TW200907601A - Debris prevention system and lithographic apparatus - Google Patents

Description

200907601 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種預防 卞乃的系統，及包括預防 系統之微影裝置。更且斤一 碎片的 取來自碎片產生簿片收集器種用於截 統。 < 万杀物材科的碎片截取系 【先前技術】 微影裝置為將所要圊案施 ^ H x 万芏&板上（通常施加至基板 之目“部分上）的機考。與旦，壯祖 ^ u影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情 J檟蒞· 罩或主#m 、，，圖案化設備（其或者被稱作光 3 a用以產生待形成於1C之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉其 轉p至基板（例如，石夕晶圓）上之目標部分 (例如，包含晶粒之一一 刀 個曰日粒或右干晶粒）上。圖 案之轉印通常係經由成像？ , 珉像至棱供於基板上之輻射敏感材料 (抗蝕劑）層上。_般 ， , ° 早一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路。 匕知彳政衫裝置包括：所謂的步進 ί ’其中藉由—次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射 …”ρ刀’及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向 (d田方向）上經由輕射光束而掃描圖案同時平行或反平 Μ同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有 將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化設備轉印 至基板。 除了 EUV輕射 對於光學器件及 以外，用於EUV微影術中之輻射源還產生 進行微影過程之工作環境可能有害的污染 133121.doc 200907601 物材料。因此’在_微影術中，需要限制經配置以調節 ，自EUV源之輻射光束之光學系統的污染。為此，已知的 使用（例如）如美國專利第6,838,684號中所揭示之所謂的 疑轉泊片收集器（f〇il trap)。羯片收集器使用整體平行於由 EUV源所產生之轄射之方向而對準的大量緊密地包裝之羯 片'亏木物碎片（諸如，微粒子、奈米粒子及離子）可 ^片«取。因此1片收集器充當截取來自源之污染 r Ο -材料的污染障壁。然而，旋㈣片收㈣可引入系統之 一次污染的危險。 【發明内容】 險需要在存在旋轉箱片收集器之情況下減少二次污染之危 ::本發明之一態樣，提供一種預防碎片的系統，其瘦 射置以預防自㈣源所發散之碎片隨著㈣而自輕 微影裝置中或内。預防碎片的系統包括：第— ’白片收集器，第—笔y价隹1 m “ 圍繞旋轉軸線而旋轉；及 * — v白片收集器，第-々5 μ丨/r # K必隹 第—泊片收集益至少部分地封閉第_落 = 集a—置放㈣源之 光學地關閉的複數個j:相應於垂直於旋轉軸線之方向而 根據本發明之一態樣，提供一種 明系統’照明系統經組態以調節輕射光：置及照 撐件經建構以支撐圖案化設備。圖及支撐件，支 射光束之橫截面中向輕射光束職=:態， 闯茱Μ形成經圖案化輻 J33121.doc 200907601 射先束。襄置亦包括：基板台，基板台經建構以固持基 板，投影系統，投影系統經組態 ^ $ λ ^ ^ ^將經圖案化輻射光束投 1基板之目標部分上’·及預防碎片的系統，預防碎片的 系統經組態以提供輻射光束。 晉以箱阶ό , 預防碎片的系統經建構及配 w ^^ 思者輻射而自輻射源傳播 裝置中或内。預防碎片的系統包括：第一箱片收集 器’第—笛片收集器可圍繞旋轉車由線而旋轉；及第片、 器’第二箱片收集器至少部分地封閉第一落片收集 益。弟二箱片收集器包括相應於用於置放韓射源之中心位 置而光學地敞開且相應於垂直於旋轉軸線之方向而光學地 關閉的複數個箔片。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描緣根據本發明之_實施例的微影裝置。 裝置包含：照明系統（照明器）IL，其經組態以調節幸畐射光 束B(例如，UV輕射或EUV輕射）；支撐結構（例如，光罩 口）MT ’其經建構以支樓圖案化設備（例如，光罩且連 接至第-***PM，第—***pM經組態以根據某些來 數來精確地定位圊案化設備；基板台（例如，晶圓台）资， 其：建構以固持基板(例如’塗覆抗蝕劑之晶圓且連接 至第二***PW’第二***pw經組態以根據某些表數 來精確地定位基板；及投影系統（例如，折射投影透鏡系 統)PS，其經組態以將由圖案化設備以賦予至輕射光束B 133121.doc 200907601 之圖案投影至基板w之目標 粒）上。 匕3 或多個日气 照明系統可包括用於5/導、成形 的光學組件，諸如，折射U ”田射之各種類型 他類型之光學組件，或其任何組合。 Μ或其 支撐結構支撺（亦即，承載）圖案化 圖案化設備之定向、微旦…， 又棕、，、。構以視 Ο 圖案化設備是否固持=1 及其他條件（諸如， 1有疋否固持於真空環境中）而定的 案化設備。支撐結構 寺圖 姑" 使用機械、真空、靜電或其他夹持 f固持圖案化設備。支撑結構可為（例如）框架或〜 1根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確㈣案 化设備⑽如）相對於投影系統而處於所要位置。可認為本 文對術語"主光罩'，或”光罩"之任何t 0 & 圖案化設備”同義。 彳⑽用均與更通用之術語” 本文所使用之術語"圖案化設備”應被廣泛地解釋為指代 可用以在輕射光束之橫截面中向輕射光束賦予圖案以便在 基板之目標部分中形成圖案的任何設備。應注意，例如， 若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特 徵’則该圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的 所要圖案。通常’被賦予至輕射光束之圖案將對應於目標 部分中所形成之設備(諸如，積體電路)中的特定功能層。 圖案化設備可為透射或反射的。圖案化設備之實例包括 光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在 微影術中為熟知的’且包括諸如二元交變相移及衰減相移 133121.doc 200907601 之光罩類型，以及各 夕一與彳， 此合光罩類型。可程式化鏡面陣列

