200816366 九'發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用陽極黏接技術以製造半導體在絕緣 體上(SOI)結構之裝置。 【先前彳支射ίί】 至目前，最常使用於半導體在絕緣體上之半導體材料 - 為石夕，以及以簡稱，’sor表示為該結構。石夕在絕緣體上結構 - 技術對高性能薄膜電晶體，太陽能電池，以及例如主動陣列 顯示器已變為更重要。 為了容易表示，下列說明有時以S0I結構表示，不過引 用該特定型式SOI結構主要使本發明說明變為容易以及並 不預期及解釋為以任何方式限制本發明。在此所使用soi 簡寫係一般表示半導體在絕緣體上結構，但是並不受限於 矽在絕緣體上結構。囉地，使用S0G簡寫一般表示非限制 性之半導體在玻璃上結構。S0G名翻期亦包含半導體在 玻璃陶瓷上結構，其包含非限制性之石夕在玻璃陶瓷上結構 °S0I簡寫包含S0G結構。 SOI結構可包含薄層單晶秒(通常厚度為◦•㈠· 3微米) =緣材料上。得到S01結構晶片之多種方式包含:⑴將 ^晶石夕晶片雜至另一石夕晶片上，Si02氧化物層成長於該 晶片上;（11)離子移植方法以形成埋喪氧化物層於石夕晶片 中;（111)離子移植法以由施體半導體晶片分離(外延)薄 石夕層以及將其黏接至另一石夕晶片上。 美國第5374564 ?虎專利揭示出一種使用熱處理過程以 第5 頁 200816366 得到單晶⑦細於基板上。具有平雖絲之施體半導體 別it^F.驟處理⑹藉由離子轟擊晶片表面產生一 層氣態微小氣泡界定出構成基板±要部份較低1域以及構 成薄膜上彳驅域之移植;（i i)將晶#平面性表面接觸由至 少-層堅硬材料層所構成之加固槻料;以及(i i i)熱處理晶 片以及加固櫬料之組件的第三階段，其在溫度高於進行離 子轟擊之溫度下進行以及足財微小氣泡巾產生壓力效應 以及在薄膜與餘主要部份之間產生分離。明顯地該處 理過程通常無法運作於玻璃或玻璃陶竟，因為黏接玻璃及 玻璃陶瓷需要較高溫度。 美國第2004/0229444號專利申請麵示出製造sqq結 構之處理過程，該專利之說明在此加入作為參考。該處理 步驟包含:（i)將石夕施體晶片表面暴露於氫離子移植以產生 具有黏接表面之外延層;(ii)將矽施體晶片黏接表面與玻 璃基板接觸;（i i i)施加壓力，溫度及電壓於石夕施體晶片及 玻璃基板使其之間黏接變為容易；以及(iv)冷卻結構至一 般溫度使玻璃基板以及矽外延層由矽施體晶片之分離變為 容易。 一 由美國第2004/0229444號專利申請案揭示之處理過程 產生之SOG結構可包含例如玻璃基板，以及黏附在其上面之 半導體層。半導體層之狀材料實冑上鱗紐料。所謂 貫質上”係說明層104考慮半導體材料正常地包含至少一 些内部絲面缺陷為本徵性或刻意地加上，例如晶雜陷 或-些晶粒界面。所謂”實質上”亦反應特定摻雜劑會扭曲 200816366 或影響半導體材料之晶體結構。 為了說明用途，假設半導體層由石夕戶斤構成。不過人們 了解半導體材料能夠為石夕為主半導體或任何其他型式之半 導體，例如為III-V，II-IV, II-IV-V等半導體種類。這些材 料範例包含:Si, SiGe, SiC, Ge, GaAs，GaP,及InP。玻璃基板 可由氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷製造出。雖然並不要求 ，在此所說明S0G結構包含氧化物玻璃或玻璃陶兗。例如， 玻璃基板可由含有鹼土金屬離子之玻璃基板製造出，例如 本公司編號1737或Eagle 2000玻璃組成份製造出基板。這 些玻璃材料可特別地使用於例如製造液晶顯示器中。 我們發現薄的外延層半導體層(例如矽)及特定細列 如-些玻璃及玻璃陶瓷級間良好品質陽極黏接要求小心 控制-些處理触之變數。職魏包含—項或多項下列 因素：溫度(特別是接近及/或超過j 〇〇(rc高溫);壓力（半導 ，與基板之間）;電壓(產生電解作用）;大氣條件(例如直 空^非真空);冷卻分佈(產生外延作用）;機械分離輔助(例 =助外延侧）#。辭物祕肢_紐璃職 2之陽極黏接的傳統技術無法適當地解決上述處理過程 夂例如’傳統陽極黏接處理過程之溫度限制為刪^。 _，業界存在新穎裝置之需求，該裝置能夠藉由控制 【：：項處理過程變數以改善陽極黏接處理過程。 -赴Γ據本發明—錢多項實_，陽姆婦置包含:第 ί#件可操作來’接第一材料片狀物，以及提供至 200816366 > 一項x控制加熱，電壓，以及冷卻；第二^接板構件可操 狀物，以及提供至少—項受控制加熱 ，私壓，以及冷卻;壓力構件可操作地麵合至第一及第二^占 接板構件以及可操作來促使第一及第1接板構件朝向彼 此以達成第-及第二材則狀物沿著其各赚面彼此靠在 一起為受控制之壓力;控制單元可操作來產生到達第一及 第1占接板構件以及壓力構件之控制訊號以提供加熱，電 壓以及壓力分佈足以在第—及帛二洲^狀物間達成陽極 黏接。 依據本發明一項或多項實施例，陽極黏接裝置包含:第 -黏接板構件可操作來啣接第一材料片狀物，以及提供至 少-項受湖加熱，，錢冷卻接板構件可操 作來喻接第二材料片狀物，以及提供至少一項受控制加熱 ’電c，以及々卻，以及抬起以及緊壓構件可操作地麵合至 第一及第二1占接板構件以及可操作來促使第一及第二I占接 板構件朝= 皮此以達成第一及第二材料片狀物沿著其各別 表面彼此靠在-起為受控制之壓力以有助於其達成陽極黏 接。 依據本侧—項衫項其他實細，陽錄接裝置包 含:第一黏接板構件可操作來唯ρ接第一材料片狀物，以及第 二黏接板構件可操作麵接帛二材料片狀物，第一及第二 街妾板構件均包含承載面，每一承載面界定出承載平面以 刀別喻接第-及第二材料#狀物;以及關以及閉合構件 可操作來輕合至帛二黏接板構件以及可操絲:⑴當為閉 200816366 合指向時將輔助固定上側黏接板構件相對位於下方黏接板 構件，使得下方黏接板構件朝向上側黏接板構件之移動將 達成第一及第二材料片狀物沿著其各別表面彼此靠在一起 為受控制之壓力；以及(i i)提供雙移動開孔分佈，其中第一 移動將第二黏接板構件與第一黏接板構件分離，其方向分 別地垂直於其各別承載面，以及第二移動斜向地使第二^占 接板構件離開弟一黏接板構件，使得第二黏接板構件之承 載面傾斜於第一黏接板構件之承載面。 依據本發明一項或多項其他實施例，陽極黏接裝置包 含··第一黏接板構件可操作來响7接第一材料片狀物，以及提 供至少一項受控制加熱，電壓，以及冷卻；第二黏接板構件 可操作來喻接弟二材料片狀物，以及提供至少一項受控制 加熱，電壓，以及冷卻;以及分隔器構件包含一組多個可移 動填隙片組件，分隔杰構件搞合至第一黏接板構件以及可 操作來對稱地移動填隙片組件朝向第一及第二材料片狀物 以及在其之間以避免第一及第二材料片狀物之週邊邊緣彼 此才妾觸。 依據本發明一項或多項其他實施例，黏接板構件(使用 於第一及第二材料片狀物陽極黏接在一起)包含··含有第一 及第二分隔開表面之底座；由底座第二表面支撐之熱絕緣 體以及可操作來阻隔熱量轉移至底座;加熱碟片直接地或 間接地耦合至絕緣體以及可操作來以電熱方式產生熱量； 以及散熱器直接地或間接地|禺合至加熱碟片，以及施力口電 壓至第一材料片狀物，其中對第一材料片狀物施加電壓及 200816366 熱量係依據各別加熱以及電壓分佈以協助第一及第二材料 片狀物之陽極黏接。 ^ 依據本發明一項或多項其他實施例，黏接板構件(使用 於將第一及第二材料片狀物陽極黏接在一起）包含:含有第 -及第二分_表面之底座;加熱碟片直接地或間接_馬 合至底座以及可操作來以電熱方式產生熱量，加熱碟片包 ’ 含一組多個加熱區域，其可操作來提供邊緣損耗溫度補償 躲，其中施加於第-材料片狀物之熱量係依據加熱分佈 以協助苐一及第二材料片狀物之陽極黏接。 依據本發明一項或多項其他實施例，黏接板構件(使用 於第-及第二材料片狀物陽極黏接在一起)包含:含有第一 及第二分闕表蚊加鱗W及可樹切輸方式產生 熱里，熱分散為直接地或間接地|馬合至加熱碟片之第二表 面以及操作來至少傳送加熱碟#發丨的熱量，以及對第一 材料片狀物施加電壓；以及至少一個冷卻通道與加熱碟片 之第-表面鮮麵以及可操作來運齡卻趙以經由散 熱器以及加熱碟片由第一材料片狀物移除熱量，其中施加 於第-材料片狀物之熱量及電壓依據各別加熱及電壓分佈 以協助第-及第二材料片狀物之陽極黏接，以及依據冷卻 分佈對第-材糊狀物断冷卻以協助由第_材料片狀物 分離已黏接至第二材料片狀物之外延層。 依據本發明一項或多項其他實施例，黏接板構件(使用 於將第-及第二材料片狀物陽極黏接在一起)包含·含有第 -及第二分隔開表面之底座以及孔徑通過其中，·加熱碟片 第H) 頁 200816366 由底座支撐以及與其熱隔絕以及可操作以電熱方式產生熱 量，加熱碟片包含孔徑通過其中;散熱器直接地或間接地麵 合至加熱碟片以及操作來至少傳送加熱碟片發出的熱量， 以及對第-材料驗物施加黏接電壓，散熱器包含孔徑通 過其中；以及預先加載柱塞，其具有電極延伸通過底座，加 熱碟片以及散熱器之孔徑，當電極與散熱器接觸時，其可操 作為導電地連接至第一材料片狀物。 ' 當本發明隨同附圖加以說明時，業界熟知此技術者將 清楚地了解本發明其他項目，特性及優點等。 【實施方式】 芩考附圖’其中相同的數字表示相同的元件，圖丨顯示 出依據本發明-項或多項實補之黏接裝置1G的透視圖。 在該實施例中，黏接裝置為整體處理系統，其能夠在溫度高 於傳統黏接溫度例如為高於咖。C以及接近及/或超過麵 C下極黏接s〇i結構之兩種材料片狀物。(黏接裝置亦 月b夠在傳統溫度下作陽極黏接）。作為列舉目的(並非作為 限制性)，SOI結齡此將說明作為黏接裝置1〇操作之適當 的工作件(例如在製造則結構中）。作為說明用途，底下I兒 :為工作件之特別S0I結構為黏接半導體施體晶片（例如石夕 曰曰片）至玻祸(或玻璃陶瓷)基板以及由石夕施體晶片外延出 矽層使得外延層保留黏接至玻璃絲所形成之s〇G結構。 黏接裝置10包含下列組件:抬起及緊壓構件1〇〇，敞開 及閉合構件200,分隔器構件300,上側黏接板構件姻，下側 黏接板構件500。這些主要組件彼此輕合以及組合麵底 200816366 板12以及支縣·所讀。包含_倾多侧合控制迴 路之控制早欢並未顯示⑴可操作__接_ Μ U 個兀件(例如藉由計算機程式)以及更詳細綱於底下。 雖然黏接裝置10讀_轉絲麟理過程將詳細 說明於底下，現在對該操作提出簡單的說明。在圖i中，黏 接裝置10為閉合指向，因而上側黏接板構件棚閉合地位於 -了側黏接板構件500上。如圖2所示，上側黏接板構件棚可 操作向上旋轉以及離開下側黏接板構件5〇〇以允許被黏接 在-起兩個材料片狀物(例如矽施體晶片以及玻璃勒反)插 入至裝置10。再次地，作為說明用途，石夕施體晶片假設包含 被黏接至玻璃基板之外延層以及隨後由矽施體晶片分離。 在該範例中，假設石夕施體晶片接觸上侧黏接板構件4〇〇 ，同時在黏接處理過程中玻璃基板接觸下側黏接板構件500 〇例如玻璃基板可放置於下侧黏接板構件漏上以及石夕施 體日日片可放置於玻璃基板上使得其戶斤在位置接觸上侧黏接 板構件400(當裝置1〇為閉合時）。（人們了解該指向可相反 而並不會脫離本發明各個實施例範圍）。在另一實施例中， 當上側黏接板構件棚為敞開位置時，矽施體晶片可藉由例 如夾鉗，夾頭構件，真空等方式耦合至上側黏接板構件棚。 通常，上侧黏接板構件400可操作來對矽施體晶片提供 至少一個受控制之加熱，電壓，以及冷卻，同時下侧黏接板 構件500可操作來對玻璃基板提供至少一個受控制之加熱， 電壓，以及冷卻。抬起及緊壓構件100可操作地麵合至上側 及下側黏接板構件400,500以及可操作來促使第一及第二 第12 頁 2〇〇816366 黏接板構件400, 500朝向彼此以沿著其各別表面（即界面） 達成梦施體晶片靠在玻璃基板為受控制之壓力。控制單元 可操作來產生控制訊號至上側及下側黏接板構件4〇〇, 5〇〇 以及抬起及緊壓構件100以提供加熱，電壓，以及壓力分佈 足以在石夕施體晶片及玻璃基板之間達成陽極黏接。控制單 元可操作來產生控制訊號至上側以及下側黏接板構件棚， 500以主動地冷卻以及促使黏接後外延層由石夕施體晶片分 離變為容易。 如圖2所示，在上側黏接板構件4〇〇向上旋轉以及離開 下側黏接板構件500以及矽施體晶片以及玻璃基板***其 間，上側黏接板構件棚可操作來向下旋轉(藉由敞開及閉 合構件200)使得上侧以及下側黏接^反構件4〇〇, 5〇〇分隔開 。因而，當石夕施體晶片放置於玻璃基板上時，上側黏接板構 件400與石夕施體晶片為分隔開的。可加以變化，假如石夕施體 晶片搞合至上侧黏接板構件400(例如藉由先前所提及夹钳 ，夾頭，真空等方式)耦合至上側黏接板構件棚，石夕施體晶 片與玻璃基板將分隔開。假如採用後者方式，矽施體晶片 及玻璃基板可開始藉由分別地控制上側以及下側黏接板構 件400, 500加熱能量分別地加熱至特定溫度(其接近及/或 超過1000°C)。作艾如採用前者方式，在黏接裝置10完全閉合 後可開始各別加熱。 如圖4A及4B所示，矽施體晶片以及玻璃基板在抬起及 緊壓構件1〇〇受控制促動下可彼此接觸。抬起及緊壓構件 100抬起下側黏接板構件5〇〇(以及玻璃基板)至一位置，使 第13 頁 200816366 得在石夕施體晶片與玻璃基板之間可達成受控制加熱以及壓 力。石夕施體晶片以及玻璃基板亦施力σ 伏特直流差分電 動％於上側以及下側黏接板構件4〇〇, 5〇〇。施力口壓力差分 溫度，以及差分電壓歷時一段受控制時間。而後，電壓歸零 以及冷卻矽施體晶片以及玻璃基Μ包含主動冷卻)，其至" 少啟始外延層由石夕施體晶片分離。假如外延層與石夕施體晶 片間之分離在冷卻處理過程中並不完全，能夠使用一項或 多項機械或其他構件以辅助外延處理過程。 現在對黏接裝置10各別元件作更詳細說明。圖5為黏 接裝置10之透視部份分解圖。其很容易清楚地顯示出特定 構件名起及緊壓構件則，敞開及閉合構件細，分隔器構 件300,以及上側以及下側黏接板構件侧，_。 參考圖6,目觔說明抬起及緊壓構件實施例。抬起 及緊壓構件1GG搞合至下侧黏接板構件5⑽以及可操作來促 使上側以及下側黏接板構件4〇〇, 5〇〇朝向彼此以沿著其各 別表面達成石夕施體晶片與玻璃基板彼此靠在一起為受控制 之壓力以辅助達成陽極黏接。在該實施例中，抬起及緊壓 構件100可操作來促使下侧黏接板構件5〇〇產生兩種主要之 移動:⑴預先負載移動，其中下側黏接板構件500垂直_多 動玻璃基板朝向上側黏接板構件棚以達成上側以及黏接 板構件侧，_(以及_基板以及魏體“）初始預先 負載位置;以及(ii)壓力貞載移動，其巾玻璃基板緊壓靠在 石夕施體郎為受控制之壓力（其亦允許_基板與矽施體 晶片間自行對準以達成均勻的壓力分佈）。 第 μ 頁 200816366 抬起及f壓構件1GG包含缝丨〇2,第—促絲1〇4，第 二促動器106,以及底下托板108。底座1〇2包含上側表面 110以及下側表面112。第一促動關4可輕合至底座他 之下側表面112,同時第二促動器106耦合至底座1〇2之上 側表面no。底下托板108耦合至第二促動器1〇6，使得第 二促動器106位於底座1〇2與底下托板1〇8之間。 底座102相對於一組多個導引柱114,116, u 的。（雖然，其顯示出三個導引柱，但是可使用鮮或較少動 數目之導引柱）。例如，底座102可分別包含導引軸概12〇 122,124(其中軸襯124無法看見)，因而各別導引柱ιΐ4，刖 ，118同軸地位於各別導引軸襯120,122,124内，使得導引柱 114,116,118可縱向地滑移於導引軸襯12〇, 122,124内。各 別導引柱114,116,118可藉由固定器130錯定於黏接裝置1〇 之底座板12 〇 依據本發明-項或多項實施例，第—促動器1〇4之促動 可達成先前所提及預先負載移動，其中下側黏接板構件圖 藉由底下托板⑽機朝向上鄕接姆件伽以達成上側 以及下侧黏接板構件棚，500(以及玻璃勤反以及石夕施體晶 片）啟始預先負載之定位。預先負載移動為下側黏接板構 件500朝向上側黏接板構件4〇〇之粗略位移。第一促動器ι〇4 以^第二促動器廳可軸向對準於下側黏接板構件_加以 按裝，使得第-促動器、104之促動將使第二促動器1〇6以及 下側黏接板構件500產生粗略位移。 更特別地，第一促動器104可包含軸104A，其可操作來 第15 頁 200816366
