SU890907A1 - Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми - Google Patents

Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми Download PDF

Info

Publication number
SU890907A1
SU890907A1 SU802978997A SU2978997A SU890907A1 SU 890907 A1 SU890907 A1 SU 890907A1 SU 802978997 A SU802978997 A SU 802978997A SU 2978997 A SU2978997 A SU 2978997A SU 890907 A1 SU890907 A1 SU 890907A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cadmium sulfide
substrate
solution
films
thiourea
Prior art date
Application number
SU802978997A
Other languages
English (en)
Inventor
А.В. Колпаков
С.М. Контуш
В.В. Сердюк
А.Е. Турецкий
Г.Г. Чемересюк
Original Assignee
Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова filed Critical Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова
Priority to SU802978997A priority Critical patent/SU890907A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU890907A1 publication Critical patent/SU890907A1/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОи. ;ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ, нанесеннык путем .раопыпени  расггвора хп(фиаа кацми  и тиомочевины на нагретую поцпожку, отличающийс  тем, что, с цепью повышени  фоточужггвитиеьности и прр ачности пленок, на поцложку нанос т мовоцисперсный аэрозоль спиртового раствора исхоцнык компонентов концентрации 0,010 ,06 моць/п. (Л СХ) со о со о 4

Description

. Изобретение ctjHocHTCfl к технологии изготовлени  попупровоаников и может найти применение при произвоцстве р ца попупровоаниковых приборов(фоторезисторов , фотопотенциоматров, сопнеч1 ых элементов, безвакуумных аналогов передающих телевизионных трубок). Известен способ получени  полупроводниковых ппенок сульфица кадми  пиро питическим разбрызгиванием. Этот метод состоит в том, что на подложку нагретую до определенной температуры распыл етс  при нормальных атмосзферных услови х .воцшлй раствор хлористого кадми  и тиомочевины Cl 3 . Наиболее близким техническим реш&нием  вл етс  сюсоб получени  фоточувствитепьных ппенок сульфида кадми , нанесенных путем распылени  раствора хлорида кадми  и тиомочевины на нагретую подложку 1,2, Технический процесс получени  ппено заключаетс  в следующем. Водный раство из соединений кадми  и серы наноситс  методом реактивного распылени  на подложку, нагретую до 2ОО С. При этом протекает реакци , в результате которой образуетс  С d 5 . Недостатками известного способа на пыпени   вл ютс  низка  фоточувовтвитепъность пленок (дп  их очувствительно ти наобхоцим отжиг при длительностью пор дка не дели) ,а также мала  проэ рачность дл  света как до,так и после отжига, что св зано с нагшчием структурных дефектов ппенки. . Цепью изобретени   вгшетс  повышение фоточувствитепьности и прозрачности пленок.. Поставленна  цепь достигаетс  тем, что в способе получени  фоточувствитегеьных ппенок сульфида кадми , нанесенных путем распылени  4)аствора хлорида кадми  и тиомочевины на нагретую лоц ложку, на нее нанос т монодиспероный аэрозоль спиртового раствора иоходных компонентов концентрации 0,010 ,06 моль/л. Суишость способа заключаетс  в том что рабочий раствор, приготовленный Смешиванием спиртовых растворов хлорида кaшvra  и тиомочевины, наноситс  в виде монодисперсных аэрозольных (диаметром пор цка 50 мкм) на диэлектрическую подложку, температу ру которой можно мен ть в широких пределах. Аэрозольный режим распыпени  создают прикладыва  между корпусом НЕцгреватеп  на котором находитс  подаониса) и капилл ром с рабочим раствором электрическое напр жение величи; ной 6 кВ, Зар женные капли, срыва сь с остри  капилл ра, движутс  в направлении подложки вдоль силовых линий пол , образу  расход щийс  аэрозольный конус. Вследствие электростатических сил отталкивани  между соседними капл ми последние осаждаютс  на подложке равномерным споем. В процессе попадани  раствора на нагретую подложку на ней протекает химическа  реакци  CdDe2 + {NH2) CCJSI + -baMH cei-t.cOgt , в результате которой образуетс  фоточувствительна  прозрачна  пленка сульфида кадми . При нагревании пленки