TW200833162A - Optoelectronic device and method of fabricating optoelectronic device - Google Patents

Description

200833162 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種光電裝置，其具有一種包括有機材料 之層堆疊，此層堆疊具有一用來發出電磁輻射之活性區。 本發明亦涉及一種光電裝置的製造方法。 本專利申請案主張德國專利申請案10 2〇〇7 〇〇1 742 3 之優先權，其已揭示的整個內容在此一倂作爲參考。 【先前技術】 上述形式的光電裝置稱爲有機發光二極體（OLED)。此 種光電裝置特別是可用作螢幕（電視機、PC螢幕、汽車用的 顯示器、行動電話用的顯示器、觸控銀幕顯示器等）。其它 的應用領域可包括一般照明，特別是大面積的空間照明。 【發明內容】 本發明之目的是提供一種光電裝置及光電裝置之製造 方法，藉此能以簡單的方式來使該光電裝置達成一種緊密 的構造。 上述目的藉由申請專利範圍獨立項的特徵來達成。本 發明有利的其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。 依據本發明的第一式樣，本發明之特徵爲一種光電裝 置’其具有··一包括有機材料之層堆疊，其具有一用來發 出電磁輻射之活性區；以及一電子單元，其中該層堆疊和 該電子單元配置在一共同的基板上。 因此，可有利地共同使用該基板作爲載體材料，以用 於該包括有機材料之層堆疊以及用於該電子單元中。此種 200833162 構造之特徵是一種特別高的積體密度且因此可使一使用者 感覺有特殊的友善性。 依據一較佳的實施形式，該電子單元具有一控制單元 以控制及/或調整該層堆疊。此外，該電子單元可由一控制 及/或調整該層堆疊用的控制單元所構成。 依據另一較佳的實施形式，該電子單元具有一保護單 元以保護該層堆疊。該電子單元較佳是由該保護單元所構 成。例如，該保護單元可以是一種極化成截止方向的二極 ( 體，特別是一種齊納（Zener)二極體，其與該層堆疊並聯， 以使電壓過高現象受到抑制。 此外，該電子單兀可具有一種測定單元或監視單元， 以測定或監視電磁輻射。例如，該測定單元或監視單元可 以是一種感測器，其例如可測得環境之輻射或溫度。依據 所測得的値，則可藉由該控制單元來進行事後調整且所發 出的輻射之強度可依據所需來調整。 在一有利的實施形式中，層堆疊具有第一電極且該電 / i 子單元具有第二電極，以及至少第一電極和至少第二電極 導電性地互相耦接’即，這些電極特別是在電性上互相連 接。這樣所具有的優點是：層堆疊和電子單元所構成的光 電裝置之在共同基板上所製成的複合物之內部中可使層堆 疊在電性上與該電子單元相耦接。 在另一有利的實施形式中，該光電裝置具有一保護 層，其配置成使該電子單元的至少一部份配置在基板和該 保護層之間。這樣所具有的優點是：該電子單元不需藉由 **6- 200833162 特定的保護層來形成特定的包封。反之，該層堆疊和該電 子單元可藉由唯一的保護層使至少一部份被包封著。這樣 特別是亦可使該層堆疊和電子單元形成一種長時間穩定的 複合物，此時特別是可成本有利地製成該共同的保護層。 在另一有利的實施形式中，該基板及/或保護層具有一 種形式穩定的材料。因此，層堆疊和電子單元可在機械上 穩定地互相耦接著。 當基板及/或該保護層具有玻璃或塑料箔或金屬箔時亦 是有利的。亦可使用一種層堆疊，其層是由不同的材料構 成，例如，各層可由不同的塑料及/或金屬所構成，特別是 可由金屬氧化物，金屬氮化物或金屬氮氧化物所構成。以 此種方式，則可成本有利地形成該基板及/或保護層。玻璃 之特徵特別是一種對光電裝置之良好的適應力。 此外，當該基板及/或保護層具有一種材料且該材料可 透過由該活性區所發出的電磁輻射時是有利的。因此，由 該活性區所發出的電磁輻射可到達該光電裝置之外部的〜 區域中，此一區域中該光電裝置可受到保護。 另一較佳的實施方式在於，第一電極及/或第二電極具 有至少一層，此層包括導電性的氧化物及/或金屬。 