TH22425U - กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ - Google Patents
กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำInfo
- Publication number
- TH22425U TH22425U TH2103001634U TH2103001634U TH22425U TH 22425 U TH22425 U TH 22425U TH 2103001634 U TH2103001634 U TH 2103001634U TH 2103001634 U TH2103001634 U TH 2103001634U TH 22425 U TH22425 U TH 22425U
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- food
- plasma
- conductor
- discharge
- insulation
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 23
- 238000009920 food preservation Methods 0.000 title claims abstract 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 2
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 2
- 244000005700 microbiome Species 0.000 abstract 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 abstract 2
- 241000894007 species Species 0.000 abstract 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 1
Abstract
10/05/2566(OCR) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวกับกรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ซึ่งมีลักษณะเป็นกล่องและมีช่องลมระบายอากาศที่เพียงพอ โดยการประดิษฐ์นี้ได้ออกแบบมาสำหรับใช้ในการถนอมอาหารในลักษณะอาหารที่เป็นแผ่นอาหาร ซึ่งกระบวนการสร้างพลาสมานั้นเกิดขึ้นอย่างทั่วถึงทั้งสองด้านของแผ่นอาหาร ทำให้แผ่นอาหารนั้นได้รับการสัมผัสกับสารเคมีและอนุมูลอิสระที่เกิดจากพลาสมาอย่างเพียงพอ โดยพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำที่เกิดขึ้น จะทำให้เกิดการสร้างสารเคมี อะตอม หรืออนุมูลอิสระที่มีประโยชน์ เช่น อะตอมออกซิเจน (O) โอโซน (O3) ไนตริกออกไซด์ (NO) ไฮดรอกไซด์ไอออน (OH)ปฎิกิริยาของออกซิเจนและไนโตรเจน (reactive oxygen and nitrogen species, ROS and RNS) ฯลฯซึ่งสิ่งต่าง ๆ เหล่านี้ล้วนมีผลในการยับยั้งเชื้อจุลินทรีย์ในแผ่นอาหาร จึงทำให้สามารถยืดอายุการเก็บรักษาของอาหารได้ นอกจากนี้เทคนิคพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำยังก่อให้เกิด รังสีอัลตราไวโอเลต (ultra violet ray) โฟตอน (photon) สนามไฟฟ้าความเข้มสูง และคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า(electromagnetic wave) ที่ส่งผลดีต่อการถนอมอาหารด้วยเช่นกัน เนื่องจากกรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำนั้น ใช้เวลาไม่นานและไม่ก่อให้เกิดความร้อน ดังนั้นจึงยังคงสามารถรักษาลักษณะภายนอก รส กลิ่น และเนื้อสัมผัสของอาหารได้ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวกับกรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิดำทีสภาวะ บรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ซึ่งมีลักษณะเป็นกล่องและมีช่องลมระบายอากาศที่ เพียงพอ โดยการประดิษฐ์นี้ได้ออกแบบมาสำหรับใช้ในการถนอมอาหารในลักษณะอาหารที่เป็นแผ่น อาหาร ซึ่งกระบวนการสร้างพลาสมานั้นเกิดขึ้นอย่างทั่วถึงทั้งสองด้านของแผ่นอาหาร ทำให้แผ่นอาหาร นั้นได้รับการสัมผัสกับสารเคมีและอนุมูลอิสระที่เกิดจากพลาสมาอย่างเพียงพอ โดยพลาสมาชนิดการ ดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำที่เกิดขึ้นจะทำให้เกิดการสร้างสารเคมีอะตอมหรืออนุมูลอิสระที่มี