TW200307856A - Residue reducing stable concentrate - Google Patents

Description

200307856 玖、發明說明 [發明所屬之技術領域] 本务明係關於一種減少與預防殘留物與浮渣生成之濃 縮物。更詳盡地，本發明係關於含有一種鹼性成份與用以 減少與預防殘留物與浮渣形成之成份的濃縮物。 [先前技術] 〇禾物例如由光彳政影組成物而來的有機殘留物與浮渣 .之來積’在電子工業造成困難的清潔問題。光微影術的殘 渣與浮逢例如來自光阻劑，會聚積在各種產品及設備。光 阻劑物質使用在半導體元件，及如積體電路、用於製造積 體電路之光罩、印刷線路板等電子零件及平版印刷電路板 之製造。光微影術的過程中，基材表面會塗覆光阻劑，以 提，對光輕射敏感之層，該層係利用光輕射依照圖案的方 射。接著經輻射之光阻劑利用顯影劑溶液中顯影以形 地光阻劑層，該圖案化之光阻劑層用以選擇性 材表面受到蝕刻、鍍覆、或摻雜物擴散的影塑。 液體=1可為正向作用型或負向作用型。此光阻劑可為 =生:正向作用型典型的光阻劑組成物具有如此的 先破感性，使得組絲在顯㈣料巾之 而增加，因此圖案化光阻劑層會在未曝照於紫；二= 形成’其中該區域之組成物仍保持未溶解。負 - 光阻劑組成物之敏感度與溶解度 正型的 阻劑反向。 巧/、正向作用型光 隨著最近在半導體 元件技術上的進步， 需要線寬一微 92346 6 米或更細的越來越精細之 ,^ . 才月確度圖案以遵循半導骹分杜 :積成,、度增加的趨勢，預期在使 =: 案化的光微影術過程中會遭遇用1先阻劑圖 細接觸通孔需要圖宰化 、、^月細圖案中的極 劑混合以達增加以水性顯，、心液與表面活性 之目卜± 〜船谷液潤濕基材表面之濕潤性 之目‘纟添加表面活性劑 之一為膜殘留物盥洙法古± 冷液牯會產生的問題 物與，”查有時會發生在經曝照區域， 域的光阻劑層係欲儘可能—人 ^ ^ 』、 』此凡全地清潔地溶解脫去者。雖麸 膜殘留物與浮渣可藉如氧 …、 虱冤水或濺鍍之溫和地處理表面而 除去，但由於前述之虛+ + 处里而在控制良好之棘手條件下執行 且無法順利的移除料，或在處理含有約直徑丨微米或更 小之接觸通孔的精細地圖案化區域時，得不到均勻的效 果’所以無法獲得該問題的完全解決之道。更進一步，此 處理係昂貴的。 美國專利編號U.S. IMOJU，頒予Tanaka等人，其 文中述及利用添加非離子表面活性劑以改質顯影劑溶液所 產生殘留物與浮渣形成之問題，纟中該表面活性劑為聚氣 乙烯經烷基取代酚基醚。此醚在顯影劑溶液中之含量從 至5000PPm(百萬分之一；parts per milH〇n)。此顯影劑溶 液用於由鹼可溶酚醛樹酯及萘醌二疊氮化合物組成的正向 作用型光阻劑組成物之圖案化。這’ 6 2 1專利揭示以含有 聚氧乙烯經烧基取代酚基醚之顯影劑使正向作用型光阻劑 圖案化能預防殘留物與浮渣在顯影後形成。 相似的殘留物與浮渣之形成也會發生在使用負向作用 7 92346 200307856 型光阻劑時。例如，在掣 .πιν Μ、Α 、。Ρ刷電路板時可使用紫外光硬 化（UV curable)的負向作用 亦,1桃# τ w认认 九阻劑。經曝照部份的光阻 Μ，交成不洛於鹼性顯影劑溶 U ^ ^ ^ ^ Τ及對其他處理化學劑例如 蝕d及鍍覆，谷液形成一保護 ^ ^ ^ _ 隻P早礙。未經曝照部份的光阻劑 可以一鹼性溶液例如1%碳 Φ ^ ^ 4^ 鈉（早水化合物溶於水中）由 電路板沖掉。因為光阻劑人 合恭斗姑旦/ 勺^ 3物含有酸官能度，所以 _ δ生纟、、員衫。此聚合物中酸 A k -r^ 此度^與鹼性溶液中和而形 成水可溶有機鹽。隨荖、、交 ^ t| 者的光阻劑聚積在溶液（充填顯 影劑時），不溶的有機物質，办以土 具”貝 pe ^ ^ 例如未硬化的光阻劑，就會 開始在顯景〉槽中形成，啬炊 .^ 敢、、’；^成水不溶的殘留物與浮渣。 =?(習知地添加至顯影劑溶液以減少發- 子在會大幅地增加殘留物與浮渔形成的趨勢。隨 =查：積的程度，水不溶的殘留物不經意的再沉積到經 w s ^加。此再沉積的殘留物會造成蝕刻 >谷液的阻礙（蝕刻化學南丨 * 雜、 予J要牙透任何有機殘留物都有困 難）。♦虫刻受到阻礙夕考 ^ _ 处，電路短路形成將引致不良電路 :備=增加不良電路板的可能性，g留物也會造成清潔 6又備時的困難，因而增加保養時間。此殘留物與浮渔可能 2者在顯影設備的表面，阻塞嗔管及再沉積在印刷電路板 表面引起電路板的瑕疵。 ^ 一除了一次光阻劑有殘留物與浮渣形成的聚積問題，二 次光二劑也有殘留物與浮邊聚積問題。此二次光阻劑可用 Ά、h p丨層。由於拒焊劑層中成份分離，導致殘留物與浮 -儿積在基材上。當未經適當平衡的拒焊劑層顯影劑溶 92346 8 200307856 液亦即不當顯影條件及/或拒焊劑層顯影劑溶液化學， 接觸拒干劑層肖，可能會加重此成份分離現象。來自二次 光阻劑的殘留物與浮渣聚積通常呈現光亮綠色包覆在基材 例如顯影劑設備。 用來去除，亦即清潔，殘留物與浮渣的清潔劑可變化 其組成。清潔劑包含充當活性成份的強驗，例如氫氧化鈉， 2螯合劑’例如伸乙二胺四乙酸(EDTA)。表面活性劑、 =礼化劑也可包含在清潔劑中。清潔劑可使用於溫度 乾圍從約 4 5 °C至約 s S。广 αν 、 。；、、'、而，在此領域使用清潔劑的 工作者發現殘留物問題有時更糟。通常設備必須以手動式 ::潔去除來自光阻劑及來自清潔劑的殘留物。此手動式 清：為耗力耗時的操作且其引起顯著的生產時間損失二 ^步’如雨述所及，此清潔劑不足以有效的去除來自於 新:代光阻劑的殘留物’此光阻劑含有許多疏水性芳香族 :¾。此疏水性物質特別地難以利用清潔劑再乳化，亦即 :潔。…極需要能減少或預防殘留物與浮逢形成的組 美國專利編號U S 5 9 2 ? s _ _ 5,922,522 ’ 頒予 Ban·等人；編; .·，〇63,55〇 ’ 頒予 Lundy 等人；及編號 U.S. 1碩予Lundy等人，揭示包含於顯影劑溶液中的表1 /舌性劑及表面活性劑混人物，兮姑旦，+丨 [dβ物，忒顯影劑溶液可預防或減, 适勿與子 >查的形成在電路板或電路板製造設備上。此： 面活性劑係由疏水性基H氧化的親水性基團及―: 離子性或陰離子性加蓋基團。合適的疏水性基團範例包^ 92346 9 200307856 壬酚、辛酚及三苯乙烯酚。合適的 包含4 7卜四μ 凡虱化親水性基團範例 二二乙烧、環氧丙烧及環氧乙燒/環氧丙 =:基團範例包含經基1基、續醯基、膦酸基、或 ，、此口物。