2上及向下_動第—促動器104。軸104A可藉 虽的裝置純驅動，例如電機螺旋管，液驗曰; 導引軸襯120,122,124間之班 顯示貫質上為零或靜止距離。 抬起及緊壓構件⑽之第二鶴謂可操作來產生可 工制力量(例如為微小的移動，相較於先前所提及粗略移動 於下側黏接板構件500上，其中可控制力量實質上垂直於 下側黏接板構件5〇〇之承載面（即，與玻璃基板接觸之表面） ° 件侧之承載面平行於下側黏接板構件 00^之承载面日守，抬起及緊壓構件1〇〇之第二促動器刷確保 矽施體晶片與玻璃基板間並未施加以為最小)侧向力量，/、 其會對良好品質陽極黏接產生刮損或損傷。 第二促動器106可為伸縮式促動器，其可操作來向上及 向下地移動底下托板108以反應伸縮器内部流體壓力（例如 液體或氣體壓力）變化。第二促動器1〇6可獨立地加以控制 (相對於第一促動器、104)以達成先前所提及麼力負载移動， 其中破璃基板緊壓靠在石夕施體晶片。糊控制單元小心控 200816366 制第二促動器1 〇6(例如控制伸縮器内壓力）可使用來建立 陽極黏接玻璃基板與矽施體晶片間之適當壓力。除此，在 第二促動器106中採用伸縮器允許底下托板1〇8，下側黏接 板構件500,以及玻璃基板浮動或自行對準於上側黏接板構 件400(以及石夕施體晶片）。 抬起及緊壓構件100亦可包含一組多個按裝元件例如 為事馬合至底下托板108之向上導引柱狀物14〇。按裝元件 140可細乍來u卸接以及固定分隔器構件細以及將在底下更 詳細地加以說明。 如圖5所示，抬起及緊壓構件100亦可包含定位感測器 150耦合至底下托板1〇8及/或下側黏接板構件5〇〇。定位感 測器150可操作來提供輸出訊號至控制構件，其顯示下側黏 接板構件500移動之程度。例如，定位感測器15〇之輸出訊 號可提供顯示是否發生先前所提及下側黏接板構件5〇〇之 粗略位移。此將提供一個顯示何時開始加熱，預先負載壓 力以及施加種晶電壓等。定位感測器15〇之輸出訊號可額 外地或變化地提供顯示下側黏接板構件5〇〇之速度及加速 度。熟知此技術者了解ητ側黏接板構件5⑽之位置，速度， 加速度荨可依據疋位感測器150輸出訊號以及以時間為基 準得到一個或多個位置量測，其由控制單元加以計算。例 如，定位感測器可使用線性電壓差分轉變器(·τ)實施， 其提供變化振幅輸出訊號為轉變器可移動中心之函數。 現在針對圖7說明敞開及閉合構件200之實施例。在該 實施例中，敞開及閉合構件200包含抬起構件2〇2，促動器構 第 Π 頁 200816366 件綱，傾斜組件206,托板2〇8。敞開及閉合構件·麵合至 上側黏接板構件4G0(並未顯示於圖7中，參閱圖丨及5)以及 可操作:（1)當為閉合指向時，輔助保持上側黏接板構件棚 位置相對於下側黏接板構件500,使得下側黏接板構件500 朝向上側黏接板構件棚找動達成石夕施體晶片靠在玻璃 基板上為受控制之壓力；以及(ii)提供雙移動開孔分佈，其 ，第一移動將上側黏接板構件棚由下側黏接板構件圖分 離出，其方向實質上垂直於其各縣載面，以及第二移動使 上側黏接板構件棚由下側黏接板構件5〇〇傾斜離開，使得 上側黏接板構件400之承載面傾斜於下側黏接板構件5〇〇之 承載面。 關於又移動開孔分佈，抬起組件促動器組件2〇4， 傾斜組件2G6,以及托板簡共同作用達成兩項主要移動： (1)托板208相對於底板12之垂直移動;以及(丨丄)傾斜移動 以促使托板208向上爾目對於底板12轉動。注意上側黏接 板構件400可操作來耦合至托板观，托板2〇8之轉動允許 將矽施體晶片以及玻璃細#入至上側以及下側黏接板 構件400, 500間之黏接裝置1〇内。托板2〇8(以及上側黏接 板構件)之垂直移動允許上侧以及下側黏接板構件獅，5〇〇 間之最初分離移動，該移動純粹為垂直性的。其能夠分離 而不會側向地刮損，否則其會損及观結構。這些特性將更 各羊細地况明於^底下。 抬起組件202包含底座210,導引軸212,以及導引軸襯 214。底座210可操作來直接地或間接麟接至底板12以及 第18 頁 200816366 提供精密的參考點，由該處可作抬起及傾斜移動。導引軸 212可操作地麵合至底座21G以及垂直地延伸朝向傾斜組件 206以及托板。導引軸襯214可操作來滑移地喻接導引軸 212。如底下更詳細說明，導引軸襯214相對於導引軸之 滑移移動促使托板208轉動以及垂直性移動。導引輛概214 包含固定板216,其可操作來機械性連接至促動器、組件綱。 促動器組件204可操作來提供垂直力量至導引轴概214 之固定板216,因而導引軸襯214能夠達成受控制之滑移，再 次地達成托板208抬起及傾斜移動。在一項實施例中，促動 器組件204可包含千斤頂23〇,例如随—N〇rt〇n千斤頂，軸觊 連接至千斤頂230,以及耦合元件234連接至導引軸襯214之 固定板216。在-項或多項實施例中，N〇rt〇n千斤頂 230可操作使得施加於軸236上旋轉力量促使軸232垂直移 動以及，引軸襯214最終垂直移動。千斤頂之促動可藉 由控制單7L加以控制，例如採用電動馬達來轉動軸236。 托板208可包含第一端部24〇,其可操作來喻接上側黏 接板構件鐵以及第二端部242可操作地麵合至傾斜組件 206。在該實施例中，傾斜組件2〇6包含鉸接板25〇,其麵合 托板208至抬起組件2〇2(其將在在底下更詳細地說明）。傾 斜、、且件206亦包含第-及第二停臂252,254以及雛板挪 樞軸連接至托板208。停臂252, 254於其第-端部處耦合至 底板12,以及在其第二端部處♦馬合至托板。停臂脱， 254可在第-端部處旋轉地輕合至底板，因而避免垂直性 移動(相對於底板12)，但是第二端部可對著第—端部做樞 胃19頁 200816366 軸移動。每一條停臂252, 254包含細縫256,其可操作來承 受相對之滚軸或柱狀物由托板208第二端部側向地延伸。 托板208可操作地藉由柩軸連桿258搞合至鉸接板250 。更特別地，鉸接板250包含滑塊260,其至少部份地延伸至 托板208之孔徑245内。樞轴連桿258允許托板208繞著樞軸 連桿258轉動或旋轉。孔徑245尺寸大小以及形狀將使滑塊 在孑L徑245内轉動而並不受到干擾。 對千斤頂230促動反應(例如藉由對軸236施加轉動力 里)’轴232可抬起/降低導引轴概214。在所顯示指向中，導 引軸襯214抬起以回應先前所提及之促動，因而使鉸接板 250產生垂直移動(向上）。鉸接板25〇藉由滑塊以及柩 軸連桿258施加垂直力量至托板208。托板208藉由滑塊260 移動，其方式將使得在抬起移動過程中全部上側黏接板構 件棚受限運行中上侧以及下側黏接板構件4〇〇, 5〇〇之承受 面保持為平行的。 藉由鉸接板250施力ϋ於托板208垂直力量促使托板2〇8 之插梢244或滾軸在各別停臂252,254之各別細縫内向上地 移動。托板208因而將垂直地昇起離開底板12同時保持實 貝上平行之關係。垂直向上移動(或舉起)，同時保持實質 上平行於相對底板12將持續限制之運行，持續到粍板之滾 軸或插梢244啣接細縫256内上側限制處。當滾軸或插梢 244到達限制處，由滑塊260施加於托板2〇8上連續性向上力 置促使托板208第一端部240向上傾斜以反應繞著樞軸連桿 258之旋轉性移動。（停臂252, 254繞著其第一端部些微的 第20 頁 200816366 樞軸移動可說明反應繞著樞軸連桿258樞轉之托板208側向 移動）。托板208傾斜角度可藉由位於各別停臂252, 254端 部處之止塊257加以調整。例如，止塊257可包含螺紋化桿 件以及螺帽，其中螺紋化桿件可不同程度旋轉進入及離開 相關之細縫256。在可利用細縫長度中該調整能夠允許滾 軸或插梢244許可運行以及托板2〇8傾斜角度作改變。 促動态組件204之逆轉導致托板2〇8向下傾斜至實質上 平行底板12之指向，接著向下垂直移動，其中托板施保持 實質上平行於底板12。托板208平行方向可藉由鉸接板25〇 之一個或多個止塊259加以調整。例如止塊259可包含螺紋 化螺栓，其可旋入以及旋出鉸接板25〇以提供托板可調 整之停靠位置。 托板208之第一端部亦優先地包含一組多個鎖合器2邳 ，其可刼作來啣接以及耦合至抬起及緊壓構件1〇〇(參晒6 )導引柱114,116,118之上側端部114A，舰腹。例如， 鎖合器246可利用螺紋化螺栓以人工方式操作實施。當托 板208降低至圖4A，4B中所顯示位置時，鎖合器2妨確保石夕施 體晶片以及上側黏接板構件侧上之向上壓力能夠藉由托 板208加以抵銷而並不需要將抬卷组件2〇2,促動器組件腦 或傾斜組件206構縣露於過度力量下。 托板208之第一端部240亦包含一組多個孔徑，各個金 屬線，線纔，及導管可通過該孔徑，其將在底下詳細說明。 >爹2圖8A及8B，其提供關於上側黏接板構件棚更進一 々羊爲兒月圖8A為上側黏接板構件棚之透視圖，然而圖 200816366 8B為其斷面圖。由於黏接裝置ι〇之對稱性，人們了解上侧 黏接板構件400功能性及/或結構細節適用於ητ侧黏接板構 件500(如底下說明）。 上側黏接板構件400之主要組件包含底座402,絕緣體 404,背板406,加熱碟片408,以及散熱器410。上侧黏接板 構件主要功能包含加熱矽施體晶片，對矽施體晶片提供壓 力，對石夕施體晶片提供電壓，以及冷卻矽施體晶片。 加熱功能起源於加熱碟片408以及可操作來提供溫度 低於或高於600°C，以及可接近或超過i〇〇(TC。上側黏接板 構件400實施例亦可操作來提供加熱均勻度在控制在整個 矽施蹲晶片設定點±0· 5%範圍内。 由上侧黏接板構件400施加於石夕施體晶片之壓力藉由 散熱器410均勻地分佈於晶片上，其藉由玻璃基板對向上力 量提供相反的力量(由下侧黏接板構件500施加）。此導致 矽施體晶片與玻璃基板界面處產生壓力分佈適合陽極黏接 。藉由控制下侧黏接板構件500產生向上壓力（例如控制單 元控制情況下)，壓力分佈可包含至少尖峰壓力在1石旁每平 方英叶(psi)至lOOpsi之間。10至50psi間較低壓力（例如 大約20psi)相信為有益的，因為其較不容易使石夕施體晶片 或玻璃基板破裂。 