TH94340A - Equipment and methods for the manufacture of semiconductor grade silicon - Google Patents

Abstract

DC60 (14/09/50) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตอินกอตของซิลิกอนชั้น คุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งรวมถึงซิลิกอนชั้นคุณภาพโซลาร์ ซึ่งสภาพการมีออกซิเจนในบริเวณร้อน ได้รับการลดลงอย่างเป็นสำคัญหรือได้รับการกำจัดโดยการใช้วัสดุที่พร่องออกไซด์ในบริเวณร้อน ของการหลอมเหลวและกระบวนการตกผลึก วิธีการนี้อาจได้รับการใช้สำหรับกระบวนการที่รู้จัก ใดๆ ซึ่งรวมถึงการตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงอินกอตซิลิกอนชั้น คุณภาพโซลาร์ ดังเช่น กระบวนการ Bridgman, กระบวนการเทหล่อบล็อก และกระบวนการ CZ สำหรับการเติบโตของผลึกซิลิกอนผลึกเดี่ยว การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการ ดำเนินกระบวนการหลอมเหลวและตกผลึกซึ่งวัสดุของบริเวณร้อนนี้พร่องออกไซด์ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตอินกอตของซิลิกอนชั้น คุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งรวมถึงซิลิกอนชั้นคุณภาพโซลาร์ ซึ่งสภาพการมีออกซิเจนในบริเวณร้อน ได้รับการลดลงอย่างเป็นสำคัญหรือได้รับการกำจัดโดยการใช้วัสดุที่พร่องออกไซด์ในบริเวณร้อน ของการหลอมเหลวและกระบวนการตกผลึก วิธีการนี้อาจได้รับการใช้สำหรับกระบวนการที่รู้จัก ใดๆ ซึ่งรวมถึงการตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงอินกอตซิลิกอนชั้น คุณภาพโซลาร์ ดังเช่น กระบวนการ Bridgman, กระบวนการเทหล่อบล็อก และกระบวนการ CZ สำหรับการเติบโตของผลึกซิลิกอนผลึกเดี่ยว การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการ ดำเนินกระบวนการหลอมเหลวและตกผลึซึ่งวัสดุของบริเวณร้อนนี้พร่องออกไซด์ DC60 (14/09/50) This invention involves a device and a method for the production of layered silicon ingots. Semiconductor qualities including silicon, solar quality Which condition of having oxygen in hot areas Has been significantly reduced or removed by using hot-area oxide depletion materials. Of melting and crystallization processes This method may be used for any known processes which include crystallizing semiconductor grade silicon ingots. This includes solar quality class silicon ingots such as the Bridgman process, the block pouring process and the CZ process for the growth of a single crystal silicon. This invention also involves devices for The melting and crystallization process is performed in which the materials of this hot region deplete oxide. This invention relates to a device and a method for the production of layered silicon ingots. Semiconductor qualities including silicon, solar quality Which condition of having oxygen in hot areas Has been significantly reduced or removed by using hot-area oxide depletion materials. Of melting and crystallization processes This method may be used for any known processes which include crystallizing semiconductor grade silicon ingots. This includes solar quality class silicon ingots such as the Bridgman process, the block pouring process and the CZ process for the growth of a single crystal silicon. This invention also involves devices for The melting and depleting process is performed in which the materials of this hot region deplete oxide.

Claims (1)

1. วิธีการสำหรับการผลิตอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งสภาพการมีออกซิเจนใน บริเวณร้อนจะได้รับการกำจัดหรือลดลงอย่างเป็นสำคัญโดย - การตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งอย่างเป็นทางเลือกนั้นรวมถึง การหลอมเหลววัสดุป้อนชนิดซิลิกอน ในเบ้าหลอมที่ทำขึ้นจากซิลิกอนไนไทรด์, ซิลิกอนคาร์ไบด์ หรือวัสดุประกอบของชนิดดังกล่าว - การบรรจุเบ้าหลอมในบริเวณร้อนที่มีการปิดผนึกด้วยบรรยากาศเฉื่อยในระหว่าง การตกผลึกของอินกอต ซึ่งอย่างเป็นทางเลือกยังรวมถึงการหลอมเหลวของวัสดแท็ก :1.Method for producing semiconductor grade silicon ingot in which the presence of oxygen in Hot areas are eliminated or significantly reduced by - crystallization of semiconductor-grade silicon ingots. Which is an option that includes Melting silicon feed materials In a crucible made of silicon nitride, silicon carbide. Or composite material of such type. - Crucible filling in hot areas with inert atmosphere sealing during Crystallization of Ingot Optionally, it also includes material tag fusion: