之厚度。其直接適用於雙面撓 性薄膜。 -10- 200930166 電路圖案可藉由鈾刻金屬層而形成。爲了保護電路圖 案，其可在金屬層上形成保護膜。保護膜可包括可保護電 路圖案之介電膜。例如保護膜可包括聚對酞酸伸乙酯（PET) 〇 黏著層可用於將保護膜附著於金屬層120a或金屬層 120b上。黏著層可包括環氧基且可形成2-10微米之厚度。 如果黏著層具有小於2微米之厚度，則在撓性薄膜l〇〇a或 100b之運輸或儲存期間，保護膜可能容易自撓性薄膜100a 或100b脫離。如果黏著層具有超過10微米之厚度，則撓 性薄膜100a或100b之製造成本及製造撓性薄膜100a或 1 00b花費之時間可能增加，而且可能非常難以去除保護膜 〇 第2a與2b圖描述包括依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜210之膜捲包裝（TCP) 200的圖表。參考第2a 圖，TCP 200包括撓性薄膜210、形成於撓性薄膜210上之 電路圖案220、及積體電路（1C)晶片230。 撓性薄膜210包括介電膜、及形成於介電膜上之金屬 層。 金屬層可包括形成於介電膜上之第一金屬層、及形成 於第一金屬層上之第二金屬層。第一金屬層可經無電極電 鍍形成，及第二金屬層可經電鍍形成。 第一金屬層可包括鎳、鉻、金、或銅。更具體而言， 爲了改良用於形成第二金屬層之電鑛效率，第一金屬層可 由高導電性金屬形成，如鎳或銅。 -11 - 200930166 或者第一金屬層可藉由將介電膜浸於硫酸銅爲主無電 極電鍍液中’及使用還原劑自硫酸銅爲主無電極電鍍液萃 取銅離子成爲銅，而經無電極電鍍形成。其可使用甲醛 (HCHO)系列材料作爲還原劑。 第二金屬層可藉由對硫酸銅爲主電鍍液施加電流以萃 取銅離子成爲銅而形成。第二金屬層之厚度可依照電流施 加量而決定。一旦形成第二金屬層，則藉由蝕刻第一與第 二金屬層而形成電路圖案220。 電路圖案220包括連接1C晶片230之內引線220a、及 連接顯示裝置之驅動單元或面板的外引線220b。電路圖案 220之節距可依包含TCP 200之顯示裝置的解析度而改變 。內引線22〇a可具有約30微米之節距，及外引線220b可 具有約60微米之節距。 第2b圖描述沿第2a圖之線2-2’而取之橫切面圖。參 考第2b圖，TCP 2 00包括撓性薄膜210、1C晶片230、及 連接撓性薄膜210與1C晶片23 0之金凸塊（gold bump)240 ο 撓性薄膜210可包括介電膜212、及形成於介電膜212 上之金屬層214。介電膜212爲撓性薄膜210之基膜且可包 括介電聚合物材料，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。爲 了增強撓性薄膜2 1 0之撓性與耐熱性、及電路圖案220之 尺寸安定性，而且提供關於金屬層214之充分剝除強度， 介電膜212可形成15-40微米，而且特別是35-38微米之厚 度。 -12- 200930166 金屬層214爲由如鎳、鉻、金、或銅之導電性金屬形 成之薄層。金屬層214可具有包括第一與第二金屬層之雙 層結構。第一金屬層可經無電極電鍍由鎳、金、鉻、或銅 形成，及第二金屬層可經電鍍由金或銅形成。爲了改良用 於形成第二金屬層之電鍍效率’第一金屬層可由鎳或銅形 成。 金屬層214可形成使金屬層214之厚度對介電膜212 之厚度的比例可爲1:1.5-1:10之厚度。如果金屬層214之 ® 厚度小於介電膜212之厚度的十分之一 ’則電路圖案220 之尺寸安定性及金屬層214之剝除強度可能降低。另一方 面，如果金屬層214之厚度大於介電膜212之厚度的三分 之二，則賓行用於形成介電膜2 1 2之電鏟花費之時間可能 增加，因而增加撓性薄膜2 1 0被電鍍液損壞之可能性。 1C晶片230係配置於撓性薄膜210上且連接電路圖案 220，其係藉由蝕刻金屬層214而形成。撓性薄膜210包括 _ 形成於配置1C晶片230之區域中的裝置孔25 0。在形成裝 ❿ 置孔250後，其在連接1C晶片230之電路圖案220上形成 跨線（flying lead)，及將1C 230上之金凸塊240連接跨線， 因而完成TCP 200之形成。跨線可鑛錫。藉由施加熱或超 音波，其在鍍錫跨線與金凸塊240之間可產生金-錫黏結。 第3a及3b圖描述包括依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜310之薄膜覆晶（COF) 300的圖表。參考第3a 圖，C0F 300包括撓性薄膜310、形成於撓性薄膜310上之 電路圖案320、及附著於撓性薄膜310上且連接電路圖案 -13- 200930166 320之1C晶片3 30。 撓性薄膜310可包括介電膜、及配置於介電膜上之金 屬層。電路圖案320包括連接1C晶片3 30之內引線3 20a 、及連接顯示裝置之驅動單元或面板的外引線3 20b。外引 線320b可藉各向異性導電膜（ACF)連接顯示裝置之驅動單 元或面板。 