如上述所說明，石夕施體晶片以及玻璃基板施加175〇伏 特直流不同的電動勢，其分別地施力ϋ於上側以及下側黏接 板構件400, 500。人們了解電動勢可藉由下列方式達成： (i)施加電動勢於石夕施體晶片以及玻璃基板之一（同時另 第22 頁 200816366 一為接地)或藉由（ii)施加各別電動勢至石夕施體晶片以及 玻璃基板(例如正的電動勢至石夕施體晶片以及負的電動勢 至玻璃基板）。因而，上側黏接板構件4〇〇施加電動勢(異於 接地)至石夕施體晶片之能力為附加性之特性。假如藉由上 側黏接板構件400施加黏接電動勢(異於接地)至矽施體晶 片，其可藉由散熱器41〇均勻地分佈於整個晶片表面上。 雖然本發明並不受限於任何操作理論，人們了解黏接 電壓，溫度，時間，以及材料特性間存在一般之關係。例如 ，當黏接電壓降低，及/或導電離子數量(例如玻璃基板)可 增加達到至少傾向相同的黏接結果。當溫度，時間及/或傳 導離子數量為獨立變數時，亦保持該關係。矽施體晶片與 玻璃基板間之黏接電動勢為100伏特直流(或更低)至約2〇〇〇 伏特直流(或更大)範圍内以及可使用尖峰，平均，廳，或其 他量測慣例進行量測。對於特定型式玻璃基板黏接電壓 在1000伏特直流至2000伏特直流範圍内為適當的。 假如矽施體晶片需要主動冷卻，其能夠利用受控制流 體流過上侧黏接板構件4〇〇達成。上側黏接板構件這些及 其他特性將更詳細說明於底下。 上側黏接板構件400之底座402為圓柱形構造以及界定 出内部體積作為承受絕緣體4〇4。例如底座402可由可機界 加工玻璃陶瓷(例如MC〇R)形成，其提供結構整體性以及承w 文咼溫能力。能夠採用其他適當的材料附加上或替代地形 成底座402。絕緣體404可操作來限制或阻隔熱量由加熱碟 片408流到底座402(以及黏接裝置10之其他部份）。例如y 第23 頁 200816366 絕緣體404可由陶莞發泡絕緣材料形成，例如姻密實溶融 矽石。可附加上或替代地採用其他適當的絕緣材料。'絕緣 體404應該提供顯著的絕緣能力，由於加熱碟#姻可操作 來達成溫度為600°C或更高，例如達到或超過丨〇〇(rc。人們 了解不充份絕緣會使大量熱流人底座碰，正雜作黏接裝 置10其他部份將導致災難性後果。除此，底座4〇2與加熱碟 片408間相當咼程度絕緣確保上侧黏接板構件4〇〇相當低的 熱惰性，其有助於達成快速熱循環能力。 月板406藉由絕緣體404與底座402絕緣。背板可操作 以提供至少一個冷卻通道420,當需要主動降低挪結構特 別是矽施體晶片溫度時冷卻流體能夠流經該通道。例如背 板406能夠由熱壓製氮化硼(HBN)形成以承受高溫以及相當 F夬速之>j〇zl度變化(當冷卻流體力^入通道420時）。其他適當 材料可附加上或替代地加以採用以形成背板4〇6。至少一 條流入管線422可操作來將冷卻流體流入通道42〇,同時至 少一條流出管線424(在圖8B中無法看到，但是在圖11B可看 到，以及說明於底下)可操作來由通道420移除冷卻流體。 可採用熱交換器(並未顯示出）以在再流到流入管線之前將 冷卻流體冷卻。 主動性冷卻可藉由使用控制單元控制流經通道42〇冷 卻流體之流量及溫度而達成。例如，上侧黏接板構件4〇〇之 冷卻分佈可主動地加以控制(例如藉由控制單元)以對石夕施 體晶片提供至少一種不同的冷卻速率以及不同的冷卻值。 人們相信分別地對石夕施體晶片以及玻璃基板提供不同的冷 第24 頁 200816366 卻分佈將使外延層由石夕施體晶片較佳地分離變為容易。明 顯地，上侧黏接板構件侧之主動冷卻特性為選擇性的，由於 矽施體晶片與玻璃基板間之差分冷卻分佈分別地可經由下 將_紐(以及不含魏體“）作主動 冷郃而達成(其將在底下作更詳細說明）。 帽環426(參閱圖8B)可操作來保持絕緣體撕位於底座 • 402内以及提供一個出入口，加熱碟片408可放置於其中。 帽環426可由機械加工玻璃陶釘例如先前所提及M⑽形 加熱碟片408可操作來產生熱量以回應電激發(電壓及 電流)，同時亦提供導電絕緣特性使得施加於石夕施體晶片之 電動勢亚不會施加於背板權或底座衡。確實，施加於石夕 施體晶片之相當高電動勢應該加以限制。因而，加熱碟片 408可由呈現出導電絕緣特性以及熱傳導性之材料形成。 一項該適當材料為熱解蝴氮化物(PBN)。 ^考圖9A及9B，細示出兩個加熱碟#設計範例，其適 合於實施加熱碟片408。圖9A為第一加熱碟片概之透視 • 圖，同時圖9B為另一第二加熱碟ϋ 408B之透視圖。由於需 要相當均勻的加熱，加_片408A，408B可包含熱邊緣損耗 =，使得加熱碟片侧A, 4_外侧部份運作將傾向比中央 部份更冷。在所顯示實施例中，加熱碟片麵，麵之熱邊 、、彖損耗補偵可使用兩個加熱區域達成，一個位於中央以及 另個為環狀位於中央區域四週。力口熱區域可使用各別加 熱元件實施。 第25 頁 200816366 圖9A加熱翻·Α包含兩個分離之加熱元件409A以及 4應’其中加熱元件健實質上位於中央以及域元件繼 為城形式位於加熱元件棚Β四週。每一加熱元件麵， 麵包含一對連接電源之端埠411Α，411Β。各別電源對加 熱f片408Α之加熱元件4〇9Α及侧電壓及電流細可分別 地藉由控制單元分別地加以控制，使得兩個加熱區域之各 別溫度可分別地加以調節以及可達成熱邊緣〇 加熱元件麵及健可她鮮墨(pG)THERMAF()lL # 形成。T_F0IL材料為薄的有彈性具有加熱特性之材料 ，其包含_出金射自電阻元件疊加於彈性絕緣層之間。 雖然T__L在真”會呈現級健雌，在此亦考 慮非真空環境(其包含一種或多種氧化劑，例如空氣環境） 。在非真域射，加航件彻A及4㈣可由ΐΝα狐形成 ，其包含一系列高強度奥氏體鎳-鉻-鐵合金，其具有良好的 抗腐蝕以及抗熱特性。 在-項或乡項實補巾，加熱^元件觀及娜可垂 直j偏移以辅助熱邊緣損耗補償。例如，在中央區域中加 熱器元件娜位_向加鱗請A底料緣，然而在環 狀區域中加熱器元件備可位於或朝向加備之上 側。此減彳姆剌備猶處域ϋ元件麵與矽施體 晶片間之熱阻抗，其係與加熱碟#侧巾央處加熱器元件 409Β與石夕施體晶片間之熱阻抗作比較。能夠藉由放置分隔 器兀件(並未顯示出)例如一片材料於加熱器元件佩健 之間而達成。此亦允許端埠411β側向地而非向下地離開， 200816366 如圖9A所示。 圖9B加熱碟片408B包含整體形成鄰接加熱元件，其操 作如同具有分離之加熱元件4〇9C，409D。特別地，使用來形 成加熱元件之電阻材料之寬度(及/或厚度)可加以變化，其 決疋於加熱碟片408B内之位置。例如，在週邊位置4〇9c處 加熱元件之寬度低於在中央部份4〇9D處加熱元件之寬度。 改變加熱元件之寬度將改變加熱元件之電阻(以及因而力^ 熱特性)為位置之函數。藉由改變整體加熱元件之電阻為 離加熱碟娜巾央區域位置之射n要單—電壓及 電流激勵以達成熱邊緣損耗補償。確實，整體加熱器元件 將不同地反應(加熱)以回應激勵電壓及電流，其由於改變 區域409C及409D中電阻所致。 與加熱器元件構造無關，加熱器元件之電阻約為1〇_2〇 歐姆(例如約為15歐姆）。為了達献前所提及大約6〇(rc 至looot：加熱數值，施加大約220伏特電壓於加熱元件兩端 ，其將產生大約3250瓦熱量消失。 在一項或多項實施例中，加熱碟片棚呈現出相當低熱 惰性，其至少部份由於選擇材料以及構造所致。使用上述 料綱之獅及般，加鱗料轉縣2mm。相當低 厚度(與先鈾技術力口熱元件所量測1—2英时厚声比鲂）妄座 較小質和及熱惰性，其有助於達成快频^的能力。 政熱益410與加熱碟μ 408連通以及可操作來整體形成 由加熱碟片呈現之加熱分佈，使得施加於石夕施體晶片呈 現更加均自。散熱II 4财轉熱及導f，#其直接接觸石夕 第27頁 200816366 施體晶片時將更容易加熱晶片以及施加先前所提及之高電 壓。 ’ 在可採用來實施散熱器410之材料中，導電性石墨為需 要的，例如為THERMAF0IL。在非真空大氣(例如為空氣）中， 散熱器410可由其他在氧化環境中呈現出較佳重現性之材 料製造出，例如非氧化性電—熱傳導性元素，具有非氧化性 塗膜(例如鎳，鉑，鉬，鈕等)之銅，具有非氧化性塗膜(例如 鎳，氧翻，组等)之THERMOFOIL，碳化石夕(其具有或不具有塗 膜)，具有金屬塗膜(例如鎳，翻，銦，鈕等)之KEyj鹰。 一項或多項實施例中，散熱器·亦呈現出相當低熱慣 性，其至少部份由於選擇材料及構造所致。使用上述所說 明材料及構造之散熱器41〇量測厚度為〇. 5—6fflm。 相當_度之加綱片侧以及散熱器41〇藉由絕緣體 撕以及結合上述所綱選擇之其他材料呈現出高絕緣特 性將使上侧黏接補件棚產生非敎熱量以及熱惰性。 因而，上側黏接板構件棚可加熱材料片狀物在2分鐘内由 至度達到1_ c以及在1()分鐘錢辦助冷卻至室溫。 