TW200834970A - Packaging structure of photoelectric device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

200834970 · 九、發明說明： Λ 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光電元件之封裝結構及其製造方法， 尤係關於使用矽基板於發光二極體（LED)的封裝結構及其 製造方法。 【先前技術】 由於光電元件中發光二極體（light emitting diode ; LED )有 I 體積小、發光效率高及壽命長等優點，因此被認為是次世代綠 色節能照明的最佳光源。另外液晶顯示器的快速發展及全彩螢 幕的流行趨勢，使白光系發光二極體除了應用於指示燈及大型 顯示幕等用途外，更切入廣大之消費性電子產品，例如：手機 及個人數位助理（PDA)。 目前有關發光二極體之研發重點是在於光的取出效益以 及散熱的速度。在光的取出效益中，可以在磊晶階段、晶 粒製造階段或是在封裝階段分別進行改善。而關於散熱方 φ 面目前主要是在封裝階段予以改良，藉由封裝結構或材料 之改善而增進散熱效率。 發光二極體的封裝目前有許多的方式，其中使用反射杯 的發光二極體元件可藉由提升反射率，以有效增加元件之 發光效率。同時，如果反射杯有較佳的設計，同時也能有 效提升發光二極體元件的散熱效率。目前朝這方面改善的 技術有美國專利第6,562,643號、第6,268,660號以及美國 專利公開號2004/0218390。另外，一種先前技術如美國專 利第6,531，328號所揭露，主要是使用矽基板80做為封裝 200834970 的基材。在矽基板80上使用微機電（MEMS)的製程製造反 射杯81，其結構如圖i所示。一絕緣層82以及一金屬層 83依序包覆矽基板8〇，其中金屬層83同時作為電極 及832。發光二極體84以打線方式電性連接於反射杯81 内，亚且使用環氧樹脂85覆蓋並保護於反射杯81内之發 光二極體84。 形成如圖1所示之結構之製程步驟，如圖2中標號S91 φ 〜S96所不，包含先提供一矽基板，然後以濕式蝕刻的方 式在矽基板上形成反射腔。接著，在矽基板的另一面以乾 式蝕刻的方式形成電極的介層孔。之後，以熱氧化法或是 氮化方式形成一層氧化矽層或是氮化矽層包覆該矽基板。 然後，以電鍍的方式形成一導體層包覆該矽基板。最後， 以雷射處理的方式在反射腔上形成金屬反射層而在另一面 形成電極。 然而，這樣的設計有一些缺點。首先，反射層金屬與電 春 極疋屬於同一個材料，目前沒有一種金屬可以同時滿足良 好的反射率以及可適用於後續的焊接製程。再者，對於不 同波長的發光二極體，不同的金屬會有不同的反射率，這 表示電極的材料也會因著改變。較佳的電極的材料是以焊 錫為主，但焊錫並不適用於可見光的反光材料。好的反射 材料，例如：金（Au)、銀（Ag)、鈀（Pd)、鉑（Pt)，並不適用 作為電極之材料。 另外，底部介層孔的蝕刻採用乾蝕刻，其蝕刻後的輪廓 (profile)的後續製程之彈性空間較低。再者，需要使用雷射