更具體而言，外引線320b可經外引線黏結（OLB)墊連 接顯示裝置之驅動單元或面板，及內引線3 20a可經內引線 黏結（ILB)墊連接1C晶片330。1C晶片330與內引線320a 可藉由將內引線320a鍍錫，及對鍍錫內引線320a施加熱 或超音波以在鍍錫內引線320a與1C晶片330上之金凸塊 之間產生金-錫黏結而連接。 金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例可爲1:1.5至 1:10。如果金屬層之厚度小於介電膜之厚度的十分之一， 則電路圖案320之尺寸安定性及金屬層之剝除強度可能降 低。另一方面，如果金屬層之厚度大於介電膜之厚度的三 分之二’則實行用於形成金屬層之電鍍花費之時間可能增 加，因而增加撓性薄膜3 1 0被電鍍液損壞之可能性。 金屬層可具有包括第一與第二金屬層之雙層結構。第 一金屬層可經無電極電鍍形成，而且可包括鎳、鉻、金、 或銅。第二金屬層可經電鍍形成且可包括金或銅。爲了改 良用於形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由具有 低電阻之金屬（如銅或鎳）形成。 爲了改良用於形成第二金屬層之電鍍效率，及在以錫 -14- 200930166 電鍍電路圖案320之期間防止電路圖案320與錫層 代反應，第一金屬層之厚度對第二金屬層之厚度的 爲1:5至1:120。更具體而言，第一金屬層可具有約 米之厚度，及第二金屬層可具有4-13微米之厚度。 第3b圖描述沿第3a圖之線3-3’而取之橫切面 考第3b圖，COF 3 00包括撓性薄膜310(其包括介電 與形成於介電膜312上之金屬層314)、連接金屬層 之電路圖案320的1C晶片330、及連接1C晶片330
D 圖案3 20之金凸塊340。 介電膜312爲撓性薄膜3 10之基膜且可包括介 ，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。更具體而言， 312可由具有優良剝除強度與耐熱性之聚醯亞胺形试 改良介電膜312關於金屬層314之剝除強度及撓性薄 之撓性，介電膜312可形成15-40微米之厚度。 金屬層314爲由導電性金屬形成之薄膜。金屬 ^ 可包括形成於介電膜312上之第一金屬層、及形成
(P 金屬層上之第二金屬層。第一金屬層可經無電極電 ，而且可包括鎳、鉻、金、或銅。第二金屬層可經 成且可包括金或銅。金屬層314之厚度可佔介電膜 厚度的五分之一至三分之二。如果金屬層314之厚 介電膜3 1 2之厚度的五分之一，則剝除強度可能退 此金屬層314可容易地自介電膜312脫離。此外尺 性亦可能退化，因而難以形成精細電路圖案。另一 如果金屬層314之厚度大於介電膜312之三分之二 間之取 比例可 0.1微 圖。參 膜312 314上 與電路 電材料 介電膜 ί。爲了 膜310 層3 14 於第一 鍍形成 電鍍形 312之 度小於 化，如 寸安定 方面， ，則撓 -15- 200930166 性薄膜3 1 0之撓性可能退化，及撓性薄膜3 1 0被電鍍液損 壞之可能性可能增加。 1C晶片330係連接電路圖案320之內引線320a’而且 將顯示裝置之驅動單元提供之影像信號傳送至顯示裝置之 面板。內引線320a之節距可依連接COF 3 00之顯示裝置的 解析度而改變。內引線3 20a可具有約30微米之節距。1C 晶片3 3 0可經金凸塊340連接內引線3 20a。 ❹ ❹ 參考第3b圖，不似TCP 200，COF 300不包括任何裝 置孔250。因此COF 300不需要使用跨線，如此可達成精細 之節距。此外COF 300爲非常撓性，如此不必另外在COF 300中形成縫以使COF 3 00爲撓性。因此可改良COF 300 之製造效率。例如可在TCP 200上形成節距爲約40微米之 引線，而且可在COF 300上形成節距爲約30微米之引線。 如此COF 3 00適合用於具有高解析度之顯示裝置。 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 參考第4圖，依照本發明之一個具體實施例的顯示裝 置400可包括顯示影像之面板4 1 0、對面板4 1 0施加影像信 號之驅動單元4 20與430、多個將面板410連接驅動單元 420與430之撓性薄膜440、及用於將撓性薄膜440附著至 面板410及驅動單元420與430之導電膜450。顯示裝置 400爲平板顯示器（FPD)，如液晶顯示器（LCD)、電漿顯示面 板（PDP)、或有機發光二極管（OLED)。 面板410包括多個用於顯示影像之像素。多個電極可 -16- 200930166 在面板410上排列且可連接驅動單元420與430。像素係配 置在電極間之交叉部分。更具體而言，電極包括多個第一 電極410a、與多個與第一電極410a交叉之第二電極410b 。第一電極410a可按列方向形成，及第二電極410b可按 行方向形成。 