SU350136A1 - AMPLIFIER INTERMEDIATE FREQUENCY) GG 'WITH ADJUSTABLE STRIP PASSAGE - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области радиотехники .This invention relates to the field of radio engineering.

Известны усилители промежуточной частоты с регулируемой полосой пропускани , выполненные на транзисторах по двухкаскадной схеме с емкостной св зью и с параллельными колебательнылга контурами в коллекторных цеп х, Причем в цепь питани  второго усилител  включен / С-фильтр, а в цель его базы - регулируемый делитель напр жени .Known intermediate-frequency amplifiers with adjustable bandwidth, made on transistors in a two-stage circuit with a capacitive coupling and with parallel oscillating circuits in collector circuits. Moreover, the second amplifier includes a / filter in the power supply circuit and an adjustable divider, for example, wives

Недостатком известных устройств  вл етс  значительное изменение коэффициента усилени  при регулировке полосы .пропускани .A disadvantage of the known devices is a significant change in the gain when adjusting the bandwidth.

С целью расширени  пределов регулировани  полосы пропускани  устройства при сохранении посто нного коэффициента усилени  в предлагаемом устройстве между коллекторами транзисторов включены последовательно соединенные резистор, зашунтированный конденсатором, и диод, анод которого подключен к коллектору второго транзистора.In order to expand the limits of adjustment of the bandwidth of the device while maintaining a constant gain in the proposed device between the collectors of transistors connected in series are a resistor, which is bridged by a capacitor, and a diode whose anode is connected to the collector of the second transistor.

На чертеже изображена электрическа  схема предлагаемого устройства.The drawing shows the electrical circuit of the proposed device.

Цепь обратной св зки, составленна  из последовательно соединенных посто нного резистора /, шунтированного емкостью 2, и диода 3, включена между коллектором и базой транзистора 4. На транзисторе 4 и транзисторе 5 собран двухкаскадный усилитель по схеме с общими эмиттерами и коллекторными нагрузками в виде автотрансформаторно включенных контуров 6 и 7.A feedback circuit, made up of a series-connected constant resistor /, shunted with a capacitance 2, and a diode 3, is connected between the collector and the base of the transistor 4. On the transistor 4 and transistor 5, a two-stage amplifier is assembled according to a circuit with common emitters and collector loads in the form of autotransformer included circuits 6 and 7.

С помощью делител , состо щего из резисторов S и Я на базу транзистора 4 подаетс  регулируемое смещение, в результате чего измен етс  его крутизна, а также входной и выходной импедансы.With the help of a divider consisting of resistors S and I, an adjustable bias is applied to the base of transistor 4, as a result of which its slope and input and output impedances are changed.

Резистор 10, щунтированный блокировочной емкостью 11, включен в коллекторнуюThe resistor 10, bypass the blocking capacitance 11, is included in the collector

цепь транзистора 4, в результате чего на диод 3 подаетс  напр жение, управл ющее током диода и его сопротивлением. Диод 3 включен в пр мом направлении. Таким образом сопротивление в цепи обратной св зи выполнено регулируемым.a transistor 4 circuit, as a result of which a voltage is applied to the diode 3 controlling the current of the diode and its resistance. Diode 3 is connected in the forward direction. Thus, the resistance in the feedback circuit is adjustable.

Амплитудно-частотна  характеристика любого двухкаскадного усилител  с одиночными контурами, в котором второй каскад охвачен отрицательной обратной св зью по напр жению через резистор с выхода на вход, эквивалентна амплитудно-частотной характеристике пары св занных контуров, т. е. в зависимости от глубины св зи, величины резистора св зи и параметров контуров она може-тThe amplitude-frequency characteristic of any two-stage single-loop amplifier, in which the second stage is covered by negative voltage feedback through a resistor from output to input, is equivalent to the amplitude-frequency characteristic of a pair of connected circuits, i.e. depending on the depth of connection , the values of the communication resistor and the parameters of the circuits, it can

быть одногорбой, двугорбой, с одинаковыми или различными по уровню максимумами.to be one-humped, two-humped, with the same maximum or maximum level.

полосы пропускани  не более чем в 4,8 раза без перекоса вершины амллитудно-частотной характеристики и неравномерности в полосе не более трех децибел.the bandwidth is not more than 4.8 times without skewing the apex of the amplitude-frequency characteristic and non-uniformity in the band of not more than three decibels.

