TW200926003A - Systems and methods for incorporating an RFID circuit into a memory device - Google Patents

Description

200926003 九、發明說明： 【相關申請案資訊】 [0001]本專利申請書依據35 U.S.C· 119(e)主張美國臨時專利 • 申請案的優先權曰’案件編號11/952,855，申請日期為2006 年12月7曰，其標題為“具有嵌入式射頻識別標籤的半導體封 裝以及/或超大型積體電路元件，，(Semicon(juct〇r Package and/oi· VLSI Device with Embedded RFID Tag)，在此一併提出以供參 ❹ 考。 【發明所屬之技術領域】 [0002]本發明實施例係關於射頻識別的應用，更具體的 說’是將一射頻識別電路整合至一半導體封裝或至一 體電路設計之中。 ^ 【先前技術】 [0003] 在電子的顧巾轉發記題是無解在的。記憶 體通常被用來儲存，例如開機娜⑽滅），加密金输 ΪΙΙΐηΐΓ錄等等。換言之，非揮發性記憶體是 被用來^存水久性資料。該資料通f在半導體製造廠的設備， 使，昂貝_試設備’或是在該元件製造廠· 程式化至該記憶體中。 又傅被 [0004] 兩種常見_揮發記憶元件是·可 憶體(EPROM) ’以&電性可抹 二 式唯讀記憶體是電腦記 =-種 的。電性可程式唯讀記憶體是_浮動閘非= 5 200926003 :以由暴:在強烈的紫外光下來進行抹除 紫外光透過。 7曰曰片了以被看見’而且在抹除時允許 ❹ ❹ bWom)5! :量:揮:：電::=r的非揮發儲存晶片， 射他型態的 電：=抹有除著;程多=:=通常是由浮動閘極 迕 r;:==r最= 需介: 八接腳(或更少)封裴。 隹°己隐几件為一個 個相=^；電:=程式唯讀記憶體通常在三 此操作碼相位通常是先輸入的 健相位以及資料相位， :::讀=的序列輸入^^^; 自的=::=程式唯讀記憶體通常具有其各 序列膽輸爾 6 200926003 作為： 寫入致能(WREN); 寫入失能(WRDI); 讀取狀態站存器(RDSR); 寫入狀態站存器(WRSR); 讀取資料(READ);以及 寫入資料(WRITE)。 [0009] 其他被某些電性可抹除可程式唯讀記憶體元件所 支援的操作為程式化，區塊抹除，以及晶片抹除等命令。 [0010] —個平行電性可抹除可程式唯讀記憶體元件通常 具有一個八位的資料匯流排以及一個位址匯流排足夠寬以包 含整個記憶體。大部分元件具有晶粒選擇以及寫入保護接腳。 一個平行電性可抹除可程式唯讀記憶體元件相較於序列電性 可抹除可程式唯讀記憶體元件是較簡單及快速的，但是這些元 件會因為其較多的接腳數目（可多達32個接腳或更多）而較 大，’且相餅相電性可抹除可喊唯讀記㈣或快閃記憶體 逐漸失去使用者的歡迎。 ^ [0011]電性可程式唯讀記憶體與電性可抹除可程式唯讀 記憶體之_差異在於記賴的喊彳及抹除方式。電性可 ^除可程式唯讀記倾可以湘場發射(在業界通常認知為，， =頓-諾丁漢穿隨”)來進行電子式的程式化及抹除。而電性可程 =唯，記Μ不可崎行電子式的絲，且係個熱電子注射 ，=動_來程式化。而抹除係紫外光源，雖然:在現實 您^電?可料唯讀記紐賴躲—科穿過紫外光的 «之，且僅可被程式化一次。舉例而言，許多超大型積 體的佈:=的中包含有一個電性可抹除可程式唯讀記憶 200926003 [0012]¾些讀可以是單獨的元件，例如 產品，或是與其他元件搭配在一起。 ί裝成個 上盒例如機 =常J的問題。此問題即是與每一種終端產品;二 。換句話說， 的資料都是獨特的。必須被理解的是。一條; 土萬的翠元被製造，例如一機上盒產品線，此二= 每-個記麵過程將會消耗非常多的時間及金錢。 [0014]為了程式化一非揮發記憶體元件此元件必須供應 :源=作’如此才可以將資料程式化或是寫入此記憶體之 中。