SU652829A1 - Полупроводниковый преобразователь - Google Patents
Полупроводниковый преобразователь Download PDFInfo
- Publication number
- SU652829A1 SU652829A1 SU762392556A SU2393556A SU652829A1 SU 652829 A1 SU652829 A1 SU 652829A1 SU 762392556 A SU762392556 A SU 762392556A SU 2393556 A SU2393556 A SU 2393556A SU 652829 A1 SU652829 A1 SU 652829A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- generator
- semiconductor
- common layer
- contacts
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области полупроводниковой электроники, в частности к безвакуумным фотоэлектрическим .устройствам, осуществл ющим сканирование и автоматический контроль пара- метров, поступающик на вход устрй Яст- ва в виде пространственного распршелени освещенности.
Известны полупроводниковые устройстёа , осуществл ющие преобразование пространственного распределени освещенности в электрический .сигнал 1.
Из известных устройств полупроводниковых преобразователей энергии светового излучени в электрический сигнал наиболее близким по технической сущности вл етс устройство, выполненное на основе полупроводниковой структуры, имеющей общий слой, снабженный токоотвод щей шиной, делительный слой типа проводимости общего сло , снабженный двум омическими контактами, и анизотропно провод щий базовый слой противоположного типа проводимости, содержащий генератор пилообразного напр жени , источник посто нного смешени , подключенный параллельно делительному слою, и усилитель считывани 2.
При работе этого устройства сигнал, выделенный дифференциальным усилителем считывани , пропорционален освещенности той области линейки фоточувствительных элементов базового сло , где в данный момент времени находитс нулева эквипотенциаль, положение которой задаетс генератором пилообразного напр жени .
Основные недостатки данного устройства следующие: узкий диапазон изменени скоростей сканировани и невозможность работы в статическом режиме и режиме медленного сканировани , а также низка порогова чувствительность и разрешающа способность; жестко заданна апертура сканировани , определенна формой вольтамперной характеристики элементарной чейки устройства , содержащей два встречно включен6 НЫХ диода, что огра)Е1ичивает возможности функциональной обработки оптическог-Ь сигнала; ограниченна скорость сканировани и низка чувствительность выданной волновой области спектра све, тьвого излучени ,Целью-изобретени вл етс расшире ние диапазона изменени скорости счи- тывани сигнала, улучшение пороговой чувствительности и разрешаюидей споср&ности полупроводникового преобразователи SHepf-ji и светового излучени в электрический сигнал. Дл достижени этой цели в полупроводниковом преобразователе энергии светового излучени в электрический сигнал на основе полупроводниковой структуры, имеющей общий слой, снабженный токо- отвод щей Ц1ИНОЙ, делительный слой типа проводимости общего сло , снабженный двум омическими контактами, и анизотропно провод щий базовый слой противоположного типа проводимости, содержащий генератор пилообразного напр 5 ени . Источник посто нного смешени , подключенный параллельно делительному слою, и усилитель, считывани , полупроводникова структура дополнительно содержит второй делительный слой типа проводимос ти общего сло , к контактам которого подключен генератор пилообразного напр жени последовательно с усилителем считывани , а второй генератор пилообразного напр жени последовательно с вторым усилителем считывани подключе к контактам другого делительного сло , причем оба усилител считывани подсое динены к входу сумматора, а общий слой изолированно расположен между делитель ными сло ми, и его. токоотвод ща щина соединена с областью того же типа про- вбдймости дополнительно включенного ди ода ;,.;... . . : . ; , . . С целью ра:сщирени возможностей функциональной обработки оптического сигнала последовательно с каждым генератором пилообразного напр жени включен Генератор управлени , С целью повышени скоростй сканиро вани и расширени области спектрально чувствительности между участками базо вого сло и общим слоем включен i -юло а делительные слои выполнены из материала , врем жизни носителей в которых ниже, чем врем жизни в общем слое. На фиг. I показана бл ок- ;хема предлг .