SU1708919A1 - Способ вакуумного нанесени тонких пленок - Google Patents
Способ вакуумного нанесени тонких пленок Download PDFInfo
- Publication number
- SU1708919A1 SU1708919A1 SU894735900A SU4735900A SU1708919A1 SU 1708919 A1 SU1708919 A1 SU 1708919A1 SU 894735900 A SU894735900 A SU 894735900A SU 4735900 A SU4735900 A SU 4735900A SU 1708919 A1 SU1708919 A1 SU 1708919A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- density
- deposition
- ions
- thin films
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к нанесению покрытий дл целей электроники. Цель изобретени -сохранение плотности пленок при уменьшении их толщины. Тонкие покрыти плотной структуры получены ионным распылением мишени при использовании пучка ионов атомной массы М^^12, с длительностью пучка ^10'^с и плотностью мощности, обеспечивающей высокоскоростное ос.аж- дение плотной плазмы на подложку. Значение плотности рассчитывают из математического выражени , .проводи- , мого в формуле изобретени . 1 табл.
Description
Изобретение относитс к электрофизическим методам нанесени пленочных покрытий дл целей электроники, элекротехники , машиностроени и других отраслей, где необходимо применение тонких гГленок, и может быть исполы зовано дл получени многослойных тонкопленочных структур.
цель изобретени - сохранение плотностипленок при уменьшении их толщины.
Указанна цель достигаетс тем, что в способе получени пленочных; покрытий, включающем распыление мишени из наносимого покрыти мощным пучком ионов, распыление мишени
провод т пучком ионов т желой массы (.12), длите 1ьность импульса тока ионов , плотностью мощности:
р;.1йУиса.-Ь Вт/смг
удельна плотность материала мишени, скрыта удельна теплота испарени материала мишени , Дж/г;длина пробега ионов пучка
Claims (1)
- в материале мишени, см; длительность импульса, с. массовое число химических ионного пучка. 1 Этим способом на подложке формиру ют с высокой скоростью напылени плотные тонкие пленки равномерной толщины из различных материалов. Мишень распыл ют мощным пучком т желых ионов сечением, равным или большим размерам формируемой пленки. Получе« ние плотных тонких пленок производит с путем высокоскоростных осаждений высокоплотной плазмы, образующейс при распылении мишени ионным потоком и достигаетс по сравнению с легкими ионами высокой удельной плотностью энерговклада пучка в мишень,например при той же плотности мощности ионного пучка.За сиет меньшей толи.ины испаренн го сло мишени еозможно получение боле тонких пленок. При этом подложку можно размещать на небольшом рассто нии от мишени, что в свою очередь сокращает врем осаждени и увеличивает скорость осаждени пленки. Нижний предел плотности мо11(ности пучка определ етс как необходимый дл испарени мишени на глубину пробега ионов, ниж которого снижаетс эффективность пла мообразовани , и соответственйо качество пленок.Дл того, чтобы уменьшить потери энергии за счет теплопроводности необходимо , чтобы длина пробега ионов 1о,была больше или сравнима с рассто нием, на которое распростран етс теплова волна за врем действи импульса t, ТИК как: 1о (oL-t J) 6/ - коэффициент температуропроводности , втсюда вытекает необходима длитель (ность импульса t t (Olt; Дл различных материалов мишени наи более оптимальна длительность импульс с точки зрени м аксимального коэффициента использовани энергии пучка, определенна из соотношени О а), ме нее . 9 Пример. Дл распылени использовали мишени из кадми .и меди. .В таблице приведены рассчитанные по формуле значени плотности мощности Р, необходимой дл испарени мишени из этих материалов на глубину IQ, сответствующей плотности тока I и лительности импульсов тока . В экспериментах использовали сильоточный технологический ускоритель. араметры пучка ионов углерода: энери 300 кэВ, плотность тока 150 А/см лительность 1импульса 5 не. Напылейе проводили в камере с давлением 0 мм рт.