此減少殘留物與 谅φ的旦一 07化a物包含在顯影劑溶 液中的里從約0.05重量％至約1〇重量％。 顯影劑溶液可為水性驗性溶液，例二碳酸納溶液。豆 他驗例如氯氧化納、氯氧化钾、i乙醇胺、碳酸鉀、碳酸 風=及石反酸氫鉀也可使用於顯影劑溶液中以提供驗度。使 :丽’此顯影劑溶液會由其更濃縮型式稀釋。稀釋比率有 ^牙重變化。典型地，碳酸鈉係以10重量％溶液應用。顯 影劑溶液的驗度與光阻劑中結合劑聚合物的酸官能度形成 鹽類’例如m酸官能度，使結合劑能混溶 P阻劑為負向作用型光阻料，光阻劑細層的方=施 f2基材，經曝照於圖案化光輻射，及在水性鹼性溶液中 顯影，清洗除去光阻劑層之未曝照，未聚合化部份。如果 光阻悧為正向作用型，光阻劑的經曝照部份會清洗除去。 雖然美國專利編號U.s· 5,922,522 ;編號u s. 6’〇63,5 5〇 ,及編號u s 6,248,5〇6 β1中揭示的顯影劑提 供減少含光阻劑之殘留物與浮渣的聚積基材，例如電路 板’及製造電子元件使用的設備上之量的有效方法，當由 其更農縮型式製備顯影劑溶液以用於顯影光阻劑時，工作 人員必須對顯影劑溶液進行二次添加。此沉澱物無效於降 低或預防殘留物與浮渣形成及可能會促成殘留物形成。再 /谷解此/儿殿物可能會有困難，因此由溶液渡除此沉殿物。 10 92346 200307856 沉澱物質之二次添加係用以補錢留㈣成化合物減少的 損失’因此增加顯影製備之成本。此問題起因於組成物中 二或多種成份的不相容性。目此，在此需要一種顯影液濃 縮物其能在儲存期間保持安定。 無論如何地致力於預防殘留物與浮逢聚積於顯影設備 例如習知的旋轉顯影機’或顯影劑溶液係喷塗至基材表面 的噴塗顯影機，重複使用這些設備會無可避免地造成殘留 物與浮渣聚積。在殘留物與浮渣累積至某一固定點的程度 時’這些設備會停機清潔，目此降低生產輸出。此殘留物 與浮渣包含疏水性料族物質例如光引發劑、染料、（甲） 丙烯酸單體及其他用於製造光阻劑及抑泡劑及表面活性劑 的有機物質。此殘留物與浮潰通常難以再乳化或以顯影設 備清潔劑清潔。因&，在此f要能減少或預防殘留物與浮 渔形成且為儲存安定濃縮物及使清潔劑更有效的組成物。 [發明内容] 本發明係關於-種安定濃縮物，該濃縮物係由驗性成 份與能減少或預防殘留物形成在基材上或在溶液中的化合 物結合。 ° 有利地，本發明之濃縮物在儲存期間安定因此不需4 對組成物進行各成份之二次添加以回復在溶液中沉殿出0 成份，或嘗試及再溶解此成份。另—優勢為本安定濃縮在 可使用於減少或預防殘留物形成在基材上，該殘留物係d 光微影術的組成物沈積而成，例如來自於正向作用型及負 向作用型光阻劑的有機殘留物與浮渣。此基材包含巧 92346 11 200307856 限於，用於將顯影劑溶液施至光阻劑的顯影設備及其他用 於印刷電路板之製造的設備。顯影設備之範例包含，但不 限於，顯影劑溶液係噴塗至光阻劑上之喷塗顯影機、或習 知的說轉顯影機、浸潰式顯影機、或批次式或進料-排放 操作設備等。本發明之安定濃縮物也使用於減少或預防殘 留物與浮渣形成在溶液中。 持績的或延長的使用用以施用光阻劑或在光微影術元 2例如印刷電路板之製造期間會接觸到光阻劑之設備，會 V致未預期的殘留物聚積在裝備上。此聚積殘留物會閉塞 或堵塞管路或褒備上的可移動元件而導致生產停機。此 外，一殘留物聚積在印刷電路板上會造成該板的缺點，如電 T短路。清潔不-定有效因為殘留物與浮渣含有難以多種 清潔劑再乳化的化學劑，亦即清潔。再者，清潔劑可能更 進：步污染裝備及製造物品。本發明之組成物去除或至少 Ϊ二基t或由殘留物與浮渣所形成之溶液中清潔聚積殘 召物或洋渣之難度。 :了係為用以減少殘留物與浮逢形成之儲存安定濃縮 ，本發明之組成物亦係使光阻劑顯影之顯影劑。因 此’本發明也係關於顯影劑及使光阻劑顯影方法。 本發明之首要目的為提供—儲存安定濃縮物。 本發明之另一目的為提供一安定濃縮物，其可使用於 減少：予:防源自於光微影組成物的殘留物與浮逢之形成： 用於2月更進一步之目的為提供—安定濃縮4勿，其可使 用於減少或預防由正向作用型及負向作用型光阻劑所引起 92346 12 200307856 之殘留物與浮渣的形成。 本^月之#目的為提供為一經改質之顯影劑溶液。 卜本&月之另一目的為提供為一經改質的光阻劑 顯影方法。 ' /其他優點可由熟習此技藝者閱讀下列發明内容及於其 後之申请專利得知。 [實施方式] 本么明之女疋組成物係一濃縮物，由驗性成份結合可 減少或預防殘留物與浮渣形成在基材上或溶液中之化合物 :、、且成。可顯影光阻劑之鹼性成份在組成物中係在濃縮 :旦而：減》或預防殘留物與浮渣形成之化合物係使用足 顯:二"ΓΡ制功能。有利'也，本發明之濃縮物係適用於 日士 用型及負向作用型光阻劑用之顯影劑溶液，同 ..^ 一自先臧衫組成物形成。光微影組成物 . 用於先u影術過程例如製造印刷電路 板之化學組成物。此朵 ^ 先彳政衫組成物包含，但不限此，光阻 劑、光微影設備之清窄細A私η θ 加r 士 成物及顯影劑溶液等。雖然光阻 蜊係為殘留物與浮渣聚積來 泡劑使用於其他溶液例…；：，5午夕表面活性劑與抑 $ D纟、、衫劑溶液及清潔溶液也會增加 殘留物與浮渣的聚積。 曰加 =7之濃縮物具有儲存安定性。在本發明範 健存女定濃縮物音招、、J 宏'勿辰、％物或溶液毋需要二次添加。不安 :::在儲存過程中有成份自溶液分離或沉殿的問題， 亥Μ必須再溶解或自溶液中濾除而且新成份需添加 92346 13 200307856 至足夠里以使該組成物能表現預期功能。 驗顯例如碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、偏石夕酸納、 氫氧化鈉、氫氧化鉀、三乙醇胺、碳酸鉀等可用作鹼性成 伤以提供顯影光阻劑所需要的鹼度。鹼性成份佔呈濃縮物 形態之組成物的約15重量％至約8〇重量％。更佳地，鹼 欧成伤佔壬濃縮物形態之組成物的約3 0重量。/〇至約5 0重 里0/〇。在適當的稀釋濃縮物後，此溶液可使用於顯影光阻 劑。顯影劑溶液的鹼度會與黏合劑聚合物的酸官能度形成 鹽類，典型地羧酸官能度，使黏合劑聚合物混溶在鹼水性 溶液中。因此，光阻劑可以層的方式施塗在基材上，經曝 照於圖案化光輻射，及在鹼溶液中顯影，清洗去除光阻劑 層複數個部份。 可減少或預防殘留物與浮渣形成的成份可為任何可減 少或預防浮潰形成在基材上或溶液中而且在濃縮物中，特 別在驗性濃縮物中，係安定的適當化合物或化合物組合。 此化合物範例包含，但不限於，含芳香族硫的化合物如芳 香磺酸及其鹽類，例如磺酸鹽，及糖類及糖類衍生物。以 下的化學式例示本發明範圍中的芳香族硫化合物：

