SU1705992A1 - Inverter - Google Patents

Inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1705992A1
SU1705992A1 SU894751808A SU4751808A SU1705992A1 SU 1705992 A1 SU1705992 A1 SU 1705992A1 SU 894751808 A SU894751808 A SU 894751808A SU 4751808 A SU4751808 A SU 4751808A SU 1705992 A1 SU1705992 A1 SU 1705992A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
resistor
current
inverter
Prior art date
Application number
SU894751808A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Геннадий Васильевич Королев
Владимир Всеволодович Фомишкин
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU894751808A priority Critical patent/SU1705992A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1705992A1 publication Critical patent/SU1705992A1/en

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматики. Цель изобретени  - повышение КПД, В полумостовом инверторе первый транзистор 1 выбран бипол рным, а второй транзистор 5 полевым. Благодар  диодам 9 и 10, включенным в направлении проведени  тока, запирающего транзисторы 1 и 5, происходит быстрое выключение транзисторов, чему также способствует действие обмотки положительной обратной св зи выходного трансформатора 2. Включение транзистора 5 задерживаетс  вследствие перезар да его входной емкости через резистор 8. Благодар  этому исключаетс  сквозной ток при переключении транзисторов 1 и 5 и уменьшаютс  рассеиваемые в них динамические потери мощности. 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and automation systems. The purpose of the invention is to increase the efficiency. In the half-bridge inverter, the first transistor 1 is selected bipolar, and the second transistor 5 is field-effect. Due to diodes 9 and 10, connected in the direction of conducting the current, closing the transistors 1 and 5, the transistors quickly turn off, which is also facilitated by the winding of the positive feedback of the output transformer 2. Turning on of the transistor 5 is delayed due to recharge of its input capacitance through the resistor 8. Due to this, the through current during switching of transistors 1 and 5 is eliminated and the dynamic power losses dissipated in them are reduced. 1 il.

Description

. -,- v -у. -, - v - y

ii

-- ---О-- ---ABOUT

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитани  и автоматики.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply and automation systems.

Цель изобретени  - повышение КПД.The purpose of the invention is to increase efficiency.

На чертеже представлена принципи- альна  схема инвертора.The drawing shows a schematic diagram of the inverter.

Инвертор содержит бипол рный транзистор 1, трансформатор 2, два конденсатора 3 и 4, полевой транзистор 5, три резистора 6, 7 и 8, два диода 9 и 10 и блок 11 управлени . Первична  обмотка трансформатора 2 своим первым крайним выводом подключена к первым выводам конденсаторов 3 и 4, вторым крайним выводом - к первому выводу первого резистора 6. Один входной вывод инвертора подключен к коллектору транзистора 1 и второму выводу конденсатора 3. Второй входной вывод инвертора подключен к истоку полевого транзистора 5 и второму выводу конденса- тора 4. База транзистора 1 подключена к аноду диода 9, второму выводу резистора 6 и первому выводу резистора 7, второй вывод которого подключен к первому выходу блока 11 управлени  и катоду диода 9. Второй выход блока управлени  подключен к катоду диода 10 и первому выводу резистора 8, второй вывод которого подключен к затвору полевого транзистора 5 и аноду диода 10.The inverter contains a bipolar transistor 1, a transformer 2, two capacitors 3 and 4, a field-effect transistor 5, three resistors 6, 7 and 8, two diodes 9 and 10, and a control unit 11. The primary winding of the transformer 2 is connected to the first terminals of capacitors 3 and 4 by its first extreme terminal, to the first terminal of the first resistor 6 by the second extreme terminal. One input terminal of the inverter is connected to the collector of transistor 1 and the second terminal of the capacitor 3. The second input terminal of the inverter is connected to the source field-effect transistor 5 and the second output of capacitor 4. The base of transistor 1 is connected to the anode of diode 9, the second output of resistor 6 and the first output of resistor 7, the second output of which is connected to the first output of control unit 11 and the cathode of the diode 9. The second output of the control unit is connected to the cathode of diode 10 and the first lead of the resistor 8, the second lead of which is connected to the gate of the field-effect transistor 5 and the anode of the diode 10.