ст. Рассто ние между подожкой и мишенью составл ло 20 мм. Способ вакуумного напылени тонких пленок по сн етс таблицей. Способ позвол ет осуществить сверхвзстрое осаждение распыленного материала на подложку с получением плотной тонкой пленки. Эффективна скорость напылени составл ет (0.5-3)1О А/с, врем охлаждени , что позвол ет осаждать сплошные пленки малых тощин (100 Д,) сплошность которых обеспечиваетс , главным образом, за счет сверхбыстрого осаждени . Формула изобретени Способ вакуумного нанесени тонких пленок, включающий распыление мишени из наносимого материала ионным пум- , ком и бсаждение материала на подЛожку , отличающийс тем, что, с целью сохранеь и плотности П еНок ,при уменьшении .их толщины, распыление выполн ют ионным пучком химических элементов с массовым числом М 25-1 2, с длительностью пучка 10 1П с и плотностью Мощности пучка , выбираемой из выражени : (p-UHMtnlo):tu, Вт/см2 - удельна плотность материала , г/смз; &Hucn- удельна теплота испарени материала мишени, Дж/г; 1о - длина пробела ионов пучка в материале мишени см; ty - длительность импульса, с. .CdИоны С 0,3 . 0,59 0,9107 0,60,90 Ь.Ш 1,0 1,211,910 Ионы А1 0,6 0,578,8-10 1.0 С.ЗЗ1,31ПТ Ионы Fe 1,0 О,,71П Си Ионы С ., 4,3 Р,«113,5-100,,5-П.0,88,5-ИА10,393.310.55 90,57,910Fe0,,91{|29 30 А1, кер 117 LiF,92 75 Плотность Резерфорпленки ,довское близка кобратное исходномурассе ние : материалу ЗеркальноРастрова . гладка электрон поверх-на микро-v Сплошна Просвечивавмонокрис- ца электронг талличес- на иикрокой струк- сколи туры
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894735900A SU1708919A1 (ru) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Способ вакуумного нанесени тонких пленок |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894735900A SU1708919A1 (ru) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Способ вакуумного нанесени тонких пленок |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1708919A1 true SU1708919A1 (ru) | 1992-01-30 |
Family
ID=21469061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894735900A SU1708919A1 (ru) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Способ вакуумного нанесени тонких пленок |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1708919A1 (ru) |
-
1989
- 1989-09-07 SU SU894735900A patent/SU1708919A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Shimctarief I. al Appl. I. - Phys, 1988, V. 63, N 968» Пак B.C., Ремнев Т.Е., Сулакшин С.С., Чист ков С.А. Труды 2-ой Международной конференции по электронно-лучевым технологи м ЭЛТ-88, Варна, Болгари , 1 с. 791-795. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4987006A (en) | Laser transfer deposition | |
EP0885981B1 (de) | Verfahren und Anlage zum Behandeln von Substraten mittels Ionen aus einer Niedervoltbogenentladung | |
US6337005B2 (en) | Depositing device employing a depositing zone and reaction zone | |
US5411772A (en) | Method of laser ablation for uniform thin film deposition | |
EP0285668A4 (en) | Thin film formation apparatus | |
JPS5941510B2 (ja) | 酸化ベリリウム膜とその形成方法 | |
Rao | Pulsed laser deposition—Ablation mechanism and applications | |
SU1708919A1 (ru) | Способ вакуумного нанесени тонких пленок | |
JPS5919190B2 (ja) | 鉛皮膜の製造方法 | |
EP0269112A3 (en) | Method of forming a thin crystalline metal film | |
US5024721A (en) | Method of forming metal surface thin film having high corrosion resistance and high adhesion | |
JPS6196721A (ja) | 被膜形成方法 | |
RU2339735C1 (ru) | Способ нанесения пленочного покрытия | |
JPS63238270A (ja) | 化合物薄膜の製造方法 | |
JPH0417669A (ja) | プラズマを用いた成膜方法およびrfイオンプレーティング装置 | |
Ristoscu et al. | Effects of pulse laser duration and ambient nitrogen pressure in PLD of AlN | |
CA2016028C (en) | Method of fabricating oxide superconducting film | |
CA2044439C (en) | Process for preparing superconducting oxide thin films | |
Auciello et al. | Proof‐of‐principle of a novel method for sputter‐deposition of high Tc supeconducting films via a computer‐controlled mass analyzed ion beam | |
Panayotov et al. | Thin-Film Deposition Via Pulsed Laser Ablation | |
JPH01168857A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
JPH04191364A (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
JPH01255669A (ja) | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 | |
JPH04114904A (ja) | 高品質酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
JPH02208206A (ja) | 酸化物超電導薄膜の形成方法 |