當至少一第一電極及/或第二電極具有一種層序列，且 該層序列之至少一第一層具有導電性的氧化物以及一第二 層具有一種金屬時亦是有利的。這樣所具有的優點是：第 一電極及/或第二電極既可用於該層堆疊且亦可用於該電子 單元，其中該層堆疊具有一種發出電磁輻射用的活性區。 200833162 此外，較佳爲該金屬係從由銅、鋁、銀和鉻所構成的 群組（group)中所選取。這些金屬所具有的優點是一種小的 電阻値。此外，上述材料可使第二層特別良好地黏合至第 一層之一種導電性的氧化物上。因此，可在第一層和第二 層之間達成一種穩定的導電性及機械性的耦合。 又，當至少一第一電極導電性地與多個第二電極相耦 合時是有利的。因此，可藉由第一和第二電極來構成複雜 的電子電路結構。 在另一有利的實施形式中，相鄰的多個第二電極至少 一部份相互之間具有一種大約1 0 0微米至3 0 0微米之距離。 這樣可使該電子單元微小化地形成在該光電裝置中，且因 此可以省空間的方式來形成該電子單元。 在另一有利的實施形式中，該光電裝置具有多個層堆 疊，其可形成一種大面積的光電裝置。 在另一有利的實施形式中，該電子單元包括多個電子 次（s u b)單元，其在空間中互相隔開而配置著。該電子控制 單元特別是包括多個電子次控制單元。這樣可使各電子次 控制單元分佈在基板上，基板上配置著層堆疊和該電子控 制單元。於是，特別是可經由整個光電裝置而均勻地發出 電磁輻射。 在另一有利的實施形式中，可經由一電子次控制單元 來分別控制一組層堆疊。因此，用來控制及/或調整該層堆 疊的個別的次控制單元可分別用來控制或調整一部份數量 的層堆疊。於是，可使電力負載良好地分佈在不同的電子 200833162 次控制單元上。 在另一有利的實施形式中，該光電裝置具有唯一的外 部電性導線’其導電性地與電子單兀相親合’這樣可藉由 唯一的外部電性導線以經由電子單兀’特別是經由電子控 制單元，將該光電裝置連接至一外部的電流及/或電壓供應 源，於是可容易地安裝該光電裝置。特別是可防止：多條 外部的電性導線必須延伸至該光電裝置。 在另一有利的實施形式中，該光電裝置具有一輻射感 ' 測器，其在電性上是與該電子控制單兀相親合，使該幅射 感測器之一信號可發送至該電子控制單元，且須配置該輻 射感測器，使該層堆疊之用來發出電磁輻射的活性區可依 據該輻射感測器之信號來控制。於是，該層堆疊所發出的 電磁輻射可達成一種穩定的位準。此外，這樣可在該光電 裝置的內部中以積體方式來形成該輻射感測器，這顯示出 一種特別省空間且成本有利的解法。 ^ 依據本發明的第二式樣，本發明提供一種光電裝置的 〇 、 製造方法，其包括以下的步驟：製備一基板，施加第一層 於該基板上，其中第一層具有一導電的氧化物，於第一層 上施加一種具有金屬的第二層，在形成至少一第一電極和 一第二電極的情況下剝除第一層的一部份及/或第二層的一 部份’以及施加一種層堆疊的一活性區於第一電極的第二 層上’且電子構件施加在第二電極的第二層上，使電子構 件導電性地與第二電極相耦接。於是，在製造該含有一有 機材料的層堆疊以及該電子單元時可將不同的步驟互相組 -9- 200833162 合。這樣可成本特別有利地製造一種光電裝置。 在光電裝置之製造方法的一有利的實施形式中，在將 該層堆疊之活性區施加在第一電極的第二層上以及將電子 構件施加在第二電極的第二層上時的此步驟中，首先將電 子構件施加在第二電極的第二層上，且然後將該層堆疊之 活性區施加在第一電極之第二層上。於是，只有在該活性 區可受到保護使不受外界所影響時，才可施加該層堆疊之 活性區。 ^ 在光電裝置之製造方法的一有利的實施形式中，電子 構件藉由厚層技術而施加在第二電極之第二層上。厚層技 術之方法特別是指成本有利且已證實之方法，其用來將電 子構件施加在基板上或層上。 此外，當在施加第一層於基板上且施加第二層於第一 層上之間的步驟中以另一步驟將第一層之一些部份剝除時 是有利的。因此’較佳是具有導電氧化物之第一層可有利 地在下一步驟之前即已被處理。 [ — 在上述方法之另一有利的實施形式中，在施加一層堆 疊之活性區於第一電極之第二層上且施加電子構件於第二 電極之第二層上的步驟之後，在下一步驟中製備一外部的 電性導線以及使該外部之電性導線可與該電子單元（特別是 電子控制單元）導電性地相耦接。於是，可以特別簡單的方 式而以唯一的外部導線來形成光電裝置。 在上述方法之另一有利的實施形式中，在施加一層堆 疊之活性區於第一電極之第二層上且施加電子構件於第二 -10- 200833162 電極之第二層上的步驟之後，在下一步驟中以一保護層使 該電子單元之至少一部份改變形式以形成一種包封。於 是’該電子單元可受到保護而不受外界所影響。 本發明有利的形式以下將依據圖式來詳述。 【實施方式】 相同構造或功能的元件在各圖中以相同的參考符號來 表示。所示的各元件及其相互間的大小比例基本上未按比 例來繪出。反之，個別的元件，例如，層、構件、組件和 { 區域爲了更容易看見及/或爲了更容易了解而予以加粗或放 大。 第1圖中顯示一種光電裝置之實施例。 光電裝置具有一種層堆疊10，其包括一用來發出電磁 輻射之活性區1 2，此活性區1 2包含一種有機材料。此活性 區12可具備有機聚合物、有機微聚合物、有機單體、有機 之小的非聚合分子（“小分子，，）或上述物質的組合。活性區1 2 之適當的材料以及各材料的配置和結構化已爲此行的專家 所知悉’此處因此不再詳述。活性區12中可藉由電子和電 洞的再組合來產生具有個別波長或波長範圍的電磁輻射。 於是’在觀看者中可激發一種單色的、多彩色的及/或混合 彩色的發光印象。 第一電極1 4、1 6是與該活性區1 2相鄰而配置著。特別 是第一電極1 4、1 6可以平面形式來形成或使一部份區域被 結構化。第一電極1 4在第1圖中是配置在該活性區1 2下方 且較佳是構成陽極，於是可用作電洞誘導元件。第一電極 -11- 200833162 14具有第一層141和第二層142，其中第一電極14之第二 層142對應於第一電極14之第一層141。 第一電極14之第一層141特別是以導電之氧化物來形 成。第一電極14之第一層141形成透明的導電氧化物 (Transparent Conductive Oxide，TCO)時特別有利。 透明的導電氧化物是透明的導電材料，通常是金屬氧 化物，例如，氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦 或特別佳時是銦錫氧化物（IT0)。除了二元的金屬氧化合物 1' (例如，Zn〇、Sn〇2、In2〇3)之外，亦包括三元的金屬氧化物， 修!1$口，ZmSnCU、CdSnCh、ZnSn〇3、Mgliu〇4、Galn〇3、Zn2ln2〇5 或 In4Sn3〇12或不同的透明之導電氧化物之混合物亦屬於 TC0所形成之群組（group)。此外，TC◦之成份未必與化學 計量上的成份相同而是亦可P或η摻雜。 第一電極1 4之第二層1 4 2較佳是包括鉻或銅。 第1圖中配置在活性區1 2上方的另一第一電極1 6較佳 是構成陰極且因此是用來誘導電子的元件。此一電極的材

(I 料特別是鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣或鋰以及上述各金 屬之化合物、組合和合金時是有利的。 上述光電裝置另外具有一電子單元，其在本實施例中 由電子控制單元20所構成，以用來控制及/或調整該層堆疊 10。電子控制單元20具有第二電極24，26’其與電子構件 22相接觸。第二電極24在第1圖中配置在電子構件22下 方。第二電極24具有第一層241和第二層242。第一層241 形成時的方式是與第一電極14之第一層141者相同’且第 -12- 200833162 二電極24之第二層242形成時的方式是與第一電極14之第 二層142者相同。第1圖中配置在電子構件22上方之另一 第二電極26形成時的方式是與該層堆疊1 〇之活性區1 2上 方之另一第一電極16者相同。 電子控制單元20亦可以是一種電子電路之一部份。電 子控制單元20特別是可爲一種積體電路（ic)或電路用之一 種主動式或被動式電子模組或一種主動式或被動式電子構 件。 、 層堆疊10和電子控制單元20配置在一共同的基板30 上。當此基板3 0具有玻璃時特別有利。