目刖’假如這些元件是_賴的話，般些元件必 商從庫存中取出、供應電源、程式化然後在送給 顧客才Μ成-個程式㈣雜。假如此記鍾是放在一超大 路Γ牛之中的話，則此產品製造商必須供應電源給每 -個零件’或是至少給記舰部分，且賴程式化每一單獨的 合獅’侧的程式化—個錄_咖過程將 隹1、β *夕的相及金錢。此，卜，其通常也需要將這些元件 集中或是儲存於-處’才可以便獅進行程式化。 【發明内容】 [0016]—個超大型積體電路零件包含一非揮發記憶體及 二射，標籤f路與此記憶體相連接。此射娜籤電路可以經由 頻信號接收麟，且可以被組態為其可糾此㈣信號所接 收的能量來提供給自己並在某些實施例巾給記，紐以接收資 200926003 ㈣料程式化此記憶體’並不需要啟動超大型積 他電路。在此情況下，許多元件可以在快速、ί 效率且郎省成本的情況下被單獨地程式化。 有 [0017]根據本發之-目的為提供—種積體電路其包括一 天線組態初魏賴織，其包含有永久雜之資料， Ξίϊί體，組態為儲存該永久資料；以及—射頻辨識電路與 ^鱗揮發記㈣祕。該軸觸電路包含射 記憶體組態為儲存—觸_及其他 ^ ❹ 為Γ該讀触該永Af料，赫财久 頻辨識€憶體’且傳賴永久髓至該轉發記憶體。 陶8]根據本發之另一目的為提供一種非揮發記憶體 程式化系統，包含一射頻辨識電路詢問器；以及一積體電路。 此積體電路，包含-天線，組態為以接收賴信號，其包 永久資料之資料；-轉發記舰，域為儲存該永久資料； 以及-射頻辨識電路與該天線及該非揮發記憶體輕接。該射頻 賴，路包含射細識記，__為儲存-獨特的辨識器及 其他資料。該射頻辨識電路組態為經由該天線接收該永久資 φ 料，儲存該永久資料於該射頻辨識記憶體，且傳送該永久資 至該非揮發記憶體。 、 [0019]本發明的這些和其它目的，特徵，和實施例，會在 下列實施方式的章節中被描述。 【實施方式】 [0024]參照本發明的實施例。本發明是由所伴隨的實施例 加以描述，本發明並不欲意被該些實施例所限制。相反地，本發 明可包含任何替代，修改，以及均等的實施例，其均將落入本發 明Ik後所附请求項的範圍内。此外，在隨後本發明詳細的描述 9 200926003 中許夕的細郎將會被提出以提供對本發明的一詳細瞭解。然 而，對熟悉該項技術之人士而言是很明顯的，本發明可以被實施 而不需要該些特定的細節。 神[0025]射頻標籤(处10)是一種自動化的辨識方法，係依靠 所明的射頻辨識標籤或詢答機元件來儲存以及遠距取出資料。一 個射頻辨識標籤是一個可以放置或是附著在產品、動物或是人體 上的物體，以利用電磁波來達成辨識的目的。某些標籤可以自數 公尺外且可在使用者的視線外讀取。

_ [0026]一個射頻標籤系統1⑻的範例顯示於第1圖。如圖 :所不，系統100包含一射頻標籤讀取器1〇2，其也可以稱為一 掃瞒器或是酬者’以及―射雜籤1%。通常射頻標籤至 2含兩個部份。其中一部份是一積體電路108，其组態為儲存 j理資料、調變及解調變麵信號112，與進行其他的客制化 第二部份則是一天線110，以接收及傳送此射頻信號U2 自/至射頻標籤讀取器102。 束、射頻標藏1〇6有著以下三種形式：被動、主動或是 (也稱為電池輔助式）。被動標籤不需要内建電源，因此只 ::俨ϊίΠ(其只會在讀取器靠近時被啟動)，而半被動及 主動私紙則需要電源，通常是一個小電池。 在溝通時，標籤1G6藉由產生不會對讀取器102造 以回應讀取器102的探詢，當信號112到達標籤106 ίϊίΓΐΓ112顧_標鱗，或許會十分微弱，但是地 產生信號會回傳至讀取器被 射此，標籤― 取器102。 ㈣變㈣且然後將信號114反射回到讀 200926003 [0029] 除了反向散射之外，負載調變技術可以被用來操縱 此讀取器的射頻場112。通常，反向散射係用於遠場，而負載調 變係用於近場，其係在讀取器的數個波長之内。 [0030] 被動射頻標籤並沒有内建電源。