SU565220A1 - Термочувствительный элемент датчика температуры - Google Patents

Термочувствительный элемент датчика температуры

Info

Publication number
SU565220A1
SU565220A1 SU7502158963A SU2158963A SU565220A1 SU 565220 A1 SU565220 A1 SU 565220A1 SU 7502158963 A SU7502158963 A SU 7502158963A SU 2158963 A SU2158963 A SU 2158963A SU 565220 A1 SU565220 A1 SU 565220A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
sensor
temperature sensor
thermal element
sensor thermal
Prior art date
Application number
SU7502158963A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Константинович Гаевский
Сергей Александрович Подласов
Владимир Григорьевич Сидякин
Original Assignee
Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. 50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. 50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции filed Critical Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. 50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority to SU7502158963A priority Critical patent/SU565220A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU565220A1 publication Critical patent/SU565220A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к датчикам, измер ющим и контролирующим температуру, а более конкретно к датчикам, изготовленным из полупроводниковых материалов, позвол ющим измер ть температуру и ее отклонение от заданного значени  и предназначенным дл  использовани  во всех област х народного хоз йства.
Известны датчики температуры, использующие свойства полупроводниковых материалов и приборов. Такого рода датчики, как пр.авило , используют изменение проводимости полупроводникового материала (прибора) с изменением температуры. Дл  их нормальной работы требуютс  источники питани , усилители , цепи обратной св зи, мостовые схемы дл  определени  изменени  падени  напр жени  на образце 1-3.
Целью насто щего изобретени   вл етс  снижение стоимости изготовлени  и эксплуатации датчика, увеличение его надежности, повышение точности измерени  температуры.
Это достигаетс  применением карбида кремни  кубической модификации, выращенного термическим разложением метилтрихлорсилана на графитовом стержне и имеющего плавно измен ющийс  по одному направлению градиент концентрации, в качестве термочувствительного элемента датчика температуры.
На чертеже изображен вариант выполнени  предлагаемого датчика температуры.
Термочувствительный элемент 1 вырезан из цилиндрического поликристалла, имеющего
радиальный градиент концентрации, т. е. концентраци  при.месей в котором выполнена плавно из.мен ющейс  в направлении от одного омического контакта к другому. (Направление градиента концентрации на рисунке обозначено вектором п). Электрические контакты 2 нанесены на поверхность образца в области с различной концентрацией при.меси. К контактам приварены выводы 3, которые одновременно служат дл  механического креплени  термоч)вствительного элемента в диэлектрической раме 4. С помощью проводников 5 датчик подсоединен к электроизмерительному прибору 6.
При изменении температуры в рабочей камере , в которой находитс  датчик, в последне .м возникает ЭДС, величина и знак которой пропорциональны относительному изменению температуры.
Возникша  ЭДС сохран етс  длительное
врем  (5-6 ч). При изменении температуры
в рабочей камере до исходного значени  ЭДС
спадает до нул .
Использование данного датчика температуры имеет следующие преимущества;
датчик очень прост в изготовлении, так как требует только нанесени  омических контактов и приварки выводов;
дл  нормальной работы датчика не требуютс  источники питани , так как в самом датчике генерируетс  ЭДС за счет изменени  температуры окружающей среды;
измер ема  ЭДС слабо зависит от сопротивлени  нагрузки (при изменении сопротивлени  нагрузки от бесконечности до 5 кОм при собственном сопротивлении датчика 100 кОм измер ема  ЭДС измен етс  на 20%);
датчи-к нормально работает в интервале 20-1000°С в услови х повышенного уровн  радиации, в агрессивных средах.
Датчик может быть использован в том случае, если необходима информаци  о ходе и величине изменени  темнературы.
4

Claims (3)

1.Авторское свидетельствоСССР NS 275162, кл. G 01k 7/16, 1970;
2.Авторское свидетельствоСССР № 325516, кл. G 01k 7/16, 1972;
3.Патент Франции № 2178957, кл. G 01 k 7/22, опубл. 1973.
SU7502158963A 1975-07-25 1975-07-25 Термочувствительный элемент датчика температуры SU565220A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502158963A SU565220A1 (ru) 1975-07-25 1975-07-25 Термочувствительный элемент датчика температуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502158963A SU565220A1 (ru) 1975-07-25 1975-07-25 Термочувствительный элемент датчика температуры

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU565220A1 true SU565220A1 (ru) 1977-07-15

Family

ID=20627505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7502158963A SU565220A1 (ru) 1975-07-25 1975-07-25 Термочувствительный элемент датчика температуры

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU565220A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3092998A (en) Thermometers
SU565220A1 (ru) Термочувствительный элемент датчика температуры
US3350635A (en) Solar cell and test circuit
JPS5871423A (ja) 温度測定用回路装置
Cowles et al. Apparatus for the rapid scanning of the Seebeck coefficient of semiconductors
SU600481A1 (ru) Способ измерени температуры переходов
SU90237A1 (ru) Способ определени теплопроводных свойств материалов
RU2737135C1 (ru) Инклинатор
GB1014829A (en) Arrangements for measuring electrical properties of semiconductors
SU1474488A1 (ru) Датчик высокого давлени
SU106305A1 (ru) Устройство дл измерени разности температур
JPS5927223A (ja) 液面検出センサ
SU763823A1 (ru) Устройство дл измерени индукции магнитного пол и температуры
SU1015244A1 (ru) Чувствительный элемент тензодатчика
SU476525A1 (ru) Устройство дл измерени удельного сопротивлени полупроводникового материала
SU871073A1 (ru) Индикатор протока
SU1029011A1 (ru) Устройство дл измерени параметров среды
SU501378A1 (ru) Устройство дл измерени температуры электропроводной
Hales et al. An apparatus for the measurement of the Hall effect in semiconductors at high temperatures
SU594448A1 (ru) Устройство дл измерени содержани твердой фазы в пульпе
SU700829A1 (ru) Термоэлектрическое устройство дл контрол металлов и сплавов
SU585412A1 (ru) Устройство дл измерени статических деформаций при переменных температурах
SU670906A1 (ru) Потенциометрический датчик
SU152096A1 (ru) Способ измерени перепада температур в электропровод щем теле
SU877353A1 (ru) Резистивный датчик заданной температуры