Резисторы 6, 7 и 8  вл ютс  токоограни- чивающими элементами, определ ющими процессы открывани  транзисторов 1 и 5. Диоды 9 и 10 способствуют повышению скорости закрывани  транзисторов 1 и 5.Resistors 6, 7, and 8 are current-limiting elements that determine the opening processes of transistors 1 and 5. Diodes 9 and 10 increase the closing speed of transistors 1 and 5.

В качестве транзистора 1 может быть использован транзистор со статической индукцией (СИТ). Особенностью СИТ  вл етс  то, что он находитс  в открытом состо нии при нулевом напр жении на его затворе.As a transistor 1 can be used with a static induction transistor (SIT). A feature of the SIT is that it is in the open state at zero voltage on its gate.

При отсутствии управл ющих сигналов на выводах блока 11 управлени  транзистор 1 закрыт, а транзистор 5 открыт. Закрытое состо ние транзистора 1 обеспечивает отсутствие сквозного тока.In the absence of control signals at the outputs of the control unit 11, transistor 1 is closed and transistor 5 is open. The closed state of transistor 1 ensures the absence of a through current.

При поступлении управл ющего напр - жени  Uynp.1 на первый вывод блока 11 управлени  и Uynp.2 на второй вывод блока управлени  транзистор 1 открываетс , а транзистор 5 закрываетс . Так как транзистор 5 имеет высокое быстродействие и его входна  емкость зар жаетс  через пр мо- смещенный диод 10, он закрываетс  быстрее , чем открываетс  транзистор 1. Отпирание транзистора 1 происходит форсированно за счет действи  обмотки поло- жительной обратной св зи, создаваемой дополнительными витками первичной обмотки трансформатора. Чем больше измен етс  ток, протекающий через транзистор 1, тем больше открывающее его напр жение на дополнительной части первичной обмотки трансформатора 2. При этом происходит разр д конденсатора 3 и зар д конденсатора 4. Следовательно, в данном режиме сквозной ток минимален, так как транзистор 5 закрываетс  быстрее, чем открываетс  транзистор 1.When the control voltage Uynp.1 arrives at the first output of control unit 11 and Uynp.2 at the second output of control unit, transistor 1 opens and transistor 5 closes. Since transistor 5 has a high speed and its input capacitance is charged through the forward-mounted diode 10, it closes faster than the transistor 1 opens. Unlocking of transistor 1 is forced due to the positive feedback winding created by additional coils of primary transformer windings. The more the current flowing through the transistor 1 changes, the greater the opening voltage on the additional part of the primary winding of the transformer 2. In this case, the capacitor 3 is discharged and the capacitor 4 is charged. Therefore, in this mode the through current is minimal, since the transistor 5 closes faster than transistor 1 opens.

При поступлении запирающего Uynp.1 и отпирающего Uynp.2 транзистор 1 закрываетс , а транзистор 5 открываетс . Перезар д входной емкости транзистора 5 происходит через резистор 8, сопротивлением которого во многом и определ етс  врем , через которое транзистор 5 открываетс . Напр жение Uynp.1, приложенное к базе транзистора 1 через пр мосмещенный диод 9, закрывает транзистор 1. Как только ток в первичной обмотке трансформатора 2 при запирании транзистора 1 начнет измен тьс , транзистор 1 форсированно закрываетс  в результате наличи  положительной обратной св зи. При этом происходит зар д конденсатора 3 и разр д конденсатора 4. Таким образом, сквозной ток минимален, так как транзистор 1 закрываетс  быстрее, чем открываетс  транзистор 5, После окончани  процесса переключени  транзисторов статические потери благодар  малому сопротивлению канала полевого транзистора 5 малы.Upon receipt of the locking Uynp.1 and unlocking Uynp.2, transistor 1 closes and transistor 5 opens. The resampling of the input capacitance of the transistor 5 occurs through the resistor 8, the resistance of which largely determines the time after which the transistor 5 opens. The voltage Uynp.1 applied to the base of transistor 1 through the shifted diode 9 closes the transistor 1. As soon as the current in the primary winding of the transformer 2 starts to change when the transistor 1 is locked, transistor 1 is forcedly closed due to positive feedback. In this case, the capacitor 3 is charged and the capacitor 4 is discharged. Thus, the through current is minimal, since transistor 1 closes faster than transistor 5 opens. After the switching process of the transistors is completed, the static losses due to the low resistance of the channel of the field-effect transistor 5 are small.