гаёмого полупрбводникоРОТо преоёраэо вател энергии светового излучрни в 94 электрический сигнал; на фиг. 2 - часть электрической схемы преобразовател . Полупроводниковый преобразователь содержит полупроводниковую структуру, выполненную на подложке, в качестве которой мджeV быть вз т исходный монокристалл , например n-bi с большим временем жизни. На данной подложке созданы общий слой 1, делительные слои 2 и 3, раздел ющие области 4 ц 5. В общем слое 1 сохранено врем жизни исходного Монокристалла, а в делительных сло х 2 и 3 врем жизни специально снижено. Линейка фоточувствительных элементов образована участками базового сло 6, противоположного типа проводимости общего сло 1, и материала общего сло 1. К контактам 7-8 и 9-10 делительных слоев 2 и 3 параллельно подключень1 источники 11, 12 посто нного смещени . К контактам 7, и 9 последовательно подключены генераторы 13 и 14 пилообразного напр жени и усилители 15 и 16 считывани . В случае оперативного управлени апертурой сканировани последовательно с блоками 13 и 14, 15 и 16 включены генераторы 17 и 18 управлени апертурой (фиг, 2). Усилители 15 и 16 считывани по отдельности подключены ко входу сумматора 19, Обща токоотвод ща шина 20 подключена к и -области диода 21. В случае исполь- зованч р- i -п диодов i -область включена между дискретными участками базо вого сло 6 и общей п-областью 1. Полупроводниковый преобразователь работает следующим образом. В исходный момент времени (.Q) на участки дискретной базовой области 6, например по линии А-Л , спроецировано регистрируемое линейное распределение освещенности. Источники 11 и 12 посто нного смещени создают линейное падение напр жени Е и Ц, причем , например, на левом конце структуры , а на правом ,,E NEIJE; ; где N - число элементов линейки, а Е; и Е - соответственно, падени напр жени на верхнем и нижнем концах баэовогр участка первого элемента линейки . При t г+. напр жение на выходах генераторов 13 и 14 равно нулю. Поскольку дискретны : участки базового сло 6 образуют с пелит«гл1.ными 5. . сло ми 2 и 3 р- и - переходы, падение напр жени , например, на р-област фотодиодов линейки - U оказываетс только положительным. Таким образом. все фотодиоды линейки оказываютс см щенными в обратном направлений, и фо тоток через каждый фотодиод пропорционален освещенности этого элемента. В первый момент времени (t 1, ) начинаетс электрическое сканирование элементов линейки. Значени напр жени на выходе генератора 13 пилообраз ного напр жени устанавливаетс отрицательным и равным , а на выходе генератора 14 положитель ным и равным uVt-V-E В результате на первом фоточувстви тельном элементе устанавливаетс нулевое падение напр жени и , j 1 11 i а на всех последующих элементах устанавливаетс положительное смешение, В результате ток через первый элемент оказываетЬ равным нулю, ибо вольт-амперна характеристика первого элемента с учетом встречно включенног диода 21 дает нулевое значение тока при нулевом смещении на чейке. Таким образом, в цепи делительного сло 2 ток будет равен нулю, а ток в цепи делительного сло 3 будет равен ёумме токов через все элементы линейки, кром первого, и этот ток будет регистрироватьс сумматором 19. В м «-Й момент времени (t.tf,) значение падени напр жени на выходе генератора 13 установитс равным / П11 а йа выходе генератора 14 U /t--t I |Uс V nU nfc Таким образом на п -и чейке устанавливаетс нулевое падение напр жени а на всех последующих и предыдущих чейках устанавливаетс положительное смешение, соответственно ток в цепи делительного сло 2 будет равен сумме 29 токов через все предыдущие элементы линейки, а ток в цепи делительного сло 3 будет равей сумме токов через все последующие элементы линейки (при этом ток через ц - элемент равен нулю, а 1ерез остальные элементы линейки пропорционален их освещенности). Дальнейшее изменение U и u по времени приводит к сканированию по всей длине структуры. Видеосигнал формируетс в сумматоре 19 в вийе модул ции посто нной составл ющей, равной интегральному току через всю линейку. Сканирование эквивалентно последовательному перемещению невид щей точки по всей линейке. Посто нна составл юща формируетс с MoMei Ta времени t-t,. При необходимости оперативно управл ть апертурой устройство работает следующим образом. Пусть необходимо расширить апертуру сканировани в момент опроса h -го и п 1-го элементов. Тогда в to -и момент времени (t-tf,) начинают формироватьс напр жени F и F на выходах двух дополнительных генераторов 17 и 18 управлени апертурой, включенных последовательно с генераторами пилообразного напр жени u и U . В моменты времени t. и t . измен ютс .1 посто нные составл ющие сигналов и и счет суммировани этих сигналов С сигналами F и F . Суммарный сигнал обеспечивает такое распределение потенциалов по линейке фотодиодов U, что на чейках номера п и ntlUg O. Соответственно, фототок через эти чейки равен нулю, а токи через все остальные чейки пропорциональны их освещенности . Число чеек, наход щихс под нулевым напр жением, зависит от амплитуды управл ющего, импульса, и может из-, мен тьс К1аждый такт работы устройства . Таким образом, осуществл етс оперативное управление апертурой сканировани без перестройки устройства. В случае использовани р-i-n фотодиодов устройство работает следующим образом. В исходном состо нии регистрируемое распределение освещенности создает электронно-дырочные пары. ТТоложитольное смешение на линейке достаточно дл того, чтобы область объемного зар да распространилась на всю область, электронно.ырочныс пары дрейфуют в этом поле объемного зар да к р-п-переходу и раздел ютс им.
