SU928405A1 - Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства - Google Patents

Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства Download PDF

Info

Publication number
SU928405A1
SU928405A1 SU762393457A SU2393457A SU928405A1 SU 928405 A1 SU928405 A1 SU 928405A1 SU 762393457 A SU762393457 A SU 762393457A SU 2393457 A SU2393457 A SU 2393457A SU 928405 A1 SU928405 A1 SU 928405A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
transistor
transistors
gate
signal
Prior art date
Application number
SU762393457A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Юрий Васильевич Минков
Владимир Иванович Соломоненко
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6429
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6429 filed Critical Предприятие П/Я Р-6429
Priority to SU762393457A priority Critical patent/SU928405A1/ru
Priority to FR7723074A priority patent/FR2392542A1/fr
Priority to GB31829/77A priority patent/GB1550316A/en
Priority to JP9047277A priority patent/JPS5330837A/ja
Priority to US05/820,157 priority patent/US4166225A/en
Priority to DE2734987A priority patent/DE2734987C3/de
Priority to DD7700200424A priority patent/DD132693A1/xx
Priority to NLAANVRAGE7708627,A priority patent/NL175236C/xx
Application granted granted Critical
Publication of SU928405A1 publication Critical patent/SU928405A1/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

(54) УСИЛИТЕЛЬ СЧИТЫВАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
I
Изобретение относитс , к вычислительной технике, в частности к микроэлектронике , и может быть использовано в производстве интегральных МОП-схем. Известен усилитель считывани  дл  динамических запоминающих устройств (ЗУ), состо щий из двух инверторов и двух ключешлх транзисторов, причем вход первого .инвертора подключен к истокам первого и второго ключевых транзисторов , сток первого ключевого транзистора подключен к выходу первого инвертора , объединенного с входом второго инвертора, а сток второго ключевого транзистора подключен к ылходу второго инвертора, а затворл ключевых транзисторов подклю -ены к шинам управл ющих сигналов Cl .
Однако при таком построенииусилител  не обеспечиваетс  компенсаци  помехи от включени  транзистора выборки однотранзисторной  чейки пам ти, что снижает эффективную чувствительность усилител , потребл етс  значительна 
мощность в статическом режиме и ограничиваетс  быстродействие.
Наиболее близким к предлагаемому техническим рещением  вл етс  усилитель считывани  дл  интегрального ЗУ, содержащий два усилительных транзистора с общим истоком, соединенных тртггерной св зью, стоки которых соединень соответственно с первой и второй сигнальными щинами, а общий исток соедиto нен с первой щиной управлени , два нагрузочных транзистора, истоки которых соединены с соответствующими сигнальными шинами, а стоки - с второй шиной управлени  2 .
IS
Однако в интервале времени между опрокидыванием триггера и его отключением всегда существует цепь сквозного потреблени  через один из усилительных и один нагрузочный транзистор,

Claims (2)

