SU1583916A1 - Method of obtaining screened reliefographic powdery images - Google Patents

Method of obtaining screened reliefographic powdery images Download PDF

Info

Publication number
SU1583916A1
SU1583916A1 SU884405151A SU4405151A SU1583916A1 SU 1583916 A1 SU1583916 A1 SU 1583916A1 SU 884405151 A SU884405151 A SU 884405151A SU 4405151 A SU4405151 A SU 4405151A SU 1583916 A1 SU1583916 A1 SU 1583916A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
carrier
relief
thermoplastic layer
raster
rasterized
Prior art date
Application number
SU884405151A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Лев Мойсеевич Панасюк
Александр Владимирович Барладин
Светлана Алексеевна Бузурнюк
Сергей Валентинович Комаров
Original Assignee
Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Оптоэлектроника" при Кишиневском государственном университете им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Оптоэлектроника" при Кишиневском государственном университете им.В.И.Ленина filed Critical Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Оптоэлектроника" при Кишиневском государственном университете им.В.И.Ленина
Priority to SU884405151A priority Critical patent/SU1583916A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1583916A1 publication Critical patent/SU1583916A1/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к способу получени  растрированного рельефографического носител  информации. Позвол ет повысить производительность процесса и качество носител . Носитель состоит из металлической подложки, фотополупроводникового и термопластического слоев. Дл  получени  растрированного носител  в термопластическом слое формируют периодическую неоднородность. Дл  этого вначале на носителе создают электростатический растр. Затем растр про вл ют нагревом дл  образовани  геометрического рельефа, фиксируют рельеф сплошной засветкой УФ-излучением и нанос т второй термопластический слой.This invention relates to a method for producing a rasterized relief information carrier. Allows you to improve process performance and media quality. The carrier consists of a metal substrate, photo-semiconductor and thermoplastic layers. To obtain a rasterized carrier, a periodic heterogeneity is formed in the thermoplastic layer. For this, an electrostatic raster is first created on the carrier. Then, the raster is developed by heating to form a geometric relief, the relief is fixed by continuous irradiation with UV radiation, and a second thermoplastic layer is applied.

Description

Изобретение относитс  к регистра- ц|ии оптической информации, в частности получени  носителей, снабженных несущим растром дл  фототермопластической записи информации,)The invention relates to a register of optical information, in particular, the acquisition of carriers equipped with a carrier raster for photothermoplastic information recording,

Целью изобретени   вл етс  повыше- йие производительности процесса и Качества носител 0The aim of the invention is to increase the productivity of the process and the quality of the carrier 0

Растрированный рельефографичес- кий носитель получают следующим образом .A rasterized relief carrier is obtained as follows.

Используют носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, фотополупроводниковый слой из стекло- ()бразного халькогенида млшь ка и термопластический слой на основе стиро- #а, бутилметакрилата и п-аминостиро- #а. На носитель покадрово проецируют 0птическую растровую картину, образованную , например, двум  сход щимис  когерентными лучами с длиной волны 0,63 мкм с экспозицией 10 ь- /смг Проецируема  интерференционна  картина преобразуетс  на поверхности термопластического сло  в фазово- рельефное изображение под действием пондемоторных сил электростатического пол о Полученный таким образом электростатический растр про вл ют нагревом дл  образовани  геометрического рельефао Полученный рельеф фиксируют сплошной засветкой УФ-из- лучением с длиной волны в интервале 0,2-0,4 мкм с экспозицией 50-70 Дж/ /см о В результате этого происходит структурирование макромолекул полимера и потер  последним термопластических свойство Последним этапом вA carrier containing a substrate of polyethylene terephthalate, a photo semiconductor layer made of glass- () brass chalcogenide is used, and a thermoplastic layer based on styrene, butyl methacrylate, and p-amine. A 0-bit raster pattern is projected onto a carrier, for example, by two convergent coherent rays with a wavelength of 0.63 microns with an exposure of 10 / cmg. The projected interference pattern is transformed on the surface of a relief-like image under the action of ponderomotive forces of an electrostatic field o The electrostatic raster thus obtained is developed by heating to form a geometric relief. The resulting relief is fixed by continuous illumination by UV radiation from lengths th wavelength in the range of 0.2-0.4 microns with exposure to 50-70 Joules / / cm on a result of the structuring of the polymer macromolecules occurs and the latter loss of thermoplastic property in a final step

