TH83149B - กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว Zn - Google Patents
กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว ZnInfo
- Publication number
- TH83149B TH83149B TH601001271A TH0601001271A TH83149B TH 83149 B TH83149 B TH 83149B TH 601001271 A TH601001271 A TH 601001271A TH 0601001271 A TH0601001271 A TH 0601001271A TH 83149 B TH83149 B TH 83149B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- sicl4
- metal
- liquid
- alloy containing
- producing
- Prior art date
Links
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract 6
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N Silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 abstract 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000009376 nuclear reprocessing Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการผลิตซิลิคอนที่มีความบริสุทธิ์เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการผลิต ตัวอย่างเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนที่เป็นผลึก SiCl4 ถูกเปลี่ยนให้เป็นโลหะ Si โดยการสัมผัสกับแก๊ส SiCl4 กับของเหลว Zn จากนั้น ได้ อัลลอยด์ที่มี Si และ Zn-คลอไรด์, ซึ่งถูกแยก จากนั้น อัลลอยด์ที่มี Si ถูกทำให้บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูง กว่าจุดเดือดของ Zn กระบวนการนี้ไม่ต้องการเทคโนโลยีที่ซับซ้อนและให้ SiCl4 ที่มีความบริสุทธิ์สูงเมื่อถึง ผลิตภัณฑ์สุดท้าย, เนื่องจาก Zn เป็นสารทำปฏิกิริยาเคมีเพียงชนิดเดียว, ซึ่งสามารถได้ในคุณภาพที่ บริสุทธิ์สูงมาก ๆ และนำกลับไปทำกระบวนการใหม่อย่างต่อเนื่อง
Claims (1)
1. กระบวนการสำหรับการเปลี่ยน SiCl4 ให้เป็นโลหะ Si, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอน ของ - การสัมผัสแก๊ส SiCl4 กับวัฏภาคโลหะของเหลวที่มี Zn, ดังนั้น จึงได้วัฏภาคโลหะที่มี Si และ Zn-คลอไรด์; - การแยก Zn-คลอไรด์ที่ได้จากวัฏภาคโลหะที่มี Si; และ - การทำให้วัฏภาคโลหะที่มี Si บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดเดือดของ Zn, ดังนั้นจึงได้ Zn ที่เป็นไอและได้โลหะ Si, ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือว่าทำขั้นตอนการสัมผัส และการแยกในเครื่องปฏิกิริยาเดี่:
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH83149A TH83149A (th) | 2007-02-22 |
| TH83149B true TH83149B (th) | 2007-02-22 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200700316A (en) | Process for the production of si by reduction of sicl4 with liquid zn | |
| EA200870558A1 (ru) | Способы получения стержней поликристаллического кремния высокой степени чистоты с использованием металлического средства-основы | |
| US9034292B2 (en) | Method and apparatus for producing disilane through pyrolysis of monosilane | |
| WO2006107020A1 (ja) | 高純度無水塩化アルミニウム及びその製造方法 | |
| RU2011133919A (ru) | Процесс получения поликристаллического кремния | |
| WO2009143264A3 (en) | Direct silicon or reactive metal casting | |
| NO20121263A1 (no) | Fremgangsmåte for å produsere disilan | |
| JP5440556B2 (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| WO2018074009A1 (ja) | アンモニアを合成する方法、および、その装置 | |
| CA2828585C (en) | Hydrogen production catalyst containing ni3si-based intermetallic compound, method for activating the catalyst, and hydrogen production method and device using the catalyst | |
| TH83149B (th) | กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว Zn | |
| JP5448067B2 (ja) | 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 | |
| TH83149A (th) | กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว Zn | |
| US3019087A (en) | Purification of silane | |
| JP2009126835A (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| FR2983846B1 (fr) | Procede de synthese ameliore de nanotubes de carbone sur multi-supports | |
| JP2008050268A (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| RU2155158C1 (ru) | Способ получения моноизотопного кремния si28 | |
| UA93503C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Si ПУТЕМ ВОССТАНОВЛЕНИЯ SiCl4 ЖИДКИМ Zn | |
| JP2008081387A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| CA2686640A1 (en) | Polycrystalline germanium-alloyed silicon and a method for the production thereof | |
| JP4904032B2 (ja) | 精製ボラジン化合物の製造方法 | |
| CN205133153U (zh) | 一种生产氮化硅的*** | |
| JP5348186B2 (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| Hatakeyama et al. | Formation of Silicon from Shirasu Volcanic Ash Using Solar Furnace |