SU732408A1 - Method of chrome-plating - Google Patents
Method of chrome-plating Download PDFInfo
- Publication number
- SU732408A1 SU732408A1 SU782636824A SU2636824A SU732408A1 SU 732408 A1 SU732408 A1 SU 732408A1 SU 782636824 A SU782636824 A SU 782636824A SU 2636824 A SU2636824 A SU 2636824A SU 732408 A1 SU732408 A1 SU 732408A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- chromium
- zone
- iodide
- deposition
- synthesis
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/10—Deposition of chromium only
Description
(54) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ХРОМОВЫХ ПОКРЫТИЙ(54) METHOD FOR APPLYING CHROMIUM COATINGS
1one
Изобрете1ше относитс к нанесению металлических покрытий, в частности хромовых, путем разложени летучих соединений металла на нагретой поверхности, и может быть использовано в машиностроении , металлургии и других отрасл х. народного хоз йства при создании конструкций с защитными коррозиогаюстой-The invention relates to the application of metallic coatings, in particular chromic, by decomposing volatile metal compounds on a heated surface, and can be used in mechanical engineering, metallurgy and other industries. national economy in the creation of structures with protective corrosion-resistant
кими. эрозионностойкими и т.п. покрыти ми .kimi erosion resistant, etc. coverings.
Широко известен способ нанесени металлических покрытий путем химического транспортного переноса, осуществл емый в замкнутом объеме, в проточной системе или в псевдозамкнутом объеме lA widely known method of applying metallic coatings by chemical transport is carried out in a closed volume, in a flow system or in a pseudo-closed volume l
Наиболее близким к предложенному вл етс способ нанесени хромовых покрытий на поверхность изделий путем йодидного химического транспортного переноса металла в псевдозамкнутом объеме из нагретой зоны синтеза йодида хрома ,в зону его разложени к нагретой поверхности покрываемого издели тфи , пониженном давлении в системе, причемThe closest to the proposed is a method of applying chromium coatings on the surface of products by chemical iodide transport of metal in a pseudo-closed volume from the heated synthesis zone of chromium iodide, into its decomposition zone to the heated surface of the coated article, and under reduced pressure in the system.
давление в зоне синтеза превышает давление в зоне разложени 2.. При осуществлении процесса в зоне синтеза создают температуру 60О-85О С, а в зоне разложени (осаждени хрома) - 7005 1200С.the pressure in the synthesis zone exceeds the pressure in the decomposition zone 2. When the process is carried out in the synthesis zone, the temperature is 60 ° -85 ° C, and in the decomposition zone (deposition of chromium) 7005 ° C.
Основным йедостатком этого способа вл етс мала скорость осаждени хрома при относительно шгаких температурах The main disadvantage of this method is the low rate of deposition of chromium at relatively harsh temperatures.
10 разложени (бЗО-ООО С). В частности, при температурах в зоне синтеза 7ООо 10 decomposition (BSO-LLC C). In particular, at temperatures in the zone of synthesis 7OOO
75О Сив зоне разложени - 850-90ОС75O Siv decomposition zone - 850-90OS
скорэсть осаждени хрома составл ет 2-4О мкм/ч. Сравнительно высокие тем15 пературы осаждени (более 90О С), при которых возможен эффективный перенос хрома, не могу использоватьс прн нанесении покрытий на издели изготовленные из термически нестабильных легкоЯ ) плавких и химически активных к используемой газовой среде aтepнaлoв, а также при нан«:ении хрома на атериальг вследствие их спекае юстн. Цель изобретени - повьгшевд1е скорости осаждени хрома при награде ЛИЙ до 55О-90О с. Поставленна цель достигаетс тем, что процесс ведут тзи нагреве жэны с№ теза до 7ОО-110О С, но не ниже температуры новерхности покрываемых нз делий и давлений в ней 2,1-15,0 корр. Вьюока температура (700-110О С| в зоне синтеза йодида хрома и дав-пе-гmie 2,1-15,0 торр, которое превышает критическое, соответствующее чачалу вьзделени металлического хрома при вьгбранной температуре, обеспечивают до таточно интенсивный поток паров йодида что в сочетании с ниакой температурой покрываемых изделий 550-90О°С и дав лением 1,0-10 - 1,5« в зоне разложени обуславливает устранение недостатков , присуших известному способу П р и м е р. В вакуумную камеру объемом Ю дм помешают плоскую на- греваемую подложку и на рассто нии нвс кольких сантиметров перпендикул рно, к её плоскости располагают трубчатый синтезатор диа етром 10-20 мм и длиной мкм, изготовленный из кварцевого стекла или молибдена и заполненный чешуйчатым электролит гческим хромом. Синтезатор соедин ют с испарителем йода, обогреваемым паропроводом через вентиль, обеспечивающий регулирование скорости подачи паров йода. Камеру откачивают до давлени I- 10 -1-ICJ opp, устанавливают Tpe6yeviHe температуры подложки и синтезатора, после чего откры&ают вентктаэ испаритол йода и устанавливают давле.