SU507896A1 - Switch for storage device - Google Patents

Switch for storage device

Info

Publication number
SU507896A1
SU507896A1 SU2085702A SU2085702A SU507896A1 SU 507896 A1 SU507896 A1 SU 507896A1 SU 2085702 A SU2085702 A SU 2085702A SU 2085702 A SU2085702 A SU 2085702A SU 507896 A1 SU507896 A1 SU 507896A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
switch
diodes
input
primary
read
Prior art date
Application number
SU2085702A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Владимирович Сдатчиков
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7390
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7390 filed Critical Предприятие П/Я А-7390
Priority to SU2085702A priority Critical patent/SU507896A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU507896A1 publication Critical patent/SU507896A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

(54) КОММУТАТОР ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА(54) SWITCH FOR STORING DEVICE

ника +Ej, а ключи .19 и 2О nickname + Ej, and the keys .19 and 2O

разр дных токов записи от источника -Ej .discharge current from source -Ej.

Устройство работает следуюишм образом. В режиме записи согласно адресу записываемой информации оттфываютс   соответствующий ключ 18 выборки слова и ключи разр1шных токов, например 19, В этом случае цепь тока замыкаетс  от источника напр жени  н-Е через ключ 18, резистор 17, ШШ1У 3, среднюю точку 2 и верхнюю полоВ1шу первичной обмотки трансформатора 1, диод 6, шину 8, ключ 19 и источник напр жени  -Ejj. На вторичной обмотке трансформатора 1 наводитс  э.д,с. и через нагрузку 16 протекает ток, направление которого соответствует, например, записи . При записи О открываетс  ключ 20 и ток, протекающий через нижнюю полов1шу пер-/ вичной обмотки трансформатора 1, диод 7, шину 9 и ключ 20, наводит на вторичной обмотке трансформатора 1 э.д,с. противоположного знака, и соответственно через н грузку 16 протекает ток в направлении противоположном току записи I, Приэтом диоды 10 и 11 заперты, что определ етс  выбором величины источника напр жени  The device works in the following way. In the recording mode, according to the address of the recorded information, the corresponding key 18 is sampled words and keys of alternating currents, for example 19, In this case, the current circuit is closed from the voltage source N – E through the key 18, resistor 17, ШШ1У 3, midpoint 2 and the top pol1шу transformer primary winding 1, diode 6, bus 8, switch 19 and voltage source -Ejj. The secondary winding of the transformer 1 is induced ed, p. and through the load 16 a current flows, the direction of which corresponds, for example, to recording. When writing O, the key 20 opens and the current flowing through the lower floor of the primary winding of the transformer 1, diode 7, bus 9 and key 20 leads to the secondary winding of the transformer 1 e, s. opposite sign, and accordingly through the load 16, a current flows in the direction opposite to the write current I, and diodes 10 and 11 are locked, which is determined by the choice of the voltage source

И на вход усилител  считывани  15And to the input of the read amplifier 15

d .d.

помехи в режиме записи не поступают,no noise in the recording mode

В режиме считывани  информации согласно адресу отпираетс  соответствующий ключ 18 выборки слова, а ключи 19 и 20 заперты. В этом случа ток от источника +EJ протекает через ключ 18, резистор 17, шину 3 и в средней точке 2 первичной обмотки трансформатора 1 разветвл етс , протека  по двум встречно включенным относительно точки 2 пологинам первичной обмотки трансформатора 1, диодам 10 к 11 и резисторам 21 и 22 к шине нулевого потенциала . Считанный сигнал с нагрузки 16 трансформируетс  в первичнуюобмотку трано-, форматора 1 и через открытые диоды Ю и 11-ыа входы 12 и 13 первичной обмотки входного трансформатора 14 усилител  считывани  15. Диоды 6 и 7 в режиме считы заперты.In the information reading mode according to the address, the corresponding word selection key 18 is opened, and the keys 19 and 20 are locked. In this case, the current from the source + EJ flows through the switch 18, the resistor 17, the bus 3 and at the midpoint 2 of the primary winding of the transformer 1 branches, flowed through two opposite windings of the primary winding of the transformer 1 relative to point 2, diodes 10 to 11 and resistors 21 and 22 to the potential zero bus. The read signal from the load 16 is transformed into the primary winding of the trans-, formatter 1 and through open diodes H and 11-s inputs 12 and 13 of the primary winding of the input transformer 14 of the read amplifier 15. The diodes 6 and 7 are locked in read mode.