與先前基板加熱器比較，其需要半小時至1小時將材料片里狀 ，至溫至峨，似狀㈣分鐘冷卻洲^狀物至室 溫0 控制單元可程式化使上側黏接板構件棚依照任何所 需要蝴触齡帥及料雜何猶魏理溫度。 如圖8A所示，上側黏接板構件侧可包含孔徑伽兑 許在黏接种接财施體郎，例如施域先貞载^ 第28 胃 200816366 電壓至晶Μ。謝#加雛财進—步制概面說明中。 圖ίο顯不出上側黏接板構件·之分糊(並不包含底 座402以及絕緣體404)。如分解圖所示，上侧黏接板構件棚 為夕層組件’其包含支撐環43〇，襯墊432，背板棚，襯塾— ，加熱碟片鐵以及散熱器41〇。支撐環43〇提供背板以及 襯塾432之支撐。背板4〇6夾於襯墊432及撕之間，其操作 來防止冷卻趟當流經通道時滲漏出。在概整4私伽 形f原料中，G_IL環材料為需要的，因為其呈現出適當 的密封以及抗熱特性。加熱碟片備橫跨襯墊434以及散熱 杳410位於加熱碟片4〇8上方。上侧黏接板構件4〇〇各別層 利用螺栓彼此加以耦合。 在一項或多項實施例中，背板4〇6包含兩個分離之通道 420,其藉由各別入口 406A，406B承受冷卻流體，以及藉由共 用出口 406C排放冷卻流體420。兩個冷卻通道確保整個散 熱^§ 410更均勻冷卻（以及因而秒施體晶片）。 明顯地，散熱器410包含一組多個鰭狀物436,其徑向地 由散熱器410週邊邊緣向外延伸出。鰭狀物436提供週邊表 面，其使用來保持散熱器410在適當位置以及提供連接至高 壓電源。如圖8B所示鰭狀物436由各別固定器晶片440唯p接 以及防止散熱器410移動。優先地，固定器晶片440由機器 加工玻璃陶瓷(例如MACOR)形成，因而其提供導電絕緣以及 良好結構整體性。 如上述所說明，上側黏接板構件400可選擇性地包含孔 徑450,其可藉由底座402,絕緣體404,背板406,加熱碟片 第29 頁 200816366 408,以及散熱器4i〇之分離孔徑達成。孔徑450可位於中央 ，使得能夠得到通達矽施體晶片中央區域之出入口。使用 由孔徑450提供矽施體晶片出入口將詳細說明於底下。 現在參考圖11A，11B，以及11C，其更進一步顯示出上側 黏接板構件400之結構以及功能項目。圖11B及1 iC為分別 沿著直線11B-11B以及11C-11C展開之斷面圖。如圖iiC所 示，激勵電壓及電流藉由端埠452施加於加熱碟片408,其延 伸經由底座402,絕緣體404,以及背板406。端槔數目決定 於多少加熱元件使用於加熱碟片408中以及如何實施加熱 碟片。如上述所說明，在一項或多項實施例中，可採用兩個 加熱元件，以分別地藉由控制單元控制激勵電壓及電流，使 得兩個加熱區域之溫度受到精密地調控。可加以變化，加 熱元件可整體形成(使用可變電阻)，使得溫度調整以及邊 緣損耗補償可採用單一激勵電壓。 如圖11B所示，各別流體耦合460能夠連接至流入管件 422以及Sil出管件424以允許流體源(並未顯示出）連接至上 側黏接板構件400。明顯地，流入管件422以及流出管件424 由底座402延伸相當遠以通過托板2〇8中孔徑。 如圖11B及11C所示，相當高電動勢(例如與加熱器電壓 比較)可藉由高電壓端埠453施加於散熱器410,該端埠延伸 通過底座402,絕緣體404,背板406,以及加熱碟片408。如 上述所說明，施加於散熱器410之電壓(在直流1〇〇〇至2〇〇〇 伏特之間)使用來輔助石夕施體晶片陽極黏接至玻璃基板。 雖然並未顯示出，上側黏接板構件4〇〇亦可包含一條或 第30 頁 200816366 多=空導管，其經由底錢2，絕緣體侧，背板棚，以及 加熱碟片侧延伸至散熱器。假如採用真空導管，其放 2於靠在散熱器彻上時允許施加真热魏體晶片，使得 虽上側黏接板構件400在向下旋轉至位置中時晶片耦人至 散熱器，蝴2所示。施加真空可使用傳統真规並未 顯不出)達成，其峰縣置1()操作者經她制單元或人工 地加以控制。預先負健力以及種曰曰曰電壓目的在於在施加 黏接電壓之則在石夕施體晶片與玻璃絲間之界面局部區域 中啟始陽極黏接’其將使整個界面區域使陽極黏接變為容 易。種晶電壓與黏接電壓大小可相同或不同，不過較低或 相同電壓例如直流750-麵伏斟目信紐麵。孔徑45〇 "T位於中央，使付初始極黏接發生於或接近於石夕施體晶 片與玻璃基板間之界面中央區域處。 麥考圖12A，12B，及13,其顯示出適當裝置以達成先前 所&及預先負載壓力以及種晶電壓功能。圖12c顯示出預 先負載柱塞470之側棚，其可運作麵接上側織板構件 400以及延伸過其孔徑以機械地及導電地與石夕施體晶片連 通。圖12B為圖12A預先負載柱塞47〇之剖面圖，而圖13為具 有輕合至上側黏接板構件400預先負載柱塞之上側以及下 側黏接板構件400知剖面圖。預先負載柱塞470包含外殼 472,其具有近端474以及遠端476。導電端埠478位於外殼 474近端以及提供構件以連接電源，由該電源得到預先負載 電動勢。柱塞棚部份地位於外殼472内以及延伸通過外殼 472之遠端476。柱塞480以伸縮方式可滑移於外殼472内。 200816366 柱塞480包含止塊482於一端以防止柱塞480通過遠端476以 及、交為與外设472不喻接。電極484可共軸地位於柱塞480 内，其中電極端部486延伸超過柱塞之端部。（如詳細地說 明於底下，端部486 4p接石夕施體晶片。） 第壓力彈黃488機械地以及導電地麵合電極484以及 端埠478,使得柱塞48〇可滑移移動並不會擾動端埠478與電 • 極484間之導電連接。第一屢力彈簧488亦促使或向前施偏 - 壓於電極484(以及柱塞480)，使得止塊482喻接外殼472。 第二壓力彈簧490亦促使柱塞480向前，使得止塊482啣接外 殼472以及以延伸指向施偏壓於柱塞480以及電極484。在 電極484以及柱塞480上軸向力量由各別壓力環488,490所 吸收，使得電極端部486偏向以及保持與矽施體晶片導電連 接。電極484因而傳送種晶電壓至石夕施體晶片。在一項或 多項實施例中，電極484可在柱塞480内滑移，使得柱塞480 本身亦偏向以及施力i7(單獨地或結合電極484)預先負載壓 力於石夕施體晶片上。 在優先實施例中，電極端部486延伸於上侧黏接板構件 ’ 400底下，使得當抬起及緊壓構件100粗略地位移下侧黏接 板構件500朝向上侧黏接板構件4〇〇時，該電極接觸矽施體 晶片（即，在黏接裝置10完全閉合前，如圖4A-4B所示）。因 而，可在施加完全壓力，溫度及電壓之前，施加預先負載壓 力以及種晶電壓可啟始矽施體晶片以及玻璃基板之陽極 黏接。 類似於施加黏接電壓於石夕施體晶片以及玻璃基板，種 第32 頁 200816366 晶電動勢可藉由：（i)施力u電動勢於石夕施體晶片以及玻璃基 板之一（同時另一為接地);或藉由（i i)施加各別電動勢於 石夕施體晶片以及玻璃基板兩者。因而，在石夕施體晶片與玻 璃基板間局部界面區域中需要初始黏接，上側黏接板構件 400施加種晶電壓至矽施體晶片之能力為附加特性。如同 在该說明中，可藉由下側黏接板構件5〇〇施加種晶電壓於玻 璃基板(同時石夕施體晶片接地）。 雖然預先負載壓力以及種晶電壓可上述說明方式施加 ，有需要限制矽施體晶片與玻璃基板之接觸面積，同時施加 預先負載壓力以及種晶電壓以限制允許預先黏接之面積。 關於該方面，可使用分隔器構件30〇以及先前所提及預先負 載柱塞470。通常，分隔器構件300耦合至下側黏接板構件 500(參閱圖1及5)以及當預先黏接達成於其中央區域中時 可操作來防止石夕施體晶片以及玻璃基板週邊彼此接觸。在 達成預先黏接後，分隔器構件3〇〇允許矽施體晶片以及玻璃 基板彼此接觸（包含其週邊邊緣)以進行完全之黏接處理過 程。 參考圖14,其為分隔器構件3〇〇之透視圖。分隔器構件 300可操作來機械地輔助固定矽施體晶片以及玻璃基板週 邊區域避免在預先負載壓力以及種晶電壓過程中彼此偏移 在項或多項貫施例中，分隔器構件可操作來提供對稱 性(夕個位置)填隙作用於石夕施體晶片與玻璃基板之間。 刀隔态構件300為環狀構造以及包含按裝環3〇2,旋車專 環304,以及一組多個填隙片組件3〇6。按裝環3〇2實質上為 第33 頁 200816366 衣片'構造’其包含中央孔徑308以及週邊邊緣310。一組多 個挟裝tl件(例如孔徑)312位於週邊邊緣編四週以及為輔 助性構造如同按航件140,其為向上導引之柱狀物140(參 7 1，5,及6)。按裝元件14〇及312之尺寸，形狀及位置將 使得按襄環302可轉合至抬起及緊壓構件⑽之底下托板1〇8 。在顯示實施例中，按裝環302無法相對於抬起及緊壓構件 底下托板108旋轉。 旋轉環304實質上亦為環狀結構以及更進一步界定出 ^央孔徑308。旋轉環3〇4可轉動地輕合至按裝環3〇2以及 可相對於按裝環以及触及緊壓構件⑽之底下托板 ⑽轉動。