ние в -зоне синтеза йодида хрома (,О торр) и давле/«i . ние Б вакууг ной ( 1,0- 10 1 ,5 10 торр). Температуру испарител йода поддерживают на уровне 50-80 С. После выдержки испарител йода и синтезатора йодида крома в течение 3045 мин при заданных температурах открывают вентиль испарител и направл ют пары йода в синтезатор. Услови проведеган процесса и результаты представлены в таблице.The rate of chromium deposition is 2-4 O micron / hr. Relatively high temperatures of deposition (more than 90 ° C), at which effective transfer of chromium is possible, I cannot use pnn coating on products made of thermally unstable light Fusible and chemically active additives to the gaseous medium used, as well as in the application of chromium on aterialg owing to their cure yustn. The purpose of the invention is to reduce the chromium deposition rate when the LIU is awarded up to 55O-90O. The goal is achieved by the fact that the process is carried out by the CHI heating of the chen from room number to 7OO-110 ° C, but not lower than the surface temperature and the pressure in it are 2.1 to 15.0 corr. The temperature in the zone (700–110 O C | in the zone of synthesis of chromium iodide and a pressure of 2.1–15.0 Torr, which exceeds the critical value, corresponding to the initial distribution of metallic chromium at selected temperature, ensures a sufficiently intense flow of iodide vapors The combination of the temperature of the coated products with 550-90 ° C and a pressure of 1.0-10-1.5 "in the decomposition zone determines the elimination of the drawbacks of the known method. EXAMPLE - heated substrate and at a distance of two centimeters Perpendicularly, a tubular synthesizer with a diameter of 10–20 mm and a micron length, made of quartz glass or molybdenum and filled with a scaly electrolytic chromium, is placed in its plane. iodine. The chamber is pumped out to a pressure of I-10 -1-ICJ opp, the temperature of the substrate and the synthesizer is set to Tpe6yeviHe, after which ventctae are opened and the iodine is evaporated and the pressure is set in the iodide synthesis zone xp ma (Oh torr) and PRESSURE / «i. B vacuum generation (1.0-10 1, 5 10 Torr). The temperature of the iodine vaporizer is maintained at 50-80 ° C. After holding the evaporator iodine and the chrome iodide synthesizer for 3045 minutes, the evaporator valve is opened at given temperatures and the iodine vapor is sent to the synthesizer. The conditions of the process and the results are presented in the table.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782636824A SU732408A1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of chrome-plating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782636824A SU732408A1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of chrome-plating |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU732408A1 true SU732408A1 (en) | 1980-05-08 |
Family
ID=20773675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782636824A SU732408A1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of chrome-plating |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU732408A1 (en) |
-
1978
- 1978-06-30 SU SU782636824A patent/SU732408A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3356527A (en) | Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds | |
US5175020A (en) | Process for depositing a layer containing boron and nitrogen | |
ATE110795T1 (en) | PLASMA PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF PLASMA DISCHARGE COATINGS AT LOW TEMPERATURE. | |
US3031338A (en) | Metal deposition process and apparatus | |
DE69636627D1 (en) | CHEMICAL GAS PHASE DEPOSITION AND POWDER FORMATION USING A THERMAL SPRAYING METHOD FROM LONG-TERM SUPERCITIC AND SUPERCRITICAL FLUID SOLUTIONS | |
NZ235700A (en) | Preparing reactant gas for glass coating by injecting liquid precursor as film on vapourisation chamber wall | |
GB483029A (en) | Improvements in and relating to the deposition of metallic films from metal vaporised in vacuo | |
US3472679A (en) | Coating surfaces | |
US4714625A (en) | Deposition of films of cubic boron nitride and nitrides of other group III elements | |
US3321337A (en) | Process for preparing boron nitride coatings | |
SU732408A1 (en) | Method of chrome-plating | |
EP0349044A3 (en) | Process for the production of a protective film on a magnesium-based substrate, application to the protection of magnesium alloys, substrates thus obtained | |
US5521001A (en) | Carbide formed on a carbon substrate | |
US3703405A (en) | Vapor deposition of rhenium and rhenium-tungsten alloy coatings | |
JPS5489983A (en) | Device and method for vacuum deposition compound | |
US3472680A (en) | Low temperature process for pyrolytic deposition of zirconium oxide films | |
JPS5832229B2 (en) | Vacuum containers and vacuum equipment parts coated with metal nitride | |
US2873208A (en) | Deposition of refractory metals and alloys thereof | |
Dugdale | Soft vacuum vapour deposition | |
Vandenbulcke et al. | Low-pressure gas-phase pack cementation coating of complex-shaped alloy surfaces | |
US3781173A (en) | Method for providing metallic carbide coatings on graphite | |
JPS6334222B2 (en) | ||
JPS57123969A (en) | Formation of zinc oxide film by vapor phase method using plasma | |
US3787225A (en) | Aluminum plating process | |
USRE26857E (en) | Process for manufacture of thin films |