За счет дрейфового перемещени носиалей увеличиваетс собирание носитеей , созданных длинноволновым, т„ е. лубоко проникающим светом, чем достиаетс расширение области спектральной увствительности в длинноволновую стоону . За счет дрейфового перемещени носителей ускор етс разделение пар, созданных светом, р-п - переходом, т. е. увеличиваетс быстродействие устройства . Переключение ключевых элементов осуществл етс за врем , лтугитируемое временем жизни носителей в делительных област х, где оно специально сниже-. но.
Данное устройство полупроводникового преобразова тел энергии светового излучени в электрический сигнал обладает следующими преимуществами перед соответству|ощими известными устройствами. Этот полупроводниковый преобразователь позвол ет расширить диапазон изменени скоростей считывани как в сторону малых скоростей, включа статический режим работы, так и в сторону высоких скоростей, за счет изменени механизма формировани видеосигнала. В известных устройствах видеосигнал формируетс как разностный сигнал двух положений сканирующей апертуры. Tertepb видеосигнал формируетс одним положением сканирующей апертуры непосредственно как значение фототока, протекающего через сумматор . Усилители 15 и 16 считывани теперь не должны быть дифференцирующими . Следовательно, снимаютс ограничени на изменени скорости сканировани как в сторону больших, так и в сторону малых скоростей, включа и статический режим работы устройства.
Данное устройство .полупроводникового преобразовател имеет более высокую чувствительность, чем соответствующие известные устройства. Действительно, использование исходного р-члатериала с большим временем жизни дл построени линейки фоточувствительных элементов позвол ет подн ть квантовую эффективность преобразовани световой энергии в электрический сигнал.
Кроме того, предлагаемое устройство имеет более высокую разрешающую способность чем соответствующие известные устройства; за счет использовани только положительных и нулевого значений смещени на структуре фоточувствительной лт нёйки без отрицательных значений удаетс уменьшить апертуру сканировани
ОТ двух до четырех раз и, следовательно , повысить разрешающую способность в два-четыре раза.
Кроме того, предлагаемый полупроводниковый преобразователь позвол ет расширить возможности функциональной обработки оптического сигнала управлени размерами сканирующей апе ртуры за сче дополнительного включени в цепи делительных слоев генерато ров управлени апертурой.
Управление апертурой может осуществл тьс оперативно по результатам предыдущего цикла сканировани . Апертура может быть изменена за период одного сканировани линейки несколько раз, и каждый раз могут опрашиватьс новые группы элементов и новое количество элементов.
Кроме того, это устройство пблупроводникового преобразовател позвол ет расширить область спектральной чувствительности и повысить быстродействиеприбора за счет использовани р- i - п фотодиодов в качестве чувствительных элементов линейки и быстродействующих ключевых, образованных делительными сло ми с пониженным временем жизни и участками базового сло .
Действительно, р-i-п фотодиоды обеспечивают собирание носителей зар да , созданных светом, с глубин -3080 мкм, что перекрывает практически всю длинноволновую область чувствительности кремни . Дрейфовое перемещение зар дов вместо диффузионного позвол ет ускорить получение фотоответа, а снижение времени жизни носителей в делительных сло х - ускорить процесс коммутации линейки.
Чувствительность прибора может быт повышена на 40%, а разрешающа способность , св занна с уменьщением величины апертуры сканирующей области, соответственно в 2,5 раза.
