SU471641A1 - Stabilized semiconductor inverter - Google Patents

Stabilized semiconductor inverter

Info

Publication number
SU471641A1
SU471641A1 SU1829931A SU1829931A SU471641A1 SU 471641 A1 SU471641 A1 SU 471641A1 SU 1829931 A SU1829931 A SU 1829931A SU 1829931 A SU1829931 A SU 1829931A SU 471641 A1 SU471641 A1 SU 471641A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
windings
transformers
transformer
voltage
transistors
Prior art date
Application number
SU1829931A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Евгеньевич Смольников
Original Assignee
Московский Ордена Ленина Энергетический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина Энергетический Институт filed Critical Московский Ордена Ленина Энергетический Институт
Priority to SU1829931A priority Critical patent/SU471641A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU471641A1 publication Critical patent/SU471641A1/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

образующих мост силовых трансформаторов 4-7, что обусловливает наличие между точками а , а (т. е. в диагонали моста) перемеиного ир моугольного напр жени , амплитуда которого равна напр жению источника питани . Так как вторичные обмотки 8, 9, Ю и 7/2 трансформаторов 8-// вспомогательных  чеек подключены через выпр мители 12-15 к соответствующим щунтирующим транзисторам 16--19 и к источнику питани  / (через разделительные диоды 20-23), то в зависимости от состо ни  щунтирующих транзисторов напр жени  на первичных обмотках 5i, 9i, lOi и 11 трансформаторов 8- // либо пропорциональны напр жению источника питани , когда соответствующий щунтирующий транзистор находитс  в области отсечки и данна  вспомогательна   чейка обеспечивает рекуперацию энергии из первичной цепи соответствующего трансформатора в источник питани , либо равны нулю, когда щунтирующий транзистор находитс  в области насыщени . Очевидно, что амплитуда переменного пр моугольного напр жени  на первичной обмотке 24 выходного трансформатора 24 равна разности между напр жением в диагонали моста и напр жени ми на первичных обмотках Si, ь 10, Hi трансформаторов вспомогательных  чеек.bridge transformers 4-7, which determines the presence of a carbonic voltage between the points a, a (i.e., in the bridge diagonal), the amplitude of which is equal to the voltage of the power source. Since the secondary windings 8, 9, Yu and 7/2 of the transformers 8 - // auxiliary cells are connected via rectifiers 12-15 to the corresponding shunt transistors 16-19-19 and to the power supply / (via dividing diodes 20-23) depending on the state of the shunt voltage transistors on the primary windings 5i, 9i, lOi, and 11 8- // transformers, or proportional to the voltage of the power source when the corresponding shunt transistor is in the cut-off region and this auxiliary cell provides energy recovery from the primary The circuit of the corresponding transformer to the power source, or equal to zero, when the bypass transistor is in the saturation region. It is obvious that the amplitude of the alternating rectangular voltage on the primary winding 24 of the output transformer 24 is equal to the difference between the voltage in the diagonal of the bridge and the voltage on the primary windings Si, 10, Hi of the auxiliary cell transformers.

Питающиес  от обмотки За, 87 трансформатора 3 через диоды 25, 26 вспомогательные транзисторы 27-30 обеспечивают усиление сигналов на входах щунтирующих транзисторов . При этом вспомогательный и щунтирующий транзисторы данной  чейки будут насыщены , если ее фиксирующие диоды (31, 32- диоды первой  чейки, 33, 34 - второй, 35. - третьей, 37, 38 - четвертой) будут смещены в обратном напр жении, т. е. если эталонное напр жение источника 39 превыщает по величине сумму напр жений на всехFeeding from the winding Over, 87 transformer 3 through diodes 25, 26 auxiliary transistors 27-30 provide amplification of the signals at the inputs of the bypassing transistors. At the same time, the auxiliary and bypassing transistors of this cell will be saturated if its fixing diodes (31, 32 are the first cell diodes, 33, 34 are second, 35. are third, 37, 38 are fourth) are shifted in reverse voltage, t. e. if the reference voltage of source 39 exceeds the sum of the voltages at all

обмотках, вход щих в цепь управлени  транзисторов  чейки.windings included in the control circuit of cell transistors.

Пусть дл  опрсделеппости иапр жемие пмтани  схемы измен етс  в диапазоне /„ 210-340 в. Требуетс  получить на обмотке 24 транзистора 24 стабилизированное по амплитуде с точностью до +4% переменное пр моугольное напр жение (на уровне 210 в. Очевидно, что при этом выходное напр жение на обмотке 24- этого трансформатора будет также стабилизированным.Suppose, for the sake of choice and the pressure of the circuit, the circuit varies in the range of 210-340 volts. It is required to obtain on the winding 24 of the transistor 24 an amplitude-stabilized variable up to + 4% of a variable rectangular voltage (at the level of 210 c. It is obvious that the output voltage on the winding 24 of this transformer will also be stabilized.

Будем считать, что обозначение любой из обмоток трансформаторов соответствует обозначению числа витков этой обмотки, и выберем следующие коэффициенты трансформации вспомогательных и дополнительного трансформаторов:We assume that the designation of any of the windings of transformers corresponds to the designation of the number of turns of this winding, and choose the following transformation ratios of auxiliary and additional transformers:

||-0,200; 0,100; Ц 0,050;|| -0,200; 0.100; C 0.050;

1 - О 094- - - - П 1ПЧП-j -0 ,025, ,1050,  1 - О 094- - - - П 1ПЧП-j -0, 025,, 1050,

40.405 n09in. 40.405 n09in.