另一方式是，此基 板30亦可包括石英、塑料箔、金屬、金屬箔、矽晶圓或其 它任意之適當的基板材料。另一方式是，基板30亦可具有 一種積層或一種由多個層所構成的層序列。於此，至少一 層可具有玻璃或由玻璃所構成。特別是在由層序列所形成 的基板3 0中至少一層可具有玻璃，此層上配置著層堆疊1 0 和電子控制單元20。此外，該基板30亦可具有塑料。 上述光電裝置若以OLED構成且因此特別是構成所謂” 底部發射器”，即，活性區1 2中所發出的電磁輻射經由基板 30而發出，則該基板30對該活性區1 2中所產生的電磁輻 射之至少一部份可有利地具有一種透明度。在上述之底部 發射器組態中，第一電極14和第二電極24對該活性區1 2 中所產生的電磁輻射之至少一部份亦可有利地具有一種透 明度。 一第二電極26在第1圖中配置在電子構件22上方。第 -13- 200833162 二電極26可構成陰極且因此用作電子誘導元件。 上述光電裝置可另外具有一保護層40，其須與該基板 30相耦合，使層堆疊1 〇和電子控制單元20及所屬的電極 14、16、24、26和活性區12以及電子構件22可受到保護 使不濕氣及/或具氧化性的物質（例如，氧）所影響。該包封 可有利地包括一層或多個層，其中該包封之保護層40較佳 是具有平面層、位障層、可吸收水及/或氧的層、化合物層 或上述各種層的組合。 此外，上述光電裝置可具有光電元件，其在電磁輻射 的發射方向中配置在活性區之後。一種循環（circular)極化 器特別是可配置在該基板30之外側上（在底部發射器時）或 配置在該保護層40上方（在頂部發射器時），這樣可有利地 防止：由外部入射至該光電裝置中且例如可在電極1 4、1 6、 24、26上反射的光又由該光電裝置中發出。 上述之光電裝置可另外具有一外部的電性導線50，其 在電性上與該電子控制單元20相耦接。該外部的電性導線 5 0在本實施形式中形成唯一的外部導線，其用來使該光電 裝置在電性上與其它的電子控制單元及/或一電流及/或一 電壓供應源相耦接。另一方式是，該光電裝置亦可具有多 條外部的電性導線。 第2圖顯示光電裝置之一部份已斷開的俯視圖。 此光電裝置具有多個第一電極14、16和多個第二電極 24、26。爲了清楚之故，第一電極14、16和第二電極24只 顯示一部份且另一電極26未顯示。第一電極1 4和第二電極 -14- 200833162 24較佳是配置在一共同平面中。另一第一電極16較佳是配 置在一與該共同平面不同的平面中。 本實施形式中，電子單元具有一輻射感測器5 2和一電 子控制單元20。電子控制單元20包括多個電子次（sub)控制 單元20a、20b、20c、20d，其分佈在該基板30上。電子次 (sub)控制單元20a、20b、20c、20d在本實施形式中配置在 基板3 0之角隅區中，但亦可以另一方式而配置在基板3 0 之其它區域中，此時較佳是配置在基板30之邊緣區域中， ^ 這樣可使光電裝置達成一種均勻的亮度。 第一電極1 4和第二電極24導電性地互相連接。第一電 極1 4較佳是形成在該層堆疊1 0之活性區1 2之下方且以互 相平行而配置的導電軌的形式來形成，另一第一電極1 6形 成在該層堆疊10之活性區12之上方且以垂直於第一電極 1 4而平行延伸地配置的導電軌來形成。層堆疊1 〇之活性區 1 2配置在第一電極1 4和另一第一電極1 6之間。 須形成且配置電子次（sub)控制單元20a、20b、20c、20d， ί I 使每一電子次控制單元20a、20b、20c、20d都可控制由具 有活性區1 2之層堆疊1 0所形成的群組1 1。這例如顯示在 第2圖之與電子次（sub)控制單元20b有關的右上方中。 各相鄰的第二電極24相互之間分別具有一距離D。此 距離D較佳是大約1〇〇微米至300微米，其中此距離D被 視爲中央至中央的距離，使此距離D可稱爲相鄰的第二電 極24的柵格（raster)。由於此距離D大約是1〇〇微米至300 微米，則一方面可使電子控制單元20微小化，且另一方面 -15- 200833162 可使相鄰的第二電極24容易地達成電性上的接觸。以相對 應的方式，則未圖示的其它相鄰的第二電極26之間分別具 有距離D。 