SU1808152A3 - Strip-line coupler - Google Patents

Description

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в качестве делителя мощности с развязанными выходами.The invention relates to microwave technology and can be used as a power divider with isolated outputs.

Цель изобретения - уменьшение неравномерности переходного ослабления, увеличение направленности, улучшение согласования, расширение полосы рабочих частот, увеличение верхней частоты рабочего диапазона, уменьшение отклонения разности фаз от 90° между выходами направленного ответвителя, улучшение стабильности и повторяемости его характеристик.The purpose of the invention is to reduce the unevenness of the transition attenuation, increase the directivity, improve the matching, expand the operating frequency band, increase the upper frequency of the operating range, reduce the phase difference deviation from 90 ° between the outputs of the directional coupler, improve the stability and repeatability of its characteristics.

Сущность изобретения поясняется рисунками, где на фиг.1 дана конструкция микрополоскового ответвителя; на фиг.2 нижняя сторона диэлектрической прокладки; на фиг.З - сечение А-А на фиг.1; на фиг.4 - сечение В-В на фиг.1; на фиг.5 - сечение С-С на фиг.1; на фиг.6-8 - варианты выполнения воздушного зазора в ответвителе; на фиг.9 и 10 — распределение электрических полей в основной секции связи.The invention is illustrated by drawings, where figure 1 shows the design of a microstrip coupler; figure 2 the lower side of the dielectric strip; in Fig.3 is a section aa in Fig.1; figure 4 - section bb in figure 1; figure 5 is a cross section CC in figure 1; Fig.6-8 - embodiments of the air gap in the coupler; Figures 9 and 10 show the distribution of electric fields in the main communication section.

Микрополосковый ответвитель содержит подложку 1, на верхней поверхности которой нанесены проводники 2,3 и 4,5 подводящих линий. Диэлектрическая прокладка 6 находится над верхней поверхностью подложки 1, между свободными концами проводников 2,3 и 4,5, причем эта часть подложки свободна от металлизации. На верхнюю поверхность прокладки 6 нанесены два проводника 7,8, разделенных зазоромThe microstrip coupler contains a substrate 1, on the upper surface of which are applied conductors 2,3 and 4,5 of the supply lines. The dielectric strip 6 is located above the upper surface of the substrate 1, between the free ends of the conductors 2,3 and 4,5, and this part of the substrate is free from metallization. Two conductors 7.8 are applied to the upper surface of the gasket 6, separated by a gap

11. На нижнюю поверхность пленки 6 также нанесены два проводника 9,10, разделенные таким же по величине зазором, причем проводники 7,8 и 9,10 находятся один под другим (фиг.З). На краях проводников 7,8 и в середине выполнены короткие выступы11. Two conductors 9.10 are also deposited on the lower surface of the film 6, separated by a gap of the same size, with the conductors 7.8 and 9.10 being one below the other (FIG. 3). On the edges of the conductors 7.8 and in the middle are made short protrusions

12-17. На кр!аях и в середине проводников 9,10 имеются выступы 18—23. Причем в каждый из этих пар встречных выступов на одной поверхности прокладки обеспечено смещение выступов на расстояние, несколько большее ширины выступов. Смещены также выступы на проводниках, находящихся один под другим. Так, для проводников? и 9 смещены выступы 12 и 19, 14 и 21, 16 и 23, а для проводников 8 и 10 смещены выступы 13 и 18, 15 и 20, 17 и 22. Однако не смещены выступы 12 и 18, 14 и 20, 16 и 22, 13 и 19, 15 и 21, 17 и 23 для диагонально расположенных проводников 7 и 10, 8 и 9. Верхние проводники 7 и 8 заканчиваются на одном конце расширенными контактными площадками 24 и 25, а нижние проводники 9 и 10 на противоположном конце заканчиваются расширенными контактами площадками 26 и 27. Эти площадки 24-27 соединяются с соответству- . · ющими концами подводящих проводников12-17. On the edges and in the middle of conductors 9.10 there are protrusions 18-23. Moreover, in each of these pairs of oncoming protrusions on one surface of the gasket, the displacement of the protrusions by a distance slightly larger than the width of the protrusions is provided. The protrusions on the conductors located one below the other are also offset. So, for the conductors? and projections 12 and 19, 14 and 21, 16 and 23 are displaced, and for conductors 8 and 10, projections 13 and 18, 15 and 20, 17 and 22 are displaced. However, protrusions 12 and 18, 14 and 20, 16 and 22, 13 and 19, 15 and 21, 17 and 23 for diagonally located conductors 7 and 10, 8 and 9. The upper conductors 7 and 8 end at one end with extended contact pads 24 and 25, and the lower conductors 9 and 10 at the opposite end end with extended contacts pads 26 and 27. These pads 24-27 are connected with the corresponding. · The leading ends of the lead wires

