SU1647820A1 - Push-pull self-excited inverter - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехни- е и может быть использовано в источниках вторичного электропитани . Цель изобретени  - повышение КПД и надежности путем граничени  бросков коллекторных токов в широком диапазоне температуры. Устр-во содержит диод 8 с идентичной транзисторам 4 и 5 вольт-амперной характеристикой, включенный между средним выводом управл ющей обмотки 3 и вторым выходным выводом9 в провод щем направлении. Датчик 10 тока включен между объединенными эмиттерами транзисторов 4 и 5 и вторым входным выводом 9. Моменты переключени  транзисторов 4 и 5 определ ютс  откры- ванием диода 8, когда по мере роста коллекторного тока насыщенного транзистора (при насыщении сердечника трансформатора 1) сумма падений напр жений на датчике 10 тока и эмиттерном переходе насыщенного транзистора становитс  сумме ЭДС половины управл ющей обмотки 3 и напр жени  открывани  диода 8. При идентичности хара ктеристик диода 8 и тра н- зиствроа 4 и 5 уровень ограничени  бросков коллекторных токов определ етс  только ЭДС половины управл ющей обмотки 3 и сопротивлением датчика 10 тока и не зависит от температуры. 1 ил. сл сThe invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply sources. The purpose of the invention is to increase efficiency and reliability by limiting the surge currents in a wide temperature range. The device contains a diode 8 with identical transistors 4 and 5 with a current-voltage characteristic connected between the middle terminal of the control winding 3 and the second output terminal 9 in the conductive direction. A current sensor 10 is connected between the combined emitters of the transistors 4 and 5 and the second input terminal 9. The switching times of the transistors 4 and 5 are determined by opening the diode 8 when the sum of the voltage drops as the collector current of the saturated transistor increases (when the transformer core 1 is saturated) on the current sensor 10 and the emitter junction of the saturated transistor becomes the sum of the emf of half of the control winding 3 and the opening voltage of the diode 8. With the characteristics of the diode 8 and the fault 4 and 5 oskov collector currents is determined by only half of the EMF control winding 3 and the resistor 10 and the current sensor does not depend on temperature. 1 il. cl

Description

ON VION VI

00 Ю О00 Yu O

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитани .This invention relates to electrical engineering and can be used in secondary power supply sources.

Цель изобретени  - повышение КПД и надежности путем ограничени  бросков коллекторных токов в широком диапазоне температуры.The purpose of the invention is to increase efficiency and reliability by limiting the surge currents in a wide temperature range.

На чертеже представлена электрическа  схема инвертора.The drawing shows the electrical circuit of the inverter.

Устройство содержит трансформатор 1 со входной 2 и управл ющей 3 обмотками, транзисторы 4 и 5 одного тигю проводимости , эмиттеры которых объединены, коллекторы соединены с крайними выводами входной обмотки, а базы - с крайними вы- водами управл ющей обмотки, резистор 6, одним выводом подключенный к среднему выводу входной обмотки трансформатора и первому входному выводу 7, а другим - к среднему выводу управл ющей обмотки, диод 8 с идентичной транзисторам вольт- амперной характеристикой, включенный между средним выводом управл ющей обмотки и вторым входным выводом 9 в провод щем направлении, и датчик to тока, включенный между эмиттерами транзисторов и вторым входным выводом.The device contains a transformer 1 with an input 2 and a control 3 windings, transistors 4 and 5 of a single conduction core, the emitters of which are combined, the collectors are connected to the extreme leads of the input winding, and the bases to the extreme leads of the control winding, resistor 6, one output connected to the middle lead of the input winding of the transformer and the first input lead 7, and the other to the middle lead of the control winding, a diode 8 with a current-voltage characteristic identical to the transistors, connected between the middle lead of the control winding and a second input terminal 9 in the conductive direction, and a current sensor to connected between the emitters of the transistors and the second input terminal.

Инвертор работает следующим обра- зом.The inverter works as follows.