式中η係0至20之整數，較佳地n係由丨至1〇之整數， 更較佳地η係由1至3之整數而最佳地η係丨。Α係未經 14 92346 200307856 取代或經取代的笨基’或係未經取代或經取代的萘基。取 代基包含，但不限於，胺、i!素、經基或烧基。γ係氮、 i素、脂肪族、芳香族、脂環族、録，較佳為氫或脂肪 族而最佳為氫。下標u及V係〇至4。當^ 4 〇，氣 會取代MX。Z係氧、氮、硫、磺醯基、磺酸鹽、_c〇…_ (⑶丄-’在此m係一整數由！至5，較佳地爪等於丄， 或 Z 係直接鍵。Μ 係-CO〇.，_S(V，_S(V.，p(V.，_p〇4(R,)2， 其中R’係烴基，較佳地係一（Ci_C5)烷基。式〗之化合物的 結構中含有至少-硫原子。可變化的χ係相反的陽離子 例如Η+或其他合適陽離子。例示其他合適陽離子包含， 但不限於’鹼金屬陽離子，例如鋰、#、及鉀，鹼土族金 屬例如鎂及鈣，過渡金屬陽離子，例如鉻、鐵、錳 '鈷'、 鎳、釩、鈦、釕、鉑等，辞，銨離子（ΝΗ4+)，其他質子化 胺類例如質子化乙二胺、膽鹼等。 較佳的务香私硫化合物具有如以下之化學式：

4中Ζ，Μ，及X皆定義如前 子’U&V係由0至1之整 未經取代或經取代之脂肪族 無基、未經取代或經取代之 ’惟化學式中有至少有一硫原 數’及R】及R2獨立地係氫、 基、未經取代或經取代之脂環 芳香知基、_素或經基。取代 92346 15 200307856 基包含，但不限此，鹵素或羥基。上述式γ係氫且『卜 合適的脂肪族基之範例包含，但不限於’由丨至h 個碳原子的直鏈或支㈣基，較佳地由5至12個碳原子。 例示脂肪族基圏係甲基、乙&、丙基、異丙基丁基、異 丁基、十五基、十六基、十八基、十二基等。合適的脂環 族基團之範例包含，但不限於，纟5至1()個碳原子的脂 環族基，較佳為5至6個碳原子。疏水性芳香族基範例包 含，但不限於，由5至14個碳原子的芳香族基，較佳地 由5至6個碳原子。 相反離子X包含，但不限於，鈉、鉀、鈣、鎂、銨 或胺。銨離子具有化學式（R，，）3NH+，其中每個R”係獨立 地氮、C!.4烧基或Cw羥烷基。例示ci4烷基及羥烷基根 包含曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、羥曱基及羥乙基。 典型錢離子包含銨（N+H4)、甲基銨（CH3N+H3)、乙基銨 (C2H5N + H3)、二甲基銨（（ch3)2nh2 + )、曱基乙基銨 (CH3N + H2C2H5)、三曱基銨（（CH3)3N+H2)、二曱基 丁基銨 ((CH3)2N+HC4H9)、羥乙基銨（H〇CH2CH2N+H3)、及甲基羥 乙基銨（CH3N + H2CH2CH2OH)。較佳地，X係氫、鈉、鈣、 甲或銨。 較佳地，μ係-S03-，及Ri及R2係相同或不同為氫 或1至20個碳原子的脂肪族基，或5至6個疏水性芳香 麵團’惟當Ri或r2其中之一係氫時，則另一係脂肪族或 芳香族基。 上述式II之化合物包含二苯基氧化合物其可藉由此 16 92346 200307856 二藝中習知之任何合適方法製備。烷基化二笨氧化合物可 藉由習知步驟以任何合適之礦醯劑磺醯化，例如三氧化 硫、二氧化硫及三氧化硫之混合物、氣磺酸等。產生之碏 酸會和驗金屬氫氧化合物或碳酸鹽中卩，例如麵納或^ 氧化鉀，丨用任何其他習慣上使用於製備銨或驗金屬鹽或 芳基磺酸之合適的鹼。製備二苯基氧化合物 在美國專利編W.S.3機335及仏4,687,59== 揭不内容在此處作為參考文獻。這兩項專利的揭示内容提 供足夠資訊使熟習此技藝者能製造本發明中任何之二苯氧 化合物。 場 的 ⑧ 本發明範圍中之二苯氧化合物也可由市場上 上可取得之含有烷基化二苯氧化合物磺酸鹽表面活性劑 溶液有 DOWFAX ㊣ C1〇L，DOWFAX® 8390 及 D〇Wfax 8390A (D0WFAX_ The D〇w 乂〇叫_ 之 註冊商標，用於代表陰離子表面活性劑的牌子）。在839〇 及83 90A組成物中烷基R】及&主要為十六基（CM)。 DOWFAX⑱8390A含有的酸式表面活性劑約25%，亦即， 此處X係氫。D0WFAX@ 8390含有的表面活性劑之鈉鹽 約35%，亦即，此處χ係鈉。D〇WFAX⑧839〇a溶液係 全部地或部份地以氫氧化銨中和。 除了上述之二苯基硫化合物，其他合適之芳香族硫化 合物包含直鏈烷基苯磺酸及其具有下列化學式之鹽類·· 92346 17 200307856