2-5. Выступы 14 и 20, 15 и 21 через выборку 29 в прокладке 6 соединяются между собой как показано на фиг.4 и 5. Также соединяются и выступы 12 и 18, 13 и 19, 16 и 22, 17 и 23 через выборки 28 и 30 в прокладке 6. Дополнительно прокладка 6 может быть приподнята над поверхностью подложки с зазором 31 с помощью фиксирующих прокладок 34,35 или за счет выборки 32 в подложке 1, или одновременно за счет подъема с помощью фиксирующих прокладок 34.35 и выборки 32 в подложке с образованием максимального зазора 33.2-5. The protrusions 14 and 20, 15 and 21 through the sample 29 in the gasket 6 are interconnected as shown in Figures 4 and 5. Also, the protrusions 12 and 18, 13 and 19, 16 and 22, 17 and 23 are connected through the samples 28 and 30 in the gasket 6. Additionally, the gasket 6 can be raised above the surface of the substrate with a gap of 31 by means of fixing spacers 34.35 or by sampling 32 in the substrate 1, or at the same time by lifting with the help of fixing gaskets 34.35 and sampling 32 in the substrate with the formation of the maximum clearance 33.

Ответвитель работает следующим образом. Ввиду симметрии можно рассматривать подачу СВЧ сигнала с входа любого из четырех подводящих проводников. Допустим, мощность поступает на вход подводящей линии 3. Обычно пары подводящих линий представляют собой четвертьволновый отрезок связанных линий, причем симметрично расположенных. Так, связанные подводящие линии 2,3 совершенно симметричны и идентичны связанным линиям 4,5. Совместно с секцией сильной связи, выполненной на прокладке 6, они образуют симметричный 3 дБ ответвитель. Секции из проводников2,3 и4,5(или еще дополнительные секции) необходимы для реализации 3 дБ НО в широкой полосе частот с перекрытием порядка 6:1 почастоте при сравнительно небольшой неравномерности (зависимости от частоты) переходного ослабления. Мощность со входа 3, подводится к проводнику 8 основной секции сильной связи, а небольшая часть ответвляется в связанную линию 2. В основной секции необходимо создать очень сильную связь линий (собственное переходное ослабление этой секции должно составлять примерно 1-1,5 дБ в зависимости от диапазона частот, количество вспомогательных секций). В заявляемом устройстве сильная связь обеспечивается тем, что проводник 7 соединен с проводником 10, а проводник 8 с проводником 9, находящимся на разных поверхностях диэлектрической пленки, через выступы 12 и 18, 13 и 19, 16 и 22, 17 и 23, через выборки 28,29,30 в прокладке 6. Согласно теории о двух фундаментальных волнах в связанных линиях- нечетной и четной, имеем следующее распределение электрических полей в проводниках основной секции (фиг.9 и 10). Ввиду коротких и достаточно широких выступов 12-23 осуществляется практически без потерь и безиндукционная связь проводников 7 и 10. 8 и 19, что играет решающую роль как для согласования, так и для обеспечения неравно мерности переходного ослабления, близкой к расчетной. Выступы не пересекаются, не перехлестываются, не ухудшают характеристики переходного ослабления. Практически все поле сосредоточено в диэлектрике прокладке 6, эффективная диэлектрическая проницаемость е_Эфоо нечетной волны в основном зависит от £ri прокладки и частично ОТ £г2 ПОДЛОЖКИ. ЕСЛИ £г2 ~ 10, а 8г1 ~ 3, то влияние подложки немного возрастет. Устранить это влияние может введение зазора 33 между прокладкой 6 и подложкой 1. Волновое сопротивление Zoo определяется двойной шириной 2 W проводников 7-10 (W - ширина каждого проводника) и половиной толщины прокладки 6.The coupler operates as follows. Due to the symmetry, we can consider the supply of a microwave signal from the input of any of the four lead wires. Suppose that the power is supplied to the input of the supply line 3. Typically, the pairs of supply lines are a quarter-wave segment of connected lines, moreover, symmetrically located. So, the connected supply lines 2,3 