SU491824A1 - Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок - Google Patents
Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленокInfo
- Publication number
- SU491824A1 SU491824A1 SU1855568A SU1855568A SU491824A1 SU 491824 A1 SU491824 A1 SU 491824A1 SU 1855568 A SU1855568 A SU 1855568A SU 1855568 A SU1855568 A SU 1855568A SU 491824 A1 SU491824 A1 SU 491824A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- thickness
- layer
- upper layer
- reflection coefficient
- lower layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Claims (1)
- жени от двухслойной структуры, выращенной на отражающей подложке, равен Г4511 т IP cos Ир+ 2-: Г4л:l |-л...- IP + 2-ip p cos где rip - амплитудный коэффициент отражени р-компоненты от границы раздела воздух-верхний слой; |2:|р - суммарный амплитудный коэффициент отражени /7-компоненты от остальной структуры; К - длина волны падающего излучени ; d - толщина верхнего сло ; «I - показатель нреломлени верхнего сло ; Е, - фазовый сдвиг. Так как свет падает под углом Брюстера к верхнему слою, то О и выражение (1) сводитс к следующему: где 72р - амплитудный коэффициент отражени р-компоненты от границы верхний слой- нижний слой; Гзр - амплитудный коэффициент отражени от границы нижний слой- подложка; d - толщина нижнего сол ; /i - длина волны падающего излучени ; п - показатель преломлени нижнего сло ; б - фазовый сдвиг (в случае полупроводниковой подложки им можно пренебречь). Амплитудные коэффициенты отражени не завис т от толщины слоев, а вл ютс функци ми только оптических посто нных сред. Оптические посто нные диэлектрических слоев считаютс неизменными дл данного технологического процесса их наращивани . В этом случае можно считать, что p f№). Таким образом, из результатов измерени коэффициента отражени Rp от двухслойной диэлектрической структуры при падении оптического излучени под углом Брюстера к верхнему слою легко определить толщину нижнего сло d. Неоднозначность результатов измерени толщин диэлектрических пленок в щироком диапазоне толщин (О+ЮОООА) можно исключить, сделав измерени на трех длинах волн, использу сменные светофильтры . После нахождени толщины нижнего диэлектрического сло , определ ют толщину верхнего сло , использу известный способ. Дл этой цели оптическое излучение направл ют с помощью гониометрического устройства нормально к поверхности исследуемого образца . Формула изобретени Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок, при которо.м оптическое излучение направл ют нормально к поверхности исследуемой структуры и по измеренному коэффициенту отражени и известной толщине нижнего сло рассчитывают толщину верхнего сло , отличающийс тем, что, с целью определени толщины каждого из слоев структуры, выращенной в едином технологическом процессе, толщину нижнего сло определ ют по коэффициенту отражени оптического излучени , направленного под углом Брюстера к верхнему слою.//7Ал0,50 ,40 ,30 ,20 ,120П т Вий SIB woo 12ВВ та wo IBHQ 2Ш 22ВО 2tiDu 26ns zeso зда dФиг.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1855568A SU491824A1 (ru) | 1972-12-11 | 1972-12-11 | Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1855568A SU491824A1 (ru) | 1972-12-11 | 1972-12-11 | Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU491824A1 true SU491824A1 (ru) | 1975-11-15 |
Family
ID=20534632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1855568A SU491824A1 (ru) | 1972-12-11 | 1972-12-11 | Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU491824A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2611981C2 (ru) * | 2011-06-15 | 2017-03-01 | Флексенэбл Лимитед | Способ и устройство для определения топографии отражающих поверхностей с покрытием |
-
1972
- 1972-12-11 SU SU1855568A patent/SU491824A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2611981C2 (ru) * | 2011-06-15 | 2017-03-01 | Флексенэбл Лимитед | Способ и устройство для определения топографии отражающих поверхностей с покрытием |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Jellison Jr | Optical functions of GaAs, GaP, and Ge determined by two-channel polarization modulation ellipsometry | |
KR900019187A (ko) | 재료의 성장 및 에칭율의 광학적 모니터 방법 및 장치 | |
Pockrand | Reflection of light from periodically corrugated silver films near the plasma frequency | |
JPS58154602A (ja) | テイン・フリ−・スチ−ルの表面被膜厚測定方法及び装置 | |
FR2488395A1 (fr) | Dispositif de mesure electro-optique | |
SU491824A1 (ru) | Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок | |
US2845838A (en) | Apparatus for controlling thickness of deposited layers in producing interference filters | |
Corl et al. | Non-destructive measurement of glass on silicon dioxide through near-infrared (NIR) interference | |
Khasanov et al. | Optical Characterization of Diffusion Transition Layers in Thin Films Using Surface Plasmon Resonance Multiwavelength Measurements | |
SU415559A1 (ru) | ||
SU1280311A1 (ru) | Способ измерени толщины тонких пленок,нанесенных на подложку | |
Yaremchuk et al. | Sensors element on base of the relief Au-coated GaAs grating | |
US4890923A (en) | Apparatus for superposing two light beams | |
SU151063A1 (ru) | Способ рефлексометрических измерений | |
Shamir | Double-beam interferometers for analysis of thin films | |
JPH0436702A (ja) | 光学的な再帰反射器 | |
JPS5960203A (ja) | 膜厚変化測定装置 | |
SU1401266A1 (ru) | Интерференционный способ измерени толщины пленок | |
RU2239917C2 (ru) | Фотоприемник | |
JPS62161041A (ja) | 全反射赤外スペクトル測定法 | |
JPH0450518Y2 (ru) | ||
SU947640A1 (ru) | Способ измерени толщины пленки на подложке | |
JPS62132132A (ja) | 全反射赤外スペクトル測定方法およびその測定用プリズム | |
SU1147916A1 (ru) | Регул тор интенсивности рассе ни света | |
JPS6122881B2 (ru) |