Малые потери мощности как при переключении транзисторов.так и в статическом состо нии при открытом полевом транзисторе обеспечивают повышение КПД устройства .Low power losses, both when switching transistors. And in the static state when the field-effect transistor is open, increase the efficiency of the device.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Инвертор, содержащий соединенные по полумостовой схеме первый и второй транзисторы и два конденсатора, а также выходной трансформатор с первичной обмоткой , подключенной к выходным выводам , и обмоткой положительной обратной св зи, подключенной через первый резистор к входу первого транзистора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД. первый транзистор выбран бипол рным , а второй транзистор - полевым, цепи управлени  первого и второго транзисторов подключены к соответствующим выходам введенного блока управлени  через соответственно второй и третий введенные резисторы , каждый из которых шунтирован введенным диодом, включенным встречно проводимости входной цепи транзистора,An inverter comprising first and second transistors and two capacitors connected in half bridge, as well as an output transformer with a primary winding connected to the output terminals and a positive feedback winding connected through the first resistor to the input of the first transistor, characterized in that to increase efficiency. The first transistor is selected as a bipolar, and the second transistor is a field transistor; the control circuits of the first and second transistors are connected to the corresponding outputs of the inserted control unit through the second and third entered resistors, respectively, each of which is shunted by an input diode connected to the opposite conductivity of the input transistor circuit,
SU894751808A 1989-10-23 1989-10-23 Inverter SU1705992A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894751808A SU1705992A1 (en) 1989-10-23 1989-10-23 Inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894751808A SU1705992A1 (en) 1989-10-23 1989-10-23 Inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1705992A1 true SU1705992A1 (en) 1992-01-15

Family

ID=21475865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894751808A SU1705992A1 (en) 1989-10-23 1989-10-23 Inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1705992A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР №320015, 1970. Ромаш Э.И. и др. Высокочастотные транзисторные преобразователи. - М.: Радио и св зь, 1988, с. 95, рис. 4.2в. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6348207B2 (en)
SU1705992A1 (en) Inverter
US6377107B1 (en) Fast turn-off circuit arrangement
US3281716A (en) Transistor power supply
SU1226584A2 (en) Two-step transistor inverter
SU957368A1 (en) Device for controlling two-cycle transistor switch
SU1305843A1 (en) Transistor switch
SU1713042A1 (en) Triac control device
SU1001049A1 (en) Dc voltage pulse stabilizer
SU1111242A2 (en) Transistor inverter
SU1153382A1 (en) Device for control of thyristors connected in parallel opposition
SU1690119A1 (en) Device for control over transistor with static induction
SU598202A1 (en) Inverter
SU1394360A1 (en) Single-contact transistor converter
SU754617A1 (en) Half-bridge transistor -type inverter
SU1539988A2 (en) Contactless track switch
SU1596425A1 (en) Transistor inverter
SU1195444A1 (en) Current selector switch
SU1270873A1 (en) Output stage of amplifier with inductive load
SU1644339A1 (en) Inverter with separate excitation
SU843234A1 (en) Magneto-transistorized switch
RU2020741C1 (en) Contactless position switch
SU1577034A1 (en) Resonance transistor dc voltage converter
SU1686670A1 (en) Two-contact inverter
SU1735980A1 (en) Dc-dc voltage converter