SU1688199A1 - Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков - Google Patents

Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков Download PDF

Info

Publication number
SU1688199A1
SU1688199A1 SU894653331A SU4653331A SU1688199A1 SU 1688199 A1 SU1688199 A1 SU 1688199A1 SU 894653331 A SU894653331 A SU 894653331A SU 4653331 A SU4653331 A SU 4653331A SU 1688199 A1 SU1688199 A1 SU 1688199A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sample
capacitor
positions
electrode
gap
Prior art date
Application number
SU894653331A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Михайлович Алейников
Original Assignee
Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола filed Critical Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority to SU894653331A priority Critical patent/SU1688199A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1688199A1 publication Critical patent/SU1688199A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение отнгс тс  ч эпектро- измерени м и может бы г г. и чгльтовано дл  определени  среднего nor ен/н остаточного зар да в плоских д.ппект- риках (олектретах) . Цель изобретени  - повышение точности и упрощение измерений. Дл  осуществлени  способа образец перемещают в зазоре измерительного плоского вибрационного конденсатора с одним вибрирующим электродом . В различных положени х образца измер ют величину зазора между неподвижным электродом конденсатора и образцом , а также величину электрического тока во внешнем проводнике, гальванически соедин ющем обе обкладки конденсатора. Искомую величину вычисл ют по формуле х Г L , где х - среднее положение зар да, отсчитываемое от поверхности образца, обращенной к неподвижному электроду; 1,1 о - величины зазоров между образцом и неподвижным эпектродом дл  первого и второго положений образца; . - амплитуды токов вибрационного конденсатора дл  первого и второго положений образца; Ј - относительна  диэлектрическа  проницаемость образца. 1 ил. § (Л

Description

Изобретение относится к электроизмерениям, предназначено для определения среднего положения остаточного заряда в плоских диэлектриках 5 (электретах) и может быть использовано при диагностике остаточного заряжения различных диэлектрических материалов.
Цель изобретения - повышение том- 10 ности определения среднего положения остаточного заряда в диэлектриках, а также упрощение методики измерений .
Способ заключается в том, что 15 исследуемый плоский образец диэлектрика с неизвестным распределенным по его толщине зарядом помещают в зазор < плоского измерительно вибрационного конденсатора параллельно его лласти- 20 нам. Оба электрода конденсатора гальванически связаны,. Один из электродов конденсатора приводят в колебание. Измеряют, величину ..зазора между образцом и неподвижным электродом кондеи- 25 сатора, а также амплитуду тока в электрической цепи, соединяющей обкладки вибрационного конденсатора. Перемещают образец в новое положение., повторяют измерения зазора между об- 30 разцом и электродом и величины тока в цепи, соединяющей обкладки. Искомую величину среднего положения заряда вычисляют по формуле — _ р Ag.li ~ А (1г. 35 ’ь ' а;~=а7 >
где х - среднее положение заряда, отсчитываемое от поверхности образца, обращенной 40 к неподвижному электроду;
“ величины зазоров между образцом и неподвижным электродом для первого и второго положений образца 45 соответственно,·
ApAg - амплитуды сигналов вибрационного конденсатора для . первого и второго положений образца соответствен- 50 но;
£ - относительная диэлектрическая проницаемость образца. Данный способ может быть реализован с помощью устройства, схематичес- >5 ки показанного на чертеже.
тельного вибрационного конденсатора, в зазор которого помещают исследуемый плоский образец 3. Электрод 1 неподвижный, а электрод 2 - вибрирующий. Колебания передаются электроду 2 от генератора колебаний (не показан). Образец 3 может перемещаться в зазоре конденсатора, а расстояние между образцом и неподвижным электродом 1 может быть измерено. Оба электрода соединены внешним проводником 4. Заряженный образец индуцирует в зазоре конденсатораэлектрическое поле, вели-, чина которого изменяется вследствие вибрации электрода 2 и вызывает пульсирующий ток в проводнике 4. Возникающий электрический сигнал может быть усилен линейным усилителем и измерен регистрирующим устройством (не показаны).
\ Рассмотрим подробнее физическую 'сущность предлагаемого способа.
Выберем ось х вдоль нормали к поверхности образца, а за начало отсчета (х = 0) примем поверхность образца, примыкающую к неподвижному электроду 1. Предположим, что имеет место одномерное рампределение заряда в образце, т.е. объемная плотность заряда р (х, у, г) = р(х). Предположим также, что контактная разность потенциалов между электродами имеет нулевое значение. На практике это может быть реализовано, например., выбором ‘однотипных электродов. Будем считать также, что сопротивление внешнего проводника 4 мало и изменение сигна- ’ ла в проводнике успевает следовать ,за изменениями положения вибрацион кого электрода.
• По известному определению величина среднего положения заряда плоского образца при одномерном распределении в нем заряду f х О(x)dx / β 3__2------- ? (D
J p(x)dx о
где L - толщина образца.
Пусть образец отстоит от неподвижного эле юрода на расстоянии 1, а расстояние между электродами - h, причем когда электрод 2 вибрирует, величина зазора h изменяется по закону '
Два плоских металлических электрода 1 и.2 являются обкладками измери5 где ho - равновесное межэлектродное расстояние;
а - амплитуда колебаний вибрационного электрода;
GO - циклическая частота вибрации .
При сделанных выше допущениях зависимость тока конденсатора от времени имеет вид T/t\ = ____iQt)_________ {£^0 + аsinWt)-gL + Lj2
Ь L xjj· lj p(x)dx + J xp(x)dxj } (2) где 5 - относительная диэлектрическая проницаемость образца;
S - площадь обкладок конденсатора Для амплитуды тока получим, полагая в (2) cosGOt = 1, т = __S«a____ * ' &L + L)* *
I»Ь p(x)dx +j xp(x)dx^ ;(3)
Очевидно, что при установившемся процессе, когда амплитуда и частота * не. изменяются со временем, а заряд в образце не перераспределяется по его толще, зависимость (3) пульсаций тока представляет линейную зависимость от величины зазора
1„(1) - 8t)„£l * BLG,,.
ГДе В (6h0“£L +~ЕУг; ь ·
Gn=[xp(x)dx - полная поверхносто 1 ностная плотность u заряда;
Gf=! xp(x)dx - эффективная поверхо ностная плотность/ заряда, приведенная к плоскости х = L.
При практических измерениях сигнал может быть преобразован, например, линейным усилителем-преобразовате- . лем в некоторую величину, например напряжение,
A(l) = kl^d) = kBtfn£l + kBLGAj к - коэффициент усиления сигнала или коэффициент преобразования, например, то 5 ка в напряжение.
Для определения среднего положе ния заряда образец помещают на некотором расстоянии It от неподвижного электрода и измеряют величину преобразованного сигнала At:
А( = A Ц) = kBCjne 11 + kBLG( .
Затем перемещают образец в другое положение, например на расстояние от электрода 1, и измеряют величину сигнала
А2 = A(1 ) = + kBLG\.
Решая систему двух последних уравнений, найдем величину среднего попоженив заряда.
Способ определения среднего по25 ложения заряда в Диэлектриках является бесконтактным и неразрушающим.
При его реализации не используются никакие внешние электрические поля и другие воздействия на образец, спо30 собные привести к перераспределению заряда в образце и, следовательно, к ошибкам измерений.