(111) 式中X如上述定義，ri係0，及Y係上述式I的氫，及R 係由5至20個碳原孑！飽和的或未飽和的脂肪族輕基。 較佳地R3係1 〇至1 2侧破原子。 本發明範圍中另/合適的芳基磺酸或鹽類係具有化學 式IV之烷基萘磺酸酯：

(IV) 式中X定義如上述，Y係氫，及η係上述中的〇，及 R4係由8至1 8個碳原子之飽和的或未飽和的脂肪族烴， 較佳地由1 〇至1 6碳原子。 任何合適之糖或糖衍生物其能減少或預防殘留物與浮 渣形成且其能在鹼性濃縮物中安定者皆可使用於實施本發 明。此糖類及糖類衍生物包含醣苷、多醣苷及其醚類。 各種醣苷及包含烷氧化醣苷之多醣苷化合物皆可使 用。有用之多醣苷係根據以下的化學式： R〇-(CpH2p〇)r_(w)jc (V) 式中W係衍生自葡萄糖，R係選自烷基、烷基苯基、羥 92346 18 200307856 基烷基苯基及其混合物的疏水性基團，其中烷基可為直鏈 或支鏈，其含由8至18個碳原子，p係2或3，r係由〇 至10的整數及x係由1至8的數值。 另一適用於本發明之實施的烷基醣苷基團可表示如下 列化學式VI :R4〇-(R3〇)3,-(G)jcW0 (VI) 式中：R4係含由6至30個碳原子的一價有機基，較佳地 由8至1 8個奴原子；&係含由2至4個碳原子的二價烴 基；〇係氧原子；y係由〇至！的整數；G係衍生自含5 或6個奴原子之還原糖的片段；及X係由1至$之整數； W 係 C^M1，

(VII) 0(CH2)M ^ C02M] X OSO3M1 > ^ 0(CH2)S03M1 ； R6 i% (CH2)C02M或CH^CHCC^Mk僅在以w取代一級羥基基 團取代時z可為〇2M1 其中含一級經基之碳原子，- CH2〇H，係氧化以形成 0 —C-OM1 (VIII) 基團），b係由〇至u 芝3k+l的數字，較佳為每一醣苷基團平 均由0·5至2 ; k传】” 1糸1至1 〇，Μ1係H+或有機或無機相反 離子，特別地陽離；μ , 雕子例如，鹼金屬陽離子、銨陽離子、單 19 92346 200307856 乙醇胺陽離子、或飼陽離子。 如上述此烷基醣苷之範例包含，但不限於，APGTM325 CS Glycoside㊣，據稱為50%C9_n烷基多醣苷，一般亦稱 為D-葡萄呢喃驻，（市場上可由Henkel Corp，Ambler Pa· 取得）及Glucop0nTM 625 CS，據稱為50%C10.16烷基多醣 苷，一般亦稱為D-葡萄哌喃苷，（由Henkel Corp，Ambler Pa·)。 適用於本發明之實施的例示性烷基醣苷包含可表示如 下式者：

-0—R$ (IX) 式中R5係烧基，較佳地係直鏈烧基，例如c8 ! 6烧基；q 係0至3的整數由，包含首尾數字在内。 根據結構IX烧基多醣脊化合物之範例包含：其中^ 係由Ci 1G烷基鏈組成，所產生的平均值為每個分子約9.工 個烧基碳（GluCopon ⑧ 220UP，Gluc〇p〇n ⑧ 225DK);其 中R5係由C8’ C10’ Cu’。"及C10烧基鏈組成，所產生 的平均值為每個分子約10·3個烷基碳（(}1ι^〇ρ()ηΘ 425); 其中h係由c,2’ 〇“及烷基鏈組成’所產生的平均 92346 20 200307856 值為每個分子約12·8個烷基碳（Glucopori⑧600UP，