СПSP

получении растрированного носител   вл етс  нанесение второго термопластического сло  на основе стирола0obtaining a rasterized carrier is the application of a second thermoplastic layer based on styrene0

Пример 1„ Растрированный носитель получают на основе рельефографического носител  с фотополупроводниковым слоем 0,5 As.Se, - 0,5 As2S3 толщиной 2,0 мкм и термопластическим слоем из сополимера стирола с бу- тилметакрилатом и n-аминостиролом толщиной 1,5 мкм0 Рельефографический носитель помещают в  чейку фототермопластической записи, где подверга- ют покадровому нагреву до 65-68 С при одновременном проецировании растровой интерференционной картины с частотой 250 мин/мм, образованной двум  сход щимис  когерентными чами с длиной волны 0,63 мкм с экспозицией 10 7 - Дж/см2, и зар дке в поле коронного разр да при потенциале на коронирующей нити 4,2 кВ. Под действием пондемоторных силExample 1 “A rasterized carrier is obtained on the basis of a relief carrier with a photo semiconductor layer of 0.5 As.Se, –0.5 As2S3 with a thickness of 2.0 μm and a thermoplastic layer of styrene copolymer with butyl methacrylate and n-aminostyrene with a thickness of 1.5 μm0 Relief the carrier is placed in a photothermoplastic recording cell, where it is subjected to frame-by-frame heating to 65-68 C while simultaneously projecting a raster interference pattern with a frequency of 250 min / mm, formed by two converging coherent chases with a wavelength of 0.63 µm with an exposure 10 7 - J / cm2, and charging in a corona discharge field with a potential on a corona filament of 4.2 kV. Under the action of ponderomotive forces

электростатического пол  термопластический слой.деформируетс  в соответствии с проецируемой растровой картиной, причем более светлые участки изображени  формируют деформа- цией с большей глубинойс Полученное таким образом изображение электростатического растра смещают и формируют раст на следующем кадре. Фиксирование геометрического рельефа элект ростатического растра осуществл ют путем сплошной засветки УФ-иэлучениеМо Длительность засветки 10-15 мин. При засветке происходит структурирование макромолекул материала термо- пластического сло , что приводит к потере им полимерных свойство Растрированный термопластический слой после засветки в УФ-излучении становитс  малочувствительным к действию растворителей, например толуола, и другим внешним факторам,, Нанос т второй термопластический слой из сополимера стирола с бутилметакрилатом толщиной 1,0 мкмоelectrostatic field thermoplastic layer. is deformed in accordance with the projected raster pattern, and the lighter areas of the image are formed by deformation with deeper depth. The thus-obtained image of the electrostatic raster is shifted and formed in the next frame. The fixation of the geometrical relief of the electrostatic screen is carried out by continuous illumination of UV and radiation. The duration of illumination is 10–15 min. During the exposure, the macromolecules of the material of the thermoplastic layer are structured, which leads to the loss of the polymer property. The rasterized thermoplastic layer after exposure to UV radiation becomes insensitive to solvents, such as toluene, and other external factors, a second thermoplastic layer of styrene copolymer is applied. with butyl methacrylate 1.0 μm thick

Приме р 2 „ Носитель получают по примеру 1 о В качестве растрируемого структурируемого сло  используют термопластический слой на основе сополимера бутилметакрилата со сти- ролом и n-аминостиролом при соотношении компонентов по весу 60:30slO соответственно и толщиной 1,5 мкм, При фиксировании растра путем сплошной засветки термопластического сло  ультразвуковым излучением (УФ) за врем  от 15 мин и более происходит срыв деформации растра,, а за меньшее врем  засветки не достигаетс  необходима  степень структурировани  макромолекул материала термопластического сло , что приводит к растворению растра толуолом при нанесении второго термопластического сло 0Example 2 “Carrier is prepared as in Example 1 o. As a rasterized structured layer, a thermoplastic layer based on a copolymer of butyl methacrylate with styrene and n-aminostyrene is used with a ratio of components by weight of 60: 30slO, respectively, and 1.5 μm thick. When fixing the raster by continuous illumination of the thermoplastic layer with ultrasonic radiation (UV) during a time period of 15 minutes or more causes the deformation of the raster deformation, and after a shorter exposure time, the required degree of structuring of macromolecules is not achieved thermoplastic layer which causes the dissolution raster toluene during application of the second thermoplastic layer 0

