SU576352A1 - Vapor-gaseous medium for depositing oxide coating - Google Patents

Description

ответствуюидих элемеитсодержащих хлоридов в органическом растворителе при -10- +20°С.Corresponding to their elemeite-containing chlorides in an organic solvent at -10- + 20 ° С.

Наиример, дл  получени  три(7рет-бутилперокси )-бора эквивалентные количества гидроперекиси грет-бути л а и борсодержащего хлорида смешивают в растворе н-пентана ири О-5°С, растворитель удал ют, остаток перегон ют при давлении около 10 мм рт. ст. Дл  получени  алюминийорганической перекиси гидроперекись грет-бутила смешивают с соответствуюшими количествамиNairimer, to obtain three (7-tert-butylperoxy) -boron equivalent amounts of gret-butyla hydroperoxide and boron chloride are mixed in a solution of n-pentane and OI-5 ° C, the solvent is removed, the residue is distilled at a pressure of about 10 mm Hg. Art. To produce organo-aluminum peroxide, hydrochloric butyl peroxide is mixed with the appropriate amounts

(С2Н50)2А1С1(C2H50) 2A1C1

илиor

CsHsOAlClaCsHsOAlCla

в эфире в токе сухого аммиака при -10°С, образующийс  осадок хлористого аммони  отфильтровывают, из фильтрата отгон ют эфир при пониженном давлении.in ether in a stream of dry ammonia at -10 ° C, the resulting precipitate of ammonium chloride is filtered off, and the ether is distilled off under reduced pressure.

Пример 1. Диметилди- (7рег-бутилперокси )-силан помепшют в исиарнтель, нагревают до 80-90°С и пропускают над его поверхностью аргон со скоростью 1 л/мин. Насыщенный парами перекиси газ-носитель направл ют в камеру, где расположение подложка из кремни , нагрета  до 250°С. На поверхности подложки получают сплопшую пленку двуокиси кремни .Example 1. Dimethyldi- (7reg-butylperoxy) -silane is pispetsyut in isiarntel, heated to 80-90 ° C and argon is passed over its surface at a speed of 1 l / min. The carrier gas saturated with vapor peroxide is directed to the chamber, where the location of the silicon substrate is heated to 250 ° C. A floated silica film is obtained on the surface of the substrate.

Пример 2. Трп(тре7--бутилперокси)-бор помеп 1,а1от в испаритель, нагревают до 70°С. Процесс осуществл ют как в примере 1 при температуре медной подложки 200°С и давлении в системе 5-10- мм рт. ст. Получают сплошную пленку борного ангидрида.Example 2. Trp (tre7 - butylperoxy) -border 1, and from the evaporator, heated to 70 ° C. The process is carried out as in Example 1 with a copper substrate temperature of 200 ° C and a system pressure of 5-10 mm Hg. Art. Get a continuous film of boric anhydride.

П р и м е р 3. Процесс осуществл ют как в примере 1, но в качестве исходной перекиси берут три-н-бутокси- (трег-бутилперокси) -титан температуру испарител  поддерживают 40°С, подложки 200°С, давление в системе 5-10- мм рт. ст. Получают сплошную пленку двуокиси титана.Example 3 The process is carried out as in Example 1, but three-n-butoxy- (trib-butylperoxy) titanium is taken as the initial peroxide. The evaporator temperature is maintained at 40 ° C, the substrates 200 ° C, the system pressure 5-10 mm Hg Art. A continuous titanium dioxide film is obtained.

Пример 4. В качестве исходной перекиси берут диэтокси-(трет-бутилиерокси) -алюминий , процесс осуществл ют при температуре испарител  , температуре подложки изExample 4. Diethoxy- (tert-butyleroxy) aluminum is taken as the initial peroxide, the process is carried out at the evaporator temperature, the temperature of the substrate

фторопласта 200°С и давлении в системе 5-10-2 ,у,д p-j. CJ, Получают сплошную пленку окиси алюмини .fluoroplast 200 ° C and pressure in the system 5-10-2, y, d p-j. CJ, A continuous alumina film is obtained.

Предложенна  паро-газова  среда обеснечивает снижение температуры нанесени  окислого покрыти , энергозатрат при осуществлении процесса, получение однородных сплошных окисных покрытий на издели х из кремни , стекла, фторопласта, меди и других материалов . Она может быть использована в электронике при получении диэлектрических покрытий, дл  пассивации поверхностей, стабилизации параметров полупроводниковых приборов, в качестве маскирующих покрытий,The proposed vapor-gas medium provides for a decrease in the temperature of deposition of the oxide coating, energy consumption during the process, and obtaining homogeneous continuous oxide coatings on products made of silicon, glass, fluoroplastic, copper and other materials. It can be used in electronics in obtaining dielectric coatings, for passivating surfaces, stabilizing parameters of semiconductor devices, as masking coatings,

при создании пленочных конденсаторов, оптических и фотоэлектронных приборов.when creating film capacitors, optical and photoelectronic devices.

Фор м у л а и 3 о б р е т е н и  Form m l l a and 3 o b e t e n i

Паро-газова  среда дл  нанесени  окисных покрытий элементов III и IV групп периодической системы ииролитическим разложением на нагретой подложке, содержаща  органическое оксисоедпнение, отличающа с  тем,The vapor-gas medium for the deposition of oxide coatings of elements of groups III and IV of the periodic table and the thermolytic decomposition on a heated substrate, containing organic oxides,

что, с целью снижени  темиературы процесса , в качестве органического оксисоединени  она содержит соединение общей формулыthat, in order to reduce the temperature of the process, it contains a compound of the general formula

Н„,„Э (OOR)«,H „,„ E (OOR) “,

где R -алкил или оксналкил с 1-4 атомами углерода;where R is alkyl or oxnalkyl with 1-4 carbon atoms;

Э -элемент III пли IV групп периодической системы;E-element III or IV groups of the periodic system;

R -алкил с 2-5 атомами углерода, /п 3-4 и .R is alkyl with 2-5 carbon atoms, a / p 3-4 and.

Псточнлки информации, прин тые во виима«ие пр« экспертизеInformation sources taken in the framework of the expertise

1.Патент США 3809574, кл. 117-201, 1975.1. US patent 3809574, cl. 117-201, 1975.

2.Патент США № 3833399, кл. 117-33.5,2. US patent number 3833399, cl. 117-33.5,

1975.1975.

3.Разуваев Г. А., Грибов Б. Г., Домрачев Г. А , Саламатин Б. А. Металлоорганические соединени  в электронике, М., «Наука, 1972, с. 318-335.3.Razuvaev, G.A., Gribov, B.G., Domrachev, G.A., Salamatin, B.A., Organometallic Compounds in Electronics, M., Nauka, 1972, p. 318-335.