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    I
    35 I
    Способ определения среднего положения остаточного заряда диэлектриков, заключающийся в том, что плоский образец помещают в зазор плоскод0 го конденсатора с одним вибрирующим электродом параллельно его пластинам, изменяют положение образца в конденсаторе в направлении, перпендикулярном поверхности образца, и измеряют 45 величину зазора между неподвижным электродом и образцом в первом и втором положениях, отличающи.йс я тем, что, с целью повышения точности и упрощения, измеряют величину 50 тока в'-электрической цепи, соединяющей обкладки конденсатора в первом и втором положениях, а среднее положение заряда, отсчитанное от поверхности, обращенной к неподвижному .
    55 электроду, определяют по формуле где А(1) - амплитуда преобразованного сигнала;
    ' 1688199 величины зазора между образцом и неподвижным электродом для первого ' :
    и второго положений образца соответственно;
    амплитуды сигналов вибрационного конденсатора . для первого и второго п ложений образца соответ ственно;
    £ - относительная диэлектри ческая проницаемость образца.
SU894653331A 1989-02-20 1989-02-20 Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков SU1688199A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894653331A SU1688199A1 (ru) 1989-02-20 1989-02-20 Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894653331A SU1688199A1 (ru) 1989-02-20 1989-02-20 Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1688199A1 true SU1688199A1 (ru) 1991-10-30

Family

ID=21430008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894653331A SU1688199A1 (ru) 1989-02-20 1989-02-20 Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1688199A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1307395, кл. С 01 R 29/12, 1987. Авторское свидетельство СССР № 1352М1, кл. С 01 R 29/12, 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4067225A (en) Capacitance type non-contact displacement and vibration measuring device and method of maintaining calibration
JPH0454165B2 (ru)
SU1688199A1 (ru) Способ определени среднего положени остаточного зар да диэлектриков
SU1471152A1 (ru) Способ определени плотности зар да в диэлектриках
SU1531031A1 (ru) Способ измерени поверхностной плотности зар да электрета
RU1798736C (ru) Устройство дл измерени электрического потенциала зар женной поверхности
SU1260753A1 (ru) Устройство дл определени поверхностного нат жени и в зкоупругих параметров жидкости
SU1597779A1 (ru) Способ определени диэлектрической проницаемости
SU1017999A1 (ru) Способ измерени межфазного и поверхностного потенциала жидкостей и устройство дл его осуществлени
SU1573436A1 (ru) Способ измерени потенциала поверхности электрета
SU515932A1 (ru) Способ измерени толщины изол ционных покрытий
SU685986A1 (ru) Измеритель ускорени
SU960604A1 (ru) Устройство дл определени коэффициента теплового расширени твердых тел
SU781717A1 (ru) Устройство дл измерени электрического потенциала зар женной поверхности
SU989325A1 (ru) Вибропреобразователь
SU668020A1 (ru) Измерительный конденсатор
SU1040423A1 (ru) Пьезоэлектрический преобразователь ускорени
RU2231804C1 (ru) Способ измерения параметров остаточного заряжения плоских диэлектриков
SU1485157A1 (ru) Способ измерения поверхностной плотности заряда электрета
SU1112318A1 (ru) Устройство дл измерени электростатических зар дов материалов
SU1659915A1 (ru) Устройство дл измерени распределени поверхностного электрического потенциала
RU2053594C1 (ru) Емкостный преобразователь биений магнитного диска
SU1196779A1 (ru) Измеритель емкости дл компенсационных датчиков механических величин
SU1120247A1 (ru) Преобразователь посто нного электрического напр жени в импульсный сигнал
SU1434350A1 (ru) Емкостный преобразователь