C S -6- 200834970 處理反射金屬層，因此製程成本較高。 綜上所述，市場上亟需要—種可靠且製程簡易之的高功 率光電元件或發光二極體元件，俾能改善上述習知發光二 極體元件之各種缺點。 【發明内容】 本發明係提供一種光電元件之封裝結構及其製造方法， 可使用矽基板做為封裝的基板以增加散熱效率，及可使用 成熟之微機電製程完成。 本發明係提供一種對於反射金屬層與電極可選擇不同的 材質之光電元件’其中反射金屬層可以針對特定光線的波 長進行選擇而不會影響電極材質的選擇’因而可以各自選 擇最佳化材料。 本發明可使用濕蝕刻形成底部的電極介層孔，對於後續 的製程空間（process window)較為充裕。 本發明係提供一種以絕緣層保護反射金屬層之光電元 件，避免金屬層產生氧化、硫化或是與其他化學物質產生 反應。且該絕緣層的厚度可以調整為對特定光線進行建設 性干涉。 為達上述目的，本發明揭示一種光電元件之封裝結構， 其係包含具有一第一表面與一第二表面之矽基材。該第一 :面與該第二表面相冑，又該第一表面具有一反射腔，該 第二表面具有至少兩個與該反射腔相連通之電極介層孔。 一第一絕緣層包覆該矽基材之該第一表面與該第二表面。 又一反射層設於該反射腔表面，及一第二絕緣層覆蓋該反 200834970 射層。一第一導電層設於該第二絕緣層及該第一絕緣層表 面，及一第二導電層係設於該第二表面並與該第一導電層 相連接。一晶粒固定於該反射腔内，並電性連接於該第一 導電層。 該第一絕緣層較佳地係氧化矽，又該第二絕緣層較佳地 係一氧化秒、氮化石夕或氮氧化石夕。 該反射層較佳地係鋁、銀、金、錫、銅或鉑，其厚度介 於 300A。至 20,000A。之間。 該第一導電層較佳地係延伸至該第一絕緣層，並與該第 一‘電層相連接，且二者為可焊接的材料，例如：銀、鎳/ 金、鈦/金、鈦/鎳/金、鈦/銅/鎳/金、鈦鎢湖/鎳/金或鉻/銅/ 錄/金。 本發明另包含一填入該反射腔内之封膠層。 該晶粒藉由複數個凸塊與該第一導電層電性連接，或藉 由複數個金屬導線與該第一導電層電性連接。 本發明另揭示一種光電元件之封裝結構，其係包含具有 弟表面與一弟二表面之石夕基材。該第一表面與該第二 表面相對，又該第一表面具有一反射腔，該第二表面具有 至少兩個與該反射腔相連通之電極介層孔。一第一絕緣層 包覆該矽基材之該第一表面與該第二表面。又一金屬層設 於該士射腔内，並包括一反射區及導電區，及一第二絕緣 層覆盍該反射區。一導電層係設於該第二表面，並與該金 屬層之導電區相連接。一晶粒固定於該反射腔内，並電性 連接於該導電區。 200834970 該金屬層較佳地係銘、銀、金、錫、銅或麵。該導電層 與該金屬層中該導電區相連接，且各為可焊接的材料，例 如：銀、鎳./金 '鈇/金 '鈦/鎳/金、鈦/銅/鎳/金、鈦鎢/銅/ 鎳/金或鉻/銅/鎳/金。 本發明亦提供一種光電元件之製造方法，提供一矽基 材’並於該梦基材之一第一表面形成至少一反射腔。之後， 於該矽基材之一第二表面形成複數個電極介層孔並穿透該 石夕基板至該反射腔，其中該第二表面相對於該第一表面。 再形成一第一絕緣層以包覆該矽基材。接著，覆蓋一反射 層於該反射腔上，以及在該反射層上形成一第二絕緣層。 再者’形成一第一導電層於該第二絕緣層上，以及形成一 第二導電層於該第二表面下以及位於該兩電極介層孔内， 其中該第二導電層與該第一導電層相連接。固定一晶粒於 該反射腔内，並電性連接於該第一導電層。 該第一絕緣層較佳地係由熱氧化法所形成之氧化矽層， 又該第二絕緣層較佳地係由氣相沉積所形成之二氧化矽、 氮化矽或氮氧化矽層。 該第 $電層與該第二導電層較佳地係藉由電鍍、蒸鍍 或是化鍍所形成，且該第一導電層與該第二導電層相連接。 該晶粒較佳地係以覆晶方式固定於該反射腔内，或藉由 打線方式與該第一導電層電性連接。 本發明另包含填封膠層於該反射腔及該電極介層孔内之 步驟。 本發明亦提供一種光電元件之製造方法，提供一矽基 200834970 材，並於該矽基材之一第一表面形成至少一反射腔。之後， 於該矽基材之一第二表面形成複數個電極介層孔並穿透該 梦基板至該反射腔，其中該弟一表面相對於該第一表面。 再形成一第一絕緣層以包覆該矽基材。接著，覆蓋一金屬 層於該反射腔上，其中該金屬層包括反射區及導電區，以 及在該反射區上形成一第二絕緣層。再者，形成一導電層 於該第二絕緣層上，以及形成一導電層於該第二表面下以 及位於該兩電極介層孔内，其中該導電層與該導電區相連 接。固定一晶粒於該反射腔内，並電性連接於該導電區。 該金屬層與該導電層較佳地係藉由電鍍、蒸鍍或是化鍍 所形成。 【實施方式】 圖3(a)〜3(〇)係本發明光電元件之製造方法之步驟示意 圖。如圖3(a)所示，一矽基材12具有一第一表面lu與一 第二表面112,在圖中第一表面ιη是上表面，而第二表面 112疋下表面。碎基材11可以是五对、六对、八对或是十 一对等南阻率之石夕晶圓，其阻率大於8〇〇Ω · cm，並可使 用 <100〉的結晶表面（eryStal 〇rientati〇n surfaee)之發晶圓。 另外，矽原子依據不同的結晶方式，又可區分成單晶矽、 多晶石夕及非晶石夕。使用矽基板11的優點就是散熱佳，以及 可以進行成熟的半導體製程或微機電製程。 如圖3(b)所不，於矽基板11上覆上介電材料層（dielectric layer)12及13(或絕緣層），此步驟可以利用電漿輔助化學氣 相沉積（PECVD)的方式進行沉積。介電材料層12及13的 200834970 選擇可為抗矽非等向性蝕刻劑的介電材料即可，抗矽非等 • 向性蝕刻劑為強鹼，例如··氫氧化鉀（KOH，· Potassium hydroxide) ^ TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide). EDP(EthylenediaminePyr〇Cat〇Ch〇l)、或 乂札等。介電材料 層12及13可使用氮化矽（siiie〇n nitride，· S^N4)、二氧化 矽及氮氧化矽等。在本實施例中，介電材料層12及13係 使用氮化矽。接著實施如圖3(e)所示之下一步驟，在介電 參 材料層12及13上分別覆上圖案化之光阻（photoresist)層14 及15。 如圖3(d)所示’將沒有覆蓋光阻層14及15之處的介電 材料層12及13以蝕刻方式去除，然後再移除光阻層14及 15。如此就能將沒有覆蓋介電材料層12的第一表面丨丨丨以 钱刻方式形成反射腔（reflect；ive 〇pening)i6，如圖3(e)所 示。並再將沒有覆蓋介電材料層13的第二表面112以蝕刻 方式形成電極介層孔17及18。 Φ 如圖3(e)〜3(f)所示，移去剩餘之介電材料層12及13， 而原本的石夕基板11又可分為基部11B及杯座部11A。若介 電材料層12及13為氮化矽，則可以使用經加熱的磷酸 (phosphoric acid)來進行剝除。在基部11B及杯座部11A周 圍分別形成第一絕緣層21A及21B，在本實施例中係選擇 使用二氧化矽（Si〇2)作為第一絕緣層21A及21B。將基部 11B及杯座部ΠΑ暴露在高溫且含氧的環境裡一段時間後， 可以在基部11B及杯座部11A之矽材料的表面長成一層與 矽附著性良好，且介電性質符合要求的第二絕緣體21A及 -11- 200834970 21B，例如：二氧化矽。 以下二化學反應式描述矽在氧或水蒸氣中的氧化反應： 1. 乾式氧化（dry oxidation)