Измен ющиес  при регулировке импедансы транзистора 4 способствуют регулировке, причем в -большей мере, чем в случа х регулируемой лампы, поэтому целесообразно не ослабл ть ов зь транзистора с обоими контурами . Тем самым достигаетс  меньша  неравномерность частотной характеристики в полосе за счет возрастаюш:их, по мере расширени  полосы, вносимых затуханий в контуры , обусловленных входной и выходной проводимост ми транзистора 4.The impedances of the transistor 4, which vary with adjustment, contribute to the adjustment, and more so than in the case of an adjustable lamp, therefore it is advisable not to weaken the transistor with both circuits. This results in less uneven frequency response in the band due to increasing: them, as the band expands, the attenuations introduced into the circuits are due to the input and output conductances of the transistor 4.

Вли ние входной и выходной емкостей транзистора 4 также способствует регулировке . Выходна  емкость, возрастающа  с ростом тока эмиттера, расстраивает контур 7 в сторону частот, ниже резонансной, а входна  емкость в результате введенной цени обратной св зи дополн етс  резко падающей за пределами полосы составл ющей, что создает эффект смещени  частоты настройки контура 6 в сторону частот, выше резонансной .The effect of the input and output capacitances of the transistor 4 also contributes to the adjustment. The output capacitance, which increases with an increase in the emitter current, frustrates circuit 7 in the direction of frequencies below the resonant one, and the input capacitance, as a result of the feedback rate introduced, is complemented by a component that drastically falls outside the band, which creates the effect of shifting the tuning frequency of circuit 6 towards the frequencies higher resonance.

Таким образом, контуры 5 и 7 расстраиваютс  в противоположных направлени х, что способствует расширению диапазона регулировки полосы пропускани .Thus, circuits 5 and 7 are frustrated in opposite directions, which expands the bandwidth adjustment range.

Однако, ввиду того, что входна  емкость транзистора 4 остаетс  примерно на пор док выше выходной, а дл  расширени  диапазона регулировки полосы пропускани  св зь транзистора 4 с контурами ослабл ть нецелесообразно , что к тому же вызывает уменьшение усилени , амплитудно-частотна  характеристика имеет тенденцию к смещению в область частот, выше резонансной но мере расширени  полосы. Коррекци  этого смещени  становитс  необходимой, особенно при работе на частотах в несколько дес тков мегогерЦ .However, due to the fact that the input capacitance of transistor 4 remains approximately an order of magnitude higher than the output, and to extend the bandwidth control bandwidth, it is impractical to weaken the coupling of transistor 4 with circuits, which also causes a decrease in gain, the amplitude-frequency characteristic tends to offset in the frequency range, above the resonant but the extent of expansion of the band. Correction of this bias becomes necessary, especially when operating at frequencies of several tens of MHz.

Одновременно происходит и деформаци  верщ-ины амплитудно-частотной характеристики ввиду конечного и измен ющегос  в пределах полосы фазового угла крутизны транзистора 4, чгго нарушает услови  фазировани  обратной св зи в рабочей полосе частот , а также в результате неодинаковой расстройки контуров и измен ющихс  затуханий .Simultaneously, the top of the amplitude-frequency characteristic is also deformed due to the final and variable within the phase angle band of the slope of the transistor 4, which violates the feedback phasing conditions in the working frequency band, as well as as a result of unequal detuning of the contours and varying attenuations.

Если цепь обратной св зи содержит лищь резистор 1, то возникает следующа  закономерность деформации верщнны частотной характеристики .If the feedback circuit contains a resistor 1, then the following pattern of deformation of the frequency response occurs.

При наличии только внутренней обратной св зи в транзисторе вершина амплитудно-частотной характеристики деформирована так, Что она имеет приподн тую левую часть, а при двугорбой кривой это про вл етс  в виде подъема левого максимума. Введение дополнительного резистора в цепь обратной св зи, при сохранении всех прочих условий, не ликвидирует указанной особенности. Подобна If there is only internal feedback in the transistor, the peak of the amplitude-frequency characteristic is deformed so that it has a raised left part, and with a two-peaked curve this manifests itself in the form of raising the left maximum. The introduction of an additional resistor in the feedback circuit, while maintaining all other conditions, does not eliminate this feature. Is like

закономерность наблюдаетс  и в предлагаемой схеме, когда она, будучи настроена на самой узкой полосе, при одногорбой кривой, по мере перехода к двухгорбой характеристике и неглубокой пока обратной св зи, дает приподн тый левый максимум.The pattern is also observed in the proposed scheme, when it is tuned to the narrowest band, with a single-hump curve, as it goes over to a two-hump characteristic and shallow feedback, it gives a raised left maximum.

