SU444312A1 - Формирователь импульсов - Google Patents
Формирователь импульсовInfo
- Publication number
- SU444312A1 SU444312A1 SU1885492A SU1885492A SU444312A1 SU 444312 A1 SU444312 A1 SU 444312A1 SU 1885492 A SU1885492 A SU 1885492A SU 1885492 A SU1885492 A SU 1885492A SU 444312 A1 SU444312 A1 SU 444312A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- diode
- transistor
- input
- voltage
- current
- Prior art date
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Description
1
Изобретение относитс к импульсной технике , в частности к устройствам дл формировани импульсов.
Известен формирователь импульсов по авт. св. № 312374.
Однако известное устройство имеет р д существенных недостатков.
Недостаточно полно используетс быстродействие транзисторов. Это вызвано тем, что невозможно в широком диапазоне частот и амплитуд входного сигнала выбрать оптимальный режим работы шунтирующего транзистора , что приводит к снижению предельной частоты работы и надежности формировател .
Выбор режима работы шунтирующего транзистора производитс резистором, включенным между его базой и входным туннельным диодом. К величине этого резистора предъ вл етс р д противоречивых требований. Мала величина резистора приводит к увеличению степени насыщени шунтирующего транзистора и, следовательно, увеличению времени его выключени . С ростом входной частоты шунтирующий транзистор уже не успевает закрыватьс в течение того времени, когда входной туннельный диод находитс в низковольтном состо нии. Это ведет к уменьшению тока, переключаемого диодно-резистивным переключателем в базу транзистора выходного каскада, на величину остаточного коллекторнего тока незакрытого шунтирующего транзистора и, следовательно, к исчезновению выходных импульсов формировател . Величину базового резистора нельз и завышать, так как это может привести к тому, что дл транзисторов с малым статическим коэффициентом усилени базовый ток будет недостаточен дл насыщени .
С другой стороны, в широком динамическом диапазоне входных сигналов диапазон изменени напр жени на входном туннельном диоде также широк, что еще более ослол н ет выбор оптимальной величины базового резистора шунтирующего транзистора.
Цель изобретени - повысить быстродействие и надежность формировател и расширить динамический диапазон входных сигналов .
Дл этого вход диодно-резистивного переключател тока, выполненного на обращенном диоде, через дополнительный резистор соединен с источником питани и через дополнительный обращенный диод - с выходным туннельным диодом, а параллельно эмиттернобазовому переходу шунтирующего транзистора подключен дополнительный туннельный диод.
На фиг. 1 дана принципиальна схема предлагаемого формировател ; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы.
Схема содержит ограничительный резистор 1, подключенный к входному туннельному диоду 2. Обращенный диод 3 и резистор 4 образуют диодно-резистивный переключатель тока , выход 5 которого подключен к базе транзистора 6 выходного каскада. В эмиттер этого транзистора включен туннельный диод 7, а в коллектор - резистор 8. К выходу 5 подключен коллектор шунтирующего транзистора 9, база которого соединена с дополнительным туннельным диодом 10, а через резистор 11 - с входом 12 днодно-резистивного переключател тока, дополнительным обращенным диодом 13 и одним выводом дополнительного резистора 14, второй вывод которого соединен с источником питани формировател .
Временные диаграммы работы формировател приведены на фиг. 2, где
- напр жение на входе;
6д2 - напр жение на входном туннельном диоде 2;
f/12 - напр жение на входе 12 диодно-резистивпого переключател тока;
Us, - напр жение на выходе 5 этого переключател ;
дзпр, /д1зпр - напр жени на смещенных в пр мом направлении обращенных диодах 3 и 13 (надени напр жени на них малы);
дзобр - напр жение на смещенном в обратном направлении обращенном диоде 3 (падение напр жени на нем велико);
{Удю - напр жение на дополнительном туннельном диоде 10;
д7 - напр жение на выходном туннельном диоде 7.