  1. 20 усилитель потребл ет энергию от источника питани  и после окончани  процесса опрокидывани , что ведет к увеличению потребл емой мощности и снижает erf быстродействие за счет зар да паразитной емкости схемы. Шль изобретени  - уменьшение потреб л емой мощности и увеличение быстродействи  усилител  считывани . Поставленна  цепь достигаетс  тем, что усилитель содержит два МСЯ1- сонден сатора и два ключевых транзистора, сток первого ключевого транзистора соединен с затвором первого нагрузочноготранзис тора и одной из обкладок первого МОПконденсатора , исток - с первой.сигнальной шиной, затвор - с второй сигнальной шиной, сток второго ключевого транзис тора соединен с затвором второго нагрузочного транзистора и одной из обкладок второго МОП-конденсатора, исток - с второй сигнальной шиной, затвор - с пер вой сигнальной шиной, другие обкладки МСв1-конденсаторов сйуслючень1 к третьей шине управлени . На чертеже представлена схема усилител  считывани . Усилитель считывани  содержит два усилительных транзистора 1 и 2 с общим истоком, соединенных триггерной св зью, стоки которых соединены соответственно с первой и второй сигнальными шинами 3 и 4, а общий исток соединен с первой шиной управлени  5, два нагрузочных транзистора 6 и 7, истоки которых соединены с соответствующими шинами 3 и 4, а стоки - с второй шиной управлени  8, два МОП-конденсатора 9 и 1О и два клю:еы 1х транзистора Ни 12, сток транзистора 11 соединен с затвором транзистора 6 и одной из обкладок МСШ-конденсатора 9, , исток ,- с шиной 3, затвор - с шиной 4, сток тран зистора 12 соединен с затвором транзистора 7 и одной из обкладок МОП-кон денсатора 10, исток - с шиной 4, затво с шиной 3, другие обкладки МОП-конден саторов 9 и 1О подключены к третьей шине управлени  13. В исходном состо нии управл кнца  шина 8 подкточена к источнику питани  (на чертеже не показан), а сигнальные шины 3 и 4 и управл юща  шина 5 зар же ны до опорного напр жени , отключены от источника предзар да (на чертеже не показан) и сохран ют свои потенциалы на паразитных емкост х. На шине 13 поддерживаетс  низкое напр жение. Зар д , считанный из динамической  чейки пам ти (на чертеже не показана) на паразитную емкость одной из сигнальных шин, вызывает изменение ее потенциала, в результате между шинами 3 и 4 возникает информационный разбаланс напр жений . После считывани  сигнала из  чейки на паразитную емкость плеча подаетс  отртщательный перепад напр жени  на шину 5 и положительный перепад напр жени  на шину 13. При этом напр жение на затворах нагрузочных транзисторов 6 и 7 достигает значени  большего, чем напр жение питани , что обеспечивает работу этих транзисторов в крутой области характеристик. После подачи сигналов на управл ющие шины 5 и 13 начинаетс  процесс опрокидывани  усилител  в устойчивое состо ние, направление опрокидывани  усилител  определ етс  знаком информационного разбаланса сигнальных шин. Как только величина разбаланса достигнет величины, большей порогового напр жени  ключевых транзисторов 11 и 12, отпираетс  один из них, например 11 (затвор его будет находитьс  под. более высоким потенциалом), В результате МОП-конденсатор 9 разр жаетс  через транзистор 11 на сигнальную шину , наход щуюс  под более низким потешдиалом , а нагрузочный транзистор 6 запираетс . После окончани  процесса опрокидывани  усилитель приходит в следующее состо ние: нагрузочный транзистор 7 открыт и, наход сь в крутой области характеристики, поддерживает потенциал соответствующей сигнальной шины на высоком уровне, транзисторы 1и- 11 также открыты и подл.