SU446743A1 - Способ измерени толщины слоев полупроводниковых материалов - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области измерени  параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов.

Известен способ измерени  тилщины слоев пол5проводниковых материалов интерференционным методом, который заключаетс  в просвечива (Нии сло ,нанесенного на подложку, светом, направленным перпендикул рно к поверхности сло , и спектро отометрическом исследовании интерферирующих отраженных лучей, по результатам которого определ ют толщину сло .

Однако ни один из существующих до насто щего времени методов не позвол л измер ть толщину слоев, если химический состав проводимости и концентраци  носителей тока в них мало отличаетс  от соответствующих величин в материале подложки .

Дл  измерени  толщины слоев, мало отличающихс  по химическому составу,типу проводимости и концентрации носителей от материала подложки,предлагаетс  способ, по которому помещают в пол ризованный световой поток объект измерени  таким образом, чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока, и по вы вленной границе раздела между сло ми определ ют их толщину.

Описываемый способ прост в эксплуатации и не требует химической подготовки образцов.

Принципиальна  схема измерени  по предложенному способу показана на чертеже.

Свет от источника I проходит через конденсор 2, пол ризатор 3, образец , анализатор 5, фокусирующую систему 6 и попадает на регистрирующее устройство 7.

Исследуемый образец помещают между скрещенными пол ризатором 3 4 ..3.... . И анализатором 5 так, чтобы, плоскость , раздел юща  слои (она параллельна поверхности сло ), была параллельна световому потоку Учас тки образца (слой и подложка) из-за различных внутренних напр кейий будут иметь различную  ркость при наолюдении их за анализатором 5« (Разница внутренних напр жений в слое и подложке обусловлена различными услови ми получени  сло  и подложки) Поворотом образца вокруг оптической оси системы выбираетс  положение, в котором границы между сло ми наиболее резкие. Толщина слоев измер етс  с помощью окул рного винтового микрометра или с помощью другого оптического прибора . Толщину слоев полупроводниковых материалов описанным способом 3 можно измер ть пол ризационными микроскопами. ПРЕДМЕТ ИЗРЕР.ЕТЕШЯ Способ измерени  толщины слоев, полупроводниковых материалов, обладающих двойным лучепреломлением, при котором объект измерени  помещают в световой поток, отличающийс  тем, что, с целью измерени  толщины слоев, малоотличающихс  по химическому составу, .типу проводимости и концентрации носителей от материала подложки, помещают в пол ризованный световой поток объект измерени  таким образом , чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока , и по вы вленной границе раздела между сло ми определ ют их толщину .