Claims (1)
За счет положительной обратной св зи, Образованной ДР и проврдниками 4, 5, частота генерируемых активным прибором колебаний определ етс резонансной частотой ДР с учетом вли ни окружающих элементов схемы,на его внешнее ближнее поле. Смещение резонатора к активному; элементу относительно выступа 8 эквивалентно приближению к резонатору металлической пластины и вызывает увеличение резонансной частоты ДР. т. е. уменьшение длины волны, соответствующей этой частоте . При этом фазбвые услови г€;нерации, определ емые длиной обратной св зи, не нарушаютс , поскольку одновременно с уменьшением длины волны укорачиваетс длина цепи обратной св зи, образованной ДР и проводниками 4-и 5. Таким образом, изменение места положени ДР относительно выступа приводит к изменению частоты генератора без нарушени фазовых условий генерации чем и достигаетс упрощение настройки генератора. Формула из об р е т е н и СВЧ-генератор, стабилизированный диэлектрическим . резонатором, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещены проводникиDue to the positive feedback formed by the PD and the conductors 4, 5, the frequency of the oscillations generated by the active device is determined by the resonant frequency of the PD, taking into account the influence of the surrounding circuit elements, on its external near field. The offset of the resonator to the active; element relative to the protrusion 8 is equivalent to approaching the resonator of the metal plate and causes an increase in the resonant frequency of the DR. i.e. a decrease in the wavelength corresponding to this frequency. In this case, the phase conditions determined by the feedback length are not violated, because simultaneously with a decrease in the wavelength, the length of the feedback circuit formed by the DG and conductors 4 and 5 is shortened. Thus, the change in the position of the DG with respect to the protrusion leads to a change in the frequency of the generator without violating the phase conditions of generation, and this simplifies the tuning of the generator. Formula from obrat e and microwave generator, stabilized dielectric. a resonator containing a dielectric substrate, on one side of which conductors are placed
5 5.5 5.
Фиг.11
/ /У / /У///У/1 / //./ / U / / U /// U / 1 / //.
////Л //// L
, А л , A l
..
./////./////
А ///Л У / , A /// L U /,
Y Y
/У /// // /// ///// / U /// // /// /////
/ттУ///////// х./ /////Л///7 7 I/ ttU ///////// х. / ///// Л /// 7 7 I
/ / 3 2// 3 2
Фиг. 2 отрезков микрополосковой линии, подключенный к ним активный элемент, и диэлектрический резонатор, электромагнитно св занный с. проводниками отрезков микрополосковой линии, а на ее другой стороне размещен экран, в котором в области диэлектрического резонатора выполнено пр моугольное окно, кра которого направлены вдоль проводников ./микрополосковой лиНИИ , отличающийс тем, что, с целью упрощени настройки на заданную частоту, в пр моугольном окне выполнен металлизированный пр моугольный выступ, размеры которого выбраны равными радиусу диэлектрического резонатора и который расположен напротив него со смещением от его центра в направлении активного элемента на величину, равную радиусу диэлектрического резонатора.FIG. 2 pieces of microstrip line, an active element connected to them, and a dielectric resonator electromagnetically coupled to. conductors of the microstrip line, and on its other side there is a screen in which a rectangular window is made in the region of the dielectric resonator, the edges of which are directed along the conductors of the microstrip line, characterized in that, in order to simplify tuning to a given frequency, in a rectangular The window is made of a metallized rectangular protrusion, the dimensions of which are chosen equal to the radius of the dielectric resonator and which is located opposite it with an offset from its center in the direction of the active element and an amount equal to the radius of the dielectric resonator.