輻射感測器52經由一感測器連接線54而與電子控制單 元20在電性上相耦合。該輻射感測器52之信號56可經由 該感測器連接線54而到達該電子控制單元20，特別是到達 電子次控制單元20b。 藉由電子控制單元20，則可對該輻射感測器52之信號 5 6進行評估。若藉由該輻射感測器5 2來偵測該用來控制及 /或調整上述層堆疊10之電子控制單元20，使由該層堆疊 1 0之活性區1 2所發出的電磁輻射不足夠，則可藉由電流或 電壓來控制的調整以控制該層堆疊1 0之活性層1 2，以便由 此層堆疊1 0再發出一種足夠大的電磁輻射。 像第1、2圖所示的光電裝置由於上述的優點而可達成 高的經濟效益以及由於有效地節省材料而達成低的成本。 上述光電裝置特別適合用在緊密式省空間之平面造型的顯 示器及/或照明裝置中。 藉由在g亥共同的基板30上形成該層堆疊1〇和電子單 元，則特別是可省空間地形成該光電裝置。電子單元由於 該電子單元20和該層堆疊1〇之共用的保護層4〇而不需個 別的外殼。此光電裝置之操控特別是可藉由該共用的基板 30、共用的保護層40和共用的唯一之外部電性導線5〇之形 成而很簡易地來達成。 此外’第3圖顯示上述光電裝置之製造方法之流程圖。 -16- 200833162 此方法開始於步驟s 8。 的 時 層 實 施 第 除 14 10 單 加 施 電 術 步驟S 1 0中，須製備該基板3 0。此製備可包括此行 專家在製造光電裝置時已知的各步驟。 步驟S12中，第一層141、241施加在基板30上，此 第一層14 1、24 1具有一種導電性的氧化物。施加第一 141、241時較佳是藉由微影術來達成。在本方法的另一 施形式中，第一層141、241亦施加在已製備的基板30上 在下一可選擇的（optinal)步驟S14中，將第一層141 f 241之一部份剝除。 在下一步驟S16中，將具有金屬的第二層142、242 加在第一層141、241上，這較佳是藉由微影術來達成。 二層142、242特別是可藉由黏合促進劑而在機械上與第 層1 4 1、24 1相耦接。該黏合促進劑較佳是鉻或鉬。 在步驟S 1 8中，藉由第一層1 4 1、24 1之一部份被剝 及/或第二層142、242之一部份被剝除而形成第一電極 和第二電極24。因此，較佳是形成該光電裝置之層堆疊

C I 之形式以及形成電子單元之佈局，特別是形成電子控制 元之電路之佈局。 下一步驟S20中，在第一電極14之第二層142上施 該層堆疊10之活性區12，且在第二電極之第二層242上 加電子構件22。須施加該電子構件22，使電子構件22導 性地與第二電極24相耦接。 施加電子構件22時較佳是以厚層技術來達成，此技 可特別簡易地以成本有利的方式來進行。 -17-

200833162 當電子構件22首先施加在第二電極24之第二層 上且隨後將該層堆疊1 〇之活性區1 2施加在第一電極 第二層1 42上時特別有利。因此，該層堆疊1 〇之活性 可在本方法的此一時點時施加至第一電極1 4之第二層 上，此一時點短暫地在施加該保護層4 0 (請參閱步驟 之前，這樣可使該活性區1 2受到保護使不受濕氣或其 界所影響。 在下一步驟S22中，須製備該外部的電性導線50 外部的電性導線50導電性地與電子單元（特別是電子 單元；20)相耦接。因此，該光電裝置可特別簡易地設： 的外部導線。電子單元和層堆疊1 〇之間的電性連接 第一電極14、16和第二電極24、26之適當的耦接來 在下一步驟S24中，電子單元至少一部份藉由該 4 0來轉變形式，該保護層較佳是包括一種塑料，特 括環氧樹脂。於是，電子單元可受到保護使不受外 饗，且可達成一種穩定的固定作用。另一方式是， 疊1 〇或其一部份可藉由該保護層4〇來改變形式。 在下一步驟S26中，此一光電裝置的製造方法即 本發明當然不限於依據各實施例中所作的描： 之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組 別包S各申SR專利範圍或不同實施例之個別特徵 稹組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地 各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。 • 242 14之 區12 \ 142 S24) 它外 且該 控制 唯一 藉由 成。 :護層 丨是包 -所影 :層堆 吉束。 。反 、，特 :每一 ί示在 -18- 200833162 【圖式簡單說明】 第1圖光電裝置之切面圖。 第2圖光電裝置之一部份已斷開的俯視圖。 第3圖光電裝置之製造方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 10 層 堆 疊 11 層 堆 疊 所 形 成 的 群 組 12 活 性 區 14， 16 第 一 電 極 20 電 子 控 制 單 元 2 0 a ^ -20d 電 子 次 控 制 單 元 22 電 子 構 件 24， 26 第 二 電 極 30 基 板 40 保 護 層 50 導 線 52 感 測 器 54 感 測 器 連 接 線 56 感 測 器 之 信 141 第 電 極 之 第 —^ 層 142 第 -—" 電 極 之 第 二 層 241 第 二 電 極 之 第 一 層 242 第 二 電 極 之 第 二 層 D 相 鄰 的 第 二 電 極 之 間的距離 -19-

Claims (1)

1. 200833162 十、申請專利範圍： 1. 一種光電裝置（60)，具有： -一包括有機材料之層堆疊（10)，其具有一用來發出電磁 輻射之活性區（12);以及 -一電子單元， 其中該層堆疊（10)和該電子單元配置在一共同基板（30) 上。 2. 如申請專利範圍第1項之光電裝置（6〇)，其中該電子單元 Γ 具有一控制單元（20)，以控制及/或調整該層堆疊（1〇)。 3·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置（60)，其中該電子 單元具有一保護層，以保護該層堆疊（10)。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之光電裝置（6 0 )，其 中該電子單元具有一測定單元或監視單元，以測定或監 視該電磁輻射。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之光電裝置（6 0 )，其 中該層堆疊（10)具有第一電極（14，16)且該電子單元具有 \ / 第二電極（24，26)，第一電極（14，16)中至少一個和第二 電極（24，26)中至少一個導電性地互相耦接。 6·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電裝置（60)，其 中具有一保護層（40)，其配置成使該電子單元至少一部份 配置在基板（30)和該保護層（40)之間。 7 .如申請專利範圍第6項之光電裝置（6 0 )，其中該基板（3 〇) 及/或該保護層（40)具有一形式穩定的材料。 8·如申請專利範圍第6或7項之光電裝置（6〇)，其中該基板 -20- 200833162 (30)及/或該保護層（40)具有玻璃。 9.如申請專利範圍第6至8項中任一項之光電裝置（60)，其 中該基板（30)及/或該保護層（40)具有一種材料，其可透過 該活性區（12)所發出的電磁輻射。 10. 如申請專利範圍第5至9項中任一項之光電裝置（60)，其 中第一電極（14，16)之一及/或第二電極（24，26)之一具有 至少一層（141，142，241，242)，其包括一導電之氧化物 及/或金屬。 11. 如申請專利範圍第1〇項之光電裝置（60)，其中第一電極 (14，16)之至少一個及/或第二電極（24，26)之一個具有層 序列，其至少第一層（141，241)具有一導電之氧化物，且 第二層（142，242)具有金屬。 12. 如申請專利範圍第10或11項之光電裝置（60)，其中金屬 係從由銅、銘、銀和鉻所組成的群組中選取。 13. 如申請專利範圍第5至12項中任一項之光電裝置（60)， 其中第一電極（14，16)之至少一個是與多個第二電極（24 ，26)導電性地相耦接著。 