При отсутствии сигнала на входе туннельный диод 2 находитс в низковольтном состо нии (рабоча точка на туннельной ветви характеристики). Через резисторы 4 и 14, диоды 3, 13 и 2 протекает начальный ток смещени (меньщий ннкового тока диода 2), вызывающий на пр мосмещенных обращенных диодах 3 и 13 падени напр жени t/дзпр и д1зпр (см. фиг. 2). Суммой этих напр жений транзистор 6 выходного каскада смещен в сторону отнирани . Так как напр жение на выходе 12 мало (бдзпр на фиг. 2), то туннельный диод 10 находитс в низковольтном состо нии , ток через него мал, а щунтирующий транзистор 9 закрыт.
Если на вход схемы поступает нарастающий сигнал, то под действием его в момент (1 фиг. 2) достижени порога срабатывани туннельный диод 2 скачком переключаетс в высоковольтное состо ние (на вторую восход щую ветвь характеристики). При этом обращенный диод 13 закрываетс . Напр жение на входе 12 диодно-резистивного переключател возрастает за счет падени напр жени на резисторе 11 от тока дополнительного резистора 14. Этот ток меньще пикового тока туннельного днода 10, поэтому последний находитс еще в низковольтном состо нии. Рост напр жени на входе 12 вызывает запирание обращенного диода 3 и переключение тока резистора 4 в базу транзистора 6. Это приводит к отпиранию последнего и как следствие переключению туннельного диода 7 в высоковольтное состо ние, т. е. на выходах формировател в момент /2 по вл ютс сигналы. Переключение диода 7 вызовет повыщение напр жени на выходе 5 диодно-резистивного переключател , ток резистора 4 через днод 3 потечет на вход 12 переключател тока в базовую пепь
щунтирующего транзистора. Этот ток намного превыщает пиковый ток туннельного диода 10, поэтому последний форсированно переключаетс в высоковольтное состо ние, при этом транзистор 9 открываетс в момент /з и щунтирует выход 5, что приводит к запиранию транзистора 6. Туннельный диод 7 переключаетс обратно в низковольтное состо ние. Шунтирование выхода 5 приводит к тому, что обращенный диод 3 пробиваетс в направлении
обратного смещени напр жени на входе 12. Теперь часть тока резистора 14 ответвл етс через обращенный диод 3 в коллектор щунтирующего транзистора 9. Напр жение на входе 12 снижаетс до величины падени напр жени на диоде 3 в обратном направлении (на временной диаграмме - дзоор) плюс напр жение на коллекторе насыщенного транзистора 9, а базовый ток этого транзистора снижаетс до величины, обеспечивающей минимальное врем восстановлени этого транзистора . Ток через туннельный диод 10 теперь мал, но превыщает его ток минимума, поэтому диод 10 остаетс в высоковольтном состо нии .
Дифференциальное сопротивление обращенного диода при пробое в обратном направлении мало, поэтому с помощью диода 3 осуществл етс жестка фиксаци напр жени на входе 12, а следовательно, и базового тока
щунтирующего транзистора.
Такое состо ние схемы - транзистор 6 и диод 13 закрыты, транзистор 9 открыт, туннельный диод 10 в высоковольтном состо нии - будет продолжатьс в течение времени
действи входного сигнала до момента /4, когда ток через входной туннельный диод станет меньще тока минимума. После этого диод 2 переключигс в исходное низковольтное состо ние . При этом диод 13 откроетс , напр жение на входе 12 упадет, и туннельный диод 10 возвратитс в низковольтное состо ние, а транзистор 9 закроетс ; обращенный днод 3 сместитс в пр мом направлении током резистора 4.
Таким образом, в схеме установитс состо ние , аналогичное описанному при отсутствии входного сигнала.