используют интервал температур подложки ЗвО-БОО С, Пленка, нанесенна  на подложку,нагретую до температуры, меньшей., мало прозрачна и имеет низкую фоточувствительность . Это Г1объ сн етс  присутствием в объеме пленки хлористого аммони , образующегос  в процессе химической реакции нар ду с образованием сульфида кадми . При температуре подложки из указанного выше интервала полностью сублимирован. Использование в данном способе спир ного раствора хлорида кадми  и тиомочевины взамен традигвионного водного раствора, примен вшегос  в процессе реактивного распылени , способствует более стабильному режиму образовани  монодисперсного аэрозол , что в конечном счете приводит к образованию на подложке бопее совершенных по структуре и фотоэлектрическим свойствам ппе- нок . На чертеже приведена схема устано&ки цп  осуществценк  способа пЬпучени  ппенок. Она состоит из генератора моносшсперсного аэрозол  1, емкости с рабочим раствором, источника высокого нап- р жени  3, нагревател  4, на котором расположена подложка 5. Генератор монодисперсного аэрозол  состоит из тонкостенного капилл ра 6 с внутренним диаметром 0,1 мм. Коаксиапьно с капилл ром расположен цилиндрический выт гивающий электрод 7. Межцу капилл ром и выт гивающим эпектродом находитс  изолирующа  фторопластова  прокладка 8. 38 Капипп р соецинен с емкостью 2 трубкой Така  конфигураци  электроцов обеспечивает наибопее приемлемый режим работы генератора. Рабочие напр жени  на выт гивающем электроде и капилл ре поццерживаютс  соответственно 3 и 6 кВ. П р и м е р 1. Дп  приготовлени  рабочего раствора используют хлористый кацмий /Cdtt 22,5 Н2 О / - О,057 г, растворенный в 25 мп спирта, и тиомочевину /( NHg )2С5 / - О,О19 г. растворенную в 25 мп .спирта. Это соответствует концентраци м растворов 0,О1 моль/п. Приготовленные растворы запивают в емкость 2. Ка нагреватепь 4 устанавливают предварительно очищенную стекл нную поапожку 5 (размеры подлож ки 3 х 3 см). Нагревают поцпожку до 450°С. Включают источник высокого напр жени  3, задают рабочие режимы напр жений: 3 кВ между выт гивающим эпектроцом 7 и корпусом нагреватеп  4, а также 6 кВ между капилл ром 6 и корпусом нагревател  4. При указанных .напр жени х осуществл етс  процесс напылени  рабочего раствора в вице моноцисперсного аэрозол  на нагретую подложку 5. Врем  напьшени , необходимое цп  получени  фоточувствительной ппенки сульфида кадми  толщиной 0,1 мк составл ет 12 мин. Из используемого количества рабочей смеси можно получить 14 образцов. П р и м е р 2. Услови  такие же, как и в примере 1. Используют рабочую смесь, состо щую из спиртовых растворов CdCtgi (NH2 ) С 5 концентр цией О,04 мопь/п. Врем  напылени , необхоцимое дл  получени  пленки суль7 фида кадми  толщиной ОД мкм, составл ет 3 мин. Из приготовленного коли- честна рабочей смеси можно получить 57 образцов. Примерз. Условий такие же, как, и в примерах 1 и 2. Мол рные концентрации спиртовых ipacTBopoB хлорида кадми  и тиомочевины 0,06 моль/л. Врем  напылени , необходимое дл  получени  пленки С « 5 толщиной 0,1 мкм, составл ет 2 мин. Из используемого количества рабочей смеси можно получить 86 образцов . Максимальное значениеконцентрации раствора ограничиваетс  растворимостью хлористого кадми  в спирте, а минимальное длительностью процесса напылени , ; На данной установке описанным способом изготовлена сери  фоточувствитель- ных прозрачных пленок сульфида кадми . В зависимости от времени напылени  (2-1.2 мин) и выбранной мол рности растворов получены слои толщиной О,1 0 ,5 мкм. Темнова  проводимость изготовленных пленок составл ет 10 10 Ом . Опт1гческа  прозрачность ц л  длин волн более 520 нм соотавл ет не менее 7О%. Полученные указанным способом пленки Cd 5 зеркальны, механически прочны , обладают хорошей ацгезией с подложкой и имеют высокую фоточувствительность без проведени  дополнительных очувствл$пощих обработок (кратность фототока при освещенности 200 люкс постигает 10). Рентгенографическими исследовани ми установлено, что кристаллическа  структура пленок в основном гексагональна.