旋轉環綱包含一組多個凸輪32〇(例如凸輪細縫 邊緣處，每一個填隙片組件3〇6包含一健凸 輪320。凸輪32〇A之一為齒輪式凸輪，其包含一組多個輪齒 ，其間距相#於抬起及緊壓構件1〇〇步進馬達144之齒輪142 (>閱圖6)。當步進馬達144轉動齒輪142時，旋轉環相 對於按裝環302以及抬起及緊壓構件1〇〇之底下托板1〇8轉 動。控制單元對步進馬達144提供驅動纏以得到旋轉環 304之精確轉動。 。母-填隙片組件33〇 &含填隙片33〇給至滑移組塊緦 ，、隙片330尺寸以及形狀將適合按裝以及分隔石夕施體晶 片以及玻輸反。填隙片可操作來達成相對於分隔器構件 300/中央區域(以及矽施體晶片與玻璃基板間之界面中央區 或)^向@也向内及向外移動。控向移動可藉由滑移組塊332 與按巍間之可滑料接達成例如，每—填敝件可包 第 34 頁 200816366 3 - _多個導引軸襯334，其可滑移地命接相對—個或多 個插銷336。插銷336可徑向地由按裝環繼週邊邊緣則延 伸，使得導引軸襯334沿著針銷33㈣移移 及滑移組塊332以及填隙片之徑向移動。 細所k 母一滑移組塊332亦包含凸輪導引(並未顯示出)例如 k由或柱狀物，其讀各別凸輪細縫32〇。旋 vm 』喊制形式沿著柱狀物336(藉由導引軸襯 )祕。因而，所有填隙片以對稱移動方式移動，其 矽施體晶片與玻璃基板間之任何不均勻磨擦負載。人們了 解旋轉環304之轉動可使用其他促動構件例如氣缸，線性馬 達，電磁螺旋管排列等達成。 填隙片330優先地為導電絕緣，使得s〇G 合至按裝環搬以及黏接裝置1G之其他部份。例如，雜 1 塊332可利用陶瓷材料形成。按裝環3〇2以及旋轉環綱可 位於下侧黏接板構件500高熱區域底下，其加以保護避免過 度熱量加入。 如圖11A所示，上側黏接板構件4〇〇可包含一個或多個 許#近_片·。例如，第一孔徑454允許 熱電偶***通過組件，使得其可鮮倾加熱碟#侧以及 提供溫度反饋訊號至控制單元(其允許加熱碟片侧以及石夕 施體晶片作精密之溫度調整）。人們了解孔徑伽由圖m ^中上侧黏接板構件後面延伸出以及以虛線顯示。亦可包含 第二孔徑456(亦由後面)，其提供加熱碟片侧額外出入口 v 第35 頁 200816366 以作更進一步熱學調整。第一孔徑位於加熱碟片408中央 加熱元件區域中，同時第二孔徑456位於或接近於加熱碟片 408之環狀加熱元件。此允許對各別中央及環狀加熱元件 獨立反饋以及控制激勵訊號(除非其整體形成)，因而允許 對熱學邊緣效應以及整體溫度調整作補償。 圖15為熱電偶組件494之透視圖，其可使用來延伸通過 孔徑454, 456以及喻接加熱碟片408。熱電偶組件494包含 標準熱電偶插頭495,彈簀組件496,以及探針498。探針498 藉由彈黃組件496可操作來促使向前，其偏斜靠在加熱碟片 408，因而確保其間適當的熱傳導。 現在詳細說明下側黏接板構件_ 一項或多項實施例 之詳細結構。下侧黏接板構件5〇〇主要功能配合上側黏接 板構件400,即加熱玻璃基板，提供壓力至玻璃基板，提供電 動勢至玻璃基板，以及冷卻玻璃基板。 依據本發明一項或多項實施例，下側黏接板構件500包 含上述戶斤w兒明上側黏接板構件400實施例之特性。例如，在 =13所顯示實施例中，上侧以及下側黏接板構件鐵_實 質上相同，除了上侧黏接板構件4〇〇採用孔徑45〇以及預先 負載柱基470,然而下侧黏接板構件並不具有。 下側黏接板構件5〇〇之加熱功能可操作來提供溫度低 於或高於_°c，其可接近或超過l〇〇(TC。下讎接板構件 5(^可#作來提供加熱均勻度在整個玻璃基板控制設定點土 〇· 5% °電動勢(大約直流175G伏特)可選擇性地藉由下讎 Μ構件500施加於玻璃勤反，以及均勻地分佈於整個基板 第36 頁 200816366 表面。下側黏接板構件500其他實施例可採用受控制流體 流動提供作為主動冷卻玻璃基板。 雖然顯示出圖16-21中下側黏接板構件實施例含有類 似上述所說明上側黏接板構件棚特性，下側黏接板構件_ 亦可包含-些不同的特性。圖16為下侧黏接板構件_之 透視圖，而圖17為其分解圖。下側黏接板構件_主要組件 包έ底板502,絕緣體504,加熱碟片508,以及散熱器51〇。 些兀件位於外殼506内，耦合或支撐於外殼内，其可由不 鏽鋼形成。 ^ 底板502 _合至外殼506之底部，目而形成圓柱形結構， 其界定出内部體積以承受絕緣體5〇4。例如，非限制性地， 底座502可由機③加工陶竟材料(例如⑽簡^ 902可機 器加工礬土矽_)，其提供結構整體性以及承受高溫能力 。絕緣體504可操作來限制熱量由加熱碟片5〇8流入底座5〇2 ，外殼506以及黏接裝置之其他部份。例如，非限制性之絕 、、彖體504 了由陶兗發泡絕緣材料例如密實溶融石夕石形成 。絕緣體之溫度絕緣特性應該防止熱量由加熱碟片5〇8流 入底座502(以及其他組件）以及提供下侧黏接板構件5〇〇相 當低熱惰性(作為快速熱訊號能力）。 加熱碟片508以及絕緣體504可使用陶瓷黏接劑例如
Cotronics RESB0ND 905 黏接在一起。 加熱碟片508可操作來產生熱量以回應電激發(電壓以 及電流)，同時亦提供導電絕緣特性，使得任何直接或間接 施力π於玻璃基板之任何電動勢並不會施力浙底座502或外 第37 頁 200816366 殼。因而，加鱗# 508可由導電絕緣特性以及實質上 性材料形成° ' ”、、 翏考圖18,加解# 508可由加熱碟卩5〇8可由電阻加 熱益層508A夾於兩個(或多個）導電絕緣層5〇8B之間形成。 例如’非限制性電阻加熱器層5〇8A可由職MA則L捲^ 墨形成以及導電絕緣層508B可由溶融石夕石形成。電阻加敎 層漏以及導電絕緣層_可使用陶竞材料例如C〇tronics RESB0ND 黏接在一起(其呈現出低膨服特性）。 由於需要均勻地加熱，加熱碟片5〇8可包含熱邊緣損耗 補償。在該實施例中，加熱碟片5〇8可包含兩個加熱區域， 個位於中央以及另一為環狀开)式而在中央區域四週。加 熱區域可實施於電阻加熱層5〇8A内。例如，當材料由層· 中央向外地盤旋，各別加熱區域可藉由改變電哺料各別 ° &導致材料之不同的電阻(以及加鱗性)，其 決定於離層508A中央之徑向距離。此允許使解一電壓及 電流麵以達成熱邊緣損耗補償，因為加熱器元件將不同 地回應雜電壓及電流，此由於電阻差值為徑向距離之函 數所致。 一對电阻加熱層508A之電壓及電流細纟電源(並未顯 示出)提供以及藉由控制單元加以控制以達成溫度調節(其 採用反饋控制如底下所說明）。控制單元可操作來依程式' 使下側黏接板構件500依循任何所需要快速冷卻或加熱以 及停留在任何所需魏理溫度。稱552(圖16_17)以及端 埠508C(圖18)允許電源導電鱗接至電阻加熱層漏。 第38 200816366 散熱益510熱學地與加熱碟片508連通以及可操作來整 體形成由加熱碟片508呈現出之力〇熱分佈，使得熱量更加均 勻分佈施力σ於玻璃基板。散熱器51〇可為傳導熱以及導電 的，由於其直接地接觸玻璃基板以及使力口熱基板變為容易 以及附加性地對其施加電壓。再次地施加於石夕施體晶片 以及玻璃基板之黏接電壓藉由下列方式達成:⑴施加_ • 勢於石夕施體晶片以及玻璃紐之-(同時另-為接地);或 _ 藉由（ii)施加各別電動勢至矽施體晶片以及玻璃基板兩者 。因而下側黏接板構件500施加電動勢(異於接地)至玻璃 基板之能力物加雛。假如触下條接板構件施加黏 接電動勢(異於接地)至玻璃紐，其可均勻地分佈於雜 之整個表面，以及可在直流1750伏特範圍内。 在可使用來實施散熱器510找料中，導電似墨為需 要的例如T_AF〇IL。端埠553允許由高電壓電源(並未顯 示出)連接至散熱器510。控制單元可操作來程式化控制高 壓電源電壓值以得到所需要電墨值(例如直流1750伏特）。 現在參相说其更進-步顯示出下側黏接板構件测 之結構及功能項目。如圖所示，下側黏接板構件5〇〇可選擇 性地包含孔徑550,其允許黏接過程中接近玻璃絲，例如 ^_貞絲板。必需綱鞠加性特性 並不需要採用，但是可提供有益的操作，如底下所說明。告 採用孔徑550時，其優先的用途將允許預先負载勤及^ 種晶電壓施加於玻璃絲於施加黏接電壓以及完全黏接壓 力之前。如上述對上側黏接板構件4〇〇說明，預先負麵力 第39 頁 200816366 ==目的在於在施加_電壓之前，啟峨體 個界面區域之陽極黏接變為容易。其將使整 = 斤說明預先負载柱塞相同。預先負載柱可來 獅細反構件500以及延伸通過 ： ==通玻璃基板。預先負载柱塞57。之電極= «基板至少施加種晶電壓。預先貞載柱塞训之柱触 =力共軸峨以及可單獨地(或結合電細)二預 …下側雜板構件_可更進—步包含—個或多個孔徑 御接加熱碟片 m提t度反饋訊號至控制單元(其允許加熱碟片_ 、璃土板精密的溫度調控）。