are completely symmetrical and identical to the connected lines 4,5. Together with the strong coupling section made on the gasket 6, they form a symmetrical 3 dB coupler. Sections of conductors of 2.3 and 4.5 (or even additional sections) are necessary for the implementation of 3 dB BUT in a wide frequency band with an overlap of the order of 6: 1 frequency with a relatively small unevenness (depending on frequency) of the transition attenuation. The power from input 3 is supplied to the conductor 8 of the main strong coupling section, and a small part branches into a connected line 2. In the main section, it is necessary to create a very strong coupling of the lines (the own transient attenuation of this section should be approximately 1-1.5 dB, depending on frequency range, number of auxiliary sections). In the inventive device, a strong connection is provided by the fact that the conductor 7 is connected to the conductor 10, and the conductor 8 to the conductor 9 located on different surfaces of the dielectric film, through the protrusions 12 and 18, 13 and 19, 16 and 22, 17 and 23, through samples 28,29,30 in laying 6. According to the theory of two fundamental waves in coupled lines — odd and even, we have the following distribution of electric fields in the conductors of the main section (Figs. 9 and 10). Due to the short and rather wide protrusions 12-23, the conductors 7 and 10 are connected without induction without loss of coupling. 8 and 19, which plays a decisive role both for matching and for ensuring uneven transition attenuation close to the calculated one. The protrusions do not overlap, do not overlap, and do not worsen the characteristics of transition attenuation. Almost all field is concentrated in the dielectric gasket 6, the effective dielectric constant e _e OLF odd waves depends mainly on the £ ri gaskets and partly from £ r2 substrate. If £ r2 ~ 10, and 8r1 ~ 3, then the influence of the substrate will increase slightly. To eliminate this effect, the introduction of a gap 33 between the gasket 6 and the substrate 1. The wave impedance Zoo is determined by the double width 2 W of conductors 7-10 (W is the width of each conductor) and half the thickness of the strip 6.

Для четной волны распределение поля полностью определяется проводниками и подложкой (поле не проникает в пленку, так как при таком возбуждении все проводники находятся под одним потенциалом). Выбором толщины подложки, расположением пленки над подложкой можно регулировать величину Е_Эфо четной волны и величину волнового сопротивления Zoe. Введение зазора 33 между прокладкой 6 и подложкой 1 существенно увеличивает величину Zoe, что необходимо для осуществления весьма сильной связи линий и что сложно обеспечить другими способами. Это объясняется тем, что зазор находится вблизи микрополосковых проводников, где наибольшая напряженность электрического поля и его эффект на увеличение Z_oe даже при небольшом зазоре значительно выше, чем если бы увеличилась просто толщина подложки 1.For an even wave, the field distribution is completely determined by the conductors and the substrate (the field does not penetrate the film, since with such excitation all the conductors are at the same potential). By choosing the thickness of the substrate, by arranging the film over the substrate, the value of the _E pho od wave and the wave resistance Zoe can be controlled. The introduction of a gap 33 between the gasket 6 and the substrate 1 significantly increases the value of Zoe, which is necessary for the implementation of a very strong connection of lines and which is difficult to provide in other ways. This is because the gap is near microstrip conductors, where the greatest electric field strength and its effect on the increase in Z _oe even with a small gap is much higher than if the thickness of the substrate 1 simply increased.