При подключении напр жени  питани  к входным выводам 7 и 9 через резистор 6 начинает протекать ток, который разветв  - етс  в базы транзисторов 4 и 5 и диод 8, Благода|э  неидентичности транзисторов 4 и 5 и по ожите ьчвй обратной св зи в схеме развиваетс  процесс лавинообразного насыщени  одного из них и запйф&нм  другого . В результате на об отках трансформатора устанавливаетс  така  пол рность напр жений, что весь ток резисто- ра 6 протекает в ьазу насыщенного транзистора, например, 4. Пока суммагтаде- ний напр жений на датчике 10 тока и эмит- терном переходе насыщенного транзистора 4 меньше суммы ЭДС правой по чертежу половины управл ющей обмотки 3 и напр жени  открывани  диода 8, ток через последний не течет. По мере роста коллекторного тока насыщенного транзистора 4 (в результате насыщени  сердечни- ка трансформатора 1) увеличиваетс  падение напр жени  на датчике 10 тока,When the supply voltage is connected to the input terminals 7 and 9, a resistor 6 begins to flow, which branches into the bases of transistors 4 and 5 and diode 8, thanks to the nonidentity of transistors 4 and 5 and due to the feedback in the circuit, the process of avalanche saturation of one of them and the recording & nm of the other. As a result, the voltage polarity of the transformer establishes such polarity that the entire current of the resistor 6 flows to the saturated transistor, for example, 4. While the sum of voltage drops on the current sensor 10 and the emitter junction of the saturated transistor 4 is less than The emf is right according to the drawing of the half of the control winding 3 and the opening voltage of the diode 8, the current does not flow through it. As the collector current of the saturated transistor 4 increases (as a result of saturation of the transformer core 1), the voltage drop across the current sensor 10 increases,

Составитель Т Редактор Н.Лазаренко Техред М.МорCompiled by T Editor N. Lazarenko Tehred M.Mor

диод 8 открываетс  и в него ответвл етс  часть тока резистора 6. Вследствие этого базовый ток насыщенного транзистора 4 уменьшаетс , что приводит к выходу его из насыщени . Далее развиваетс  лавинообразный процесс переключени  транзисторов 4 и 5.the diode 8 opens and a portion of the current of the resistor 6 branches into it. As a result, the base current of the saturated transistor 4 decreases, which causes it to go out of saturation. Further, an avalanche-like switching process of transistors 4 and 5 is developed.

Если прин ть, что падение напр жений на пр мосмещенном эмиттерном переходе насыщенного транзистора и на открытом диоде равны между собой и одинаково измен ютс  с температурой, то уровень ограничени  бросков коллекторных токов определ етс  только ЭДС половины управл ющей обмотки трансформатора и сопротивлением датчика тока и не зависит от температуры.If it is assumed that the voltage drops at the forward-displaced emitter junction of the saturated transistor and at the open diode are equal to each other and equally vary with temperature, then the limiting level of surge current collector currents is determined only by the emf of the transformer control half and the current sensor resistance and not depends on temperature.

Дл  лучшей компенсации температурного вли ни  и технологического разброса параметров полупроводниковых элементов целесообразно в качестве диода использовать эмиттерный переход транзистора того же типа, а также обеспечивать низкое тепловое сопротивление конструкции. Наиболее эффективно применение инвертора при низких (3-бВ) и относительно посто нных напр жени х питани .In order to better compensate for the temperature effect and technological variation of the parameters of semiconductor elements, it is advisable to use the same type emitter junction of a transistor as a diode, as well as to provide a low thermal resistance of the structure. The use of an inverter is most effective at low (3-bV) and relatively constant supply voltages.

ова  ova

Claims (1)

Формула изобретени  Двухтактный самовозбуждающийс  инвертор , содержащий трансформатор с входной и управл ющей обмотками, транзисторы одного типа проводимости, эмиттеры которых объединены, коллекторы соединены с крайними выводами входной обмотки, а базы - с крайними выводами управл ющей обмотки, и резистор, одним выводам подключенный к среднему выводу входной обмотки трансформатора и первому входному выводу, а другим - к среднему выводу управл ющей обмотки, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД и надежности путем ограничени  бросков коллекторных токов в широком диапазоне температуры, в него введены диод с идентичной транзисторам вольт-амперной характеристикой , включенный между средним выводом управл ющей обмотки и вторым входным выводом в провод щем направлении , и датчик тока, включенный между эмиттерами транзисторов и вторым входным выводом.The invention is a push-pull self-exciting inverter comprising a transformer with input and control windings, transistors of the same conductivity type, the emitters of which are combined, collectors connected to the extreme leads of the input winding, and the base with the extreme leads of the control winding, and a resistor, connected to the middle one the output winding of the transformer and the first input terminal, and the other to the middle output of the control winding, characterized in that, in order to increase efficiency and reliability by limiting A wide range of collector currents, a diode with a current-voltage characteristic identical to the transistors, connected between the middle terminal of the control winding and a second input terminal in the conductive direction, and a current sensor connected between the emitters of the transistors and the second input terminal were inserted into it. Корректор М.ШарошиProofreader M.Sharoshi