Si(固體）+ 02(氣體）—Si02(固體） 2. 溼式氧化（wet oxidation)

Si(固體）+ 2H20(氣體）—Si02(固體）+ 2H2(氣體） 在本實施例中，第一絕緣體21A及21B係以溼式氧化的 方式來長成之熱氧化物，反應的製程溫度介於900°C至11 〇〇 °C。因所需反應之時間較短，所形成的厚度介於30A°至 10,000A。之間。 如圖3(h)〜3(i)所示，在第一絕緣體21A及21B的表面 分別披覆上反射層22A及22B，此步驟可以利用物理氣相 沉積技術（PVD)進行沉積。然後在反射層22A及22B的上 方覆蓋第二絕緣層23A及23B，可以利用電漿輔助化學氣 相沉積（PECVD )的方式沉積一被動層（passivation)以作為 該第二絕緣層23A及23B，例如：二氧化矽、氮化矽或氮 氧化石夕（Silicon-Qxy-NMde ; SiOxNy)，其主要的功能是形成或保護 層，可防止反射層22A及22B中的金屬被氧化。 氮氧化矽是一種性質介於二氧化矽與氮化矽之間的一種 介電材料，其特性是應力的大小較氮化矽為緩和，且對水 氣及雜質的阻擋能力較二氧化矽為理想，所以是常見的保 護層材料。雖然氧化矽可以以低壓化學氣相沉積（LPCVD) 的方式沉積，並在溫度高於850°C以上的環境形成。但是為