之一貝例使用小鏡面 旱歹J 蜆面之矩陣配置，該等小鏡 可個別地傾斜，以俤乂丁 者 更在不同方向上反射入射輻射光 斜鏡面將圖案賦予於由 由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。 本文所使用之彳好扭” ^ 術-杈衫系統”應被廣泛地解釋為涵蓋

何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、 ::及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝 "田射，或適合於諸如浸沒液體之使用《真空之使用的其 他因素。可認為本文對術語I，投影透鏡，，之任何使用均盘更 通用之術語"投影系統"同義。 如此處所描緣，裝置為反射類型（例如，使用反射光 罩）。或者，裝置可為透射類型（例如，使用透射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光罩台）的類型。在該等"多平台"機器 令，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備 步驟’同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而 g ’當_射源為準分子雷射時，輕射源與微影裝置可為單 獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一 部分，且輻射光束借助於包含（例如）適當引導鏡面及/或光 束放大器之光束傳送糸統而自輕射源SO傳遞至照明器il。 在其他情況下’賴射源可為微影裝置之整體部分。輻射源 SO及照明器IL連同光束傳送系統（在需要時）可被稱作輕射 系統。 133121.doc •10· 200907601 在某些情、 ^ ’根據本發明之實施例，輕射源可包含放 電產生或雷· M i , 射產生之電漿源。詳言之，輻射源可包含用於 產生遠紫休& Α 人 、線私射之放電源。在某些情況下，放電源可包 待具備電壓差之電極，及用於在該對電極之間產生 放電之系έ* ·Α· '、、'死。亦即，可提供電路以產生用於在電極之間的 中心區域^ φ ju., 知:供捏縮電漿之放電。根據此等實施例，電漿 源可包含錫、鋰或氙。

〇 °°IL可包含用於調整轄射光束之角強度分布的調整 ° 、常可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少 卜P么·向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作口外部 及，部)。此外’照明器IL可包含各種其他組件，諸如， 積光器及集光器。照明器可用以調節轄射光束，以在其橫 截面中具有所要均—性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支樓結構（例如，光罩台mt) 上之圖案化設備（例如，光罩ΜΑ)上，且由圖案化設備圖案 化。在橫穿光罩ΜΑ後，輕射光束Β穿過投影系統ps，投影 系統ps將光束聚焦至基板w之目標部分c上。借助於第二 ***PW及位置感測器IF2(例如 碼器，或電容性感測器 干涉量測設備、線性編 基板台WT可精確地移動，例 如，以便在輻射光束B之路徑中定位 义位不问目標部分C。類 似地，第一***PM及另一位置减測 、 且4凋态IF1可用以（例如） 在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描 饵指期間相對於輻射光束 B之路徑來精確地定位光罩MA。 第一***PM之一部分的長衝程 般而言，可借助於形成 模 '、且（粗略定位）及短衝程 133 丨 21.doc 200907601 模組(精細定位)來實現光罩台Μτ之移動。類似地， 形^第二***請之一部分的長衝程模組及短衝程模組 來貫現基板台wt之移動。在步進器（與掃描器相對）之情兄 下’光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定 的。可使用光罩對準標請、M2及基板對準標t£pi、p2 來對準光罩ΜΑ及基板W。儘管如所說 佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之二:二