Пока туннельный диод 2 находитс в высоковольтном состо нии, обращенный
диод 13 закрыт и полностью отдел ет диод 2 от входа 12, т. е. от базовой цени транзистора 9. Это исключает вли ние амплитуды входного сигнала на степень насыщени транзистора 9 и позвол ет оптимизировать ток его
базы. Переключение туннельного диода 10 в
высоковольтное состо ние и соответственно включение шунтирующего транзистора 9 согласовано по времени с переключением выходного тупнельного диода 7 в высоковольтное состо ние через диод 3. Форсированное включение диода 10 и транзистора 9 током резисторов 4 и 14 определ ет малую длительность импульсов на выходах формировател , а снижение и фиксаци базового тока шунтирующего транзистора 9 после его включени обращенным диодом 3 уменьщает степень насыщени и врем восстановлени транзистора 9. Этому же способствует малое дифференциальное сопротивление первой восход щей ветви туннельного диода 10 после его переключени па эту ветвь (в момент t возвращени устройства в исходное состо ние).
Таким образом, в некоторый момент действи нарастающего сигнала схемой формируютс короткие импульсы положительной и отрицательной пол рностей. При этом из принципа работы схемы видно, что частота следоо-си
вани входных сигналов может быть сколь угодно малой. Верхн граница частоты определ етс частотными свойствами примен емых полупроводниковых приборов и существенно превыщает предел, достигаемый прототипом .
Предмет изобретени
Формирователь импульсов по авт. св. № 312374, отличающийс тем, что, с целью повышени быстродействи и надежности формировател и расширени динамического диапазона входных сигналов, вход диодно-резистивного переключател тока, выполненного на обращенном диоде, через дополнительный резистор соединен с источником питани и через дополнительный обращеппый диод - с входным туннельным диодом, а параллельно эмиттерно-базовому переходу шунтирующего транзистора подключен дополнительный туннельный диод.
Г-о -f и
IT
-4-7.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1885492A SU444312A1 (ru) | 1973-02-23 | Формирователь импульсов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1885492A SU444312A1 (ru) | 1973-02-23 | Формирователь импульсов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU444312A2 SU444312A2 (ru) | 1974-09-25 |
SU444312A1 true SU444312A1 (ru) | 1974-09-25 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3490027A (en) | Transistor converter amplifier circuit | |
JPS6347012B2 (ru) | ||
EP0392831A2 (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
US3205376A (en) | Variable width nanosecond pulse generator utilizing storage diodes having snap-off characteristics | |
US4246501A (en) | Gated back-clamped transistor switching circuit | |
US3317755A (en) | Variable time-delay circuit employing transistor utilizing minority-carrierstorage effect and modulating a.c. signal-bias at collector for determining delay duration | |
SU444312A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
US3299294A (en) | High-speed pulse generator using charge-storage step-recovery diode | |
US3209173A (en) | Monostable circuit for generating pulses of short duration | |
US3940633A (en) | GTO turn-off circuit providing turn-off gate current pulse proportional to anode current | |
US4379240A (en) | Latching pulse width modulation comparator | |
US3089041A (en) | Reduced turn-off time transistor switch | |
US3391286A (en) | High frequency pulseformer | |
US3064145A (en) | Variable transistor circuit discharging a stored capacitance from a load | |
US2863069A (en) | Transistor sweep circuit | |
US3302036A (en) | Trigger circuit employing a transistor having a negative resistance element in the emitter circuit thereof | |
SU439061A1 (ru) | Релаксатор на туннельном диоде | |
SU438104A1 (ru) | Врем -импульсный модул тор телефонного канала дл малоканальных радиорелейных станций | |
US3480799A (en) | Pulse generator having fast rise time | |
US3225219A (en) | Monostable pulse generator employing delayed switch means shunting tunnel diode for controlling state thereof | |
US3586885A (en) | Square wave generator | |
SU1485427A1 (ru) | Видеоусилитель | |
SU478428A1 (ru) | Формирователь коротких импульсов | |
SU443463A1 (ru) | Генератор импульсов | |
SU491201A1 (ru) | Формирователь импульсов |