C S •12- 200834970 了使做為防護層用的氮氧化矽的製程溫度能夠低於400°C( 以避免影響已在矽基材上的金屬層），在現有氮氧化矽的沉 積製程中，都是以電漿輔助化學氣相沉積的方式來進行。 如圖3(j)〜3(k)所示，再形成導電層121及122，其中導 電層121及122分別設於第二絕緣層層23A及23B之表 面，或延伸至第一絕緣層層22A及22B之表面。導電層121 及122材料可以選擇為可焊接的材料，並視後續封裝製程 不同而選擇適合的材料，例如··銀（Ag)、鎳/金（Ni/Au)、鈦 / 金（Ti/Au)、鈦 / 鎳 / 金（Ti/Ni/Ag)、鈦 / 銅 / 鎳 / 金 (Ti/Cu/Ni/Au)、鈦鎢 /銅 /鎳 / 金（TiW/Cu/Ni/Au)或鉻/銅 /鎳 / 金（Cr/Cu/Ni/Au)等。導電層121及122的圖案轉移可利用 光學微影製程（即圖案轉移以蝕刻方式形成）或是掀起 (lift-off)製程的方式來形成，而導電層121及122的形成方 式可以使用電鍍、蒸鍍或是化鍍。 反射層22 A及22B的目的主要是用來增加光電元件的亮 度。反射層22A及22B的材料可以選擇和導電層121及122 相同或不同的材料，若反射層22A及22B選擇和導電層121 及122相同的材料，可以使用Al/Ni/Au。反之如果反射層 22A及22B選擇和導電層121及122不同的材料，則可以 以用鋁（A1)、銀（Ag)、金（Au)、錫（Sn)、銅（Cu)或鉑（Pt)等 金屬，依光線波長的不同而選擇所需的材料，又反射層22 A 及22B的厚度介於300A。至20,000A。之間。 於下半部之第一絕緣層層21A及21B上形成背部電極 131及132，其中電極131電性連接著導電層 121，並電極

C S -13- 200834970 132電性連接著導電層122，此電極131及132的材料可 以選擇為可焊接的材料，或是一般導電性佳的材料皆可， 例如：Ag、Ni/Au、Ti/Au、Ti/Ni/Ag、Ti/Cu/Ni/Au、 TiW/Cu/Ni/Au、Cr/Cu/Ni/Au 等，電極 131 及 132 的圖案轉 移可利用光學微影製程（即圖案轉移以蝕刻方式形成）或是 掀起製程的方式來形成，而電極131及132的形成方式可 以使用電鍍、蒸鍍或是化鍍。 鲁如圖3(1)所示，光電半導體之晶粒31A固定於該反射腔 16内之‘笔層122，並藉由打線接合（wire b〇n(jing)的方式 電性連接於導電層121及122，亦即藉由金屬導線35和導 電層121及122電性相連。 如圖3(m)〜3(n)所示，可先用膠帶19將電極介層孔17 及18黏住，於反射腔16、電極介層孔17及18内形成封 膠層32。待封膠層32固化後，再將膠帶19移除。最後， 切割基部11B以形成獨立單體之光電元件33 a。 • 除了打線接合的方式，尚可採覆晶接合（flip_chip)的方式 使晶粒31B固定並與導電層121及122電性連接，如圖4(a) 所不。接著，如圖4(b)〜4(c)所示，先用膠帶19將電極介 層孔17及18黏住，於反射腔16、電極介層孔17及18 内形成封膠層32。待封膠層32固化後，再將膠帶19移除。 敢後’切割基部11B以形成獨立單體之光電元件33B，其 中晶粒31B係藉由凸塊34與導電層121及122電性連接。 前述實施例係將導電層121、122與反射層22A、22B於 不同步騍時沉積附著，然而可以於同一沉積步驟中形成， 200834970 如圖5及圖6所示，其中圖5係顯示打線接合型式之封裝 結構’又圖6係顯示覆晶接合型式之封裝結構。圖$及圖6 中導電層121，、122,與反射層22A，係於同一沉積步驟中形 成’亦即所選用之材料亦相同。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不 背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 φ 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 圖1係習知之發光二極體之封裝結構示意圖； 圖2顯示形成如圖1之結構的製程流程圖； 圖3(a)〜3(n)係本發明光電元件之製造方法之步驟示音

