SU1820787A1 - METHOD OF PLASMA AND CHEMICAL REMOVAL OF A PHOTORESIST WITH A SEMICONDUCTOR SURFACE - Google Patents

Abstract

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.Method of plasma-chemical removal of photoresist from a semiconductor substrate, including its placement in a working chamber on a thermostatted substrate holder at a distance of over 100 mm from the plasma activation zone, activation of low-temperature plasma in a gaseous environment containing oxygen, transportation of active radicals from the activation zone to the treatment zone and processing of the substrate a layer of photoresist, characterized in that, in order to increase the selectivity of removing photoresist relative to the underlying layer and reduce oxidation of the underlying their materials while maintaining high process rate, the gas medium argon gas is additionally introduced, the content of argon in the mixture is 20-95 vol.%.