驅動單元420與430可包括掃描驅動器420與資料驅 動器430。掃描驅動器420可連接第一電極410a，及資料 驅動器430可連接第二電極410b。 掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信號，如 此使資料驅動器430將資料信號傳送至各第二電極410b。 在掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信號時，其 可將資料信號施加至第一電極410a，而且可依照資料驅動 器430傳送之資料信號在面板410上顯示影像。掃描驅動 器4 20與資料驅動器430傳送之信號可經撓性薄膜440施 加至面板4 0 0。 撓性薄膜440可具有電路圖案印刷於其上。各撓性薄 膜44 0可包括介電膜、形成於介電膜上之金屬層、及連接 印刷在金屬層上之電路圖案的1C »驅動單元420與430施 加之影像信號可經各撓性薄膜440之電路圖案與1C傳送至 面板410上之第一電極410a與第二電極410b。撓性薄膜 440可藉導電膜450連接面板410及驅動單元420與430。 導電膜450爲黏著性薄膜。導電膜45 0可配置於面板 4 10與撓性薄膜440之間、驅動單元420及430與撓性薄膜 440之間。導電膜45 0可爲各向異性導電膜（ACF)。 -17- 200930166 第5圖爲沿第4圖中顯示裝置400之線A-A’ 橫切面圖。 參考第5圖，顯示裝置5 00包含顯示影像之谊 、對面板510施加影像信號之資料驅動器530、連接 動器5 30與面板510之撓性薄膜540、及將撓性薄膜 連接資料驅動器530與面板510之導電膜550。 依照本發明之具體實施例，顯示裝置5 00可進 含密封撓性薄膜540接觸導電膜550之部分的樹脂 脂5 60可包含絕緣材料且用於防止可引入撓性薄膜 觸導電膜5 50之部分中的雜質，如此防止撓性薄膜 接面板510與資料驅動器530之信號線受損，及延 期限。 雖然未顯示，面板510可包含多個按水平方向 掃描電極、及多個配置成跨越掃描電極之資料電極 接收自資料驅動器5 3 0施加之影像信號，如此顯示 ©像，按方向Α-Α’配置之資料電極係經導電膜550 性薄膜540，如第5圖所示。 資料驅動器530包括形成於基板530a上之| 5 30b、及用於保護驅動IC 530b之保護樹脂530c。 脂5 30c可由具絕緣性質之材料製成，而且保護形成 530a與驅動IC 530b上之電路圖案（未示）對抗可 部引入之雜質。驅動IC 530b依照自顯示裝置500之 (未示）傳送之控制信號’經撓性薄膜540對面板 加影像信號。 而取之 板510 資料驅 540電 一步包 5 6 0。樹 540接 540連 長壽命 配置之 。爲了 對應影 連接撓 I動ic 保護樹 於基板 能自外 控制器 510施 -18- 200930166 配置於面板510與資料驅動器5 30間之撓性薄膜540 包括聚醯亞胺膜540a、配置於聚醯亞胺膜540a上之金屬膜 540b、連接印刷在金屬膜540b上之電路圖案的IC 540c、 及密封電路圖案與IC 540c之樹脂保護層540d。 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 在撓性薄膜640經導電膜650附著面板610及驅動單 元620與630時，其可將附著導電膜650之撓性薄膜640 以樹脂660密封。參考第6圖，因爲撓性薄膜640附著導 電膜650之部分可以樹脂660密封，其可阻擋可能自外部 引入之雜質。 雖然本發明已特別地參考其例示具體實施例而顯示及 敘述’熟悉此技藝者應了解，其可進行形式及細節之各種 變化而不背離如以下申請專利範圍所界定之本發明之精神 及範圍。 【圖式簡單說明】 本發明之以上及其他特點及優點藉由參考附圖詳述其 較佳具體實施例而更顯而易知，其中： 第la及lb圖描述依照本發明具體實施例之撓性薄膜 的橫切面圖； 第2a及2b圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之膜捲包裝（TCP)的圖表； 第3a及3b圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之薄膜覆晶（COF)的圖表； -19- 200930166 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表； 第5圖描述第.4圖中顯示裝置400之橫切面圖；及 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 【主要元件符號說明】
100a 撓 性 薄 膜 100b 撓 性 薄 膜 1 10a 介 電 膜 110b 介 電 膜 120a 第 —- 金 屬 層 120b 第 —* 金 屬 層 130a 第 二 金 屬 層 130b 第 二 金 屬 層 200 膜 捲 包 裝 210 撓 性 薄 膜 212 介 電 膜 214 金 屬 層 220 電 路 圖 案 220a 內 引 線 220b 外 引 線 230 積 體 電 路 晶片 240 金 凸 塊 250 裝 置 孔 -20- 200930166