Claims (3)
1. Полупроводниковый преобразователь энергии светового излучени в электри- ческий сигнал на основе полупроводниковой структуры, имеющей общий слой, снабженный то соотвод щей шиной, делительный слой типа проводимости общего сло , снабженный двум омическими контактами , и анизотропно провод щий ба-
зовый слой противоположного типа проводимости , содержащий генератор пилообразного напр жени , источник посто нного смещени , подключенный параллельно делительному слою, и усилитель считывани , отличающийс тем, что, с целью расщирени диапазона изменени скорости считывани сигнала, улучшени пороговой чувствительности и разрещающей способности, полупровод- никова структура дополнительно содержит второй делительный слой типа проводимости общего сло , к контактам которого подключён генератор пилообразного напр жени последовательно с усилителем считывани , а второй генератор пилообразного напр жени последовательно с вторым усилителем считывани подключен к контактам другого делительного сло , причём оба усилител считывани подсое- динены к входу сумматора, а общий слой изолированно расположен между делительными сло ми, и его токоотвод ща щина соединена с областью того же типа проводимости дополнительно включенного диода .
2.Преобразователь по п. 1, о т л и чающийс тем, что, с целью расширени возможностей функциональной обработки оптического сигнала, последовательно с каждым генератором пилообразного напр жени генератор управлени апертурой.
3.Преобразователь по пп. 1 и 2, отличающийс тем, что, с целью повышени скорости сканировани и расщирени области спектральной чувствительности , между участками базового сло и общим слоем включен -юлой, а делительные слои выполнены из материала , врем жизни носителей в которых ниже, чем врем жизни в общем слое.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
1.Патент США № 3668408,
кл, 250/219 D , опублик. 06.О6.72.
2.Берковска К, Ф. Безвакуумный телевизионный преобразователь изображени - сканистор. Полупроводниковые приборы и их применение Под ред.
Я. И. Федотова, М., Сов. радио, 1968, вып. 20.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762392556A SU652829A1 (ru) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Полупроводниковый преобразователь |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762392556A SU652829A1 (ru) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Полупроводниковый преобразователь |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU652829A1 true SU652829A1 (ru) | 1980-03-15 |
Family
ID=20673140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762392556A SU652829A1 (ru) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | Полупроводниковый преобразователь |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU652829A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006036080A1 (fr) * | 2004-09-02 | 2006-04-06 | Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'osoboe Konstruktorskoe Byuro Sistem Abtomatizirovannogo Proektirovaniya' | Circuit integre sans contacts |
-
1976
- 1976-08-03 SU SU762392556A patent/SU652829A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006036080A1 (fr) * | 2004-09-02 | 2006-04-06 | Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'osoboe Konstruktorskoe Byuro Sistem Abtomatizirovannogo Proektirovaniya' | Circuit integre sans contacts |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3833762A (en) | Solid state integrating, image motion compensating imager | |
Vieira et al. | Three transducers embedded into one single SiC photodetector: LSP direct image sensor, optical amplifier and Demux device | |
US4482804A (en) | Photosensor array wherein each photosensor comprises a plurality of amorphous silicon p-i-n diodes | |
US4577052A (en) | AC Solar cell | |
US4271435A (en) | Scanning type readout device | |
US4431914A (en) | Photoelectron switching in semiconductors in the picosecond time domain | |
SU652829A1 (ru) | Полупроводниковый преобразователь | |
US3840741A (en) | Semiconductor delay line detector for equalization of optical fiber dispersion | |
US4282541A (en) | Planar P-I-N photodetectors | |
US3792197A (en) | Solid-state diode array camera tube having electronic control of light sensitivity | |
US2894145A (en) | Double modulator utilizing photo emissive material | |
JPS57181176A (en) | High voltage amorphous semiconductor/amorphous silicon hetero junction photosensor | |
JPH02146876A (ja) | 光センサの駆動方法 | |
RU2324961C1 (ru) | Оптический модулятор сигналов сложной формы | |
US4331873A (en) | Photocapacitive image converter | |
JP2918010B2 (ja) | レーザアレイ及びダイオードレーザ応用装置 | |
JPH07302928A (ja) | 半導体受光素子ならびに半導体受光素子アレイおよび画像処理装置ならびに画像処理方法 | |
Lucovsky et al. | Lateral effects in high-speed photodiodes | |
SU744790A1 (ru) | Полупроводниковый преобразователь | |
US3541383A (en) | Solid state scan converter utilizing electron guns | |
JPS6233757B2 (ru) | ||
Prince | Semiconductor photovoltaic effect and devices | |
Kaneko et al. | Amorphous Si: H contact linear image sensor with Si 3 N 4 blocking layer | |
US3646390A (en) | Image storage system | |
US4101931A (en) | Silicon diode array vidicon with electronically controlled sensitivity |