SU494628A1 - Method for determining temperature of electron transition - Google Patents
Method for determining temperature of electron transitionInfo
- Publication number
- SU494628A1 SU494628A1 SU1811614A SU1811614A SU494628A1 SU 494628 A1 SU494628 A1 SU 494628A1 SU 1811614 A SU1811614 A SU 1811614A SU 1811614 A SU1811614 A SU 1811614A SU 494628 A1 SU494628 A1 SU 494628A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- temperature
- pulse
- current
- voltage
- electron transition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Изобретение относитс к электрическим методам измерени неэлехтрических величи-н, в частности температуры.This invention relates to electrical methods for measuring non-electrically magnitudes, in particular temperature.
Известен способ олределени температуры р-«-перехода приборов с лавинными харалтеристика .ми, заключающийс в подаче на переход тока в обратном .направлении, измерен ,ии напр жени и определении температуры расчетным путем. Одна;ло по этому способу измерение темлературы возможно только прИ достаточно длительных /вшульсах ( т 100 мк-сек). Вследствие того, что лзмерение напр жени производ т после завершени переходных процессов, удаетс измерить температуру не раньше, чем через 200-300 мк сек после окончани импульса обратного тока. Кроме того, требуетс наличие вспомогательного источника нитани .The known method of determining the temperature of the p - "- junction of devices with avalanche characteristics, consisting in applying a current to the junction in the opposite direction, measured, and voltage, and determining the temperature by calculation. One; according to this method, temperature measurement is possible only if it is sufficiently long (pulses) (m 100 s). Due to the fact that the voltage measurement is performed after the completion of transient processes, it is possible to measure the temperature not earlier than 200-300 µs after the end of the reverse current pulse. In addition, an auxiliary yarn source is required.
Температуру по предлагаемому способу определ ют по термочувствительному параметру , а именно по напр жению лавинообразова , липейпо завнс ш,ему от те.мпературы во всем диапазоне рабочих температур. Температура р-л-перехода определ етс в конце импульса обратного тока, точнее ,в момент спада тока при воздействии импульсов практически любой длительности, в том числе .короче 100 МП сек, не прибега к использованию вспомогательного тока. Таким образом , измерение производ т в момент, когдаThe temperature of the proposed method is determined by the temperature-sensitive parameter, namely the voltage of the avalanche formation, the lipipeo, it is from its temperature over the entire range of operating temperatures. The p-j junction temperature is determined at the end of the reverse current pulse, more precisely, at the time of the current droop when exposed to pulses of almost any duration, including shorter than 100 MP s, did not resort to the use of auxiliary current. Thus, the measurement is made at the moment when
температура перехода практически «е отличаетс от максимально достигнутой в результате воздействи силового импульса.the transition temperature is practically “not different from the maximum reached as a result of the action of a power pulse.
На фиг. 1 представлена электрическа схема измерений.FIG. Figure 1 shows the electrical measurement scheme.
Схема содерж-ит генератор / и.м.лульсов обратного тока, диодный ограничитель 2, двухлучевой осциллограф Л и исследуемый йрибор 4.The circuit contains a generator of a reverse current, an oscillator / im., A diode limiter 2, a two-beam oscilloscope L and a device under study 4.
На фиг. 2 - форма импульсов напр жени и тока, фиксируемых с по.мощью двухлучевого осциллографа, где:FIG. 2 is the form of voltage and current pulses recorded with a dual-beam oscilloscope, where:
а - им.пульс напр жени ;and - im.pulse voltage;
б - верхн часть импульса напр жени , соответствующа участку лавинного роста тока, .выделенна с помощью диодного ограничнтел ;(b) the upper part of the voltage pulse, corresponding to the section of the avalanche growth of the current, isolated by means of a diode limiter;
в - импульс тока.in - current pulse.
Тем.пературу определ ют следующим образом .The temperature is determined as follows.
С помощью .короткнх импульсов тока определенной амплитуды /1 определ ют температурный коэффициент 11апр жен1 лавинообразовани (ТКН)With the help of short-circuit current pulses of a certain amplitude / 1, the temperature coefficient of an 11 avalanche formation (TKN) is determined.
и,, - и,and ,, - and,
, - , , -,
(1 l(1 l
где иwhere and
напр жение лавинообразованй avalanche stress
/1 при тем.пературе /ь/ 1 at temperature / s
L,3 - 1атф жение лавинообразазани L, 3 - 1fat avalanche formation
.при тем.пературе /2Подава на Исследуемый прибо,р импульс обратного тока, после воздействи .которого необходимо определить температуру /;-«.-перехода , фиксируют с помощью двухлучевого осциллографа одновременно импульс тока (фиг. 2, б) и импульс на.пр жени (фит. 2, а), а точнее .верхнюю часть импульса (фиг. 2,6), выделенную с помош,ью диодного ограничител .At temperature / 2, the device under test, p a reverse current pulse, after which it is necessary to determine the temperature of the junction, is recorded using a two-beam oscilloscope simultaneously a current pulse (Fig. 2, b) and a pulse on. yarn (fit. 2, a), or rather, the upper part of the pulse (Fig. 2.6), selected with the help of a diode limiter.