而是，一個小電流 由入射的射頻信號112在天線11〇所感應，其可以提供足夠的能 量給，例如互補式金氧半場效電晶體積體電路1〇8，且允許標籤 106以傳送一回應114。大部份的被動標籤信號係自此讀取器反 向散射載波112。如此代表天線110必需設計為可以自收集入射 φ 的射頻佗號112的能量以及傳送所發出的反向散射信號114。 [0031] 被動標籤實際上的讀取距離範圍自大約1〇公分(4 英忖XIS014443)到數公尺(電子產品規範呀^及IS〇18〇〇〇 6)之 間，其係與所選取的射頻頻率與天線的設計/尺寸相關。因為其 設計的簡單，被動標籤也適合利用印刷方式來製造天線。缺乏内 建電源也代表了此元件可以是非常小，其會如以下轉的一般可 以允許一射頻電路被包含在一超大型積體電路設計之中，或是在 一包含有非揮發記憶體的積體電路封裝體之中。 [0032] 並不像被動射麟籤，絲賴標籤具有其内建電 動標籤通倾她賴更可$(如較錯生)，@魅減絲

[0033]^多今曰使用的主動標籤具有實際的y作範圍可達 尺，及最多料年的電池壽命。相較於被動標籤，主 數百公尺， ❿ 源，其係用來提供電源給此積體電路且傳播此信號至讀取器。主 圍可達 主動標 200926003 籤通常具有更長的操作範圍(大約是500公尺/即1500英呎)且具 有更大的記憶體，也具有儲存由發送器所傳來的額外資訊之能 力。 [0034] 半主動標籤類似於主動射頻標籤其具有自己内建 的電源，但是電池僅是用來提供電源給此微晶片1〇8，並不會用 來傳播信號。此射頻能量112會如同被動標籤般反射回到讀取器 102。使用電池的另一種替代方式為自讀取器1〇2儲存能量以供 未來發射回應之用，通常係利用反向散射。 Ο

[0035] 此半主動標籤106的電池辅助接收電路ι〇8會較 被動標籤具有更佳的靈敏度，通常會好於1〇〇倍。此改善靈敏度 可以用來增加使用範圍(大約是丨〇倍)及/或改善讀取可靠性 一標準偏差）。 曰 [0036] 此半被動標籤1〇6的改善靈敏度會造成更多的讀 取器=能上之要求’因為一個已經很弱的信號必須反向散射回到 讀取器。對被動標籤而言，一個讀取器至標籤的聯繫112通常會 先失效。料被動標籤而言，一個反向(標藏至讀取器)的聯繫114 通常會先失效。 斤[〇〇37]半被動標籤具有下列三個主要優點(1)較被動樟 籤具有更好的靈敏度(2)較主動標籤具有更好的電池壽命(3)^ 以利用其自身的電源執行主動功能，即使是在沒有讀取器存在的 情況下。 叩 [0038] —個用於射頻標籤10ό的天線no會被所欲執〜 的應用及操作頻率所影響。低頻被動標籤1〇6通常獨立地耦人仃 且因為感應f祕無率成正比，必紐料錄醜目方 生足夠的電壓來操作積體電路108。 b [0039]在13.56MHz的高頻，一個大約是***形狀 五到七圈的平面螺旋線圈可以用來提供幾十公分範圍内。這些線 12 200926003 圈較低頻_更便宜，_其咖印财式而不是贼線 成，但是需要兩層金屬和i緣層來允許 電路另-仙部的共振電容處。 積體 时 _)]超高頻及微波軸標籤財是輻_合 益天線，且可以使用傳統的類雙極式的天線。僅需要一= ，低了製造成本。雙極式的天線，細，對典 局且微電容性的輸入阻抗具有較差的匹配性。擅疊式雙極，$ =圈作域舰配結構，可以_纽善此麵f路^ ❹ ❹ ^半^^00ΜΗζ是16公分)對某些應用上會太大；舉例: 附者在商品貼紙上的標籤長度必須小於丨。公分0英 了減少天線的長度’天線必珊曲或是曲折的，且電容的負 $或是類似領結的寬帶結構也可以被制。柄的天線通常且有 極更大的增益損失·即，小於娜·且可以被視為對其轴垂 直的平面上是均向性的。 m _1]雜係延著其軸向輕射極化麵合，如此具有 =雙極，天線的標籤之可見度係與方向侧。具有兩個正交或 ^接近正交天線的標籤，通常被稱為雙重雙極標籤，是比較不會 與方向^讀取器天線的極化_，但是會較單—雙極標籤更 大且更貴。 ^ [0042]片狀天線通常用來提供靠近金屬表面之用，但是 ，構具有良好的頻寬是3_6公厘厚，且需要提供—接地層及雨 連接會造成其比簡單的單層結構來得更貴。 [0043]高頻和超高頻標籤天線可以利用銅和鋁製造。導 择f水已被用在某些標籤天線上但是會有與積體電路黏接和環 境穩定性的問題。 ^ ^ [〇〇44]第2圖是一範例電子系統的示意圖，其包含一射 ，辨識電路202 ’ -非揮發記憶體2〇8以及一處理器21〇。非揮 200926003 發S己憶體208可以被組態為以為系統202儲存永久資料。特別 疋，此永久資料可以為特殊系統2〇〇特定化，因此需要將非揮發 s己憶體208單獨地程式化’其係與將複數個其他個系統或是元件 20=大量地程式化相反。可以理解的是，此永久資料可以被其他 型態的處理器或是控制器所使用，如處理器，以在系統2〇〇 内執行某些操作。 [0045] 在系統200，然而，射頻辨識電路202可以被用 來程式化此永久資料於記憶體之巾。舉彳箱言，射賴識電 路202可以自一讀取器1〇2接收此永久資料，將其儲存於射頻辨 識記憶體中包含-電路202(如第3 中所示），然後傳送此資料 於非揮發記憶體208，如，經由通訊介面206。 [0046] 如之前所描述的，通訊介面2〇6可以是序列介 面，例如一個兩線序列介面或是I2C介面。因此，此射頻辨識控 制器包含於電路202之中(如第3 ®中所示），可以被組態為將自 一讀取器所接收的資料儲存起來，經由包含在此電路2〇2之中的 一射頻辨識記憶體之天線埠2〇4，然後使用合適地通訊協定或是 命令，例如之刖所描述過的，經由通訊介面2〇6程式化此資料於 記憶體208。 ' [0047] 如此可以致能快速且有效率的遠端程式化此非 揮發s己憶體208，因為系統2〇〇並不需要啟動電源’例如，射頻 辨識電路202可以是一被動電路，其經由使用埠2〇4所接收的信 號，接收電源。此外，-侧存在此射頻辨識記紐巾特定的辨 識器可以被用來允許此讀取器來辨識此系統或元件通，且如同 以下所描述的特定地程式化此資料於此元件中。 [0048] 根據實施例的不同，射頻辨識電路2〇2可以被組 ，為使用經由使用埠204所接收的信號之電源來啟動及程式化 记憶體208。在其他的實施例巾，一個整體系統電源被用來提供 200926003 電源給記憶體208和射頻辨識電路2〇2，於此資料被寫入射頻辨 識電路202之後’且允許射頻辨識電路2〇2傳送此資料之記憶體 208 中。 [0049]射頻辨識電路2〇2和記憶體2〇8可以是一超大型 積體電路的-部份’其包含處理器21G及㈤其他電路^替代地， 射頻辨識電路2G2和記憶體2〇8可以是分開的電路而被封裝在一 起。在任-情况下’此和射頻辨識電路2〇2介面的天線可以積集 在同一封裝材料之中。 ❹ ❹ [0〇50]因此，複數個系統或元件2〇〇可以被放在一托盤 I而帶到-讀取器的範圍内以程式化特找料於每—元件2〇〇 :製^施3原至此元件。更進一走，此方法可以在半導 疋製造商的工廠内完成，且不需要使用昂貴的機 益或疋費時的程序就可以完成。 此射前所描述的’―個特定的辨識器可以程式化於 輯體中，其可以用來辨識一特定元件2〇〇如此 中。假如同時存在許 件。Ron :要⑧夠77特疋元件的能力才能程式化此元 標臧的方法與裝置，，，在此_為 =為== 位辨識程序以區分Μ 了-個使用逐 ；4t^rDalgliSh 溝通遮讀頻辨識標籤之方法，其可以用來區分及與—特定^藏 資訊將定辨識器及/或其他辨識 隨後寫入===識電路202隔離之讀取器，且 關之水久讀於此射頻辨識電路加中以傳送至記 15 200926003 ===^人㈣__〗，819，顧為，，提供安 王辨識解決方案之方法與系統，，，在此引用為參考資料 一個使用儲存於棚賴電路的記麵 f 個與此射頻辨識電路相關元件内的身分。職纽確飾，一 202 第3圖是根據一實施例之一範例射頻辨識電路 - Jit 在此例子中假如第3圖中的射頻辨識電路202是 辨識電路。在許多實施财，如此是比較理想的，