ประโยชน์ เช่น อะตอมออกซิเจน (O) โอโซน (O3) ไนตริกออกไซด์ (NO) ไฮดรอกไซด์ไอออน (OH') ปฏิกิริยาของออกซิเจนและไนโตรเจน (reactive oxygen and nitrogen species, ROS and RNS) ฯลฯ ซึ่งสิ่งต่าง ๆ เหล่านี้ล้วนมีผลในการยับยั้งเชื้อจุลินทรีย์ในแผ่นอาหาร จึงทำให้สามารถยืดอายุการเก็บ รักษาของอาหารได้ นอกจากนี้เทคนิคพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำยังก่อให้เกิด รังสี อัลตราไวโอเลต (ultra violet ray) โฟตอน (photon) สนามไฟฟ้าความเข้มสูง และคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า (electromagnetic wave) ที่ส่งผลดีต่อการถนอมอาหารด้วยเช่นกัน เนื่องจากกรรมวิธีการถนอมอาหาร ด้วยพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำนั้น ใช้เวลาไม่นานและไม่ก่อให้เกิดความร้อน ดังนั้น จึงยังคงสามารถรักษาลักษณะภายนอก รส กลิ่น และเนื้อสัมผัสของอาหารได้
Claims (6)
1./05/2566(OCR) 1. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ประกอบด้วยก.จัดเตรียมแผ่นอาหารที่อยู่ในสภาวะสมบูรณ์ ไม่มีสีหรือกลิ่นที่บ่งบอกถึงความเน่าเสีย โดยแผ่นอาหารสดมีลักษณะเป็นแผ่นวงกลมหรือสี่เหลี่ยมจัตุรัส ซึ่งมีขนาดที่เหมาะสมข. จัดเตรียมการสร้างพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศ โดยใช้เทคนิคพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ซึ่งเป็นลักษณะรูปทรงสี่เหลี่ยมจัตุรัสใส ที่มีชั้นวางแผ่นอาหารทำจากวัสดุตะแกรงวางชิ้นอาหาร อยู่ระหว่างชุดแหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสอง (ส่วนบนและส่วนล่าง) โดยชุดแหล่งกำเนิดพลาสมานั้นประกอบไปด้วยขั้วไฟฟ้าด้านแรงดันสูงซึ่งทำจากตะแกรงอะลูมิเนียม และขั้วไฟฟ้าด้านกราวด์ซึ่งทำจากแผ่นอลูมิเนียมบาง โดยมีแผ่นฉนวนเทฟล่อน มีคุณสมบัติทนความร้อนและป้องกันกระแสไฟฟ้าคั่นกลางระหว่างขั้วไฟฟ้าทั้งสองค. ทำการจัดวางแผ่นอาหารที่ได้จาก ก. บนชั้นวางแผ่นอาหารที่อยู่ระหว่างแหล่งกำเนิดพลาสมาในข้อ ข. และจัดตำแหน่งให้อยู่กึ่งกลางของชั้นวางแผ่นอาหารง. ทำการปรับระยะห่างระหว่างเหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสองฝั่ง ให้มีระยะห่างจากแผ่นอาหารที่วางอยู่บนชั้นวางในข้อ ข. ที่เหมาะสม เพื่อให้สารเคมีและอนุมูลอิสระที่เกิดจากพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ เกิดขึ้นในลักษณะที่สม่ำเสมอและครอบคลุมพื้นที่ของแผ่นอาหารทั้งส่วนบนและส่วนล่างจ. ทำการจ่ายแรงดันไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสสลับความถี่สูง โดยทำการต่อข้วไฟฟ้าของแหล่งกำเนิดพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำทั้งสองฝั่งกับแรงดันไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสสลับ ความถี่สูง และทำการต่อกราวด์ (ground) กับขั้วไฟฟ้าด้านกราวด์ของแหล่งกำเนิดพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำทั้งสองฝั่ง ใน ข. เพื่อสร้างพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำด้านแรงดันสูง ที่สภาวะบรรยากาศ ซึ่งมีอุณหภูมิของพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำอยู่ในช่วง 28 33 องศาเซลเซียส เพื่อสร้างสารเคมีและอนุมูลอิสระลงบนแผ่นอาหาร จาก ก. และข.2. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งการจัดเตรียมการสร้างพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนผิวตัวนำ จัดให้ใช้อากาศนิ่ง (static air) เป็นสารตั้งต้นในการสร้างพลาสมา3. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งการขนาดของแผ่นอาหารที่เหมาะสม จัดให้มีความหนาไม่เกิน 515 มิลลิเมตร ซึ่งมีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางที่เล็กกว่าขนาดชุดแหล่งกำเนิดพลาสมาประมาณ 10เปอร์เซ็นต์ของขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางของชุดแหล่งกำเนิดพลาสมา4. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งระยะห่างระหว่างแหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสองฝั่งและแผ่นอาหาร จัดให้มีระยะห่างที่เหมาะสม คือ 510 มิลลิเมตร5. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแรงดันไฟฟ้าแรงดันสูง กระแสสลับ ความถี่สูง จัดให้มีค่าอยู่ในช่วง 10 ถึง 15 กิโลโวลด์ และความถี่สูง จัดให้มีค่าอยู่ในช่วง 50 ถึง 100, 000 เฮิรดซ์6. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเวลาที่ในการสร้างพลาสมาที่เหมาะสม จัดให้มีค่าเป็นระยะเวลา 1 วินาที ถึง 3 นาที 1. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ประกอบด้วย ก. จัดเตรียมแผ่นอาหารที่อยู่ในสภาวะสมบูรณ์ ไม่มีสีหรือกลิ่นที่บ่งบอกถึงความเน่าเสีย โดย แผ่นอาหารสดมีลักษณะเป็นแผ่นวงกลมหรือสี่เหลี่ยมจัตุรัส ซึ่งมีขนาดที่เหมาะสม ข. จัดเตรียมการสร้างพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศ โดยใช้เทคนิคพลาสมาชนิดการ ดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ซึ่งเป็นลักษณะรูปทรงสี่เหลี่ยมจัตุรัสใส ที่มีนั้นวางแผ่นอาหารทำจากวัสดุ ตะแกรงวางชิ้นอาหาร อยู่ระหว่างชุดแหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสอง (ส่วนบนและส่วนล่าง) โดยชุด แหล่งกำเนิดพลาสมานั้นประกอบไปด้วยขั้วไฟฟ้าด้านแรงดันสูงซึ่งทำจากตะแกรงอะลูมิเนียม และ ขั้วไฟฟ้าด้านกราวด์ซึ่งทำจากแผ่นอลูมิเนียมบาง โดยมีแผ่นฉนวนเทฟล่อน มีคุณสมบัติทนความร้อน และป้องกันกระแสไฟฟ้าคั่นกลางระหว่างขั้วไฟฟ้าทั้งสอง ค. ทำการจัดวางแผ่นอาหารที่ได้จาก ก. บนนั้นวางแผ่นอาหารที่อยู่ระหว่างแหล่งกำเนิด พลาสมาในข้อ ข. และจัดตำแหน่งให้อยู่กึ่งกลางของนั้นวางแผ่นอาหาร ง. ทำการปรับระยะห่างระหว่างแหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสองฝั่ง ให้มีระยะห่างจากแผ่นอาหารที่ วางอยู่บนนั้นวางในข้อ ข. ที่เหมาะสม เพื่อให้สารเคมีและอนุมูลอิสระที่เกิดจากพลาสมาชนิดการ ติสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ เกิดขึ้นในลักษณะที่สมํ่าเสมอและครอบคลุมพื้นที่ของแผ่นอาหารทั้ง ส่วนบนและส่วนล่าง จ. ทำการจ่ายแรงดันไฟฟ้าแรงตันสูงกระแสสลับความถี่สูง โดยทำการต่อขั้วไฟฟ้าของ แหล่งกำเนิดพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำทั้งสองฝั่งกับแรงดันไฟฟ้าแรงดันสูง กระแสสลับ ความถี่สูง และทำการต่อกราวด์ (ground) กับขั้วไฟฟ้าด้านกราวด์ของแหล่งกำเนิดพลาสมา ชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำทั้งสองฝั่ง ใน ข. เพื่อสร้างพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ ผิวตัวนำด้านแรงดันสูง ที่สภาวะบรรยากาศ ซึ่งมีอุณหภูมิของพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิว ตัวนำอยู่ในช่วง 28 33 องศาเซลเซียส เพื่อสร้างสารเคมีและอนุมูลอิสระลงบนแผ่นอาหาร จาก ก. และ ข.
2. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งการตัดเตรียมการสร้างพลาสมาชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวน ผิวตัวนำ จัดให้ใช้อากาศนิ่ง (static air) เป็นสารตั้งต้นในการสร้างพลาสมา
3. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งการขนาดของแผ่นอาหารที่เหมาะสม จัดให้มีความหนาไม่ เกิน 515 มิลลิเมตร ซึ่งมีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางที่เล็กกว่าขนาดชุดแหล่งกำเนิดพลาสมาประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์ของขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางของชุดแหล่งกำเนิดพลาสมา
4. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่'ซึ่งระยะห่างระหว่างแหล่งกำเนิดพลาสมาทั้งสองฝั่งและแผ่น อาหาร จัดให้มีระยะห่างที่เหมาะสม คือ 510 มิลลิเมตร
5. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแรงดันไฟฟ้าแรงดันสูง กระแสสลับ ความถี่สูง จัดให้มีค่าอยู่ ในช่วง 10 ถึง 15 กิโลโวลต์ และความถี่สูง จัดให้มีค่าอยู่ในช่วง 50 ถึง 100, 000 เฮิรตซ์
6. กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิตํ่าที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จ ข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเวลาที่ในการสร้างพลาสมาที่เหมาะสม จัดให้มีค่าเป็น ระยะเวลา 1 วินาที ถึง 3 นาที
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH22425A3 TH22425A3 (th) | 2023-09-05 |
| TH22425U true TH22425U (th) | 2023-09-05 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Afshari et al. | Non-thermal plasma as a new food preservation method, its present and future prospect | |
| Hertwig et al. | Inactivation of Salmonella Enteritidis PT30 on the surface of unpeeled almonds by cold plasma | |
| Dalvi-Isfahan et al. | The principles of high voltage electric field and its application in food processing: A review | |
| Niemira et al. | Cold plasma inactivates Salmonella Stanley and Escherichia coli O157: H7 inoculated on golden delicious apples | |
| Rahul et al. | Optical and RF electrical characteristics of atmospheric pressure open-air hollow slot microplasmas and application to bacterial inactivation | |
| KR101461085B1 (ko) | 저온 플라즈마를 이용한 식품표면 살균방법 | |
| Marsili et al. | Plasma inactivation of food-related microorganisms in liquids | |
| KR101948063B1 (ko) | 플라즈마 멸균장치 | |
| Niemira et al. | Nonthermal plasma as a novel food processing technology | |
| US10729798B2 (en) | Inactivating pathogenic microorganisms using cold plasma | |
| US20120288405A1 (en) | Disinfection of packaged articles | |
| KR20170050258A (ko) | 유전체장벽 방전에 의한 비열 플라즈마를 이용하는 식품 살균 장치 및 살균 방법 | |
| CN111328955B (zh) | 基于表面介质阻挡放电等离子体的食品杀菌装置及方法 | |
| Puligundla et al. | Microwave-and radio-frequency-powered cold plasma applications for food safety and preservation | |
| TH22425U (th) | กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ | |
| TH22425A3 (th) | กรรมวิธีการถนอมอาหารด้วยเทคโนโลยีพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่สภาวะบรรยากาศชนิดการดิสชาร์จข้ามฉนวนที่ผิวตัวนำ | |
| CN107466150A (zh) | 一种三维低温等离子体处理装置 | |
| CN103653200B (zh) | 一种冷等离子体农药降解仪 | |
| Hayashi et al. | Growth enhancement of plant by plasma and UV light irradiation to seeds | |
| KR20150074674A (ko) | 식품 살균방법 | |
| Bai et al. | Influence of operating parameters on energy consumption of electrohydrodynamic drying | |
| CN1454060A (zh) | 利用高电压的杀菌装置及利用该装置对如谷类和种子等杀菌对象杀菌的方法 | |
| CN116271175A (zh) | 等离子体杀菌装置及电器设备 | |
| CN111248393A (zh) | 流体食品协同杀菌装置及方法 | |
| CN111248260B (zh) | 基于电晕放电等离子体的流体食品杀菌装置及方法 |