SU382057A1 - ELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIAL - Google Patents

Description

1one

Изобретение отшоситс  к материалам дл  региспрации информации,,в частности, электрофотографическим и фототермопластичеоким метода м:11.The invention refers to the materials for the registration of information, in particular, by the electrophotographic and photothermoplastic methods m: 11.

Известен элоктрофотографичеокий материал дл  фототермопластичеокой записи, состо щий -из стекл нной подложки с электропровод щим покрытием из SnO2, сло  неорганичеокого полупроводника н лолимерного фототврадопл1аст1ич иого поЛИ-Ы-вииилкарбазола.An ectophotographic material for photothermoplastic recording is known, consisting of a glass substrate with an electrically conductive coating of SnO2, a layer of an inorganic semiconductor n of a polymer photodio-polar poly-L-vii-carbazole.

Указанный материал не обладает достаточной проз1рач1ностью и чув ствительностью.This material is not sufficiently clear and sensitive.

С целью устранени  повышени  чувствительности материала за счет больщой эффективности фотогенерации носителей в неорганическом полупроводнике и осуществлени  их ннжекции в органический полупроводник, предложено между электропровод щим иокрытием и слоем неорганического полупроводника ввести барьерный диэлектрический слой из моноокиси кремни .In order to eliminate the increase in the sensitivity of the material due to the high efficiency of photogeneration of carriers in the inorganic semiconductor and their introduction into the organic semiconductor, it has been proposed to introduce a silicon monoxide dielectric layer between the electrically conductive coating and the inorganic semiconductor layer.

Величина фоточув(ствительносли такого материала определ етс  фогоиндудированной инжекцией дырок из тонкого сло  иеорганического фотонолушроводника в орга1Нический полишерный фотоаюлупроводник в случае отрицательной зар дки свободной паверх-ностн сло .The magnitude of the photosensitive (the material of such a material is determined by the foaming of the injection of holes from a thin layer of organic photon light to the organic polymeric photoluorescent in the case of a negative charge of the free surface layer).

Необходимым условием дл  осуществлени Prerequisite for the implementation of

П1жекцн11  вл етс  лал11Ч1ие электрического пол  в неорганическом нолунроводнике.Jack 11 is a lated 11 H electric field in an inorganic semi conductor.

Когда в известном матери але в качестве неoip raiH Ичеокого нолу1П;роводинка примен ет с When, in a well-known material, as a neoip raiH Icheokogo nuPu;

Аз25ез, потенциальный барьер дл  носителей тока между слоем AssSes и слоем SnO2 очень низок, электри ческое поле в ллен-ке As2Se3 отсутствует и по величине чувствителыностн двойной слой не отличаетс  от сло  фототермонластнка .Az25c, the potential barrier for current carriers between the AssSes layer and the SnO2 layer is very low, the electric field in As2Se3 film is absent, and the magnitude of the sensitivity of the binary layer does not differ from the photothermal power layer.

П|римененне Аз25ез в двойных фотопроводНИ1КОВЫХ сло х перспекти-вио, так как, во-первых , в однослойных материалах с AsaSes осуществл етс  высока  эффективность фотогенерацнн носителей с квантовым выходом, превыщ ающий еди-ницу, AsaSea обладает высокой термостойкостью, в отличие от Se, что важно дл  фототермонласт1нчеаких слоев, которые ири эксплуатации лшогократно напревают до 904,130°С.P | imenena Az25ez in double photoconductive layers of perspective, because, firstly, in single-layer materials with AsaSes high photogeneration efficiency of the photogeneration, exceeding unity, AsaSea has a high heat resistance, unlike Se that is important for photothermonal layers, which, when used, looses up to 904.130 ° C.

Особенностью предложенного сло   вл етс  возможность реализовать высокую фотоэлектрическую ч вствительность селенонда мыщь .-ка при нанесентш на стекло, имеющее провод щее покрытие из дв окисн олова.A feature of the proposed layer is the ability to realize a high photoelectric sensitivity of selenium on the mouse. When applied to glass, having a conductive coating of two tin oxide.

Введение барьерного сло  ,из Si02 SnOz и As2Se3 обеспечивает наличие электрического нол  в последнем, и таким образом, фотоинжекцию дырок в арганичеакий полимерный полупроводник.The introduction of a barrier layer of SiO2 SnOz and As2Se3 ensures the presence of an electrical zero in the latter, and thus, photoinjection of holes into an argan-phony polymer semiconductor.