TgJ · 圆， 圖4(a)〜4(c)係本發明另一實施例光電元件之製造方法 Φ 之步驟示意圖； 圖5係本發明另一實施例光電元件之封裝結構之示意 圖；以及 & 圖6係本發明另一實施例光電元件之封裝結構之示意圖。 【主要元件符號說明】 θ 11梦基材 14、15 光阻層 17、18電極介層孔 32 封膠層 12、13介電材料層 16 反射腔 19 膠帶 34凸塊 -15- 200834970 35 金屬導 線 80 矽基板 81 82 絕緣層 83 84 發光二 極體 85 11A 杯座部 11B 21A 、21B 第一絕緣層 22A 23A 、23B 第二絕緣層 31A 33A 、33B 光電元件 22A? 111 第一表面 112 121 〜122 導電層 131 12Γ 、1221 導電層 131 831 、832 電極 反射杯 金屬層 環氧樹脂 基部 、22B 反射層 、31B 晶粒 反射層 第二表面 、132 電極 v 132 電極 16-

Claims (1)

1. 200834970 十、申請專利範圍： 1. 一種光電元件之封裝結構，包含： 一矽基材，具有一第一表面與—第二表面，其中該第 一表面具有一反射腔，及該第二表面具有和該反射腔連通 之複數個電極介層孔； 一第一絕緣層，包覆該第一表面與該第二表面； 一反射層，設於該反射腔内；

   一第二絕緣層，設於該反射層上； 一第一導電層，設於該第二絕緣層表面； 一第二導電層’設於該第-絕緣層表面，並位於該電 極介層孔内；以及 一晶粒 電層。 固定於該反射㈣，並電性連接㈣第-導 2. 根據請求項1之光電元件 之材料係氧化碎。 之封裝結構，其中該第一絕緣層

   3. =^求項1之光電元件之封裝結構，其中該第二絕緣層 材料係二氧财、氮切或氮氧切。 4. 求項1之光電元件之封袭結構，其中該反射層之詞 5 金（Au)、錫（Sn)、銅（Cl〇或鉑（Pt), 5·根據請求項〗之光電元件 ； 6. 根據請求項1之光電元件 係延伸至該第一絕緣層 根據請求項1之光電元件 度介於300A。至2M00A。之間裝結構，其中該反射層之肩

   之封裝結構，其中該第一導電層 迷與該第二導電層相連接。 之封裝結構，其中該第一導電層 200834970 與該第二導電層為可焊接的材料。 8.根據請求項1之光電元件之封裝結構，其中該第一導電層 與該第二導電層之材料係銀（Ag)、鎳/金（Ni/Au)、鈥/金 (Ti/Au)、鈦/鎳 /金（Ti/Ni/Ag)、鈦/銅 /鎳 /金（Ti/Cu/Ni/Au)、 鈦鎢/銅/鎳/金（!^冒/0：11/：^从11)或鉻/銅/鎳/金 (Cr/Cu/Ni/Au)。 9·根據請求項1之光電元件之封裝結構，其另包含一填入該 反射腔内之封膠層。 10·根據請求項1之光電元件之封裝結構，其中該晶粒藉由複 數個凸塊與該第一導電層電性連接。 11. 根據請求項1之光電元件之封裝結構，其中該晶粒藉由複 數個金屬導線與該第一導電層電性連接。 12. —種光電元件之封裝結構，包含： 一矽基材，具有一第一表面與一第二表面，其中該第 一表面具有一反射腔，及該第二表面具有和該反射腔連通 之複數個電極介層孔； 一第一絕緣層，包覆該第一表面與該第二表面； 一金屬層，設於該反射腔内，並包括反射區及導電區； 一第二絕緣層，設於該反射區上； 一導電層，設於該第一絕緣層表面，並位於該電極介 層孔内；以及 一晶粒，固定於該反射腔内，並電性連接於該金屬層 之該導電區。 13·根據請求項12之光電元件之封裝結構，其中該第一絕緣層 -2- 200834970 之材料係氧化珍。 14·根據請求項12之光電元件之 裒、、、"構，其中該第二絕緣層 料係二氧财、氮切錢氧化硬。 15.根據請求項12之光電元件之 # 、 苟裒…構，其中該反射區係用 於反射舔晶粒產生之光線。 16·根據請求項u之光電元件之 . 对裝、、、ϋ構，其中該反射區之材 料係銘、銀、金、錫、銅或鉑。