В секции сильной связи больше половины мощности из проводников 8 и 9 перекачивается в линию с проводниками 7 и 10. Далее в секции связанных линий из. подводящих проводников 4 и 5 мощность частично перераспределяется·за счет связи в этой секции и создается за счет этих секций связи из проводников 4 и 5, 2 и 3 волнообразное изменение переходного ослабления в широкой полосе частот и с малым волнообразным изменением, в целом обеспечивая большую широкополосность. В ответвителе ответвление энергии (соответствующее переходному ослаблению ответвителя) за счет электромагнитной связи обеспечивается на выходе подводящей линии 2. В обычном ответвителе остальная мощность должна выйти на выходе 5 подводящей линии. Однако благодаря соединению проводников 7 и 10, . 8 и 9 подиагонально, направление остальной энергии перебрасывается на выход подводящего проводника 4. Это важно для многих случаев использования, так как от ветвленная и проходящая части мощности отводятся в одну сторону ответвителя (в тандемных схемах это необходимо). Благодаря практически полной симметрии относительно середины ответвителя разность фаз сигналов на выходах проводников 2 и 4 составляет 90° во всей полосе частот, отклонение не превосходит +(2-3)°.In the strong coupling section, more than half the power from the conductors 8 and 9 is pumped into a line with the conductors 7 and 10. Further, in the section of the connected lines from. lead wires 4 and 5, the power is partially redistributed due to communication in this section and created due to these communication sections from conductors 4 and 5, 2 and 3, a wave-like change in the transition attenuation in a wide frequency band and with a small wave-like change, generally providing greater broadband . In the coupler, the energy branch (corresponding to the transient attenuation of the coupler) due to electromagnetic coupling is provided at the output of the supply line 2. In a conventional coupler, the remaining power should be output at the output 5 of the supply line. However, due to the connection of conductors 7 and 10,. 8 and 9 are diagonal, the direction of the remaining energy is transferred to the output of the supply conductor 4. This is important for many use cases, since the branch and passing parts of the power are diverted to one side of the coupler (this is necessary in tandem circuits). Due to almost complete symmetry relative to the middle of the coupler, the phase difference of the signals at the outputs of conductors 2 and 4 is 90 ° in the entire frequency band, the deviation does not exceed + (2-3) °.

Выполнение перехода к подводящим линиям производится с помощью расширенных контактных площадок 24 и 25, 26 и 27. Так как необходимое соединение проводников 7 и 10, 8 и 9 выполнено короткими выступами 12-23. то оказывается, что контактная площадка 24 электрически связана с площадкой 27, а площадка 25 - с площадкой 26. Контактные площадки обеспечивают практически без потерь и без дополнительной индуктивности подключение проводников основной секции к вспомогательным проводникам 2-5, а. как было выше указано, контакт площадки 24 с 27 и площадки 25 с 26 обеспечивает необходимую переброску проводников, соединяя в целом входную линию 3 с линией 4 (передача мощности на проход) и через переходное ослабление электромагнитную связь с линией 2 (передача мощности через переходное ослабление). Выход мощностей осуществляется с одной стороны (относительно горизонтальной осевой линии)ответвителя.The transition to the supply lines is performed using the extended contact pads 24 and 25, 26 and 27. Since the necessary connection of the conductors 7 and 10, 8 and 9 is made with short protrusions 12-23. it turns out that the contact pad 24 is electrically connected to the pad 27, and the pad 25 to the pad 26. The contact pads provide virtually no loss and without additional inductance connecting the conductors of the main section to the auxiliary conductors 2-5, a. as mentioned above, the contact of the pad 24 with 27 and the pad 25 with 26 provides the necessary transfer of conductors, connecting the input line 3 as a whole to line 4 (transmitting power to the passage) and, through transient attenuation, electromagnetic coupling with line 2 (power transfer via transient attenuation ) The power output is carried out on one side (relative to the horizontal center line) of the coupler.