Форма выделенного импульса напр жени (фиг. 2, б) определ етс формой импульса тока, разогревом структуры под воздействием МО.ЩКОГО импульса тока и значением ТКН. Вследствие этого одному и тому же уровню тола /1 соответствуют два разных по величине значени иа.пр жени : L/i - в начале и t/2-в конце импульса (фиг. 2, б, 2, е). Разница между этими напр жени ми Af/ /2-f/i пр мо пропорциональна ТКН и разности температур В «начале и в конце импульса тока.The shape of the selected voltage pulse (Fig. 2, b) is determined by the shape of the current pulse, the heating of the structure under the influence of the MO. Pulse of the current and the value of the TKN. As a result, the same level of tol / 1 corresponds to two different values of lamination: L / i at the beginning and t / 2 at the end of the pulse (Fig. 2, b, 2, e). The difference between these voltages Af / / 2-f / i is directly proportional to the TKN and the temperature difference B "at the beginning and at the end of the current pulse.
Уровень тока /i выбирают ,в за.висимости от формы и длительности силового импульса таким образом, чтобы за врем TI от начала им пульса тока до уровн /; нагрево.м структуры перехода можно было бы пренебречь (обычно значение /i не превышает 10-20% от ам.плитуды импульса обратного тока). Тогда тем1пературу структуры в начале илшульса тока (в момент TI) можно считать равной температуре .корпуса прибора .ор.The current level / i is chosen, depending on the shape and duration of the power pulse so that during TI from the beginning of the current pulse to the level /; The heating structure of the transition could be neglected (usually, the value of / i does not exceed 10–20% of the amplitude of the reverse current pulse). Then the temperature of the structure at the beginning of the current pulse (at the time of TI) can be considered equal to the temperature of the instrument housing .or.
Таким образом, температуру р-«-перехода (Гетр) в конце и.мпульса тока определ ют из соотношени Thus, the temperature of the p - «- junction (Gam) at the end of the current pulse is determined from the ratio
Т T
trp РКН trp RKN
Способ можно использовать при любой форме силового импульса, при этом определение температуры осуществл етс непосредственно в рабочей схеме.The method can be used with any form of a power pulse, and the temperature is determined directly in the working circuit.
Предмет изобретени Subject invention
С.пособ определени температуры электропно-дырочиого перехода прибора с лавинными хара.ктеристикам.и, за.ключающийс з подаче на р- -переход тока в обратном направлении и Измерении напр жени , по которому о.предел ют температуру, отличающийс тем, что, с целью повышени точности измерений, на р-л-.переход подают импульсный так, а величину напр жени определ ют в момент его максимального значени .по форме выделенных импульсов напр жени и подаваемых -импульсов тока.C. A method for determining the temperature of an electrically-hole transition of an instrument with avalanche characteristics and for switching on the p-junction current in the reverse direction and measuring the voltage over which the temperature is measured, in that In order to increase the accuracy of measurements, the p-l-l transition serves as a pulse, and the voltage value is determined at the time of its maximum value by the shape of the extracted voltage pulses and the applied -pulses of the current.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1811614A SU494628A1 (en) | 1972-07-20 | 1972-07-20 | Method for determining temperature of electron transition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1811614A SU494628A1 (en) | 1972-07-20 | 1972-07-20 | Method for determining temperature of electron transition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU494628A1 true SU494628A1 (en) | 1975-12-05 |
Family
ID=20522211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1811614A SU494628A1 (en) | 1972-07-20 | 1972-07-20 | Method for determining temperature of electron transition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU494628A1 (en) |
-
1972
- 1972-07-20 SU SU1811614A patent/SU494628A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU494628A1 (en) | Method for determining temperature of electron transition | |
SU630600A1 (en) | Tunnel diode extremum current measuring arrangement | |
SU636562A1 (en) | Arrangement for non-destructive measuring of power semiconductor device impact current | |
RU2003128C1 (en) | Method of determination of thermal resistance of junction-can of semiconductor diodes | |
SU121487A1 (en) | Current switch | |
SU1049755A1 (en) | Process for measuring thermal spike of p-n junction | |
SU461386A1 (en) | Method for measuring small changes in phase shift | |
SU462062A1 (en) | Device for measuring the thickness of electroplated coatings | |
SU139012A1 (en) | Device for measuring elastic magnetic permeability in an alternating magnetic field | |
SU401940A1 (en) | DEVICE FOR MEASURING THE PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES | |
SU951198A1 (en) | Method of measuring lifespan of minority carrier in semiconductor p-n junctions | |
SU892323A1 (en) | Single current pulse amplitude lever registration method | |
SU82787A1 (en) | Method of measuring pulse duration | |
SU386344A1 (en) | ||
SU549780A1 (en) | Method for measuring response time of indicating instrument | |
SU387231A1 (en) | METHOD FOR DETERMINING EFFORTS | |
SU1661672A1 (en) | Method of determining division coefficient of capacitive pulse voltage divider | |
SU136455A1 (en) | Method for detecting short circuits in windings of rotors of turbogenerators | |
SU857889A1 (en) | Method of measuring charge carrier energy relaxation time in semiconductors | |
SU756522A1 (en) | Method of determining thermoelectric quality factor of thermobatteries | |
SU119281A1 (en) | Device for measuring current in resistance welding | |
SU428296A1 (en) | METHOD OF MEASUREMENT OF THE WELLNESS OF SEQUENCE OF RECTANGULAR IMPULSES | |
SU947772A1 (en) | Device for measuring thyristor cut-on current | |
SU484471A1 (en) | The method of measuring the magnitude of the phase angle | |
SU738147A2 (en) | Correlometric digital meter of signal effective value |