ерживают потенциал соответствующей сигнальной шины и затвора нагрузочного транзистора 6 на низком уровне. Транзисторы 6, 2и 12 выключены, так как напр жени  затвор - исток этих транзисторов меньше порогового. Таким образом, состо ние по окончании переходного процесса можно сравнить с состо нием триггера на МОПтранзисторах с дополн ющими Т1тами проводимости, т.е. здесь также отсутствуют цепи статического потреблени  и дифференциальный выходной сигнал на сигнальных шинах равен напр жению питани . Это имеет большое значение дл  интегральных динамических ЗУ большой и сверхбольшой емкости, так как мощность , потребл ема  известными усилител ми считывани , составл ет 7О-80 ь мощности потреблени  ЗУ. Применение предлагаемого усилител  позволит снизить мощность потреблений ЗУ в 2-3 раза. Включение нагрузочных транзисторов в данной схеме производитс  повышенным напр жением, что при сохранени размеров этих транзисторов приводит к повышению быстродействи  схемы. Большое значение имеет также увепиненве дифференциального выходного сигнала до напр жени  питани . Формула изобретени  Усилитель считывани  дл  интеграль .ного запоминающего устройства, содержащий два усилительных транзистора с общим истоком, соединенных триггерной св зью, стоки которых соединены соответственно с первой и второй сигнальными шинами, а общий исток соединен с первой шиной управлени , два .нагрузочных транзистора, истоки которых оединены с соответствующими сигнальными шинами, а стоки - г второйшиной упра лени , отличающийс  тем, что с целью уменьшени  потребл емой мопшоств и увеличени  быстродействи  усвлнтепа считывани , он содержит два М ЯП-кс«денсатора и два ключевых (транзистора,, сток первого ключевого транзистора сое динен с затвором первого нагрузочного транзистора и одной из обкладок первого МОП-конденсатора, исток - с первой сигнальной шиной, затвор - с второй сигнальной шиной, сток второго ключевого транзистора соединен с затвором вто рого нагрузочнс о транзистора и одной из обкладок второго МОП-конденсатора, исток - с второй сигнальной шиноЙ| за- т вор - с первой сигнальной шиной, другие обкладки МОП-конденсаторов подключены к третьей шине управлени .Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.IEEE,JoOrncie о SoeicT State Circuits , Ofctober 9ТЗ,р.306-307.
  2. 2. Электроника, 1973, . 18, с. 77 (прототип).
    U
    -- Д
    т
    Т .J
    0-J
    ЦТ
SU762393457A 1976-08-05 1976-08-05 Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства SU928405A1 (ru)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762393457A SU928405A1 (ru) 1976-08-05 1976-08-05 Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства
FR7723074A FR2392542A1 (fr) 1976-08-05 1977-07-27 Amplificateur de lecture pour memoires a circuits integres
GB31829/77A GB1550316A (en) 1976-08-05 1977-07-28 Integrated circuit read amplifier
JP9047277A JPS5330837A (en) 1976-08-05 1977-07-29 Amplifier for reading integrated circuit memory
US05/820,157 US4166225A (en) 1976-08-05 1977-07-29 Read amplifier for integrated-circuit storage device
DE2734987A DE2734987C3 (de) 1976-08-05 1977-08-03 Flip-Flop-Leseverstärker für integrierte Speichereinrichtungen
DD7700200424A DD132693A1 (de) 1976-08-05 1977-08-03 Leseverstaerker fuer integrierte speichereinrichtungen
NLAANVRAGE7708627,A NL175236C (nl) 1976-08-05 1977-08-04 Leesversterker.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762393457A SU928405A1 (ru) 1976-08-05 1976-08-05 Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU928405A1 true SU928405A1 (ru) 1982-05-15