В результате разв зки цепей записи и считьтанк  увеличиваетс  помехозащищенность устройства, так как величина коммутационной помехи на входе усилител  считывани  15 определ етс  только нёидентичностью характеристик диодов 10 и 11 и имеет меньший уровень, чем в известном устройстве.As a result of decoupling the recording circuits and counting the bank, the noise immunity of the device is increased, since the amount of switching noise at the input of the read amplifier 15 is determined only by the nonidentity of the characteristics of the diodes 10 and 11 and has a lower level than in the known device.

Claims (1)

. ; 0 Формула изобретени     . ; 0 claims Коммутатор дл  запоминающего устройства , содержащ1 й дифференциальные трансформаторы , средние точки первичных обмо . ток которых подключены к едординатнымA switch for a memory device containing differential transformers, the midpoints of the primary switch. which current is connected to the unit щинам выборки слов, а выводы первичных л.рбмоток соединены через диоды с разр д ными шинами записи, и усилители считывани  разр$щов с входными трансформаторами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  помехозащищенности устройства , выводы входного рансформатора усилител  считывани  каждого разр да соединены с одноименными выводами первичных обмоток соответствующих дифференциальных трансформаторов через дополнительные диоды.words are sampled, and the primary lrbmotk pins are connected via diodes to write bit buses and amplifiers to read discharges from input transformers, characterized in that, in order to increase the noise immunity of the device, the pins of the input to the read amplifier of each bit are connected with the same conclusions of the primary windings of the corresponding differential transformers through additional diodes. EIEI
SU2085702A 1974-12-13 1974-12-13 Switch for storage device SU507896A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2085702A SU507896A1 (en) 1974-12-13 1974-12-13 Switch for storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2085702A SU507896A1 (en) 1974-12-13 1974-12-13 Switch for storage device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU507896A1 true SU507896A1 (en) 1976-03-25

Family

ID=20604022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2085702A SU507896A1 (en) 1974-12-13 1974-12-13 Switch for storage device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU507896A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU507896A1 (en) Switch for storage device
KR940026967A (en) Asynchronous static random access memory device for propagating read data bits through a single bit line
US3174137A (en) Electrical gating apparatus
US3231876A (en) Electrical switching means
US3579209A (en) High speed core memory system
SU622168A2 (en) Arrangement for information retrieval from magnetic core storage units
US3231871A (en) Magnetic memory system
GB1345172A (en) Megnetic core memories
US3740481A (en) Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device
US3161861A (en) Magnetic core memory
SU542239A1 (en) Device for recording and reading information
US3210744A (en) Sensing device for magnetic core memories
SE7409882L (en)
US3328779A (en) Magnetic memory matrix with means for reducing disturb voltages
US3462748A (en) Memory using sense amplifiers with gated feedback
SU532131A1 (en) Device for retrieving information from memory blocks
JPS6058554B2 (en) Register element with bipolar memory cells
SU411519A1 (en)
GB1125099A (en) Arrangement for minimizing noise in a plated wire memory
US3436750A (en) Write and read circuit arrangement for a magnetic storage with magnetizable cores
US3742467A (en) Sense-digit line selection matrix for memory system
US3456246A (en) Plated wire memory
US3588850A (en) Conductor path arrangement for fixed value storer
RU2030094C1 (en) Energy-independent storage location
US3209334A (en) Non-destructive read-out memory element