設計或是封裝於-記憶體中；然而，必須理解的是半被動或^主 =路也可以被使用。舉_言，—健體较系統電源可以用 於祕給半被動或是主動電路的電源之用。然而，如此會需要元 件200被啟動以程式化此元件，如此或是不是最理想的。

[0054]請參閱第3圖，一射頻辨識電路2〇2可以包含一 阻抗電路302，-能量轉換電路3〇4，一儲存電路或元件遍， 射頻辨識§己憶體308以及一處理器或控制器31〇。 [〇〇55]此阻抗電路302可以組態為匹配一天線312的阻 抗，使得電路202可以經由天線312接收射頻信號。能量轉換電 路304可以組態為轉換自天線312所接收的信號能量至一直流電 壓’其可以儲存在儲存元件306中。因此，轉換電路3〇4可以包 含某種形式的整流電路。儲存元件306可以，例如，是一個大電 容或是其他可以儲存由轉換電路304所產生之電壓的電路。因 此，電路304及儲存元件306可以構成此電路202的電源供應電 路0 [0056]射頻辨識記憶體308可以被組態為儲存資料，例 如一特定辯識器或是包含於經由天線312所接收信號中的資 料。處理器310可以被組態為控制此電路202的操作。舉例而言， 處理器310可以被組態為用來將包含於經由天線312所接收信號 200926003 中的負料進行解碼。此資料可以包含命令，例如要求處理器3i〇 儲存資料於s己憶體308中或是自記憶體308中讀取資料。處理器 310可以被組態為控制阻抗電路3〇2的操作以將自記憶體308中 所讀取的資料傳回一讀取器。舉例而言，處理器31〇可以被組態 以間歇地將天線312短路，以調變和反射一具有資料之入射的射 頻信號。 [0057] 第4A-4F圖顯示許多不同的範例積體電路組態， 其同時包含射頻辨識電路202和記憶體208。舉例而言，在第4A 圖中，積體電路係在同一封裝體内同時包含射頻辨識電路2〇2、 記憶體208及-個分開的超大型積體電路。如同之前所描述的， 天線404可以被積集在同一個封裝體之内。 [0058] 在第4B圖中，此非揮發記憶體可以被包含在超 大型積體電路402之内’而在第4C圖中’此非揮發記憶體2〇8 和射頻辨識電路202可以同時被包含在超大型積體電路4〇2之 内0 [0059] 在第4D圖中，此非揮發記憶體2〇8和射頻辨識 電路2〇2兩者被包含在一分開的積體電路4〇6巾，且共同與超大 型積體電路402積集在同一個封裝體之内。 [0060] 可以被理解的是，在第4E圖中，天線4〇4可以 位於此積體電路400的封裝體之外。 [0061] 在第4F圖中，此非揮發記憶體2〇8和射頻辨識 電路2〇2兩者可以被包含在一分開的積體電路化中。在此實施 例中天線404可以是如圖所示之外接的，或是與超大型積體 路402積集在同一個封裝體之内。 [0062] 本發_特定實關已經在上面被描述，可以 的是’該被描述的實施例僅只是驗說明的範例而…因此 發明應該不被限制於所描述的實施例。當然:，在此所描述的本發 17 200926003 明的範圍，只能依隨後的請求項和以上的描述以及伴隨的繪圖， 來限制。 【圖式簡單說明】 [0020] 為了更完整了解本發明，以及它的優點，下列描述 伴隨繪圖以供參考，其中： [0021] 第1圖是一範例射頻辨識系統的示意圖； [0022] 第2圖是根據本發明一實施例之一範例電子系統的 示意圖；以及 [0023] 第3圖是根據一實施例且其可以用於第2圖中系統 之一範例射頻辨識電路的組態示意圖； [0024] 第4A-4F圖顯示許多不同的範例積體電路組態其可 包含於第3圖中的射頻辨識電路之内。 【主要元件符號說明】 100 :射頻辨識系統 102 :射頻辨識讀取器 104 :天線 106 :射頻辨識標籤 108 :積體電路 112、114 :射頻信號 2〇〇 :電子系統 202 :射頻辨識電路 204 :天線埠 206 .溝通介面 208 :記憶體 200926003 210 處理器 302 阻抗電路 304 能量轉換電路 306 儲存元件 308 射頻辨識記憶體 310 處理器 312 天線 400、402、406、412 :積體電路 404 :天線