При нанесении АззЗез непооредственио на пленк} из SnOs невозможно реалиЗОвать его высокую фотоэлектричеокую чувствительность, так как дырки из Sn02 из-за отсутстви  барьера между SnOj и AszSes переход т в AsaSes, смещаЯСь к граНИ|Це As2Sie3 полнмерное покрытие.When applying AzzZez not directly on the film} from SnOs, it is impossible to realize its high photoelectric sensitivity, since the holes from Sn02 due to the absence of a barrier between SnOj and AszSes transfer into AsaSes, shifting to the edge | Asa2Sie3 |

Зар д экр-а Епро ъани  (в случае отрицательной з ар д1ки Ооверхности) будет находитьс  не на границе SnOa - AssSes, что п|р,иводит к отсутствию пол  в фотополугароводнике (Аз25ез) -и исключает воз1можность инжекции дырок из AsaSss в полмМерное покрытие.The charge of the screen (in the case of a negative surface gap) will not be at the SnOa – AssSes interface, which is | p, and leads to the absence of a floor in the photogravodader (Az25ez), and it excludes the possibility of injection of holes from AsaSss into the full dimension .

В известном слое по этим .причинам дрименить AsgSes на стекл нной подложке с покрытием из SnOs невозмож но.For these reasons, it is impossible to drift AsgSes on a glass substrate coated with SnOs in a known layer.

В предлагаемом матерн але кроме высокой чущстЕнтельности слои обладают значительно большей тиражеопособ остью благодар  высокой термостойкости, что поз1вол ет использовать фототермапластичеокие компози1ЦИ|И со значительно более высокой тем|пвр1атурой разм гчентг , так как воз1МОЖ1но многократное нагревание сло  из Аз25ез до 200-250°iC.In the proposed maternale, in addition to high sensitivity, the layers have a much greater circulation due to their high heat resistance, which makes it possible to use photothermoplastic composites 1CI | And with a significantly higher temperature, since it can repeatedly heat the layer from Az25 to 200-250 ° C.

Пример. Стекл нную подложку, на одной поверхности которой имеетс  прозрачна  провод ща  пленка из SnOa, предварительно о:безж1ир И1вают, затем термическим распылением в важуу.ме (Н анос т тонкую прозрачную плбна у (толщина 1 мк) из окиси кремни , о6ладающ )чо лиэлеклри чеокнм: свойствами. Далее , }. -илкууме (те ниже 10 торр) на плен.куExample. A glass substrate, on one surface of which there is a transparent conductive film of SnOa, is preliminarily insulated, then heated by thermal spraying in a voruuma (H anodine thin transparent plastic (thickness 1 micron) of silicon oxide, it is cool) check: properties. Further , }. -lkume (those below 10 Torr) on film

из SnOa ло методу термического испарени  нанос т прозрачный 1СЛОЙ AsaSes толщиной 0,02-0,03 мк. Сверху сло  Аз25ез образуют пленку из органичеокого фотополупроводникаfrom SnOa by the thermal evaporation method is applied a transparent 1LAYER AsaSes 0.02-0.03 microns thick At the top of the layer Az25ez form a film of organic photosemiconductor

(lПoли-N- вннилlкap;бaзoл нлй его содержаща  полимерна  комнозици ) толщиной 1-25 мк путем поли|ва его раствора в толуоле. После сушки в вакуумном термостате в течение 1 час при 70°С слой примен ют но назначению.(lPoly-N-nylncap; its base-containing polymer comnose) with a thickness of 1-25 microns by polishing its solution in toluene. After drying in a vacuum thermostat for 1 hour at 70 ° C, the layer is used for the intended purpose.

Полученный слой прозрачен (60%), по чувствительности не устзпает лучши-м электрофотограф ич ейским сло м. Прозрачность сло  позвол ет примен ть его в режиме диапроекции, что важно при фототермопластической регистрации информации. Макои М альна  фоточувствительность сло  не ниже 0,16 .The resulting layer is transparent (60%), because of its sensitivity it does not tolerate the best electrophotographic layers. The transparency of the layer makes it possible to apply it in a mode of projection, which is important for photothermoplastic recording of information. Makoi M nal photosensitivity of the layer is not lower than 0.16.

П р е д |М е т изобретени Prede | M e of the Invention

Элек11рафото1гр|афический материал дл  фототермопластичеакой заниси, состо щий из стекл нной ПОДЛОЖ1КИ с электропровод щим покрытием из ЗпОз, сло  неорганического нолупроводника и полимерного фотополупроводНИК01ВОГО поКрытн , нанрвмер, из фототермопластичного поли-Н-винилкарбазола, отличающийс  тем, что, с целью получени  материал а высокой чувствителвности, между электрапровогд н1им покрытием и слоем неорганического полуправодннка введен ;и1элг-ктрнчеiCKiiii слой из моиоокиси 1-;рем11 1и.Elek11rafoto1gr | afichesky material for fototermoplasticheakoy zanisi consisting of glass PODLOZH1KI with an electrically conductive coating of ZpOz, layer of inorganic noluprovodnika and polymeric fotopoluprovodNIK01VOGO poKrytn, nanrvmer from fototermoplastichnogo poly-N-vinylcarbazole, characterized in that, in order to obtain material and high sensitivity, between the electrophotogene of the first coating and a layer of inorganic semi-hydride is introduced; an elec- trontechniciKKiiii layer of organic oxide 1-; rem11 1i.