7 7

0,0105; 40;-40i 0.0105; 40; -40i

- 0 0052 - 0 002640i 40, 40j 40j    - 0 0052 - 0 002640i 40, 40j 40j

, 81 8, 9i 9, 10i lOi   , 81 8, 9i 9, 10i lOi

При выбранных коэффициентах трансформации , предполага  равными нулю пр мые падени  напр жений на смещ,енных в пр мом направлении Р-п переходах и выбира  эталонное напр жение источника 39 равным 22 в, процесс стабилизации напр жени  на обмотке 24, можно отобразить следующейWith the selected transformation ratios, assumed to be zero, the forward voltage drops on the displacement, in the forward direction of the Pn junctions, and choosing the reference voltage of the source 39 equal to 22 V, the process of voltage stabilization on the winding 24 can be displayed as follows

таблицей (цифры таблицы соответствуют напр жени м в вольтах на обозначающих в верхней строке элементах и обмотках)table (figures of the table correspond to voltages in volts on the elements and windings indicating in the top row)

Рассмотрение представленной таблицы показывает , что при изменении напр жени  питани  от 210 до 340 б напр жение на обмотке 24i трансформатора 24 измен етс  в диапазоне 210-212,5 в (т. е. нестабильность относительно уровн  210 б не превыщает +4%).A review of the table shows that when the supply voltage changes from 210 to 340 b, the voltage on the winding 24i of transformer 24 changes in the range of 210-212.5 volts (i.e., instability relative to the level of 210 b does not exceed + 4%).

Предмет изобретени Subject invention

Claims (2)

1. Стабилизированный полупроводниковый инвертор, содержащий выходной трансформатор и вспомогательные преобразовательные  чейки с трансформаторами, первичиые обмотки которых включены последовательно с первичной обмоткой выходного трансформатора , а вторничные через выпр мители, шунтированные транзисторами, и диоды подключены к источнику питани , отличающийс  тем, что, с пелью увеличени  коэффициента стабилизации выходного напр жени , инвертор снабжен дополнительным трансформатором , первична  обмотка которого подключена 1. A stabilized semiconductor inverter containing an output transformer and auxiliary converter cells with transformers, the primary windings of which are connected in series with the primary winding of the output transformer, and the secondary windings through rectifiers shunted by transistors and diodes connected to a power source, characterized in that they are connected increase the output voltage stabilization factor, the inverter is equipped with an additional transformer, the primary winding of which is connected параллельно цепочке, состо щей из первичной обмотки выходного трансформатора и «-последовательно соединенных первичных обмоток трансформаторов преобразовательных  чеек, а вторичные обмотки через источник эталонного напр жени  и логические элементы  чеек подключены к щунтирующим транзисторам .parallel to the chain consisting of the primary winding of the output transformer and “-sequentially connected primary windings of the transformers of the converter cells, and the secondary windings through the source of the reference voltage and logic elements of the cells are connected to the bypassing transistors. 2. Инвертор по п. 1, отличающийс  тем, что логический элемент каждой  чейки выполнен в виде соединенных последовательно измерительных обмоток трансформаторов указанных вспомогательных  чеек, а также обмотки упом нутого дополнительного трансформатора и фиксирующего диода. 2. An inverter according to Claim 1, characterized in that the logic element of each cell is made in the form of the measuring windings of transformers of said auxiliary cells connected in series, as well as the windings of said additional transformer and fixing diode.
SU1829931A 1972-09-20 1972-09-20 Stabilized semiconductor inverter SU471641A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1829931A SU471641A1 (en) 1972-09-20 1972-09-20 Stabilized semiconductor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1829931A SU471641A1 (en) 1972-09-20 1972-09-20 Stabilized semiconductor inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU471641A1 true SU471641A1 (en) 1975-05-25

Family

ID=20527447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1829931A SU471641A1 (en) 1972-09-20 1972-09-20 Stabilized semiconductor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU471641A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3913000A (en) Two-phase solid state power converter
GB1370436A (en) Reference voltage source
US2953738A (en) Rectifier device
GB949827A (en) Static inverter
SU471641A1 (en) Stabilized semiconductor inverter
GB1083867A (en) Arrangements for the conversion of a direct voltage into a sinusoidal alternating voltage
GB1476150A (en) Transistor bridge-rectifier circuit
US3295044A (en) Electrical control apparatus for inverter systems
US4355353A (en) Power supply apparatus
US3127576A (en) D.c. to a.c. converter with negative feedback stabilization
SU497691A1 (en) Stabilized voltage converter
SU363167A1 (en) SSSROpublikovabo 20.Xs 1.1972. Bulletin P1> && for 1973 The date of the flare! 1 and reprinted 21.HI.1973M. Cl. U 02t 7 / 52I UDC 621.314.58: {088.8)
US3571735A (en) Detection circuit including compensation for the threshold of the forward characteristic of a semiconductor junction
SU817874A1 (en) Inverter with pulse-width regulation of output voltage
SU1121771A1 (en) Ultrasonic generator
SU476643A1 (en) A device for maintaining a constant voltage to frequency ratio
SU547020A1 (en) Transistor inverter
US3328675A (en) Device for controlling the effective value of an alternating load voltage
SU495750A1 (en) AC voltage regulator "
SU135954A1 (en) Dc to ac converter
SU600547A1 (en) Dc voltage supply source
GB2069256A (en) Power supply apparatus
SU377953A1 (en) STABILIZED VOLTAGE CONVERTER
SU788313A2 (en) Transistorized inverter
SU399983A1 (en) VPTV FUND tti