SU240792A1 - SOLUTION FOR THE POISONING OF MONOXIDE SILICON - Google Patents

Description

Известен раствор дл  травлени  моноокиси кремни , исиользуемый, наиример, при изготовлении элементов печатных схем, содержащий фтористоводородную кислоту и фтористый аммоний.A known solution for etching silicon monoxide, which is used, is naimer, in the manufacture of elements of printed circuits, containing hydrofluoric acid and ammonium fluoride.

Цель изобретени  - увеличение скорости процесса травлени  и повышение качества вытравливаемых фигур.The purpose of the invention is to increase the speed of the etching process and improve the quality of the etched shapes.

Достигаетс  это, тем, что в раствор, содержащий 2-22 вес. ч. 48%-ной фтористоводородной кислоты, 6-36 вес. ч. фтористого аммони  и 12-108 вес. ч. воды, добавл ют 201-22 вес. ч. 30%-ной перекиси водорода.This is achieved by the fact that in a solution containing 2-22 weight. including 48% hydrofluoric acid, 6-36 weight. am ammonium fluoride and 12-108 weight. including water, add 201-22 weight. including 30% hydrogen peroxide.

Раствор ие разрущает защитную пленку фоторезиста, используемую в качестве маски в процессе травлени . Это улучшает качество вытравливаемых фигур на поверхности пленки моноокиси кремни , скорость травлени  при этом увеличиваетс  в 30-40 раз. РастворThe solution destroys the protective film of the photoresist used as a mask in the etching process. This improves the quality of etched patterns on the surface of the silicon monoxide film, and the etching rate increases by 30–40 times. Solution

может быть использован при нзгоговлении соединительных проводников многослойных пленочных схем и конденсаторов с диэлектриком из моноокиси кремни . It can be used for fixing the connecting conductors of multilayer film circuits and capacitors with a silicon monoxide dielectric.

Предмет изобретени Subject invention

Раствор дл  травлени  моноокиси кремни , используемый, например, при изготовленииThe solution for etching silicon monoxide, used, for example, in the manufacture of

элементов печатных схем, содержащий фтористоводородную кислоту и фтористый аммоний , отличающийс  тем, что, с 1елью увеличени  скорости процесса травлеин  и повышен 1  качества вытравливаемых фигур, в раствор , содержащий 2-22 вес. ч. 48%-ной фтористоводородной кислоты, 6-36 вес. ч. фтористого аммони  и 12-108 вес. ч. воды, добавл ют 201-22 вес. ч. 30%-иой перекиси водорода .elements of printed circuits containing hydrofluoric acid and ammonium fluoride, characterized in that, with an increase in the rate of the process, tralein and 1 quality of etched figures are improved, into a solution containing 2-22 wt. including 48% hydrofluoric acid, 6-36 weight. am ammonium fluoride and 12-108 weight. including water, add 201-22 weight. including 30% hydrogen peroxide.