300 310 312 3 14 320 3 20a 320b 330 340 400 410 410a 410b 420 430 440 450 500 5 10 530 5 30a 5 30b 5 30c 540 薄膜覆晶 撓性薄膜 介電膜 金屬層 電路圖案 內引線 外引線 積體電路晶片 金凸點 顯示裝置 面板 第一電極 第二電極 掃描驅動器 資料驅動器 撓性薄膜 導電膜 顯示裝置 面板 資料驅動器 基板 驅動1C 保護樹脂 撓性薄膜 -21 200930166
540a 聚醯亞胺膜 540b 金屬膜 540c 積體電路 540d 樹脂保護層 550 導電膜 560 樹脂 610 面板 620 驅動單元 630 驅動單元 640 撓性薄膜 650 導電膜 660 樹脂

Claims (1)

  1. 200930166 十、申請專利範圍： 1. 一種撓性薄膜，其係包含： 介電膜；及 配置於介電膜上之金屬層， 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:1.5 至 1 :10。 2. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中介電膜包含聚 醯亞胺膜。 > 3 .如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中金屬層包含配 置於介電膜上之第一金屬層、及配置於第一金屬層上之 第二金屬層。 4. 如申請專利範圍第3項之撓性薄膜，其中第一金屬層包 含鎳、金、鉻、與銅至少之一。 5. 如申請專利範圍第3項之撓性薄膜，其中第二金屬層包 含金與銅至少之一。 6. 如申請專利範圍第3項之撓性薄膜，其中第一金屬層之 D 厚度對第二金屬層之厚度的比例爲約1:5至1:120。 7. 如申請專利範圍第3項之撓性薄膜，其中金屬層進一步 包含電路圖案印刷於其上》 8 . —種撓性薄膜，其係包含： 介電膜； 配置於介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之金屬 層；及 配置於金屬層上之積體電路（1C)晶片， -23- 200930166 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:1.5 至1:10，及1C晶片連接電路圖案。 9.如申請專利範圍第8項之撓性薄膜，其進一步包含形成 於配置1C晶片之區域中的裝置孔。 10.如申請專利範圍第8項之撓性薄膜，其中金屬層進一步 包含： 無電極電鍍在介電膜上之第一金屬層；及 電鍍在第一金屬層上之第二金屬層。 1 1.如申請專利範圍第1 0項之撓性薄膜，其中第一金屬層之 厚度對第二金屬層之厚度的比例爲約1:5至1:120。 1 2 .如申請專利範圍第8項之撓性薄膜，其進一步包含形成 於金屬層上之金凸塊， 其中1C晶片經金凸塊連接至電路圖案。 13. —種顯示裝置，其係包含： 面板； 驅動單元；及 配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜； 其中撓性薄膜包含介電膜、配置於介電膜上且具有 電路圖案印刷於其上之金屬層、及配置於金屬層上之1C 晶片，而且金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約 1 :1.5 至 1 : 1〇。 14. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中面板包含： 第一電極：及 與第一電極交叉之第二電極， -24- 200930166 其中第一與第二電極連接電路圖案。 15. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中金屬層包含配 置於介電膜上之第一金屬層、及配置於第一金屬層上之 第二金屬層。 16. 如申請專利範圍第15項之顯示裝置，其中第一金屬層之 厚度對第二金屬層之厚度的比例爲約1:5至1:120。 1 7 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其進一步包含將面 板與驅動單元至少之一連接撓性薄膜之導電膜。 18. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中導電膜爲各向 異性導電膜（ACF)。 19. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其進一步包含密封 撓性薄膜接觸導電膜之部分的樹脂。 -25-
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