Family

ID=20673110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762393457A SU928405A1 (ru) 1976-08-05 1976-08-05 Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4166225A (ru)
JP (1) JPS5330837A (ru)
DD (1) DD132693A1 (ru)
DE (1) DE2734987C3 (ru)
FR (1) FR2392542A1 (ru)
GB (1) GB1550316A (ru)
NL (1) NL175236C (ru)
SU (1) SU928405A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53120238A (en) * 1977-03-29 1978-10-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor amplifier
CH619329A5 (ru) * 1977-07-15 1980-09-15 Sodeco Compteurs De Geneve
JPS5457921A (en) * 1977-10-18 1979-05-10 Fujitsu Ltd Sense amplifier circuit
JPS59169B2 (ja) * 1977-10-25 1984-01-05 三菱電機株式会社 フリップフロップ回路
FR2412982A1 (fr) * 1977-12-23 1979-07-20 Signetics Corp Circuit amplificateur pour lire et rafraichir de l'information
DE2824727A1 (de) * 1978-06-06 1979-12-13 Ibm Deutschland Schaltung zum nachladen der ausgangsknoten von feldeffekt-transistorschaltungen
US4286178A (en) * 1978-06-12 1981-08-25 Texas Instruments Incorporated Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory
JPS56500109A (ru) * 1979-03-13 1981-02-05
JPS6045499B2 (ja) * 1980-04-15 1985-10-09 富士通株式会社 半導体記憶装置
US4521703A (en) * 1982-08-30 1985-06-04 Rca Corporation High speed sense amplifier
US4589020A (en) * 1982-11-22 1986-05-13 Olympus Optical Co., Ltd. TV video data input apparatus
EP0218238B1 (en) * 1985-10-09 1991-07-03 Nec Corporation Differential amplifier circuit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3795898A (en) * 1972-11-03 1974-03-05 Advanced Memory Syst Random access read/write semiconductor memory
US3838295A (en) * 1973-02-05 1974-09-24 Lockheed Electronics Co Ratioless mos sense amplifier
US3959781A (en) * 1974-11-04 1976-05-25 Intel Corporation Semiconductor random access memory
JPS51128236A (en) * 1975-04-30 1976-11-09 Nec Corp A memory circuit
US4031522A (en) * 1975-07-10 1977-06-21 Burroughs Corporation Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells
US4061999A (en) * 1975-12-29 1977-12-06 Mostek Corporation Dynamic random access memory system
US4039861A (en) * 1976-02-09 1977-08-02 International Business Machines Corporation Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits
US4069475A (en) * 1976-04-15 1978-01-17 National Semiconductor Corporation MOS Dynamic random access memory having an improved sense and restore circuit
US4081701A (en) * 1976-06-01 1978-03-28 Texas Instruments Incorporated High speed sense amplifier for MOS random access memory

Also Published As

Publication number Publication date
GB1550316A (en) 1979-08-08
US4166225A (en) 1979-08-28
NL175236C (nl) 1984-10-01
DD132693A1 (de) 1978-10-18
JPS5330837A (en) 1978-03-23
DE2734987B2 (de) 1979-01-25
DE2734987A1 (de) 1978-02-09
NL175236B (nl) 1984-05-01
NL7708627A (nl) 1978-02-07
FR2392542B1 (ru) 1980-02-22
DE2734987C3 (de) 1981-05-07
FR2392542A1 (fr) 1978-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU928405A1 (ru) Усилитель считывани дл интегрального запоминающего устройства
US5075888A (en) Semiconductor memory device having a volatile memory device and a non-volatile memory device
US4028557A (en) Dynamic sense-refresh detector amplifier
US4103342A (en) Two-device memory cell with single floating capacitor
US4239993A (en) High performance dynamic sense amplifier with active loads
CA1114953A (en) Dynamic sense-refresh detector amplifier
US4069475A (en) MOS Dynamic random access memory having an improved sense and restore circuit
EP0474238A2 (en) Semiconductor memory circuit
EP0243169B1 (en) Sense amplifiers
KR100272903B1 (ko) 반도체 기억 장치
US4336465A (en) Reset circuit
JPS6160517B2 (ru)
SU1076001A3 (ru) Ячейка пам ти дл интегрального матричного накопител
US4508980A (en) Sense and refresh amplifier circuit
US4267465A (en) Circuit for recharging the output nodes of field effect transistor circuits
US4496850A (en) Semiconductor circuit for enabling a quick rise of the potential _on the word line for driving a clock signal line
KR950014256B1 (ko) 낮은 전원전압을 사용하는 반도체 메모리장치
US3971004A (en) Memory cell with decoupled supply voltage while writing
US4069474A (en) MOS Dynamic random access memory having an improved sensing circuit
GB1526419A (en) Static storage elements for electronic data stores
KR940003836B1 (ko) 데이타 감지회로
KR940026963A (ko) 센스증폭회로 및 그의 구동방법
SU1702423A1 (ru) Усилитель считывани дл запоминающего устройства
JPS5864697A (ja) 半導体メモリセル
JPS6014439B2 (ja) リ−ドオンリメモリ回路