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Claims (1)

1. ❹ ❹ 200926003 十、申請專利範圍： L 一種積體電路，包含： 天線’組態為以接收射頻信號，其包含有永久資料之資料； 非揮發S己憶體，組態為儲存該永久資料；以及 钟二射頻^識料與該天線聽轉發記賴输，該射頻辨 =路t射頻辨識記為儲存—獨特的辨識器及其他 ΐ永久===電路組態為經由該天線接收該永久㈣，儲存 _賴記賴，聯賴永久資料至該非揮發 2.如申凊專利範圍第丨項所述 路更W w 冊電路，其巾該賴辨識電 路更包3-儲存電路組態為儲存 t 一電源供應電路與該赫祕=3 U队摘心’及 使用該被儲存的能量源供應電路組態為 體。 b重祕…亥射頰辨識電路及該非揮發記憶 3.如申請專利範圍第1項所述之積 與該非揮發記憶體及該射頻辨識電二:整 “辨識源給該非揮發記憶體i該 揮發記鏡。 機辨鱗路舰該永久諸給該非 《如申請專利範圍^項所述之積 將該非揮發記憶體與該射頻辨識電路輕接通訊介面 憶體。 輝發德體以傳适該永久資料給該非揮發記 200926003 5. t:;::範圍第4項所述之積體電路，其中該通訊介 面是 6.==二::=嶋，織記 7. ❹ 8. Ιΐί專利範圍第1項所述之積體電路，更包含—封裝體， 且其中該天線係集積在該封裝體之中。 展體 9. j睛專利範圍第丨項所述之積體電路，其中該積體電路 =====輸咖獅頻辨識電 ❹ 1〇. 一種非揮發記憶體程式化系統，包含： 一射頻辨識電路詢問器；以及 一積體電路，包含： 資料.天線’域為哺收射雜號，其包含有永久資料之 一非揮發記憶體，組態為儲存該永久資料；以及 射觸識電路與該天線及該轉發記碰输，該射 s、電路包含射細識記賊為齡—雜的辨識器 及其他錄’該__電路_驗㈣天線接收該永久 21 200926003 且傳送該永久 資料，儲存該永久資料於該射頻辨識記憶體 資料至該非揮發記憶體。 … π. ^專職圍第U)項所述之非揮發記憶體程式 賴識電路詢問器組態為寫入即將儲存_非揮發 冗憶體中的該永久資料於該射頻辨識電路。 12.^申料概M 1G顿叙非料記賴料化系統，

   ίΓί㈣辨識記憶舰組態為儲存—簡的辨識器，根據 識器確認該積體電路的身分，及然後在確認該積 體電路的身分魏，將該永久資料寫人姉_識電路。 以如申請專利範圍第12項所述之非揮發記憶體程式化系統， ς中該射頻辨識電路詢問器被組態為在寫人該永久資料於該 ^辨識電路之前’將該積體電路自複數個使用賴特的辨 識器之積體電路中分隔出來。 專利範圍第1G項所述之非揮發記憶體程式化系統， 頻产Ϊ射??識電路更包含_儲存電路組態為齡包含該設 ^唬的能量，及一電源供應電路與該儲存電路耦接，該電 二供應電路_為使贱被齡的能量提供給該射頻辨識電 15 請4利軸第14項所述之非揮發記·程式化系統， ' °亥儲存電路包含一整流器組態為以調整自該天線所接收 您:信號與一大的電容器，且其中該調整後信號會將該電容 22 統 ❹ ❹ 200926003 16.二申第14項所述之非揮發記憶體程式化系統， 能量提供給該非揮發記憶體β i祕應電路中的 17.争如勺申圍第10項所述之非揮發記憶體程式化系 ΐ πΐϊ射頻辨識電路以允許該射頻辨識電路傳送 5亥水久貝料給該非揮發記憶體。 、 第ι〇項所述之非揮發記憶體程式化系統， ΐ〇面將該非揮發記憶體與該射頻辨識電_ 其射_識電路使職非揮發記㈣以傳送該永 久資料給该非揮發記憶體。 19Hr、專利範圍第18項所述之非揮發記憶體程式化系統， 其中該通訊介面是一序列介面。 20·如申清專利範圍第1〇項所述之非揮發記憶體程式化系統， 更包含-封裝體’且其中該天線絲積在該封裝體之中。 21.如申請專利範圍㈣項所述之非揮發記憶體程式化系統， 其中該積體電路是-超大_體電路，且其巾該非揮發 體與該射頻辨識電路是該超大型積體電路的一部分。^ 23