熱電偶孔徑之結構及位置（ 以及熱電偶本身)實質上與先前對上側黏接板構件姻 明情況相同。 茶考圖20-21，其顯示出另一功能，其使用於下側黏接 _中之其他功能。圖2〇為採用主動 接板構件漏峨關。目21為圖2〇下 側黏接板構件500A之分解圖。在該實施例中，下側黏接板 構件5GGA之絕緣體5G4A &含-個或多個冷卻通道52〇，當需 第40 頁 200816366 要降低S0G結構特別是其玻璃基板溫度時可將冷卻流體流 經該通道。例如，冷卻通道520可螺旋地由絕緣體5〇4A中央 螺旋地延伸朝向其週邊邊緣。通道520可機械加工至絕緣 體504A表面内。流入管件可操作來將冷卻流體加入至通道 520,同時流出管件524可操作來由通道520移除冷卻流體可 採用熱交換器(並未顯示出）將冷卻流體再加入相同的流入 管件522之前加以冷卻。主動冷卻可藉由使用控制單元控 制冷卻流體流經通道520之溫度以及流量而達成。如圖& 所不，適當的流體耦合構件5㈤可連接至流入管件以及 流出官件524以允許流體源(並未顯示出）連接至下側黏接 板構件500 〇 ^ 多考圖22,黏接裝置1〇可放置於大氣槽中以提供控制 祕件，·紅，碰(修錢氣，氮 )，以及其他條件。注意，黏接裝置10可操作於非真空大氣（ 例t為包含-種或多種氧化劑之大氣)而不會使其各個組 件衰變，特別是黏接板構件400 J0O。 黏接衣置1〇之操作將翏考圖23一詳細力口以說明。圖 3 員不出取終s〇G結構_，而圖24—顯示出其中間結構， -、吏用、，個或夕個黏接裝置1〇實施例製造出。參考圖24 f將材^入黏接裝置1〇之前，施體半導體晶片62〇之移植 ^面配衣出例如藉由拋光，清理以產生相當平坦及均勾之 W 面!^適合作為黏接至玻璃或玻璃陶究基板602(圖 可H 為:兄明用途，半導體晶片620可為單晶石夕晶片，雖然 木、々斤說日月任何其他適當的半導體材料。 第4〗 頁 200816366 柄層622藉_嫌表面621進行移植處理過程以在 =體半導體晶片62Q之移植表面621形__產 f，该區域界定出外延層622。例如，雜表面621可進行氫 =雜，或無稀场金麟子例如蝴，轉。施體半導 ，曰曰片620可加以處理以減少例如移植表面62ι上之氯離子 /辰度例如，知體半導體晶片62〇可加以清洗及清理以及外 延層622之移植施體表面621可進行中度氧化作用。中度氧 化_處理包含在氧電漿中處理，臭氧處理，利用過氧化氫 ’ L氧化氳及氨，過氧化氫及一種酸處理或其處理過程組合 。職在這些處理過程中終端表面基氫氧化為氫氧基其 因而使石夕晶片表面為親水性。氧電漿可在室溫下進行以及 氰或酸處理溫度在25—15(rc之間。可進行玻璃級6〇2(以 及外延層622)適當的表面清理。 假設黏接裝置1〇在最初指向，因而上側黏接板構件4〇〇 向上旋轉(如圖2中），施體半導體晶片620以及玻璃基板602 ***黏接裝置1〇内。在該範例中，假設玻璃基板6〇2放下以 及藉由重力固定至下側黏接板構件5〇〇以及施體半導體晶 片620放置於玻璃基板6〇2上。當施加預先負載壓力及種晶 笔壓以在施體半導體晶片620及玻璃基板6Q2之中央區域啟 始黏接為需要時，分隔器構件300在施體半導體晶片62〇放 置於玻璃基板602上方之前加以作用。如對圖6及14說明， 步進馬達144可相對於按裝環3〇2轉動，因而驅動填隙片330 位於玻璃基板602之週邊部份上。施體半導體晶片620因而 可放置於填隙片330上，使得填隙片330位於施體半導體晶 第42 頁 200816366 片620及玻璃基板602之間。因而，施體半導體晶片62〇與玻 璃基板602分隔填隙片330之厚度。 其次，上側黏接板構件棚可操作來向下轉動(藉由敞 開及閉合構件200)，使得上側及下側黏接板構件4〇〇, 5〇〇以 平行指向分隔。更特別地，如上述對圖7所說明，千斤頂230 藉由操作軸236作用，其導致降低軸232,導引轴襯214,以及 金乂接板250。鉸接板250降低促使托板2〇8旋轉於;)¾軸m 258,使得托板208以及上側旋轉環4〇〇向下傾斜持續到托板 208啣接鉸接板250之止塊259。在該點處，上側黏接板構件 400相對於黏接板構件5〇〇為平行指向。鉸接板連續性向下 移動導致鎖合器246啣接抬起及緊壓構件1〇〇(圖6)導引柱 114,116,118之端部114A，116A，118A。操作者可再咱p接鎖 合态246至抬起及緊壓構件1〇〇之導引柱114,116,118。鎖 合器246確保施體半導體晶片620及上側黏接板構件4〇〇上 之向上壓力可由托板208抵銷而不會將抬起及緊壓構件暴 露於過度壓力。 r 抬起及緊壓構件議可對下側黏接板構件5斷以及玻 . 璃基板6〇2以及施體半導體晶片620)施加粗略位移朝向上 側黏接板構件400。由於預先負載柱塞47〇之電極484延伸 低於上侧黏接板構件4〇〇之散熱器41〇,當抬起及緊壓構件 100粗略位移下側黏接板構件5〇〇朝向上侧黏接板構件肋〇 時，該電極接觸施體半導體晶片62〇。由於分隔器構件3〇〇 之填隙片330防止施體料體晶片620及麵細彼此 接觸，預先負載柱塞47G將傾斜使施體料體晶片62〇彎曲 第43 頁 200816366 ’使得其巾央部份翻_基板礙。目而，施加預先負載 [力及種Ba %壓可麵加完全壓力，溫度，及賴之前啟始 施體半，晶片62〇及玻璃基板搬之陽極黏接。 接、，、▲體轉體晶片㈣及玻璃基板6G2中央部份之初 始黏接，分隔器構件300可接受指令撤回填隙片33〇。控制 ^可對步進馬達謝下指令以相對於按裝環3_動使 =轉環相對於按絲搬獅，因而使填隙片咖由施體 半$體30>| 620與玻璃勒反6Q2之間撤回。填隙片330對稱 性㈣多動，其_免施體半導體晶片620與玻璃級602間 :何不均勻的磨擦負載。有益地，假如黏接處理過程在真 空中進行’接續撤回填隙片域體半導體晶片及玻璃紐 之中央部份雜允許任何氣體由施體半導體晶片—及玻 璃級602之間真空抽除。因而，阻礙施體半導體晶片· 與玻璃級6G2崎雜接之紐(例如空氣)可減少。 參考圖25,玻璃級602可使雌極(電解)處理過程黏 接至外延層622,其藉由將玻璃勒聰施體半導體晶片62〇 =接接觸以及使用上述所說明黏接裝置1〇2對其施加溫度， ，壓以及壓力。黏接装置1〇可在計算機程式(運行於控制 早兀處理器上)控制下操作以達成所需要陽極黏接。因而， 已考慮計算機程式促使黏接裝置10各個構件以上述所說明 方式操作以達成陽極黏接。 • %體半導體晶片620之外延層622,以及玻璃勤反6〇2在 =_溫娜度下加熱。_紐可加熱至較高溫度（ 藉由下側黏接板構件5〇〇)高於施體半導體晶片62〇以及外 第44 頁 200816366 延層622(藉由上侧黏接板構件）。例如，玻璃基板602與施 體半導體晶片620(以及外延層622)間之溫度差異可界於6 C至200 C。該溫度差異對玻璃為需要的，玻璃之熱膨脹係 數與施體半導體晶片620熱膨脹係數相匹配(如同與石夕熱膨 脹係數相匹配)，因為其容易使後續外延層622由半導體晶 片620由於熱應力導致之分離變為容易。玻璃基板6〇2與施 體半體晶片620採用溫度在玻璃基板6〇2之應變點士65〇 °C範圍内。 亦可施加機械壓力於中間組件。壓力範圍可在1至1〇〇 psi之間，6至50psi之間，或約為2〇psi。雖然可施加較高壓 力，例如壓力在或高於l〇〇psi為可能的，該壓力應該小心地 使用，由於其會促使玻璃基板6〇2破裂。如上述對圖仏犯， 及6說明，施體半導體晶片620及玻璃；^反6〇2在抬起及緊壓 構件100受控制促動下可彼此接觸。抬起及緊壓構件1〇〇之 第一促動态106提高底下托板1〇8,下側黏接板構件以 及玻璃基板602至一位置，使得在施體半導體晶片62〇與玻 璃基板602之間能夠達成受控制之加熱及壓力。 電壓亦可施加於中間組件兩端，例如施體半導體晶片 620為正值電動勢以及玻璃基板6〇2為較低電動勢。施加電 動勢促使玻璃基板602中鹼金屬或鹼土金屬離子由半導體/ 玻璃界面更進一步進入玻璃基板6〇2。其達成兩項功能:（i) 產生揲鹼金屬或鹼土金屬粒子界面；以及（i丨）玻璃基板6〇2 k為非常具有反應性以及利用在相當低溫度下施加熱量強 固土摘占接至施體半導體晶片620之外延層622。 第45 頁 200816366 把力σ壓力，差異溫度，以及差異電壓歷時一段受控制之 ^間(例如大約6小時或更短）。目而，冑值之電 以及施體半導體晶片咖以及玻璃紐602允許冷卻至至少 ^始將外延層622由施體半導體晶片咖分離。冷卻處理過 程包含主動冷卻，因而冷卻流體加入至一個或兩者上側以 及下侧黏接板構件4〇〇, 500。在一項或多項實施例中，主動 冷卻分佈可包含冷卻施體半導體晶片咖以及玻璃絲6〇2 為不同的分佈(例如冷卻速率，停留時間及/或大小)以產生 外延處理過程之良好品質。 