По мере возрастани  крутизны транзистора 4 и увеличени  тем самым глубины обратной св зи остаетс  в силе типична  регулировка , сопровождающа с  ростом обеих верщин , в результате чего, по мере расщнрени As the steepness of the transistor 4 increases and thereby increases the depth of the feedback, the adjustment is typical, which is accompanied by the growth of both tops, with the result that

полосы, они выравниваютс  и сглаживаютс stripes, they are smoothed out and smoothed

за счет вносимых затуханий в контуры.due to the insertion loss in the contours.

По мере дальнейшего расширени  полосыWith further expansion of the band

пропускани  становитс  существенными изменение фазового угла крутизны транзистора 4, а также вли ние расстроек контуров 6, 7. Результатом этого  вл етс  обострение вершины резонансной характеристики в области частот, выше резонансной.the transmission becomes significant change in the phase angle of the transistor 4, as well as the influence of detuning circuits 6, 7. The result is a sharpening of the peak of the resonance response in the frequency range above the resonance.

Такова закономерность деформации вершины характеристики в некорректированной схеме. Предлагаема  схема имеет то достоинство,This is the pattern of deformation of the top of the characteristic in an uncorrected scheme. The proposed scheme has the virtue

что усиление при регулировке, начина  со значени , соответствующего примерно критической форме частотной характеристики, с расширением полосы пропускани  поддерживаетс  почти посто нным (неравномерностьthat the gain in the adjustment, starting with a value corresponding approximately to the critical form of the frequency response, with an expansion of the passband, is maintained almost constant (non-uniformity

усилени  колеблетс  в пределах 2 дб). Это объ сн етс  благопри тным вли нием вещественных составл ющих входного и выходного импедансов регулируемого транзистора 4, вследствие чего результирующие нагрузки вgains vary within 2 dB). This is due to the beneficial effect of the material components of the input and output impedances of the controlled transistor 4, as a result of which the resulting loads in

каскадах уменьшаютс  при одновременном возрастании крутизны транзистора 4.cascades are reduced while increasing the steepness of transistor 4.

При ослаблении глубины обратной св зи, т. е. в области, где частотна  характеристика определ етс , в основном, лишь усилениемWhen the feedback depth is weakened, i.e., in the region where the frequency response is determined mainly by the gain

первого каскада на транзисторе 5, нагруженного на св занные через резистор контуры, усиление оказываетс  меньшим. Резистор / обратной св зи в этой области регулировки следует рассматривать также, как шунт кthe first stage on the transistor 5, loaded on the circuits connected through the resistor, the gain is smaller. Resistor / feedback in this area of adjustment should also be considered as a shunt to

обоим контурам и уменьшение его позвол ет расширить диапазон полосы в сторону более узких и подн ть коэффициент усилени .and reducing both contours allows the band to expand in the direction of narrower ones and increase the gain.

Предмет изобретени Subject invention

Усилитель промежуточной частоты с регулируемой полосой пропускани , выполненный на транзисторах по двухкаскадной схеме с емкостной св зью и с параллельными колебательными контурами в коллекторных деп х , причем в цепь питани  второго усилител  включен / С-фильтр, а в цеиь его базы - регулируемый делитель напр жени , отличающийс  тем, что, с целью расширени  пределов регулировани  полосы пропускани An intermediate-frequency amplifier with adjustable bandwidth, made on transistors in a two-stage circuit with capacitive coupling and with parallel oscillating circuits in collector depots, with an A / C filter included in the power supply circuit of the second amplifier, and an adjustable voltage divider in its base circuit , characterized in that, in order to expand the limits of bandwidth control

при сохранении посто нного коэффициента усилени , между коллекторами транзисторов включены последовательно соединенные ре зистор, зашунтированный конденсатором, и диод, анод которого подключен к коллекторуwhile maintaining constant gain, between the collectors of transistors are connected in series the resistor, shunted by a capacitor, and a diode, the anode of which is connected to the collector

:0 4: 0 4