SU506066A1 - Membrane strain gauge - Google Patents

Description

(54) МЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР(54) MEMBRANE TENSORS

1one

Изобретение относитс  к конструкции мембранных тензорезисторов и может быть использовано в технике измерени  усилий.The invention relates to the construction of membrane strain gauges and can be used in force measurement techniques.

Мембранные тензорезисторы широко примен ютс  дл  измерени  давлени  газов и жидкостей.Membrane strain gauges are widely used to measure the pressure of gases and liquids.

Известен мембранный тензорезистор, выполнеппый в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизол ционной подложке наружных и внутренних тензоэлементов . Наружные в форме меандра и внутреипие в форме полуколец тензоэлементы известного тензорезистор а расположены по обе сторопы от окружности, на границе которой радиальные напр жени  мен ют свой знак при действии на мембрану равномерно распределенного давлени .A membrane strain gauge is known; it is made in the form of external and internal strain gauges connected in series with each other and concentrically located on an electrical insulating substrate. External in the form of a meander and internal in the form of semicircles, strain elements of the known strain gauge are located on both sides of the circle, on the border of which the radial stresses change their sign when the pressure on the membrane is uniformly distributed.

Известный мембранный тензорезистор при измерепии осевых усилий имеет понижеипую чувствительность, поскольку средн   величина тангенциальных напр жений в области расположени  внутренних тензоэлементов значительно меньше средней величины радиа .чьных напр жений.The known membrane strain gauge, when measuring axial forces, has a lower sensitivity, since the average value of the tangential stresses in the region of the internal strain gauges is much less than the average value of the radial stresses.

Цель нзобретени  - повышение чувствительности мембранного тензорезистор а при изменении осевых усилий.The purpose of the invention is to increase the sensitivity of the membrane strain gauge while changing axial forces.

Это достигаетс  тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и виутреиние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном рассто нии от окружности, на границе которой радиальные напр жени  мен ют знак, причем внутренние тензоэлементы выполнены в форме меандра.This is achieved by the fact that in the proposed resistance strain gauge, the external and internal tensor elements are located on both sides at an equal distance from the circle, at the boundary of which the radial stresses change sign, and the internal tenso elements are in the form of a square wave.

На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизол ционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлемента, выполненных в форме меандра и расположенных по обе стороны от окружности 4, на границе которой радиальные напр жени  мен ют зиак.The drawing shows the proposed strain gauge. It contains an electrically insulating substrate 1, two internal 2 and two external 3 strain gauges, made in the form of a meander and located on both sides of circle 4, on the border of which radial voltages change the siak.

Предлагаемый мембранный тензорезистор работает следующим образом.The proposed membrane strain gauge works as follows.

Под воздействием осевого усили , приложенного к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана деформируетс . Тензоэлементы воспринимают радиальные деформации поверхности мембраны и преобразуют их в изменение электрического сопротивлени  тензорезистора, которое затем измен етс  известной вторичной аппаратурой, на чертеже не показанной.Under the action of an axial force applied to the membrane, on the surface of which the strain gauge is fixed, the membrane is deformed. The tensor elements perceive the radial deformations of the membrane surface and transform them into a change in the electrical resistance of the strain gauge, which is then modified by a known secondary apparatus, not shown in the drawing.

Использование предлагаемой конструкции мембранного тензорезистора позволит повысить чувствительность тензорезистора нри измерении осевых усилий.The use of the proposed construction of a membrane strain gauge will increase the sensitivity of the strain gauge when measuring axial forces.

Claims (2)

1. Мембранный тензорезистор, выполненный в виде соединенных носледовательно друг с другом и концентрично расноложенных на электроизол ционной подложке наружных в форме меандра и внутренних тензоэлементов , отличаюш;ийс  тем, что, с целью повышени  его чувствительности при измерении1. A membrane strain gauge, made in the form of interconnected with each other and concentrically dispersed on the electrical insulating substrate, external in the form of a meander and internal strain gauges, is characterized by the fact that, in order to increase its sensitivity in measuring осевых усилии, наружные и внутренние пензоэлементы расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напр жени  мен ют знак, причем внутренние тензоэлементы выполнены в форме меандра. axial forces, external and internal penzo-elements are located on both sides of a circle, on the border of which radial stresses change sign, and internal tenso-elements are made in the form of a meander. 2. Тензорезистор по п. 1, отличающийс  тем, что тензоэлементы равноудалены от окружности, на границе которой радиальные напр жени  мен ют знак.2. A strain gauge according to claim 1, characterized in that the strain gauges are equidistant from the circle at the boundary of which the radial stresses change sign.