Glucopon ㊣ 625 CSUP，及 Glucopon ㊣ 625 FE，其皆可 自Henkel Corp，Ambler Pa·取得）。也可用之烷基多醣苷 化合物為 Triton ⑧ CG-1 l〇(Union Carbide Corp.)。另一可 用的烧基多醣苷化合物為GLUCOPON㊣3 25N，據稱為 CVn烷基多醣苷’一般亦稱為D-葡萄哌喃苷，（由Henkel Corp，Ambler Pa.) 〇 其他市場上可取得的合適之烷基多醣苷包含，但不限 此’如 GLUCOPON ㊣，或 pLANTAREN ⑧由 Henkel ，Ambler Pa·，19〇〇2。此烷基多醣苷之範例 包含但不限於： α 衣由活性劑 烧基含有8至10個碳原子及平均聚合度1.7。 2. GLUCOPON⑱425表面活性劑—院基多醣苷，其 烧基含有8至16個碳原子及平均聚合度16。 3. GLUCOPON (§) 625表面活性劑—烷基多醣苷，其 烧基含有12至16個碳原子及平均聚合度1.6。 4. APG ⑧ 325 表面、、去 /十别一烧基多醣哲，其院基含 有9至11個碳原子及平均聚合度16。 5. GLUCOPON ⑰ 600 ^ ^ 表面活性劑—烷基多醣苷，其 烧基含有12至16個碳原子及平均聚合度^ 4。 6. PLANTAREN ⑱ 2_ # * U 2_表面活性劑—烧基多釀 每，其烧基含有8至山^ 個石反原子及平均聚合度1.4。 PT AXTTADUXT /R\ … 12-16 烧基多St 92346 21 200307856 苷，其烷基含有12至16個碳原子及平均聚合度 1.6。 減少及預防残留物與浮渣 -^ 之女疋組成物中之里為該組成物王濃縮物形式的約1 5重 量％至約60重量％，較佳地為該濃縮物的約2〇重量％至 約40重量。/〇。 除了上述之化合物’此安定濃縮物視需要地可含有輔 助表面活性劑、抑泡劑、螯合劑及溶劑，惟此添加物不會 使此組成物不安定。合適的溶劑包含水或任何有機溶劑， 其中組成物中各成份皆可溶解在溶液中。溶劑可添加至濃 度100重量％。本發明之濃縮物基本上係由鹼性成份，芳 香族硫化物，糖或其衍生物，抑泡劑及溶劑組成。較佳地， 本發明之安定濃縮物係由驗性成份，芳香族4酸或其睡 類，糖或糖衍生物及溶劑組成。本發明之範圍内之濃縮： 為各成份的濃度較高於此技藝工作者使用於顯影光阻劑之 組成物的溶液。 意外地，本發明之安定組成物能減少或預防來自 作用型（液體及乾膜皆可）及g 向 的有機殘留物與有機浮洁。 、了） 式，牲s，丨θ如L 口用於先阻劑中化學劑之型 多化光阻劑其含有疏水性芳香族特性之， :物，所以此有機殘留物與有機浮逢 液 中係難以許多清潔劑及表面活性劑去除。 次〜夜 此外，本發明之组成物也會減 所沈積之殘留物盥浮、、杳 、由一-人光阻劑 予心成。此光阻劑可使用於拒禪, 92346 22 200307856 二…:洋渣由於拒焊劑層中成份分離而沉積在基材 β§= 衡之拒焊劑層顯影劑溶液，亦即不適當的 :条件及/或拒焊劑層顯影劑溶液化學，接觸拒焊劑層 2此成份分離會更惡化。⑨留物與浮錢積在基材如印 电路板及拒焊劑層顯影設備上。聚積的殘留物與浮法會 /頁心认備表面呈現如—光亮綠色被覆層。此光亮綠色被 復層來自於二次光阻劑中水不溶物質之油層而顏料來自光 阻劑濃縮物。-般地’相較於第-光阻劑配方，二次光阻 劑配方中有較高程度之疏水性芳香族化合物。因此減少或 預防由二次光阻劑沉積之殘留物與浮逢為本發明組成物之 更進一步改善處。 來自光阻劑之殘留物與浮渣包含，但不限於，如疏水 性物質例如光引發劑、熱引發劑、染料、丙烯酸單體、及 甲基丙烯酸單體等化學物質。光引發劑，例如光酸產生劑、 光鹼產生劑或自由基產生劑，一旦在基材上聚積如殘留物 與洋渣將比多種組成殘留物與浮渣其他成份更困難去除。 此物貝一旦聚積在基材例如光微影術製造設備上就不易再 乳化。此物質典型地為疏水性芳香族化合物。 光阻劑有多種組成物。一般地，光阻劑組成物可由約 2 〇 /g至約9 0重量％之黏合劑聚合物，約1 5 %至約5 0重量 /〇之α，/3 -烯系不飽和化合物（交聯物）例如單體及短鏈低 聚物及由約〇·1%至約25重量％之光引發劑或光引發劑化 學系統，較佳地由約5%至約1 5重量％。液體光阻劑可含 有相車父於聚合物黏合劑較大濃度之單體或短鏈低聚物，然 23 92346 200307856 技：。、：含有較大濃度之聚合物黏合劑。此濃度已知於此 :/他使用於光阻劑且可能促進殘留物與浮渣聚積的 ^自液μ阻劑之聚積殘留物與浮渣在 暴材上表現如結晶物質。 組成光阻劑之成分的範例，該光阻劑會在基材上引起 不合意的聚積殘留物與浮渣，包含，㈣限於，聚合物黏 口：例如含有作為聚合化單元之—或多個烯系或炔系不飽 和早體。單體之範例包含，但不限於，（甲基)丙烯酸、（甲 土）丙烯1&胺、（甲基）丙烯酸烷酯、（甲基）丙烯酸烯酯、基 (甲基）丙稀酸芳香醋、乙烯基芳香族單體、含氮化合物及 其硫代類似物、經取代之乙料體、環狀烯、經取代之環 Τ烯等。較佳的單體包含（曱基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸烷 酯及乙稀基芳香族單體。此聚合物黏合劑可為均聚合物或 共聚合物及較佳地為共聚合物。 會引起殘留物與浮渣聚積的交聯物包含二-，三_，四 -，或更多官能基之多重官能基不飽和單體。此交聯物之 範例包含，但不限於：三乙烯基苯、二乙烯基甲苯、二乙 烯基嘧啶、二乙烯基萘及二乙烯基二曱苯；及例如乙二醇 二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯C‘TMPTA，，）、二乙 二醇二乙烯醚、三乙烯基環己烷、烯丙基甲基丙烯酸酯 (“ALMA”）、乙二醇二甲基丙烯酸酯（“egdma”）、二乙二 醇二甲基丙烯酸酯（“DEGDMA”）、丙二醇二甲基丙稀酸 6旨、丙二醇二丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三甲基丙烯酸酯 (“TMPTMA”）、二乙烯苯（“DVB”）、甲基丙烯酸環氧丙酯、 92346 24 200307856 2,2-二甲基丙烧；l，3-二丙稀_、丁二醇二丙婦酸醋、 1，3-丁二醇二甲|丙烯酸酯、M丁二醇二丙烯酸酯、二 乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、1，6_己二 醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二 丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸 醋、聚乙二醇200二丙稀酸酿、四乙二醇二甲基丙缚酸醋、 二醇二甲基丙稀酸自旨、乙氧基化雙紛A二丙烯酸醋、 乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇6〇〇二甲基 丙烯酸酯、聚（丁二醇）二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、 二烴甲基丙烷三乙氧基三丙烯酸酯、甘油基丙氧基三丙烯 酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、 二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、乙氧基化二丙烯酸酯、乙 氧基化三丙烯酸酯，例如乙氧基化TMPTA及乙氧基化 TMPTMA、乙氧基化四丙烯酸酯、二乙烯基矽烷、三乙烯 基矽烷、二甲基二乙烯基矽烷、二乙烯基甲基矽烷、曱基 二乙稀基矽烷、二苯基二乙烯基矽烷、二乙烯基苯基矽烷、 二乙稀基苯基矽烷、二乙烯基甲基苯基矽烷、四乙烯基矽 烷、二甲基乙烯基二矽氧烷、聚（曱基乙烯基矽氧烷）、聚 (乙稀基氫矽氧烷）、聚（苯基乙烯基矽氧烷）、糖基脲包含 ~ 、二-、及四-糖基脲、環氧物及其混合物。此交聯劑 係一般地由市場上可取得。 光可成像組成物含有一或多種光活性成份。此光活性 成份可為光酸產生劑、光鹼產生劑或自由基產生劑。此光 ’舌性成份為殘留物與浮渣形成之主要來源。 25 92346 200307856 鹽、磺酸化醋_、 -氰氧胺項酸藥、 、二（芳基磺 光酸產生劑之範例包含鹵化三π井、鎗 鹵化磺醯氧基二羧醯亞胺、重氮二珮、α 醢亞胺績酸鹽、S同重氮楓、續酸重氮酉旨 酸基）肼等。 自由基產生劑包含，但不限於，正苯甘胺酸、芳香族 酮類例如苯甲酮、Ν，Ν’-四甲基_4,4，_二胺基笨甲酉同 [Michler^s ketone] 、N，N，-四乙基 _4,4，·二胺基苯甲 _、扣 曱氧基-4、二甲基胺苯甲酮、3,3、二甲基_4_甲氧基笨甲 酮、P，P’_雙（二甲基胺）苯甲酮、p，p，_雙（二乙基胺）_苯甲_、 蒽酉比、2 -乙基蒽醒、萘醒及菲|昆，笨偶姻類，例如苯偶姻、 苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻 -正丁基醚、苯偶姻-苯基醚、曱基笨偶姻及乙基苯偶姻； 苯甲基衍生物例如聯苯甲基、苯甲基二苯基二硫化物及苯 甲基二甲基縮酮；及吖啶衍生物例如9-苯基d丫咬及丨，7-雙（9-吖啶基）庚烷；硫代咭噸，例如2-氣硫代咕嘴、2_甲 基硫代咕噸、2,4-二乙基硫代咕噸、2,4-二甲基硫代咕嘲 及2-異丙基硫代咕噸；苯乙酮，例如丨，丨_二氯笨乙酮、 對-第二丁基二氣苯乙綱、2,2 - 一乙氧基苯乙g同、2 2 -二甲 氧基-2-苯基苯乙酮、及2,2 -二氣-4-苯氧基苯乙_ ; 2,4,5，_ 三芳基咪唑二聚物，例如2_(鄰-氯苯基）-4,5-二苯基味唾 一聚物、2-(鄰-氣苯基一（間"甲氧苯基）味。坐二聚物、 2-(鄰-氟笨基）-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰-甲氧苯基）_ 4,5-二苯基味。坐二聚物、2-(對·甲氧苯基）-4,5-二苯基p米唾 二聚物、2,4-二（對-甲氧苯基）-5_笨基咪唑二聚物、2-(2，4- 92346 26 200307856 二甲氧苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物及2_(對-甲基巯基苯 基）-4,5_二苯基咪唾二聚物等。隸，非為自由基產生劑， 三苯基膦也可包含於光活性化學系統中作為催化劑。 可用於光可成像組成物中且會引起殘留物與浮逢的選 擇性衍生物包含，但不限於：抑輝紋劑、塑化劑、速度增 強劑、填料、染料、膜形成劑、非可聚合的有機酸等。合 適之塑化劑包含醋類例如二苯甲酸醋。非可聚合有機酸也 可添加至光阻劑組成物。此有機酸實f上不會與聚合性黏 合劑、選擇***聯劑或兩者聚合。各式各樣的有機酸皆可 合適地添加於光阻劑組成物。合適有機酸包含，但不限於， 烷羧酸及芳基羧酸、磺酸例如烷磺酸及芳基磺酸、膦酸例 如烷基膦酸及芳基膦酸等。羧酸之範例包含，但不限於， (c〗.12)烷基羧酸、（c丨·丨2)烷基二羧酸、（c] i2)烷基三羧酸、 經取代的（C^2)烷基羧酸、經取代的（Cm)烷基二羧酸、 經取代的（Cm2)烷基三羧酸；胺羧酸例如乙二胺四乙酸； 芳基羧酸例如芳基單羧酸、芳基二羧酸及芳基三羧酸，及 經取代的芳基羧酸。較佳地有機酸包含甲酸、乙酸、丙酸、 草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、 酒石酸、擰檬酸或蘋果酸、乙二胺四乙酸、鄰苯二甲酸、 苯三羧酸、柳酸、帛己烷羧酸、1,4-環己烷二羧酸及癸二 酸0 各式各樣之光阻劑去除增強劑也可用於光阻劑。此去 除增強劑也可促進殘留物與浮渣聚積。光阻劑去除增強劑 之範例為01位置含一或多個三ii甲基-取代基的化合物， 27 92346 200307856 該取代基係有關於具有穩定負電荷之基團。 、本發明之安定組成物可用於使光阻劑顯影之任何合適 方法。本發明之安定組成物係製備為濃縮物。使用前，特 別地係作為顯影劑溶液’此濃縮物需稀釋至合適的顯影叫 範，。經稀釋組成物中的鹼性成份的範圍為該組成物之“ 重量％至約14重量％ ’較佳地由約}重量％至約1〇重量 %。用於使光阻劑顯影時，❹或預防殘留物與浮渣形成 之化合物範圍為該顯影劑溶液之約〇 〇1重量％至約Μ重 量％。較佳地’減少或預防殘留物與浮法形成之化合物範 圍由約（M重量％至約1G重量％在顯影劑溶液中，更佳地 由約1重量％至約5重量％。 使用形成印刷電路板的方法以作為範例目的，光可成 像組成物可施用在導電性物質的圖案排列其上之基材。此 基材可為銅積層基材或其他金屬基材。其他合適基材包含 積層多層板而製備者’其係用於製造含通孔及含焊料之連 接件之印刷電路板。 光阻劑係使用習知的技術被覆至銅積層基材。被覆層 會沉積以產生乾膜，其厚度至少約G 5G密耳（千分之一英 时)。被覆後，濕膜形成且在合適溫度乾燥以去除溶劑。 移轉衫像至光阻劑被覆層程序中涉及曝照此被覆層至 圖案化活性輕射之來源以在經曝照區域引發光反應。合適 之活性輻射來源包含光輻射、X-射線等等。緊隨於曝照 後此層係經低,皿洪烤以藉由釋出光產生催化劑引發經曝 照部份之黏合劑的交聯。烘烤條件包括加熱至能引發硬化 92346 28 200307856 反應的溫度但此溫度應低於會在膜上未曝照區域造成 聯的溫度。 … 如果光阻劑為負向作用型，未曝照於活性輕射區域得 ㈣地以水性㈣液溶解例如氫氧化納、核納、碳酸納、 氯氧化卸、碳酸鉀、乙二胺等。正向作用型光阻劑作用盘 負向作用型相反。在應料至顯影光阻劑冑，本發明之濃 縮物會以溶劑稀釋。濃縮物會稀釋至顯影劑溶液中的驗性 成伤》辰度由約〇 · 1重量％至约1 4舌 里里/。主、/3 14重$ %。顯影期間顯影劑 溶液PH範圍由約8.0至約14 〇，較佳地由約ι〇 〇至約 12.0。此顯影劑溶液以習知此藝任何合適方法應用於光阻 劑。典型的顯影時間係約3()至約6Q秒。在影像顯影後殘 留光阻劑的特徵為部份硬化藉以使大部份黏合劑成份交 聯可月匕而要一次硬化以達成完整的拒焊劑層之熱及電氣 性質。本發明中顯影劑可使用方法之其他範例包含已揭示 於美國專利編號 U.s. 5,312,715 ; us. 5,397,685 ; us 5,334,488;U.S· 5,〇〇7,99(^Us 4,544,6i9 中的方法， 列舉於此之揭示資料將合併於參考文獻。 —雖然本發明之組成物減少及預防殘留物與浮渣形成， 依每週、每兩週或每月之規則時程清潔設備也更有助於減 =殘留物與浮潰形成。習知於此技藝之清潔劑可使用於清 潔光微影術設備。含於本發明範圍之清潔意為去除或再乳 化聚積的殘留物與浮潰而非減少或預防殘留_ 成。 有利地，本發明之減少殘留物與浮法之濃縮物及顯影 92346 29 200307856 劑提供減少或預防光微影組成物沉積殘留物與浮渣形成在 基材上或溶液中的方法。此外，顯影劑組成物也能使殘留 物或浮潰形成後容易地再乳化。清潔任何可能形成在基材 例如印刷電路板或顯影劑設備上的殘留物與浮渣會更容 易，因為此殘留物與浮渣係較容易再乳化。本發明提供一 更有效製造程序，因為清潔裝備所花費的時間較少，及較 少廢棄物產生，因此提供更有利於環保地清潔組成物及方 法。更進一步，包含該濃縮物之稀釋組成物具有儲存安定 性，不需要二次添加至稀釋組成物及濃縮物。因此，本發 明之組成物及方法係為印刷電路板製造上之改良處。 雖…、m “述於文中為減少或預防由光微影組成物 所沈積之有機殘留物與浮潰，但一般本發明之組成物可使 用於減少或預防形成錢歹楚留物與有㈣渣在任何基材上 或溶液中。 & 明範圍。 个 i施例1 劑在石宿物中之相塞神 含有約30重量％之碳酸鈉，及約6重量％之 :。乙酸(EDTA) ’螯合劑之水性顯影劑濃縮液係以約Η 置％^添加水、約22重量％及選擇的乳化劑約17重旦。广 。以師4在濃縮顯影劑溶液中的乳化劑相容性 化劑列於下表。 史用之4 表百刀比皆係重量/重量，除非特別述及。 92346 30 200307856 表1 乳化劑 化學型式 觀察， 起始地 觀察，靜 置隔夜後 Soprophor ⑧ BSU 乙氧基化三苯乙烤基g分，16 莫耳環氧乙烷 不相容的 不相容的 TWEEN (R) 80 山梨醇酯 不相容的 不相容的 Tetronic ® 90R4 烷氧基化乙二胺嵌段共聚 合物 不相容的 不相容的 Soprophor ⑰)FLK 乙氧基化三苯乙烯基酚磷 酸酯，鉀鹽 不相容的 不相容的 Soprophor (R) 4D384 三苯乙烯基酚乙氧基（16)硫 酸銨 不相容的 不相容的 Soprophor ㊣ 3D33 乙氧基化三苯乙婦基S分石粦 酸酯，自由酸 不相容的 不相容的 Dowfax ⑧ C6L 二苯醚磺酸鹽 相容的 相容的 Dowfax (R) C10L 二苯醚磺酸鹽 相容的 相容的 Dowfax ® 8390 二苯醚磺酸鹽 兩相 相容的 Dowfax (R) 3B2 二苯醚磺酸鹽 兩相 相容的 Dowfax ® 2A1 二苯醚磺酸鹽 兩相 相容的 Glucopon (R) 220UP 葡萄糖（癸基，辛基）醚，低 聚物 相容的 相容的 Glucopon (R) 225DK 葡萄糖（癸基，辛基）醚，低 聚物 相容的 相容的 Glucopon (R) 425N 混合葡萄哌喃苷（c1(rc16烷 基），低聚物，及葡萄糖（癸 基，辛基）_，低聚物 相容的 相容的 Glucopon (R) 625 葡萄哌喃苷（c1(rc16烷 基），低聚物 相容的 膠狀的 不相容的意為乳化劑不溶入溶液或從溶液中沉澱出 來。相容的意為無乳化劑從溶液中沉澱出來之徵兆。相容 性測試顯示二苯棊醚磺酸鹽、葡萄糖醚及葡萄哌喃苷與碳 酸納濃縮物相容。然而，Glucopon⑧625乳化劑有些膠 化，其顯示一或多種Glucopon⑧625之成份和驗碳酸離 子結合。 31 92346 200307856 為比較乳化劑使用性，含有約23密耳平方呎/加侖之 未硬化Shipley ProEtch㊣1430乾膜光阻劑之約200毫升 約l%(wt/wt)碳酸鈉水溶液係置於經改進之氣體清洗瓶。 約8OOOppm(百萬分之一）之如下表所列乳化劑及一定量抑 泡劑係添加至溶液。此溶液利用乾空氣以約每分鐘1 OOOcc 吹氣約5小時且使其靜置隔夜。此溶液以3微米膜過濾而 濾出沈澱則乾燥秤重。對照組不含有乳化劑。 表 2 乳化劑 經乾燥於渣重量 (毫克） 抑泡劑 抑泡劑負載 (ppm) 無 44.5 萘烴 250 無 68.7 嵌段烷氧共 聚物 500 Soprophor (R) BSU 27.5 嵌段烷氧共 聚物 500 Soprophor (§) Mixture# 1 7.1 嵌段烷氧共 聚物 500 Soprophor (R) Mixture#2 7.8 嵌段烷氧共 聚物 500 Soprophor (R) Mixture#3 8.2 嵌段烷氧共 聚物 500 Dowfax ⑧ 3B2 11.9 萘烴 250 Dowfax (§) 8390 43.6 萘烴 250 Dowfax ⑧ 2A1 39.8 萘烴 250 Dowfax ㊣ C10L 3.0* 萘烴 250 Dowfax ⑨ C6L 19.7 萘烴 250 Glucopon (R) 220UP 19.3 萘烴 250 Glucopon 0 225 25.2 萘烴 250 Glucopon (§) 425N 14.2 萘烴 250 所有乳化劑溶液皆顯示沈澱或殘留物形成減少。大部 份由溶液回收之殘留物含有二苯基醚磺酸酯及葡萄糖醚及 葡萄哌喃苷，據信其起因於溶液成份中萘烴與乳化劑之不 32 92346 200307856 相谷性而造成溶液成份沈澱。此結果顯示相對於對照組不 含有任何顯影劑溶液，本發明之濃縮物已稀釋至能減少殘 留物或沈澱形成的顯影劑濃度。 雖然Soprophor㊣及嵌段烷氧基共聚物相較於Dowfax ⑧及Glucopon⑧組成物，Soprophor⑧顯示較多沈澱減 少’如頒示於上述實施例1，但與碳酸納濃縮物不相容。 *有些樣品損失在吹氣期間