如圖26所示，在分離後，所形成結構可包含玻璃級 602以絲附在其上面半導體材料之外延層622。為了能夠 接近該結構，鎖合器246與導引柱114,116,118解㈣接以 及鶴千相測(例如藉由施加猶力量雖236)，使得 轴232可提高導引軸襯214以及鉸接板25〇藉由滑塊以及框 轴連桿258(圖6-7)施加垂直力量至托板舰。上侧黏接板 構件因而垂直地提高離開下側黏接板構件5〇〇,同時保持平 行關係。托板’上連·向上力量促使上鄕接板構件 棚向上傾斜以回應繞著樞軸連桿258之轉動。娜中間結 構可由黏接裝置10移出。 任何不想要或_造半導體材料可由表面623經由薄化 及/或拋光技術例如CMP或業界已知的其他技術加以去除以 得到半導體層604於玻璃基板6〇2上如圖27所示。 人們了解施體半導體晶片620可再加以使用以連續性 地製造出其他SOG結構600。 第46 頁 200816366 依據本發明一項或多項更進一步實施例，黏接裝置1〇 在基板例如玻璃，玻璃陶瓷，陶瓷中浮雕出微小結構。在基 板例如玻璃上製造重複圖案之傳統方法可採用附加處理過 程(例如使用紫外線固化聚合物)，或去除處理過程(例如化 學儀刻，活性離子姓刻）。這些傳統方式在每一應用中為並 不需要的；聚合物結構為非常易變的，但是具有所需要之材 料特性，以及姓刻方法能夠產生微小的結構，但是通常非常 緩慢以及昂貴的。依據本發明一項或多項，圖案由主要器 具經由加熱壓入/浮雕至基板。主要器具由結構相當堅硬 以及熔融點高於基板之材料製造出。器具及/或基板加熱 至基板流入态具之微小結構内。而後，組件加以冷卻以及 分離。 在一項或多項實施例中，黏接裝置10可使用來快速地 加熱器具及/或基板(例如為玻璃）而能提高產量。先前所 提及黏接裝置ίο之主動冷卻特性，受控制特性，真空大氣等 亦可提高產量。 ..... ”參考圖28,黏接裝置1〇可操作來承受具有微小結構7〇1 之器具700(例如為奈米尺度)位於其至少一個表面上。在 裔具700上微小的結構為浮雕於級7〇2上所需要之相反情 況。例如，器具700可耦合至下側黏接板構件5〇〇以及基板 7〇2(例如玻璃基板)可放置於器具上面。可加以變化， 基板702可麵合至下側黏接板構件5〇〇以及器具7〇〇可放置 於基板702上。在其他實施例中，器具可夹钳或固定至 上侧黏接板構件侧。各別GRAF〇IL襯墊魏，翻可放置 第47頁 200816366 於上侧/下側黏接板構件4〇〇, 500以及基板702/器具700之 黏接裝置10再加以閉合(如上述所說明）以及採用溫度 咼於玻璃基板702之Tg。圖案或結構因而由器具700轉移至 玻璃基板702。重複處理過程可在由上述所說明黏接裝置 10文控制壓力特性之高壓下進行。可加以變化，可使用重 力及大氣壓力使玻璃基板702流入器具彻之微小結構内。 器具700可由一種材料製造出，該材料在溫度提高至或 咼於基板702流動溫度例如玻璃絲Tg下結構並不會改變 例如，可使用熔融石夕石以實施器具了⑻。微小結構可 藉由活性離子_(_在器具7〇〇中形成。亦可採用器具 700及/或基板702表面處理，例如鑽石塗膜。 雖然本發明已對特定實施例力口以說明，人們了解這些 範例只作為本發明原觀義之說明。人們了解能朗 舉實施例作許多改變以及能夠設計出其他排列而並不會 脫離下列_^專利細界定&本發明之精神及範圍。 【圖式簡單說明】 為了列舉本發日月各項，附圖顯示出本發明優先情況，人 們了 =本發明並不瓢於觸枚綱_賴以及裝置。 f 一圖為本發雜接裝置部份為結構之透視圖。 f=圖為本發鴨接裝絲_結構之前視®。 ，圖為本發 f四圖A為本發_錄置_合結構之前視圖。 第四圖B為本發明黏接裝置為閉合結構之侧視圖。 第48 頁; 200816366 第五圖為第一圖之黏接裝置部份分解透視圖。 第六圖為抬起及緊壓構件實施例之透視圖，其適合使 用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其他實施例）中。 第七圖為敞開及閉合構件實施例之透視圖，其適合使 用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其他實施例）中。 第八圖A為上侧(或下侧)黏接板構件實施例之透視圖， 其適合使用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其他實施 例）中。 、 第八圖B為第八圖A沿著直線8B-8B展開黏接板構件之 剖面圖。 第九圖A為加熱器元件之透視圖，其適合使用於第八圖 A或其他實施例之上側(或下側)黏接板構件。 第九圖B為另一加熱器元件之透視圖，其適合使用於第 八圖A或其他實施例之上側(或下侧)黏接板構件。 第十圖為第八圖A黏接板構件之分解透視圖。 第十一圖A為第八圖A黏接板構件之頂視圖。 第十一圖B為第Η * 一圖Α黏接板構件沿著直線HR—UR展 開之剖面圖。 第十一圖C為第十一圖A黏接板構件沿著直線丨1C—丨lc展 開之剖面圖。 第十二圖A為預先加載柱塞之侧視圖，其適合使用於第 八圖A黏接板構件(及/或一項或多項其他實施例）。 第十二圖為上側及下側黏接4反構件之斷面圖，其適合使 用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其他實施例）中。 第49 頁 200816366 第十四圖為間隔器構件實施例之透視圖，其適合使用 於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其他實施例）中。 第十五圖為在預先負載按裝夾具中熱電偶之分解圖，其 適合使用於第八圖A黏接板構件(及/或一項或多項其他實 施例）。 第十六圖為上側（或下侧)黏接板構件另一實施例之透 視圖，其適合使用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其 他實施例）中。 第十七圖為第十六圖黏接板構件之分解圖。 第十八圖為加熱碟片之分解圖，其適合使用於第十六 圖黏接板構件(及/或一項或多項其他實施例）。 第十九圖為第十六圖黏接板構件之剖面圖。 他實施例）中 第二十圖為上側(或下侧)黏接板構件另一實施例之剖 面圖，其適合使用於第一圖黏接裝置(及/或一項或多項其 第一十圖為第二十圖黏接板構件之分解透視圖。 第二十二圖為第一 侧視圖。 圖位於大氣控制槽室内之黏接裝置 夠使===_裝置之結構’其能
第50 200816366 第二十八圖為第一圖黏接裝置之模組圖，其使用於微 小結構浮雕壓印之應用。 附圖元件數字符號說明： 黏接裝置10;底座板12;支樓架構14;抬起及緊壓構 件100;底座102;促動器104,106;轴104A;底下托板 108;上側表面110;下側表面丨12;導引柱114,116,118; 上側端部114A，116A，118A;導引幸由襯12〇, 122,124;固定器 130;按裝元件140;齒輪142;步進馬達144;定位感測器 150;敞開及閉合構件2〇〇;抬起構件202;促動器構件204 ;傾斜組件206;托板208;底座210;導引軸212;導引軸 襯214;固定板216;千斤頂230;軸232;耦合元件234; 軸236;端部240,242;孔徑245;鉸接板250;停臂252， 254;細縫256;止塊257;枢軸連桿258;止塊259;滑塊 260;分隔器構件300;按裝環302;旋轉環304;填隙片組 件306;中央孔徑308;週邊邊緣310;按裝元件312;凸 輪320,320A;填隙片330;滑移組塊332;導引軸襯334; 插銷336;上侧黏接板構件4〇〇;底座4〇2;絕緣體如4.背 板 406;入口 406M06B;出口 406C;加鱗片 4〇m〇8a 408B;加熱元件 409A，409B;散熱器 41〇;端埠 4iia，’4iib; 通逼420;流人管件422;如管件42蚊撐環微概塾 概，434;.鰭狀物436;固定器晶片44〇;孔徑45〇.端埠 452,453;孔徑454,456;流體_合46〇;預先負載柱塞47〇 ;外殼472;近端474;遠部伽;端埠478;柱塞棚;止塊 4821極484;電極端部486;壓力環電偶組件 第51頁 200816366 494;插頭495;彈簀組件496;探針498;下側黏接板構件 500;底板502;絕緣體504, 504A;外殼506;加熱碟片508 ;電阻加熱層508A;導電絕緣層508B;端埠508C;散熱器 510;通道520;流入管件522;流出管件524;孔徑550;端 埠552, 553;流體耦合構件560;柱塞570;電極584; SOG 結構600;基板602;施體半導體晶片620;移植表面621; 外延層622;表面623,623A。 第52