SU96144A1 - Способ выращивани кристаллов и установка дл осуществлени этого способа - Google Patents

Description

Способы выращивани  кристаллов из раствора путем его охлаждени  известны. Выращивани  кристаллических блоков этими способами обычно основаны на использовании те.мпературно зависимости растворимости вещества. Выращивание осуществл етс  циклично , за счет изменени  температуры раствлра. При этом количество кристаллизуе.мого вещества остаетс  неизменным в течение всего процесса кристаллизации.

Кристаллы, выра1Ц 1ваемыс полобными способами, вследствие -их образовани  при различных температурах , как правило, неоднородны по строению и имеют внутренние механические напр жени . Кроме того, дл  веп;еств, обладающих малой температурной зависимостью растворимости, способ выращивани , основанный на изменении температуры раствора, оказываетс  недостаточно производительным.

Предлагаемый способ выращнвани  криста.1лов и установка дл  осуществлени  этого способа обеспечивают устранение выптеупом путых недостатков и позвол ют повысить качест;ю выращиваемых кристаллов. Это достигаетс  тем, что, с целью повышени  качества продукции, пг-и выращивании криста .-глон примен ют местное (только в зоне р.оста кр11сталла) переохлаждение недонасьицеиного в остальной массе раствора.

.Установка д.-1  осуществлени  предлагаемого способа cocTOiri- из бака с раствором, 1з котором расиоложены формы дл  выран нвани  кристаллов. Непрерывна  работа установки обеспечиваетс  тем, что кажда  из форм снабжена охладителем дл  переохлаждени  раствора внутри этой qbopMbi ири неизменной темнературе раствора в баке.

На чертеже схематически представлена конструкци  предлагаемой установки в двух нроекци х.

Выраншвание кристаллов осуществл етс  в разборных формах 1, погруженных в бак 2 с ненасьпценным раствором 5. Дл  выращивани  блоков заданного размера или пластинок определенной толщины