SU586858A3 - Схема смещени перехода база-эмиттер транзистора - Google Patents
Схема смещени перехода база-эмиттер транзистораInfo
- Publication number
- SU586858A3 SU586858A3 SU742059732A SU2059732A SU586858A3 SU 586858 A3 SU586858 A3 SU 586858A3 SU 742059732 A SU742059732 A SU 742059732A SU 2059732 A SU2059732 A SU 2059732A SU 586858 A3 SU586858 A3 SU 586858A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- transistor
- semiconductor
- emitter
- diode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
(54) СХЕМА СМЕЩЕНИЯ ПЕРЕХОДА БАЗА-ЭМИТТЕР
Claims (1)
- ТРАНЗИСТОРА за которого через р д М-пр мосмещениых переходов, например транзисторов 2 в диодном включении, а эмиттер через р д N пр мосмещенных полупроводниковы: переходов , например транзисторов 3 в диодном включении, подключены к положительному полюсу источника 4 тока. База транзистора 1 через р д дополнительных N -пр мосме- шейных полупроводниковых переходов, напри мер транзисторов 5 в диодном включении, а эмиттер - через р д дополнительных М-пр мосмешенных полупроводниковых nepe ходов, например транзисторов 6 в диодном включении, подключены к отрицательному полюсу, источника 4 тока, эффективна плошадь каждого полупроводникового перехода М -р да в rt раз больше, чем эффективна площадь каждого полупроводникового перехода М-р да, где It - положительное число; Схема смещени перехода база - эм иттер транзистораработает следующим образом . Падение напр жени V. на транзисторе 1, включенном как диод, будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером. При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы эмиттера значитель но меньше сопротивлени пограничного сло действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - ц пер хода. Падение напр жени св зано с плотностью тока в нем соотношением КТ. Зе... где Л -ппотностьэмиттерного тока триода в режиме диода; К - посто нна Больцмана; Т - абсолютна температура; зар$щ электрона; плотность тока насыщени , котора смещает температурную зависимость , но вл етс существе но одинаковой дл полупроводниковых приборов, имеющих одинаковый профиль переходовJ поэтому из ураЁнени (I) следует падание напр жени на перехо де транзисторов 5; плотность тока через переход транзисторов 5; падение напр жени на переходе транзисторов 6; плотность тока через переход транзисторов 6. Напр жение AV, равно разности межгт , е. BE BE. Подставл в это уравнение значени величин из уравнений (2) и (3), получим / Прибавл величину А Vji с напр жению, приложенному от источника4 тока к пер&источника 4 ходу база - эмиттер транзистора 1, можно увеличить коллекторный ток транзистора в П, раз, отнима величину от напр жени источника 4 питани , коллекторный ток можно уменьшить в гт раз. Если число пр мосмешенных полупроводниковых переходов транзисторов 2 вз 1Ь равным М, а число пр мосмещенных полупроводниковых переходов транзисторов 5 - равным 11{К-И1 1),то коллекторный ток 0 будет составл ть Здуи где U -ток нагрузки , и - положительное число. Предложенна схема смещени база-эмит тер транзистора позвол ет сделать коллекторный ток транзистора значительно м§ньше его входного тока, без использовани резисторов с большой величиной сопротивлени . Формула изобретени Схема смещени перехода база - эмиттер транзистора, например К - р - М типа, база которого через р д М-пр мосмещенны; переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер через р д N - пр мосмещенных полупроводниковых переходов , например транзисторов в диодном вклк чении подключены к положительному полюсу источника тока, отличающа с тем, что, с целью расширени динамического диапазона разделени тока, база транзистора через р д дополнительных N -пр мосм&щенньтх полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер - через р д дополнительных М-ьр мосмещенных полупроводниковых переходов , например транзисторов в диодном включении,. подключены к отрицательному полюсу источника тока, причем эффективна площадь каждого полупроводникового перехода N -р па в г - раз 0рльще, чем фективиа площадь каждого Попупроводв кового перехода М-р да, где И -положительное число.Источники кформап и, прин тые во BBrtмание при экспертизе:1, Патент США N 3301311, кп. 317-235, опубп. 1968.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00381176A US3846696A (en) | 1973-07-20 | 1973-07-20 | Current attenuator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU586858A3 true SU586858A3 (ru) | 1977-12-30 |
Family
ID=23504004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU742059732A SU586858A3 (ru) | 1973-07-20 | 1974-07-19 | Схема смещени перехода база-эмиттер транзистора |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3846696A (ru) |
JP (1) | JPS5043871A (ru) |
AR (1) | AR200937A1 (ru) |
BE (1) | BE817900A (ru) |