(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒 提供於光罩ΜΑ上之情形中，光罩對準標記可位㈣^曰 粒之間。 μ寸日曰 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： [在步進模式中’在將被賦予至輻射光束之整個圖案一 次性投影至目標部分C上時，使光罩台町及基板台州呆 持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光接著，使基板台资 在X及./或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分c。在 步進模式中，曝光場之最大尺寸限料:欠靜態曝光中 像之目標部分c的尺寸。 2a:掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目‘。P分C上時’ g步地掃描光罩台Μτ及基板台资（亦 即’單次動態'曝光）。可II由投影系統Pk放大率（縮小率） 及影像反轉特性來判定基板SWT相對於 ::向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單::: 。中之目標部分的寬度（在非掃描：¾•向上），m掃描運動 之長度列定目標部分之高度（在掃描方向上 133l2l.d〇, 12- 200907601 3·在另杈式中，在將被賦予至輻射光束之圖案 目標部分c上時，使光罩台戰持基本上靜止，從二 可程式化圖案化設備，且移動或掃描基板台WT 握 式中，通常使用脈衝式輕射源、，且在基板台此 動之後或在掃描期間的順次㈣脈衝之間根據需要 :程式化圖案化設備。此操作模式可易於 η L) 式化圖案化設備(諸如，如以上所提及之類型的可=: 鏡面陣列)之無光罩微影術。 式化 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及 完全不同的使用模式。 复化或 轉至圖2，更詳細地說明包括輻射系統(在 指示為輻射湃so、+ 、、工正體 供第-,=2碎片的系統"在此系統1中，提 可旋轉機械Si中。繼集器包含… 季 其中’在相對於機械軸3之徑向方向上， 以延伸超過機械轴3之杯形形狀來提供複數個^ (通常為 數以十什之洎片）以覆蓋輻射源7之發射角2α (例如:圖1之描述中所例示之放電源。 .…為 可方疋轉vl片收集器2可進一步為（例如）如以弓|用方式併 入本文中之吴國專利第6,838,684號中所揭示的習知類型。 =步遠離於源7,示意性地說明集光器11β集光器"接 ，原7所輻射之遠紫外線輻射。集光器可為習知類型， :如’掠入射類型或正入射類型。在實施例之—態樣中， 第片收集器4配置於旋轉落片收集器2與集光器^之間 的光徑中。第二箔片收集器4或障壁由複數個靜態箔片6界 133121.doc 13 200907601 定，複數個靜態箱片6較佳地在 置7的整體徑向方向上對準。在相應料射源1之中心源位 此處’ ”整體”徑向音 心，箔片平面β 〜° .由源位置所形成之幾何中 向”…與徑向線令之任-者重合。然而，”整體徑 向亦可被理解為對準，體k (例如)以提供掠入射類型:於極小角度下， 摇徂咿隹土 ，片收木态。此後者實施例可

&供聚焦遠紫外線轄射之益處。 ]T 在無截取的愔、、ff π , ^ 消因於對此等粒子 %㈣片收集器2所獲取之粒子 集光器Η。根據本發明J C二再發射且可能污染 ㈣片收集器2所發射之碎二 以截取自旋 免於微粒子之或待保持 1… 何其他組件)置放成更接近於源且仍受保 遵免於由旋轉落片收集器所發射之粒子。 在2 2中，集光器區域經示意性地說明為陰影區域η。 ^白片收集器4或障壁提供於在遠離於界定中心落片收 =之尺寸之外半徑Γΐ之方向上（自中心源位置7所見）所 =的空間中且具有徑向尺寸r2。可如下建構第二箱片收 木益4。較佳地，為 為了取小化由弟二箱片收集器4之箱片ό 的額外視障’在保持系統在垂直於旋轉軸線域見 地向上光學地關閉時使用最小量之落片。亦即，較佳 ’對於相對於旋轉軸線而在。。與9Q。之間增加之角度， ::於箱片收集器2之旋轉軸線3&以隨著角"而減少之距 ::隔許多箱片。實際上’對於相應於源7而徑向地對 之治片’可藉由繪製垂直於羯片收集器2之旋轉軸線％ 133l21.doc • 14. 200907601 的線及確保相交至少且較佳地至多一箔片來保持數目為最 小。較佳地，僅一箔片經配置，但較佳地，至多3個箔片 可經配置以相交相對於旋轉軸線3a而垂直之線。 可如下描述第二箔片收集器4之建構。自集光器丨丨之最 外部點，垂直於箔片收集器2之旋轉軸線3a來繪製線（圖2 中之Li)。此線與旋轉箔片收集器2之相交標記第—箔片。 之開始。此箔片6&與中心捏縮位置7對準且延伸遠至可用