.Пример 3, Носитель получают по примеру 1. На поверхность растрированного структурируемого термопластического сло  методом термического испарени  в вакууме нанос т металлический (А1) слой толщиной до 400 А, предназначенный дл  визуализации (усилени  контраста) рельефно-фазового изображени  за счет большого коэффициента отражени  о Полученный носитель используют в качестве топографической дифракционной решетки с дифракционной эффективностью до 30%,Example 3, Carrier is prepared as described in Example 1. A metal (A1) layer up to 400 A thick is applied to the surface of a rasterized structured thermoplastic layer by thermal evaporation in vacuum, which is used to visualize (enhance contrast) the relief-phase image due to the high reflection coefficient The resulting carrier is used as a topographic diffraction grating with a diffraction efficiency of up to 30%,

Claims (1)

Формула изобретенийFormula of inventions Способ получени  растрированного рельефографического носител  информации , состо щего из металлической подложки, фотополупроводникевого и термопластического слоев, заключающийс  в формировании периодической неоднородности в термопластическом слое, отличающийс  тем, что, с целью повышени  производительности процесса и качества носител , периодическую неоднородность формируют путем создани  электростатического растра, который про вл ют нагревом дл  образовани  геометрического рельефа, а полученный рельеф фиксируют сплошной засветкой УФ-иэлучени- ем и нанос т на него второй термопластический слой0A method for producing a rasterized relief information carrier consisting of a metal substrate, a photo-semiconductor and a thermoplastic layer, consisting in the formation of a periodic heterogeneity in the thermoplastic layer, characterized in that, in order to improve the process performance and quality of the carrier, the periodic heterogeneity is formed by creating an electrostatic raster, which heat to form a geometric relief, and the resulting relief is fixed solid Svetka UV ielucheni- and it is applied to it a second thermoplastic Layer0
SU884405151A 1988-04-05 1988-04-05 Method of obtaining screened reliefographic powdery images SU1583916A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884405151A SU1583916A1 (en) 1988-04-05 1988-04-05 Method of obtaining screened reliefographic powdery images

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884405151A SU1583916A1 (en) 1988-04-05 1988-04-05 Method of obtaining screened reliefographic powdery images

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1583916A1 true SU1583916A1 (en) 1990-08-07

Family

ID=21366625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884405151A SU1583916A1 (en) 1988-04-05 1988-04-05 Method of obtaining screened reliefographic powdery images

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1583916A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4013465A (en) Reducing the reflectance of surfaces to radiation
US3580657A (en) Blazed surface hologram
CA1053959A (en) Metal film recording media for laser writing
KR101060324B1 (en) Systems and methods for fabricating optical microstructures using cylindrical platforms and scanned radiation beams
US3993401A (en) Retroreflective material including geometric fresnel zone plates
JPH0469361B2 (en)
CA2057017A1 (en) Master for optical element replication
JPH0244060B2 (en)
JPS5944700B2 (en) How to form an embossing pattern on the flat surface of a substrate
US4179532A (en) Process for producing a disc-shaped information carrier which has information in the form of a beam-reflecting structure
US4945551A (en) Soft X-ray lithographic system
JPS6246523A (en) Manufacture of mask for x-rays deep lithography
US7335461B2 (en) Method of structuring of a subtrate
US3995948A (en) Phase mask for use in holographic apparatus
SU1583916A1 (en) Method of obtaining screened reliefographic powdery images
US20020160312A1 (en) Method for producing photoresist master for optical information medium, and method for producing stamper for optical information medium
GB2079536A (en) Process for producing an optical network
US4316279A (en) Optical recording in thin photoresist
EP0288140B1 (en) Improvements relating to the formatting of optical data storage members
US7166393B2 (en) Reflection mask for projecting a structure onto a semiconductor wafer and method for producing the mask
Aoyama et al. Micro-Fresnel lens fabricated by electron-beam lithography
JP2004046003A (en) Fine structure, manufacturing method of fine structure and manufacturing device thereof
Puech Thin film optical components duplication method
EP0365031A2 (en) Hologram stamper, method of manufacturing the same, and method of manufacturing hologram
JPH07234373A (en) Optical scanning device