SU532829A1 - Способ измерени распределени потенциала по толщине полупроводникового сло - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к методике физических исследований попупроводников и приборов на их основе.

Известно,что дл  измерени  распреде- лени  потенциала по топшине тонкоппеноч- ных o6p 3iioBj каприл.ер полупроводниковых систем с p-rt-переход ом и с токовыми электродами на противоположных поверхност х, на этих образцах изготавливают поперечный срез-шлиф; а установка дп  таких из- мерений содержит передвижной клиновидный или конусообразный э ектроприводный зонд с небольшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследуемого образца,

Однако рассто ни , на которых измер етс  падение напр жени , ограничиваютс  конструкцией и размерами передвижного зонда и практически не могут быть меньше чем 3-5 мкм.

Цель изобретени  - увеличить разрешаюшую способность измерени  по толщине и обеспечить возможность многократных измерений в ордих и тех же местах.

Это достигаетс  тем, что в спой полупроводника при нанесении этого сло  на подложку ввод т тонкоп еночные электроприводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектродной области в Т1ПОСКОСТЯХ,параллельных плоскост м токовых электродов.

На чертеже показан образец дл  осуществлени  предлагаемого способа.

На твердотельную подложку 1 и токовый электрод 2 нанос т многослойную структуру в следующей последовательности: слой полупроводника 3, тонкопленочный электропроводный зонд 4 и т.д. Последним наноситс  токовый электрод.

При измерени х к токовым электродам образца подключают напр жение определенной величины. При помощи прибора с большим входным сопротивлением или компенсационной схемы определ ют падение напр жени  между одним из токовых электродов и отдельными электропроводными зондами или между соседними зондаьш.

Микрорассто ни , на которых провод тс  измерени  падени  напр жени , опредеп ют по геометрическим размерам и расположению зондов.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ измерени  распределени  потенциала по толшине полупроводникового сло  путем подведени  измерительных зондов к к исследуемой области, отличаю- ш

   щ и и с   тем, что, с целью увеличени  разрешающей способности измерени  по толщине и обеспечени  возможности многократных измерений в одних и тех же местах, в слой полупроводника при нанесении этого сло  на подложку ввод т тонкопленочные электропроводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектродной области в плоскост х, параллельных плоскост м токовых электродов.