Таким образом, короткие выступы 1223 и контактные площадки 24-27 создают практически идеальную реализацию подиагонального соединения проводников 710 и 8-9 и соединения их затем наиболее удобным и оптимальным способом (осуществляя при этом отмеченную выше исключительно важную для практического использования переброску выходов по одну сторону 3 дБ НО относительно горизонтальной оси). При этом создается несколько преимуществ:Thus, short protrusions 1223 and pads 24-27 create an almost ideal implementation of the diagonal connection of conductors 710 and 8-9 and then connect them in the most convenient and optimal way (while carrying out the transfer of outputs on one side 3, which is extremely important for practical use) dB BUT relative to the horizontal axis). This creates several advantages:

- исключается искажение характеристики переходного ослабления;- eliminates distortion characteristics of the transition attenuation;

- существенно уменьшается рассогласование;- mismatch is significantly reduced;

- уменьшаются потери мощности из-за обычных потерь в перемычках, особенно перекрестных;- reduced power losses due to the usual losses in the jumpers, especially cross;

- обеспечивается практически идеальная. симметрия в целом и, как результат, практически идеальное сохранение разности фаз 90° между выходными сигналами во всей полосе частот.- Provided almost perfect. symmetry as a whole and, as a result, almost perfect conservation of the phase difference of 90 ° between the output signals in the entire frequency band.

Рассмотрим возможности, представляемые выбором диэлектрической проницаемости Ег1 прокладки 6 меньше а_г2 подложки 1 и введением зазора 31 (или 32,33) между прокладкой и подложкой. Как было отмече но выше, в заявляемом устройстве диэлектрическая проницаемость ε_Γι прокладки выбирается меньше диэлектрической проницаемости £_Г2 подложки, и это являет-, ся принципиальным моментом. В известном ответвителе Ланге для нечетной волны образуется структура четырех или шести узких проводников на поверхности подложки, связанных через узкие зазоры. При этом образуется чисто планарная конфигурация, для которой эффективная диэлектрическая £г + 1 г проницаемость ε₃φοο = —'^£г ~ Диэлектрическая проницаемость подложки). Она не поддается регулировке, изменению. При этом эффективная диэлектрическая проницаемость четной волны Бэфое обычно становится или выше, чем ε₃ψοο (обычно для четы.рехстержневой структуры) или ниже £эфоо (для шестистержневой структры), когда снимается металлизация на нижней поверхности подложки для секции сильной связи. В последнем случае (шестистержневая структура), когда еще как-то возможно реализовать трехсекционный 3 дБ НО, Е₃фое меньше ε₃φοο на 30-40%, что недопустимо из-за существенно разницы фазовых скоростей четной или нечетной волн. Это отражается в первую очередь на величине направленности, которая резко падает на верхних участках диапазонов частот.Consider the possibility of representing choice permittivity less Eg1 gasket 6 and _r2 of the substrate 1 and the introduction of the gap 31 (or 32,33) between the gasket and the substrate. As was noted above, in the inventive device, the dielectric constant ε _Γ ι of the gasket is chosen to be less than the dielectric constant £ _Г 2 of the substrate, and this is a fundamental point. In the known Lange coupler for an odd wave, a structure of four or six narrow conductors is formed on the surface of the substrate, connected through narrow gaps. In this case, a purely planar configuration is formed for which the effective dielectric constant ε g + 1 g is the permittivity ε ₃ φοο = - ' ^{£ g} ~ the dielectric constant of the substrate). It is not amenable to adjustment, change. In this case, the effective permittivity of an even Befoe wave usually becomes either higher than ε ₃ ψοο (usually for a four-rod structure) or lower than £ eff (for a six-rod structure), when the metallization on the lower surface of the substrate is removed for the strong coupling section. In the latter case (six-rod structure), when it is somehow still possible to realize a three-section 3 dB BUT, the E ₃ phoe is less than ε ₃ φοο by 30-40%, which is unacceptable due to the significant difference in the phase velocities of the even or odd waves. This is reflected primarily in the magnitude of the directivity, which drops sharply in the upper parts of the frequency ranges.