Claims (1)

  1. . СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ, нанесенных путем -распыления раствора хлорида кадмия и тиомочевины на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с цепью повышения фоточувствитлеьности и прозрачности пленок, на подложку наносят мо— нодисперсный аэрозоль спиртового раствора исходных компонентов концентрации 0,01- : 0,06 мопь/п.
SU802978997A 1980-08-19 1980-08-19 Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми SU890907A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802978997A SU890907A1 (ru) 1980-08-19 1980-08-19 Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802978997A SU890907A1 (ru) 1980-08-19 1980-08-19 Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU890907A1 true SU890907A1 (ru) 1983-09-30

Family

ID=20916617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802978997A SU890907A1 (ru) 1980-08-19 1980-08-19 Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU890907A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998002241A1 (en) * 1996-07-11 1998-01-22 The University Of Cincinnati Electrically assisted synthesis of particles and films with precisely controlled characteristics
CN106967962A (zh) * 2015-11-16 2017-07-21 应用材料公司 低蒸汽压气溶胶辅助的cvd
RU2651212C1 (ru) * 2017-03-23 2018-04-18 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Способ получения пленок сульфида кадмия на монокристаллическом кремнии

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. ChamberПп R.R., Skarman J.S. Effect of reactant mitrogen pressure of the microstructure and properties of reactively sputtered Cd S films. J.Electrochem. Soc, 113, p.86, 1966. 2. Мартинуии С. и цр. Свойства ппёнок С d 5 , попученных метоцом pea тивного распылени . Сопнечна энергети- ка , М.,. Мир, 1979 (прототип). *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998002241A1 (en) * 1996-07-11 1998-01-22 The University Of Cincinnati Electrically assisted synthesis of particles and films with precisely controlled characteristics
CN106967962A (zh) * 2015-11-16 2017-07-21 应用材料公司 低蒸汽压气溶胶辅助的cvd
CN106967962B (zh) * 2015-11-16 2021-03-09 应用材料公司 低蒸汽压气溶胶辅助的cvd
RU2651212C1 (ru) * 2017-03-23 2018-04-18 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Способ получения пленок сульфида кадмия на монокристаллическом кремнии

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4371740A (en) Conductive elements for photovoltaic cells
DE19642419A1 (de) Verfahren und Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung einer Antireflexionsbeschichtung
JP3681870B2 (ja) 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池
JP2004015041A (ja) 化合物薄膜太陽電池の製造方法
Garcia et al. Preparation of highly photosensitive CdSe thin films by a chemical bath deposition technique
CN109888049B (zh) 无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法
SU890907A1 (ru) Способ получени фоточувствительных пленок сульфида кадми
US4201453A (en) Liquid crystal cell having an insulating layer of a silicon oxide base
US4159914A (en) Photovoltaic cell
US5009928A (en) Method for forming a transparent conductive metal oxide film
DE1496590C3 (de) Verfahren zur Herstellung von warme reflektierenden SnO tief 2 Schichten mit reproduzierbaren optischen und elektrischen Eigenschaften auf Tragern
RU2072379C1 (ru) Антистатический прозрачный состав для покрытия экранов, способ его получения и способ получения видиодисплея с его использованием
CA1239759A (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coating
KR0176291B1 (ko) 초음파 분무법에 의한 산화아연계 및 산화아연/산화주석 이중층 투명전도막의 제조방법
SE9602269L (sv) Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper och förfarande för framställning av densamma
DE3632210A1 (de) Verfahren zur herstellung eines photoelektrischen umwandlungsfilms
US3248261A (en) Photoconducting layers
CN113106535B (zh) 一种二维钙钛矿单晶的制备方法
US3238062A (en) Photoconductor preparation
JPS62213281A (ja) 透明導電膜
JPH0421638B2 (ru)
USRE30147E (en) Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath
JP3734848B2 (ja) 透明導電材の形成方法
Huang et al. Chemical deposition of thin films of copper sulfide on glass surfaces modified with organosilanes
JPS61186478A (ja) 導電被膜の形成方法