鬥所允許之處。自此箔片6a之末端’垂直於旋轉軸線“ 來’製另一線(L2) ’其標記第二箔片6b之開始。繼續此程 序’直到箔片6沿旋轉軸線3a向下比箔片收集器2更遠地延 伸為止。第二羯片收集器4較佳地圍繞軸線3為旋轉對稱 圖3展示根據本發明之一實施例的預防碎片的系統。在 :實施例中’說明另一旋轉落片收集器2〇，其可被視作" 命運之輪” (wheel of fortune)類型之羯片收集器。此類型 之箱片收集器經配置以_射源而旋轉且封閉輕射源， 而非在輻射源前方。此可允許^在旋轉循環之—小部分 期間被防護免於輻射熱。在所示實施例中，此可減

=熱負載且可提供在源7之發射角外部之區域之冷卻的 額外可能性。 J =此實施例’t光器"之光軸5整體經配 自罐集器2〇所發射之碎片之離心方向的平面中。 因此，自结片收集器20再發射 向上之系統。 兮片〜染在下游方 i3312l.d〇c 200907601 儘管通常根據本發明之一實施例可提供其他類型之截 配置，但此處亦可提供第二整體靜止箔片收集器，其相取 於輪射源之中心位置7而在徑向方向上被對準。詳士 此第二箔片收集器40亦包含複數個箔片6〇。箔片之^。 與在圖2實施例中整體相同，且在自中心 可 m直所見之徑向 方向上包括箔片之一般對準。

在一實施例中，根據具有光源處之頂點及沿可旋轉羯片 收集器2、20之旋轉軸線所排齊之對稱軸線的圓錐形形狀 來成形圖2及圖3箔片收集器兩者。 因此，圖3之實施例與圖2之實施例相異之處在於：第一 vl片收集裔20之旋轉軸線30整體橫向於集光器系統丨1之光 軸5而被引導。通常，儘管應清楚非垂直方向亦為可能 的，但在此實施例中垂直於此旋轉軸線3〇來界定光軸5。 又在此實施例中，僅單一箔片6可截取垂直於旋轉軸線所 繪製之線12。此實施例之可旋轉馆片收集器2〇包含機械軸 30及相應於機械軸30而徑向地配置之箔片。落片封閉可配 置有源7之中心區域。此箔片收集器4〇經組態成使得可如 在圖2之實施例中聚集在自光軸5之角度α内的輻射。又， 此實施例在垂直於可旋轉箔片收集器2〇之旋轉軸線的方向 上光學地關閉，同時如在自遠紫外線源7之徑向方向上所 見光學地敞開。在此方面，光學地敞開可被視作對於遠紫 外線輻射而言大體上透射，其意謂箔片不提供光學阻擋， 但經對準或k供自源所發射之轄射的掠入射。在圖3之實 施例之一癌樣中’光軸附近之中心區域丨3未被保護免於自 133121.doc 200907601 旋轉笛片收集器20所發射之碎片，因為 的行進路徑與第二箔片收集哭 之碎片粒子 人示D〇 4υ之泊片6對準。 域13可被保護另外免於碎片或將不用於聚…區 射。 ％聚集通紫外線輻 圖4展示結合圖2及圖3之羯片收集器4、4 的實施例，特別為用於清潔箱片收集器4、40之箱二 的清潔系統。通常，可以且古命4 6〇 I吊了以具有與捏縮電漿源7之中 重：之頂點的圓雜形形狀來配置第二“收集器…。中置 之母一者。歸因於旋轉對稱性’（圓錐形）落片6(較佳地， 經同心地堆疊為具有與第一 ^ ^ 治片收集器2、20之旌μ紅治 對準的對稱軸線）可圍繞該對稱軸線而旋轉，使得清潔系 統9能夠藉由化學或機械清潔作用而清潔笛片6。圖… 施例特別展示碎片（諸如，來 Λ 爪自泊片6之錫碎片）之移除。此 亦可藉由加熱或藉由盥鹵+ ^ ^囟素虱或虱自由基之反應而進