Soprophor© Mixture#HBSU@50%. TWEEN ® 80@ 1 7%，

Tetronic 90R4@33%)

Soprophor© Mixture#2(B^,U@33%? T WEEN ⑱ 80@ 1 7%，

Tetronic 90R4@50%)

Soprophor® Mixture#3(BSU@3 3%: TWEEN ⑧ 80@33%，

Tetronic 90R4@33%) 實施例2 顯影劑溶液在操作濃度時之安定唐 碳酸鈉濃縮物經常使用約1體積濃縮物對約44體積 水以生產約1 .〇%(wt/wt)碳酸溶液。為維持相同體積比率 及檢測乳化劑程度梯度，以比重為準，計算四種配方以約 4000ppm，約 6000ppm，約 8000ppm 或約 i〇,〇〇〇ppm 生產 含有約1.0%碳酸鈉及乳化劑之經稀釋溶液。 33 92346 200307856 表3 目標乳化劑負載 (ppm ;百萬分之一） 水（重量％) 無水碳酸鈉 (重量％) 乳化劑 (重量％) 4000 54.8 31.3 13.9 6000 48.3 31.0 20.7 8000 41.9 30.8 27.3 10,000 37.0 31.2 3 1.8 然後數種乳化劑用於篩選四種濃度程度之相容性。在 混合物製造且使其靜置一週後觀察。 表4 乳化劑 4000ppm 混合k 6000pm 混合物 8000ppm 混合物 10,000ppm 混合物 Dowfax ⑧ C6L 澄清，相容 澄清，相容 澄清，相容 澄清，相容 Dowfax ⑰ C10L 澄清，相容 澄清，相容 澄清，相容 模糊，微分離 Glucopon (R) 425N 澄清，相容 澄清，相容 澄清，相容 澄清，相容 所有經稀釋顯影劑溶液顯示在顯影劑操作濃度下的長 期安定性除了 Dowfax⑧C10L在濃度為10,000ppm的情 況。此混濁溶液及微相分離顯示乳化劑及顯影劑溶液之間 有某程度不相容。因此，二苯基醚磺酸鹽及葡萄哌喃苷與 葡萄糖醚之混和物於碳酸鈉顯影劑溶液之操作濃度係安定 的0 34 92346

Claims (1)

1. 200307856 拾、申請專利範圍： 1 · 一種安定濃縮組成物，包括鹼性成份結合能減少或預 防殘留物與浮渣形成在基材上或溶液中之化合物。 2·如申請專利範圍帛1項之組成物，其中之驗性成份包 括碳酸鈉、碳酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鉀、偏矽酸鈉、 三乙醇胺、或其混合物。 3·如申請專利範圍帛丨項之組成物，其中，能減少或預 防殘留物與浮渣形成之化合物包括糖或糖衍生物。 4. 如申請專利範圍帛3項之組成物，其中，糖或糖衍生 物包括醣苷、多醣苷或其混合物。 5. 如申請專利範圍帛丨項之組成物，其中，抑制或預防 殘留物與浮渣形成之化合物包含芳香族硫化物。 6. -種安定濃縮組成物，基本上係由驗性成份結合能減 少或預防殘留物與浮法形成在基材上或溶液中之化合 物所組成。 7·如申請專利範圍第6項之組成物，其中，能減少或預 防殘留物與浮渣形成之化合物包括芳香族硫化物、糖、 糖衍生物、或其混合物。 8. -種方法’包括添加溶劑至安定濃縮物以形成含有操 作濃度之成份的安定稀釋溶液；及基材與使安定稀釋 溶液接觸以減少或預防殘留物與浮渣形成在基材上， 此安定稀釋溶液包括驗性成份結合能減少或預防殘留 物與浮潰形成之化合物以抑制或預防殘留物與浮㈣ 成在基材上。 92346 35 200307856 9. 如申請專利範圍第8項之方法， 殘留物與浮形成之化合物包括芳 衍生物、或其衍生物。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其 含醣苷、多醣苷或其混合物。 其中，能減少或預防 昏族硫化物、糖、糖 中，糖或糖衍生物包 36 92346 200307856 柒、指定代表圖：本案無圖式 (一） 本案指定代表圖為：第（ ）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： A—ί-Ζ-AH—Y (1) lllX)u (MX)V 5 92346