TH36707A - แบบแผนการสัมผัสโลหะโดยการใช้การปลูกซิลิคอนแบบเลือก - Google Patents
แบบแผนการสัมผัสโลหะโดยการใช้การปลูกซิลิคอนแบบเลือกInfo
- Publication number
- TH36707A TH36707A TH9801001451A TH9801001451A TH36707A TH 36707 A TH36707 A TH 36707A TH 9801001451 A TH9801001451 A TH 9801001451A TH 9801001451 A TH9801001451 A TH 9801001451A TH 36707 A TH36707 A TH 36707A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- aluminum
- semiconductor
- insulating layer
- crystalline
- exposed
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (16/07/41) วิธีการสำหรับสร้างส่วนสัมผัสในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น วิธีการดังกล่าวเกี่ยวข้องกับ การสร้างชั้นฉนวนไป บนบริเวณแอกทีฟที่จะรับการสัมผัส การสร้างรู หรือช่องเปิด ในชั้นฉนวนเพื่อเผย เปลือยบริเวณแอกทีฟ และการสร้างชั้น อะลูมิเนียมบนชั้นฉนวน แหล่งกำเนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้เสียหายแล้วจะ ถูกจัดวางให้สัมผัสกับชั้นอะลูมิเนียมใน ลักษณะซึ่งวัสดุสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้ เสียหายแล้วจะถูกละลายในชั้น อะลูมิเนียม และเกาะเคลือบใหม่ บนพื้นผิวของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่จะรับการสัมผัส วัสดุสารกึ่งตัวนำจะ ถูกเกาะเคลือบโดยการขยาย ตัวแผ่ออกในสถานะแข็ง และจะนำพาอะตอมของอะลูมิ เนียมไปด้วย ทำให้ สารกึ่งตัวนำที่เหลือเป็นวัสดุชนิด p ที่ ถูกโดปอย่างแรง วิธีการสำหรับสร้างส่วนสัมผัสในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น วิธีการดังกล่าวเกี่ยวข้องกับการสร้างชั้นฉนวนไป บนบริเวณแอกทีฟที่จะรับการสัมผัส การสร้างรู หรือช่องเปิด ในชั้นฉนวนเพื่อเผยเปลือยบริเวณแอกทีฟ และการสร้างชั้น อะลูมิเนียมบนชั้นฉนวน แหล่งกำเนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้เสียหายแล้วจะ ถูกจัดวางให้สัมผัสกับชั้นอะลูมิเนียมในลักษณะซึ่งวัสดุสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้ เสียหายแล้วจะถูกละลายในชั้นอะลูมิเนียม และเกาะเคลือบใหม่ บนพื้นผิวของวัสดุสารกึ่งตัวนำจะถูกเกาะเคลือบโดยการขยาย ตัวแผ่ออกในสถานะแข็ง และจะนำพาอะตอมของอะลูมิ เนียมไปด้วย ทำให้สารกึ่งตัวนำที่เหลือเป็นวัสดุชนิด p ที่ ถูกโดปอย่างแรง
Claims (1)
1. การสร้างชั้นอะลูมิเนียมบางไปบนสารกึ่งตัวนำเคลือบไดอิ เล็กทริก ที่จะรับการสัมผัส โดยที่อย่างน้อยที่สุดมีอาณา บริเวณน้อย ๆ ของสารกึ่งตัวนำเผยเปลือยต่ออะลูมิเนียมผ่าน ช่องว่าง หรือรู หรือช่องเปิดในชั้นไดอิเล็กทริก; 2) การเกาะเคลือบสารกึแท็ก :
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH36707A true TH36707A (th) | 2000-01-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1388902A3 (en) | Fabricating method of Gunn diode | |
TW337590B (en) | Manufacture of semiconductor device having reliable and fine connection hole | |
KR960032740A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 구조 및 그 제조방법 | |
TH36707A (th) | แบบแผนการสัมผัสโลหะโดยการใช้การปลูกซิลิคอนแบบเลือก | |
KR970052439A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR970067640A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
TW333684B (en) | The producing method for semiconductor capacitor electrode plate | |
GB2396868A (en) | Copper-indium based thin film photovoltaic devices and methods of making the same | |
TW372364B (en) | Manufacturing method for capacitors of dynamic random access memory | |
TW375782B (en) | Method of forming intermediate insulation layer in semiconductor device | |
KR970063500A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
KR980005462A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR970052369A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 | |
KR930011116A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
TW350129B (en) | Manufacturing method of semiconductor formation latches the invention relates to a manufacturing method of semiconductor formation latches | |
KR970052364A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
KR980005524A (ko) | 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법 | |
KR970072313A (ko) | 반도체 금속박막의 배선방법 | |
TW429512B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
KR970018038A (ko) | 고집적 반도체장치의 배선형성방법 | |
KR970072319A (ko) | 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법 | |
TW360939B (en) | Method for forming capacitor in semiconductor device | |
KR960026228A (ko) | 반도체소자의 콘택 형성방법 | |
TW344102B (en) | Additive metallization process and structure | |
KR980005468A (ko) | 반도체 장치의 다중 콘택 형성방법 |