TH21910EX - Muldiplexing / Dimplexing Unit - Google Patents

Abstract

การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับหน่วยมัลติเพล็กซึ่ง/ดีมัลติเพล็กซิ่ง ที่เป็นวงจรรวม และเป็นบล็อคบนผิวหน้าย่อยของผิว หน้า ซิลิคอน เช่น วงจร Bi-COMS แบบดิจิตอล และ การใช้เซดชั่นของ CMOS ที่วางอยู่บนวงจรดังกล่าว ที่ซึ่งผิวหน้าย่อยที่หนึ่ง ของ ผิวหน้า ซิลิคอนมีชุดที่หนึ่ง (41') ของวงจรอินพุทและเอ้าท์ พุท แ และผิวหน้าย่อยที่สองมีชุดที่สอง (41'') ของวงจรอินพุทและ เอ้าท์ พุท บริเวณ (50) จะตั้งอยู่บนผิวหน้าซิลิคอน ระหว่างผิวหน้า ย่อย ที่หนึ่งและที่สอง หรือตั้งอยู่ในลักาณะสอดรับกัน และใช้ เพื่อ ยึดตรรกควบคุม (51) หน่วยความจำ (52) วงจรบัฟเฟอร์ (53) การ จัด การวงจรสำหรับการ ซิงโครไนซ์ (54) และตัวนำที่จำเป็น และทำหน้า ที่ประมวลสัญญาณ, เก็บสัญญาณ และ ส่งสัญญาณที่ประมวลแล้วไปบน วงจร เอ้าท์พุทท่เลือกทั้งเมื่อทำการมัลติเพล็กซิ่ง และ ดีมัลติ เพล็ก ซิ่งสัญญาณ This invention relates to the multiplexing unit, which / D multiplexing. That is an integrated circuit And as a block on the sub-surface of the silicon surface, such as digital Bi-COMS circuits and the use of CMOS sessions placed on them. Where the first sub surface of the silicon surface contains the first set (41 ') of the input and output circuits and the second sub surface contains the second set (41' ') of the input circuit. And the output area (50) is located on the silicon surface. Between the first and second surfaces Or located in conjunction with each other and used to hold logic, control (51), memory (52), buffer circuit (53), circuit arrangement for synchronization (54) and necessary conductors; and It is responsible for processing signals, storing and transmitting the processed signals on the selected output circuit, both when multiplexing and decoding the signal.

Claims (1)

1. หน่วยมัลติเพล็กซึ่ง/ ดีมัลติเพล็กซึ่ง ที่สร้างเป็นวงจรรวม และที่สร้างเป็น บล็อกบนผิวย่อยของผิวหน้าซิลิคอน เช่น วงจร Bi-CMOS แบบดิจิตอล และการใช้เซคชั่น ของ CMOS ไว้บนวงจรดังกล่าว ที่ซึงผิวหน้าย่อยที่หนึ่งของผิวหน้า ซิลิคอนที่ใช้จะมีชุดที่ หนึ่ง (41') ของวงจรอินพุทและเอ้าท์พุท ของสัญญาณ และผิวหน้าย่อยที่สองจะมีชุดที่สอง (41'') ของวงจรอินพุทและเอ้าท์พุท ที่ซึ่งกำกับโดยลักษณะที่บริเวณ (50) ซึ่งตั้งอยู่ บนผิว หน้าซิลิคอน ระหว่างผิวหน้าย่อยที่หนึ่งและที่สอง หรือใน ลักษณะที่สอดรับกัน และซึ่ง1. a multiplexed unit, which is / d multiplexed in which Created as an integrated circuit And that created as Blocks on the substrates of silicon surfaces such as digital Bi-CMOS circuits and the use of CMOS segments on them. Which is the first sub-surface of the surface The silicon used has a first set (41 ') of the input and output circuits of the signal and the second sub surface contains the second set (41' ') of the input and output circuits. Where is directed by the area (50) located on the silicon surface between the first and second subsurface, or in a coherent manner, and which