仃。為了預防Sn碎片在隹本毋L .^ ^ 集7b盗上之再沈積，可關閉源且離 線地清潔第二箔片收集器4。 隹相而言’集光器可在清潔期間藉由分離壁而與箱片收 集器2實體地分離。清$彡μ & 外一卜 π，糸糸統9較佳地包含在重力方向上在 第一箔片收集器之最# 取低點附近所配置的出口通道8。以此 方式，在使用期間，所聚隹 7 4集之碎片可流動至最低點且洩漏 出箔片收集器而至出口捕，皆 k道8中。清潔系統可包含經配置 以引導清潔物質（諸如， 乂上所提及之鹵素、氫或氫自由 基）之刮刷益1 0或崎。皆 ^ . T窝。疑轉頻率較佳地保持相對較低，

例如’在約0.1 Hz鱼的！ π U 與約10取之間的範圍内。 13312l.doc 200907601 圖5展示說明箔片收集器2視聚集半角α、旋轉箔片收集 器外半徑Π、障壁長度。及落片厚度t而定之光學透射的曲 線圖。圖5說明：對於增加之障壁長度r2，透射自約 2至約1。此外，箔片之數目自約100減少至約10。應注 思，透射率幾乎獨立於旋轉猪片收集器2之距離η(見圖 2):隨著距㈣增加，更多謂片用於光學地關閉垂直於旋 轉軸線之方向，但更小立體角歸因於增加之 箔片阻擋。 對於具有半角α=85。、箱片收集器半m _、第 二羯片收集器4之半徑=20咖及荡片6之厚度=g i職的 :型組態’使用幾乎8個落[其幾乎不會影響光學透射 产興圖2實施例相比，圖3之”命運之輪”實施例可使用額外 =片以相對於㈣源而光學地關閉發射角。對於具有發射 :角85、^片收集器半徑60 mm及障壁半徑20 mm、具有 目同厚度0.1 mm的典型組態’較佳地使用28個箱片，豆導 ^約嫩之光學透射率。此處，因為圍繞光軸之區域對 、碎片而言為透明的， 斤此區域較佳地在為約2。之角度 才’其阻擋少於2%之總可聚集立體角。 均圖2及圖3實施例中僅說明截面圖，但兩項實施例 心^圓錐形形狀落片收集器4、4〇。圓錐之頂點與中 旋轉Μ重D ’且由箱片6、6G所形成之圓錐的軸線通常與

