SU491824A1 - Способ контрол толщин двухслойных диэлектрических пленок - Google Patents

Claims (1)

1. жени  от двухслойной структуры, выращенной на отражающей подложке, равен Г4511 т IP cos Ир+ 2-: Г4л:l |-л...- IP + 2-ip p cos где rip - амплитудный коэффициент отражени  р-компоненты от границы раздела воздух-верхний слой; |2:|р - суммарный амплитудный коэффициент отражени  /7-компоненты от остальной структуры; К - длина волны падающего излучени ; d - толщина верхнего сло ; «I - показатель нреломлени  верхнего сло ; Е, - фазовый сдвиг. Так как свет падает под углом Брюстера к верхнему слою, то О и выражение (1) сводитс  к следующему: где 72р - амплитудный коэффициент отражени  р-компоненты от границы верхний слой- нижний слой; Гзр - амплитудный коэффициент отражени  от границы нижний слой- подложка; d - толщина нижнего сол ; /i - длина волны падающего излучени ; п - показатель преломлени  нижнего сло ; б - фазовый сдвиг (в случае полупроводниковой подложки им можно пренебречь). Амплитудные коэффициенты отражени  не завис т от толщины слоев, а  вл ютс  функци ми только оптических посто нных сред. Оптические посто нные диэлектрических слоев считаютс  неизменными дл  данного технологического процесса их наращивани . В этом случае можно считать, что p f№). Таким образом, из результатов измерени  коэффициента отражени  Rp от двухслойной диэлектрической структуры при падении оптического излучени  под углом Брюстера к верхнему слою легко определить толщину нижнего сло  d. Неоднозначность результатов измерени  толщин диэлектрических пленок в щироком диапазоне толщин (О+ЮОООА) можно исключить, сделав измерени  на трех длинах волн, использу  сменные светофильтры . После нахождени  толщины нижнего диэлектрического сло , определ ют толщину верхнего сло , использу  известный способ. Дл  этой цели оптическое излучение направл ют с помощью гониометрического устройства нормально к поверхности исследуемого образца . Формула изобретени  Способ контрол  толщин двухслойных диэлектрических пленок, при которо.м оптическое излучение направл ют нормально к поверхности исследуемой структуры и по измеренному коэффициенту отражени  и известной толщине нижнего сло  рассчитывают толщину верхнего сло , отличающийс  тем, что, с целью определени  толщины каждого из слоев структуры, выращенной в едином технологическом процессе, толщину нижнего сло  определ ют по коэффициенту отражени  оптического излучени , направленного под углом Брюстера к верхнему слою.

   //7

   Ал

   0,50 ,40 ,30 ,20 ,120П т Вий SIB woo 12ВВ та wo IBHQ 2Ш 22ВО 2tiDu 26ns zeso зда d

   Фиг.