BR (1) | BR7405908D0 (ru) |
CA (1) | CA1021409A (ru) |
DE (1) | DE2434948B2 (ru) |
DK (1) | DK392174A (ru) |
ES (1) | ES428240A1 (ru) |
FI (1) | FI213874A (ru) |
FR (1) | FR2238185B1 (ru) |
GB (1) | GB1466959A (ru) |
IT (1) | IT1017193B (ru) |
NL (1) | NL7409508A (ru) |
SE (1) | SE393498B (ru) |
SU (1) | SU586858A3 (ru) |
ZA (1) | ZA744601B (ru) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4123698A (en) * | 1976-07-06 | 1978-10-31 | Analog Devices, Incorporated | Integrated circuit two terminal temperature transducer |
JPS5346253A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Toshiba Corp | Signal amplifier circuit |
DE2654419C2 (de) * | 1976-12-01 | 1983-06-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Schaltungsanordnung zur Spannungsbegrenzung |
JPS5690008U (ru) * | 1980-11-27 | 1981-07-18 | ||
US4629910A (en) * | 1982-04-21 | 1986-12-16 | At&T Bell Laboratories | High input impedance circuit |
US4460864A (en) * | 1983-03-17 | 1984-07-17 | Motorola, Inc. | Voltage reference circuit |
US5089767A (en) * | 1990-04-09 | 1992-02-18 | Unitrode Corporation | Current sensor and limiter |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3271660A (en) * | 1963-03-28 | 1966-09-06 | Fairchild Camera Instr Co | Reference voltage source |
US3277385A (en) * | 1964-04-01 | 1966-10-04 | North American Aviation Inc | Floating to referenced output conversion |
GB1158416A (en) * | 1965-12-13 | 1969-07-16 | Ibm | Transistor Amplifier |
US3622897A (en) * | 1968-12-26 | 1971-11-23 | Nippon Electric Co | Bias circuit for a differential amplifier |
US3740658A (en) * | 1970-03-03 | 1973-06-19 | Motorola Inc | Temperature compensated amplifying circuit |
US3648153A (en) * | 1970-11-04 | 1972-03-07 | Rca Corp | Reference voltage source |
-
1973
- 1973-07-20 US US00381176A patent/US3846696A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-02 CA CA203,784A patent/CA1021409A/en not_active Expired
- 1974-07-03 SE SE7408792A patent/SE393498B/xx unknown
- 1974-07-12 FI FI2138/74A patent/FI213874A/fi unknown
- 1974-07-13 ES ES428240A patent/ES428240A1/es not_active Expired
- 1974-07-15 NL NL7409508A patent/NL7409508A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-07-16 FR FR7424643A patent/FR2238185B1/fr not_active Expired
- 1974-07-16 IT IT25221/74A patent/IT1017193B/it active
- 1974-07-17 BR BR5908/74A patent/BR7405908D0/pt unknown
- 1974-07-17 GB GB3158374A patent/GB1466959A/en not_active Expired
- 1974-07-18 AR AR254787A patent/AR200937A1/es active
- 1974-07-18 ZA ZA00744601A patent/ZA744601B/xx unknown
- 1974-07-19 SU SU742059732A patent/SU586858A3/ru active
- 1974-07-19 DE DE19742434948 patent/DE2434948B2/de not_active Withdrawn
- 1974-07-19 BE BE146781A patent/BE817900A/xx unknown
- 1974-07-19 DK DK392174A patent/DK392174A/da unknown
- 1974-07-19 JP JP49083743A patent/JPS5043871A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1017193B (it) | 1977-07-20 |
CA1021409A (en) | 1977-11-22 |
NL7409508A (nl) | 1975-01-22 |
DE2434948B2 (de) | 1977-12-01 |
SE393498B (sv) | 1977-05-09 |
BR7405908D0 (pt) | 1975-05-13 |
DE2434948A1 (de) | 1975-01-30 |
FR2238185B1 (ru) | 1978-04-28 |
AU7092374A (en) | 1976-01-08 |
AR200937A1 (es) | 1974-12-27 |
DK392174A (ru) | 1975-03-10 |
ZA744601B (en) | 1975-07-30 |
FI213874A (ru) | 1975-01-21 |
ES428240A1 (es) | 1976-07-16 |
FR2238185A1 (ru) | 1975-02-14 |
US3846696A (en) | 1974-11-05 |
SE7408792L (ru) | 1975-01-21 |
BE817900A (fr) | 1974-11-18 |
JPS5043871A (ru) | 1975-04-19 |
GB1466959A (en) | 1977-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2684554B2 (ja) | 高安定性と低レスト電流を有する論理インターフェイス回路 | |
JP2001502435A (ja) | 温度検出回路 | |
US6614209B1 (en) | Multi stage circuits for providing a bandgap voltage reference less dependent on or independent of a resistor ratio | |
SU586858A3 (ru) | Схема смещени перехода база-эмиттер транзистора | |
JPH0231505B2 (ru) | ||
JP2825396B2 (ja) | 電流源回路 | |
JPS6154286B2 (ru) | ||
US4042944A (en) | Monostable multivibrator | |
JPS5855455Y2 (ja) | 定電流回路 | |
US3771053A (en) | Potentiometer using a voltage follower circuit | |
US4859966A (en) | Current amplifier circuit and a current amplifying type differential current converter circuit | |
RU1806420C (ru) | Интегральна схема | |
JPH0569457B2 (ru) | ||
JPH053424A (ja) | 微小電圧検出回路およびこれを用いた電流制限回路 | |
JP2671304B2 (ja) | 論理回路 | |
SU603096A1 (ru) | Двухтактный усилитель | |
JPH06303052A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6233365Y2 (ru) | ||
JP3456292B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
RU1812635C (ru) | Логическое устройство ИЛИ | |
Schaffer et al. | A sensitive all-silicon temperature transducer | |
JP2669330B2 (ja) | 差動回路 | |
SU953727A1 (ru) | Транзисторное реле | |
JPS6059771B2 (ja) | 電子回路 | |
JPS581818B2 (ja) | 対数変換器 |