St重合:但允許其他方向。原則上，議集器4 柄!生導致除了相對於源之徑向方向以外還在相對 133121.d〇, 200907601 於由箱片收集器4、40所界定之對稱 常經對準的箔片。亦即 刀線方向上通 形的，但平坦形狀亦為可r的…广大為整體圓錐 从p曰士 b的’例如，多角形狀。嗲平扫 洎片具有為多角之橫澈品 q平一 咕 截面’例如，代替圓形之八离…， 專類型之箔片可更易於製 肖开/。此 衣k 但效肊可能比圓錐弗桕业吱 片稍小且清潔態樣可能 狀泊 完全圍繞第-箱片收华^ ^例令，落片40不 集盗20而延伸（儘管此出於 而可為較佳的），但至少 ' / ' ' 情況下，箔片不為旋轉 冉又在此 點心舌\ 對稱的，但仍經組態為圍繞與旋轉 ’、’ a 5之甲心軸線。其他實施例為可能的， 片經修改以預防Sn除了 ' ' 下降的〇 在圖4中之通道8上方之位置上以外 降的“"例。箱片可具備抗濕化塗層或小邊緣。 之實^的H ^竟中對本發明 ,^ t應杨’本發明可用於其他應用（例 如，壓印微影術）_，且在情 丨月兄兄疔時不限於光學微影 ^ 印微影術中’圖案化設備中之構形界定形成於基 反之圖案。可將圖案化設備之構形壓入被供應至基板之 抗I虫劑層中，在基板 + 土伋上抗蝕劑糟由施加電磁輻射、缽、 壓力或其組合而固化。力浐益如 °、 在抗蝕浏固化之後，將圖案化設備 移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 另外’儘管參考作為單獨實施例之辕射系統來主要地解 =本發明’但其可與微影裝置成整體。微影裝置進一步通 _車又佳地包3用於接收及聚集自輻射系統產生之遠紫外 線幸田射之以上所論述的集光器元件。因此，集光器元件將 13312 丨.doc -19· 200907601 界定聚集角。根據本發明之碎片截取系統通常配置於旋轉 兔片收集器與集光器元件之間。另外，通常，集光器元件 可為圓柱形對稱的且包含同心彎曲反射表面，其提供遠紫 卜Λ #田射之杈入射反射。此等表面可以大體上在約2公分 ” ^ 7 Α刀之間的範圍内之距離而堆疊，在替代實施例 集光器元件可為此項技術中已知之正入射類型。 Ο Ο 另外，已展示根據本發明之預防碎片的系統可用作單獨 系統，但亦可用作微影裝置中之元件。因&，已證明微影 衣置包含經組悲以調節輻射光束之照明系統。 支#件可經建構以支樓圖案化設備’圖案化設備能夠在 韓射光束之橫截面中向幸畐射光束賦予圖案以形成經圖案化 輕射光束。此外’基板台可經建構以固持基板，且投影系 統可經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分 上。在此微影裝置中，較佳地，提供根據以上所描述之實 施例的預防碎片的系統。 本文所使用之術語”輕射”及”光束"涵蓋所有類型之電磁 輻射，包括紫外線（UV)輻射（例如，具有為或為約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 麵或126 nm 之波長） 及遠紫外線（EUV)輻射（例如，具有在為約$ 11〇1至2〇 nm之 範圍内的波長），以及粒子束（諸如，離子束或電子束）。 術語'’透鏡”在情境允許時可指代各種類型之光學組件中 之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光 學組件。 儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 133121.doc -20- 200907601 之方式不同的其他方式來實踐本發明 :所：:τ取如下形式：電腦程式，其含有描述如以 财:： 機器可讀指令的-或多個序列；或資料 Γ媒體(例如’半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具 存於其中之該電腦程式。 啫 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於孰習 術者而言將顯而易見的為’可在不脫離以下所閣明 修改：專利祀圍之料的情況下對如所描述之本發明進行 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發 圖2展示根據本發 向橫截面的截面圖； 圖3展示根據本發 之軸向橫截面的截面 圖4展示根據本發 潔配置的示意性說明 明之一實施例的微影裝置； 明之-實施例之預防碎片的系統之轴 明之—實施例之根據預防碎片的系統 圖； 明之—實施例之預防碎片的系統之清 圖5展示說明箔片夕止组Α ^ W U學透射率及數目作 函數的曲線圖n 丨草壁長度之 【主要元件符號說明】 1 預防碎片的系統 2 第一箔片收集器 2α 發射角 3 可旋轉機械軸 133121.doc -21 . 200907601 4 第二箔片收集器 5 光轴 6 箔片 6a 第一箔片 6b 第二箔片 7 中心捏縮位置 8 出口通道 9 清潔系統 10 刮刷器 11 集光器 12 垂直於旋轉軸線所繪製之線 13 中心區域 20 旋轉箔片收集器 30 旋轉軸線 40 箔片收集器 60 箔片 B 輻射光束 C 目標部分 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化設備 133121.doc -22- 200907601 f ΜΤ PI P2 PM PS PW rl r2 SO w WT a β 支撐結構 基板對準標記 基板對準標記 第一*** 投影系統 第二*** 旋轉箔片收集器外半徑 障壁長度 輻射源 基板 基板台 發射角 角度 1. 133121.doc -23 -

Claims (1)

