SU751158A1 - Способ ионной цементации стальных деталей - Google Patents
Способ ионной цементации стальных деталей Download PDFInfo
- Publication number
- SU751158A1 SU751158A1 SU782594155A SU2594155A SU751158A1 SU 751158 A1 SU751158 A1 SU 751158A1 SU 782594155 A SU782594155 A SU 782594155A SU 2594155 A SU2594155 A SU 2594155A SU 751158 A1 SU751158 A1 SU 751158A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ion
- steel parts
- carbon ions
- casehardening
- cementation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
СПОСОБ ИОННОЙ ЦЕМЕНТАЦИИ СТАЛЬНЫХ ДЕТАЛЕЙ, включающий обработку детали-катода ионами углерода с использованием графитового электрода , отличающийс тем, что, с целью повьшени скорости цементации и обеспечени возможности проведени процесса при атмосферном давлении, сначала получают в дуговом разр де ионы углерода, затем на графитовый электрод подают положительный потенциал, а на обрабатьшаемую деталь - отрицательный.
Description
ел
СП
00 Изобретение относитс к области машиностроени и может быть использовано при науглероживании поверхности металлических изделий с целью придани им повышенной твердости, износоустойчивости. Известен способ цементации стали с использованием тлеющего разр да. Этот способ заключаетс в том, что обрабатываемую деталь-катод бомбардируют ионами углерода, образующими с в тлеющем разр де между деталью анодом в углеводородной среде. Давл ние газовой среды при этом не превы шает 20-30 мм рт.ст. Однако существующий способ цемен тации трудно реализовать в промьш1ле ности, так как используетс понижен ное давление, что усложн ет оборудо вание и увеличивает его стоимость. Под действием бомбардировки ионов , имеющих в вакуумной среде значительную длину свободного пробега и высокую вследствие этого скорость по вл етс возможность перегрева и оплавлени поверхностей изделий осо бенно профильных, а также обезуглероживани вызванного распьшением ад сорбционного сло углерода ионами плазмы тлеющего разр да.. Целью насто щего изобретени вл етс повьш)ение скорости цементации и возможности проведени процесса при атмосферном давлении. Поставленна цель достигаетс тем, что карбюризатор подают в дуго вой разр д, ионизируют его там, а затем из дугового разр да ионы углерода попадают в несамосто тельный разр д между графитовым анодом и деталью-катодом при нормальном давлении. I . Пример . Предлагаемый способ плазменной цементации реализуют в устройстве, состо щем из двух коаксиальных полых электродов. Во внутренний электрод-анод помещают образец , представл ющий собой кругльп стержень 20 мм; 1 30 мм из стали 20X13. В качестве науглероживающей среды используют пропан-бутан, сначала его подают в область между электродами, где под действием электромагнитного пол перемещаетс дуга посто нного тока с температурой 12000 К, ионизируетс там (ионизаци углеводородного газа составл ла до 10%), а затем в ионизированном состо нии поступает в зону несамосто тельного разр да между анодом и образцом. Напр жение между анодом и образцом поддерживают равным 500 В и обеспечивают перемещение ионов углерода к образцу, который играет роль второго катода. При помощи введенного в электрическую цепь катод-образец регулировочного сопротивлени плотность ионной бомбардировки регулируют в широких пределах (практически.от 0,1 до 10 шА/см) температуру образца регулируют мощностью дуги независимо от тока несамосто тельного разр да через образец. На глубину (S) и степень насыщени оказывают вли ние следующие параметры: мощность дугового разр да Рп,температура образца Товр, плотность ионного тока, врем обработки образцов. Данные о параметрах режимов обработки некоторьпс образцов приведены в таблице. Как видно из таблицы врем , затрачиваемое на обработку образцов способом плазменной цементации, по сравнению q обычными способами цементации , сокращено в 5-8 раз, что позволит существенно повысить производительность . Цементаци проводитс при атмосферном давлении и не требует специального вакуумного оборудовав ни , что приводит к снижению затрат на оборудование. 4,32 10 970 0,63 0,25 5,1 , 15 1000 0,76 0,4 5,45 20 1100 1,14 0,8 6,4 15 1050 0,76 0,55 Насыщение по глубине равномерное На глубине до 0,4 мм образуетс небольшое количество карбидов На глубине до 0,5 мм наблюдаетс пересыщение (ледебурат), на глубине 0,6-0,8 мм распределение карбидной фазы равномерное Аналогично образцу № 4 На глубине до 0,3 мм зона, пересыщени ,на глубине 0,3-0,55 мм равномерное распределение карбидов
Claims (1)
- СПОСОБ ИОННОЙ ЦЕМЕНТАЦИИ СТАЛЬНЫХ ДЕТАЛЕЙ, включающий обработку детали-катода ионами углерода с использованием графитового электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости цементации и обеспечения возможности проведения процесса при атмосферном давлении, сначала получают в дуговом разряде ионы углерода, затем на графитовый электрод подают положительный потенциал, а на обрабатываемую деталь - отрицательный.сл QO
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782594155A SU751158A1 (ru) | 1978-03-21 | 1978-03-21 | Способ ионной цементации стальных деталей |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782594155A SU751158A1 (ru) | 1978-03-21 | 1978-03-21 | Способ ионной цементации стальных деталей |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU751158A1 true SU751158A1 (ru) | 1988-02-23 |
Family
ID=20755113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782594155A SU751158A1 (ru) | 1978-03-21 | 1978-03-21 | Способ ионной цементации стальных деталей |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU751158A1 (ru) |
-
1978
- 1978-03-21 SU SU782594155A patent/SU751158A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Журнал Металловедение и термообработка металлов, № 8, 1961, стать Ванина B.C. Высокотемпературна цементаци . * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2946708A (en) | Nitriding with electric glow discharge | |
US5503725A (en) | Method and device for treatment of products in gas-discharge plasma | |
US5078848A (en) | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam | |
US5015493A (en) | Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge | |
Proskurovsky et al. | Use of low-energy, high-current electron beams for surface treatment of materials | |
RU2413033C2 (ru) | Способ плазменного азотирования изделия из стали или из цветного сплава | |
SU751158A1 (ru) | Способ ионной цементации стальных деталей | |
Zeitoun-Fakiris et al. | On the dose of bombarding residual gas ions for influencing pre-breakdown field emission in a vacuum | |
DE10190781D2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Plasmabehandeln der Oberfläche von Substraten durch Ionenbeschuss | |
Akhmadeev et al. | Plasma sources based on a low-pressure arc discharge | |
US20010029896A1 (en) | Rotating device for plasma immersion supported treatment of substrates | |
KR100375334B1 (ko) | 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법 | |
RU2611003C1 (ru) | Способ ионного азотирования титановых сплавов | |
RU2039845C1 (ru) | Способ вакуумной обработки внутренней поверхности труб | |
RU2711067C1 (ru) | Способ ионного азотирования в скрещенных электрических и магнитных полях | |
Zenin et al. | Narrow-aperture electron beam in the forevacuum pressure range as a tool for dimensional processing of silica glass | |
Parkansky et al. | Arc erosion reduction on electrical contacts using transverse current injection | |
RU2777796C1 (ru) | Устройство для азотирования в разряде | |
JPH08170182A (ja) | 金属の表面処理方法及びこの方法によって処理された基板 | |
SU721864A1 (ru) | Способ обработки электродов высоковольтных вакуумных промежутков | |
RU2656191C1 (ru) | Устройство для обработки изделия из стали в плазме тлеющего разряда | |
SU1534092A1 (ru) | Способ химико-термической обработки металлов и сплавов | |
Ikegami et al. | A metal ion source for the cyclotron has been developed to accelerate metal ions in the cyclotron. The structure and function of this source were already described before. I) In this report we describe production and acceleration of several metal ions (Li2+, Be 3+, and B3+) in the cyclotron. As the materials to charge, single crystal of LiF, single crystal of B2 3, boron nitride and | |
Pogrebnyak et al. | High-speed plasma jet modification and doping of α-Fe | |
JPH06506986A (ja) | ガス放電プラズマ中での製品の処理方法と装置 |