В заявляемой конструкции, выбрав ε_Γι прокладки меньше Тг2 подложки, легко создать ситуацию, когда, например. Ей = 3 и £эфоо ~£г1, а приЕ_Г2 МО (поликор, керамика) Ег2 + 1 можно сделать ε₃ψ_Οβ < —— разными способами. Один из них известный - исключение металлизации на нижней поверхности подложки, выполнение выборки-в основании корпуса. Однако если требуется выполнение 3 дБ в'полосе частот ч перекрытием, например 9:1, необходимо иметь не менее 5 секций связи, а в секции сильной связи величина Z_Oe~ 240 Ом и для этого по известному способу надо выборку в корпусе сделать значительную, которая внесет большую неоднородность скачкообразного изменения высоты в корпусе. В заявляемом устройстве зазор 31 легко обеспечивает данное требование обеспечения большого значения Zroe, так как зазор находится близко от самих проводников, где напряженность электрического поля у проводников максимальна, и уже небольшой зазор резко меняет величину Zoe, а также существенно снижает величину ε₃ψ_Οβ так, что ее легко подобрать равной величине ε₃φοο. При этом создаются условия для существенного увеличения направленности во всей широкой полосе частот. Одновременное обеспечение подъема пленки над поверхностью подложки и выборка в верхней поверхности подложки обеспечивает максимальные возможности выбора величины Z_oe и подбора значения Е₃ф_0е.In the claimed design, choosing ε _Γ ι spacers smaller than Tg2 of the substrate, it is easy to create a situation where, for example. S = £ 3 and £ efoo ~ r1 and _r2 at E MO (polycor, ceramics) Eg2 + 1 can be made ε ₃ ψ _Ο β <- in different ways. One of them is known - the exclusion of metallization on the bottom surface of the substrate, the selection is made at the base of the housing. However, if it is necessary to perform 3 dB in the frequency band with an overlap, for example 9: 1, it is necessary to have at least 5 communication sections, and in the tight coupling section the value Z _O e ~ 240 Ohms and for this, by a known method, it is necessary to make a significant sample in the case , which will introduce a large heterogeneity of the abrupt change in height in the housing. In the inventive device, the gap 31 easily provides this requirement of ensuring a large Zroe value, since the gap is close to the conductors themselves, where the electric field strength of the conductors is maximum, and a small gap sharply changes the Zoe value, and also significantly reduces the value ε ₃ ψ _Ο β so that it is easy to choose equal to ε ₃ φοο. In this case, conditions are created for a significant increase in directivity in the entire wide frequency band. At the same time, the film is lifted above the surface of the substrate and sampled in the upper surface of the substrate provides maximum possibilities for choosing the value of Z _oe and selecting the value of E ₃ f _0e .

На основании заявляемой конструкции разработаны макеты квадратурных микрополосковых 3 дБ направленных ответвителей. В диапазоне частот 3 (4) - 18(20) Гц получена неравномерность переходного ослабления ±0,6 дБ (при расчетном значении ±0,5 дБ), развязка 20 дБ, КСВ менее !5-!6 до 18 ГГц, разность фаз (90+5)° во всем диапазоне частот.Based on the claimed design, mock-ups of quadrature microstrip 3 dB directional couplers were developed. In the frequency range 3 (4) - 18 (20) Hz, transient attenuation non-uniformity of ± 0.6 dB (at the calculated value of ± 0.5 dB), isolation of 20 dB, SWR less than! 5-! 6 to 18 GHz, phase difference (90 + 5) ° in the entire frequency range.

Claims (5)