14. 如申請專利範圍第13項之光電裝置（60)，其中相鄰的多 個第二電極（24，26)之間至少一部份分別具有一種100 μιη 至3 0 0 μ m的距離（D )。 15·如申請專利範圍第1至14項中任一項之光電裝置（60)， 其具有多個層堆疊（10)。 16·如申請專利範圍第2至15項中任一項之光電裝置（60)， 其中電子控制單元（20)包括多個電子次控制單元（20a， -21- 200833162 20b，20c，20d)，其在空間中互相隔開而配置著。 17. 如申請專利範圍第16項之光電裝置（60)，其中一群組（11) 的層堆疊（10)分別可藉由電子次控制單元（20a, 20b，20c， 20d)之一來控制。 18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之光電裝置（60)， 其中此光電裝置（60)具有唯一的外部電性導線（50)，其導 電性地與該電子單元相耦接。。 19. 如申請專利範圍第2、4項及其相關之項之光電裝置（60) I ，其中此光電裝置（60)具有一輻射感測器（52)，其在電性 上與該電子控制單元（20)相耦接，使該輻射感測器（52)之 一信號（56)可發出至該電子控制單元（20)，且須配置該輻 射感測器（52)，使該層堆疊（10)之發出電磁輻射用之活性 區（12)可由該輻射感測器（52)之信號（56)來控制。 20. —種光電裝置（60)之製造方法，包括以下各步驟： -製備一基板（30)， -施加第一層（141，241)至該基板上，其中第一層（141，241) ί I I 具有一導電之氧化物， -施加一種具有金屬的第二層（142, 242)至第一層（141，241) 上， -在形成至少一第一電極（14)和一第二電極（24)之情況下 ，將第一層（141，241)之一部份及/或第二層（142，242) 之一部份剝除， -施加一種層堆疊（10)之一活性區（12)至第一電極（14)之 第二層（142)上，且施加電子構件（22)至第二電極（24)之 -22- 200833162 第二層（242)上，使電子構件（22)導電性地與第二電極（24) 相耦接。 2 1 .如申請專利範圍第20項之製造方法，其中在施加該層堆 疊（10)之活性區（12)至第一電極（14)之第二層（142)上且 施加電子構件（2 2)至第二電極（24)之第二層（24 2)上時之 此一步驟中，首先將電子構件（22)施加至第二電極（24) 之第二層（242)上且隨後將該層堆疊（10)之活性區（12)施 加至第一電極（14)之第二層（142)上。 ^ 22.如申請專利範圍第20或21項之製造方法，其中該電子構 件（22)藉由厚層技術而施加在第二電極（24)之第二層 (242)上。 23. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之製造方法，其中 在施加第一層（141，241)至基板上且施加第二層（142, 242) 至第一層（1 4 1，24 1)上之間的另一步驟中： -剝除第一層（1 4 1，2 4 1)之一部份。 24. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之製造方法，其中 I 在施加該層序列（10)之活性區（12)至第一電極（14)之第二 層（142)上且施加電子構件（22)至第二電極（24)之第二層 (242)上之後的下一步驟中： -製備一外部之電性導線（50)，以及 -使該導線（50)導電性地與該電子單元相耦接。 25. 如申請專利範圍第20至24項中任一項之製造方法，其中 在施加該層序列（10)之活性區（12)至第一電極（14)之第二 層（142)上且施加電子構件（22)至第二電極（24)之第二層 -23- 200833162 (242)上之後的下一步驟中： -以一種保護層（40)使該電子單元（20)之至少一部份改變 形式而形成一種包封。

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