   17·根據請求項12之光電元 入&& 士 仵之封裝結構，其中該導電層與該 至屬層中該導電區相連接。 18·根據請求項12之光電元 全屬居疋件之封裳結構’其中該導電層與該 至屬層為可焊接的材料。 19·根據請求項12之光電元 金屬層之材料係銀、鎳/全妖:構’其中該導電層與該 ^ λ, 、’鈇7金、鈇/鎳/金、鈥/銅/鎳> 金、鈇鎢/鋼/鎳/金或路/銅/鎳/金。 20·根據請求項12之光電元 ^ - 封裝、、、ϋ構，其另包含一填入該 反射腔内之封膠層。 21·根據請求項12之光電元 之封裝、、、。構，其中該晶粒藉由複 敎1U凸塊與孩導電區電性連接。 22·根據請求項12之脊雪 數個金屬導線與該導電區：：構’其中該晶粒藉由複 23.=電元件封裝結構之製造方法，包含下列步驟： 挺供—矽基材； 於該矽基材之一第一表 、 衣面形成至少一反射腔； 於該珍基材之一第_ 表面形成複數個電極介層孔，其 200834970 . 中該電極介層孔穿透該矽基板至該反射腔； • 形成一第一絕緣層以包覆該矽基材； 覆蓋一反射層於該反射腔内； 在該反射層上形成一第二絕緣層； 於該弟一'絕緣層上形成一第>—導電層； 形成-第二導電層於該第二表面上及該兩電極介層孔 内；以及 φ 固定一晶粒於該反射腔内，並電性連接該晶粒與該第 一導電層。 24.根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 一絕緣層係由熱氧化法所形成之氧化珍層。 25·根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 二絕緣層係由氣相沉積所形成之二氧财、氮化梦或氣氧 化矽層。 26. 根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 • —導電層與該第二導電層係藉由電鍍、蒸鍍或是錢所形 成。 27. 根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 一導電層與該弟一導電層相連接。 28. 根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該晶 粒係以覆晶方式固定於該反射腔内。 29·根據请求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其中該晶 粒係藉由打線方式與該第一導電層電性連接。 30·根據請求項23之光電元件封裝結構之製造方法，其另包含 -4- < S 200834970 填封膠層於該反射腔及該電極介層孔内之步騾。 31·—種光電元件封裝結構之製造方法，包含下列步騍： 提供一矽基材； 於該矽基材之一第一表面形成至少一反射腔； 於該矽基材之一第二表面形成複數個電極介層孔，其 中該電極介層孔穿透該矽基板至該反射腔； 形成一第一絕緣層以包覆該矽基材； • 覆蓋一金屬層於該反射腔内，其中該金屬層包括反射 區及導電區； 在該反射區上形成一第二絕緣層； 形成一導電層於該第二表面上及該兩電極介層孔内； 以及 固定一晶粒於該反射腔内，並電性連接該晶粒與該導 電區。 32.

   根據請求項31之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 一絕緣層係由熱氧化法所形成之氧化矽層。 33. 根據請求項31之光電元件封裝結構之製造方法，其中該第 二絕緣層係由氣相沉積所形成之二氧化矽、氮化矽或氮氧 化矽層。 Μ.根據請求項31之光電元件封裝結構之製造方法，其中該金 屬層與该導電層係藉由泰 層货精由包鍍、瘵鍍或是化鍍所形成。 35.根據請求们丨之觸元件封|結構之製造枝，其中該導 電區與該導電層相連接。 Μ.根據請求们1之光電元件封裝結構之製造方法，其中該晶 200834970 粒係以覆晶方式固定於該反射腔内。 37. 根據請求灿之光電元件封 私伤ϋ 1造方法，其中該晶 粒係精由打線方式與該導電區電性連接。 38. 根據請求項31之光電元件封裝結構之製造方法，其另包人 填封膠層於該反射腔及該電極介層孔内之步驟。、^ 3