Формула изобретения ! Микрополосковый ответвитель, содержащий диэлектрическую подложку, одна поверхность которой металлизирована, а на другой поверхности выполнены подводящие проводники, диэлектрическую прокладку. расположенную' над диэлектрической подложкой со стороны подводящих проводников, и на внешней поверхности которой разме/цена пара проводников дополнительной секции связанных линий, и пару проводников основной секции связанных линий, расположенных под проводниками дополнительной секции связанных линий, а концы которых соединены накрест с концами проводников дополнительной секции связанных линий, отличающийся тем. что, с целью уменьшения неравномерности переходного ослабления, увеличения направленности и улучшения согласования, проводники основной секции связанных линий размещены на поверхности диэлектрической прокладки, обращенной к диэлектрической подложке, зазор между проводниками основной и дополнительной секций связанных линий соответственно выполнен больше толщины диэлектрической прокладки в 2-2,5 раза, на внутренней кромке на краях каждого проводника основной и дополнительной секций связанных линий выполнены поперечные выступы длиной меньше величины зазора и смещенные один относительно другого в каждой паре проводников на расстояние, равное ширине выступов, при этом проводники основной и дополнительной секций связанных линий перекрестно соединены между собой посредством выступов через выборки, в диэлектрической прокладке, а одни из концов проводников основной и дополнительной секций связанных линий снабжены контактными площадками, соединенными с подводящими проводниками соответственно.Claim ! A microstrip coupler containing a dielectric substrate, one surface of which is metallized, and supply conductors, a dielectric gasket, are made on the other surface. located 'above the dielectric substrate on the side of the lead-in conductors, and on the outer surface of which is the size / price of a pair of conductors of an additional section of connected lines, and a pair of conductors of the main section of connected lines located under the conductors of the additional section of connected lines, and the ends of which are connected crosswise with the ends of the conductors of the additional sections of connected lines, characterized in that. that, in order to reduce the unevenness of the transient attenuation, increase the directivity and improve matching, the conductors of the main section of the connected lines are placed on the surface of the dielectric strip facing the dielectric substrate, the gap between the conductors of the main and additional sections of the connected lines is respectively made larger than the thickness of the dielectric strip in 2-2 , 5 times, on the inner edge at the edges of each conductor of the main and additional sections of connected lines, transverse protrusions of length smaller than the gap and offset relative to each other in each pair of conductors by a distance equal to the width of the protrusions, while the conductors of the main and additional sections of the connected lines are cross-connected by protrusions through samples in a dielectric strip, and one of the ends of the conductors of the main and additional sections connected lines are provided with pads connected to the lead wires, respectively. 2. Ответвитель по п.1, от л и ч а ю щийс я тем, что диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической прокладки выбрана меньше диэлектрической проницаемости материала диэлектрической подложки.2. The coupler according to claim 1, wherein the dielectric constant of the material of the dielectric strip is selected to be less than the dielectric constant of the material of the dielectric substrate. 3. Ответвитель по пп. 1 и2, отл «чающий с я тем, что. с целью расширения полосы рабочих частот, между диэлектрической прокладкой и диэлектрической подложкой выполнен воздушный зазор.3. The coupler according to paragraphs. 1 and 2, excellent with the fact that. in order to expand the working frequency band, an air gap is made between the dielectric strip and the dielectric substrate. 4. Ответвитель по пп. 1-3, отличающий с я тем, что между диэлектрической прокладкой и диэлектрической подложкой введен дополнительный диэлектрической слой с диэлектрической проницаемостью, меньшей диэлектрической проницаемостью материала диэлектрической прокладки.4. The coupler according to paragraphs. 1-3, characterized in that between the dielectric strip and the dielectric substrate an additional dielectric layer is introduced with a dielectric constant lower than the dielectric constant of the material of the dielectric strip. 5. Ответвитель по пп. 2-4. отличаю-5. The coupler in paragraphs. 2-4. distinguish- 5 щийся тем, что. с целью увеличения верхней частоты рабочих частот, в середине каждого проводника основной и дополнительной секций связи на внутренней кромке выполнен поперечный выступ длиной мень10 ше величины зазора и смещенный в каждой паре проводников один относительно другого на расстояние, равное ширине выступа, а выступы проводников основной и дополнительной секций связанных линий соот15 ветственно перекрестно соединены между собой через выборку в диэлектрической прокладке.5 that. in order to increase the upper frequency of the operating frequencies, in the middle of each conductor of the main and additional communication sections, a transverse protrusion of a length shorter than 10 of the gap and offset in each pair of conductors from each other by a distance equal to the width of the protrusion, and the protrusions of the conductors of the main and additional sections of connected lines15 are respectively cross-connected to each other through a sample in a dielectric spacer. 21 18 Ю 20 if 12 2521 18 U 20 if 12 25 26 19 28 9 29 20 б 30 23 2626 19 28 9 29 20 b 30 23 26 Фиг. 8 фиг 9 фиг.1 0FIG. 8 fig. 9 fig. 1 0