1. 200907601 十、申請專利範圍： 1. 一種預防碎片的系統，其經建構及配置以預防自—輕射 源所發散之碎片隨著輻射而自該輻射源傳播至—微影裝 置中或内’該預防碎片的系統包含： •'第一箱片收集器，該第一箔片收集器可圍繞—旋轉 軸線而旋轉；及 —第二落片收集器，該第二箔片收集器至少部分地封 閉該第一箔片收集器，該第二箔片收集器包含相應於一 用於置放一輻射源之中心位置而光學地敞開且相應於垂 直於該旋轉軸線之方向而光學地關閉的複數個箔片。 2. 如5月求項1之預防碎片的系統，其進一步包含一光學系 、先其中一由該光學系統所界定之光軸與該第一箔片收 集器之該旋轉軸線重合。 3. 如凊求項丨之預防碎片的系統，其進一步包含一光學系 統’其中一由該光學系統所界定之光軸整體橫向於該第 一泊片收集器之該旋轉軸線而被引導。 4·如叫求項1之預防碎片的系統，其中，對於一相對於該 旋轉軸線而在〇。與9〇。之間增加之角度β ,該第二箔片收 集°。之5亥等箔片在隨著該角度β減少之距離處具有一間 隔。 5’如印求項4之預防碎片的系統，其中該間隔使得對於垂 直於該旋轉軸線之每一線，該第二羯片收集器之至少一 個落片Η否夕一y 且至夕二個箔片被相交。 6·如明求項1之預防碎片的系統，其中一碎片出口通道配 133121.doc 200907601 置於讀第，收集器 7.如請灰5 低點處或附近。 員1之預防碎片的系έ 為可旋轉的，且其中_，、”广、中該第二箱片收集器 收集器之旋轉期間提供1 配置以在該第二落片 8如q 間棱供一清潔作用。 。月求項7之預防碎片 經酉己置& & , 、' ，/、中該清潔系統包含__ 罝从執行一機械清潔作用少& 3 9_如請求項7之… 之刮刷器。 經配冑 ’、統，其中該清潔系統包$ 嗔Γ 料-學清潔物= I 0 如請求項7夕：?® Κ·ίτ A 經配置二的系統’其中該第二“收集器 率而旋轉在約G.1HZ與約㈣以_圍内之頻 11.如凊求項1之預 狀為整體圓錐形的。統’其中該複綱片之形 C.'· 12·π:項1之預防碎片的系統，其㈣綱片之形 狀為整體平坦的。 ^ 1 3 ·如晴求項1之預防访u _蛛 碎片的系統，其中該複數個箔片圍繞 人 名片收集器之該旋轉軸線為整體旋轉對稱的。 14·如請求項1之預防碎片的系統’其進-步包含一放電產 生或一雷射產生之電漿源。 :长員14之預防碎片的系統，其中該源包含一用於產 生遠紫外線輻射之電浆產生之放電源，該放電源包含一 對待具備一電壓差之電極，及一用於在該對電極之間產 生—放電以便在該等電極之間的一中心區域中提供一捏 133121.doc 200907601 縮電漿之系統。 16·如請求項15之預防碎片的系統，其中該電衆源包含錫、 鐘或氤。 17.如請求項!之預防碎片的系統’其進一步包含—界定一 聚集角之集光器元件，其中該第二“收集器配置於該 第一羯片收集器與該集光器之間。 18’如凊求項17之預防碎片的系統，其中該集光器元件為圓 柱形對稱的且包含同心彎曲反射表面。 19.如請求項18之預防碎片的系統，其中該等反射表面以一 大體上在約2 e m與約7 c m之間的範圍内之距離而堆疊。 2〇.如請求項19之預防碎片的系統，其中該集光器元件為一 正入射類型。 21 一種微影裝置，其包含： ί. -照明系統’該照明系統經組態以調節一輻射光束； 支撐件，該支撐件經建構以切—圖案化設備，該 圖案化設備經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射 光束賦予一圖案以形成一經圖案化轄射光束； 一基板台’該基板台經建構以固持一基板；及 ，-投影系統’該投影系統經組態以將該經圖案化輕射 光束投影至該基板之-目標部分上；及 二片的系統’該預防碎片的系統經組態以提供 相防碎片的系統經建構及配置以預防自 一輪射源所發散之碎片隨 微影裝置中或内，自該賴射源傳播至該 °亥預防碎片的系統包含： l33J2i.doc 200907601 收集器可圍繞一旋 收集器至少部分地 片收集器包含相應 而光學地敞開且相 學地關閉的複數個 —第一箔片收集器’該第一箔 轉軸線而旋轉，·及 '第二箔片收集器’該第二箔 封閉該第一箔片收集器’該第二 於一用於置放一輻射源之中心位 應於垂直於該旋轉軸線之方向而： 箔片。 / 133121.doc