SU1583916A1 - Method of obtaining screened reliefographic powdery images - Google Patents
Method of obtaining screened reliefographic powdery images Download PDFInfo
- Publication number
- SU1583916A1 SU1583916A1 SU884405151A SU4405151A SU1583916A1 SU 1583916 A1 SU1583916 A1 SU 1583916A1 SU 884405151 A SU884405151 A SU 884405151A SU 4405151 A SU4405151 A SU 4405151A SU 1583916 A1 SU1583916 A1 SU 1583916A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- carrier
- relief
- thermoplastic layer
- raster
- rasterized
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к способу получени растрированного рельефографического носител информации. Позвол ет повысить производительность процесса и качество носител . Носитель состоит из металлической подложки, фотополупроводникового и термопластического слоев. Дл получени растрированного носител в термопластическом слое формируют периодическую неоднородность. Дл этого вначале на носителе создают электростатический растр. Затем растр про вл ют нагревом дл образовани геометрического рельефа, фиксируют рельеф сплошной засветкой УФ-излучением и нанос т второй термопластический слой.This invention relates to a method for producing a rasterized relief information carrier. Allows you to improve process performance and media quality. The carrier consists of a metal substrate, photo-semiconductor and thermoplastic layers. To obtain a rasterized carrier, a periodic heterogeneity is formed in the thermoplastic layer. For this, an electrostatic raster is first created on the carrier. Then, the raster is developed by heating to form a geometric relief, the relief is fixed by continuous irradiation with UV radiation, and a second thermoplastic layer is applied.
Description
Изобретение относитс к регистра- ц|ии оптической информации, в частности получени носителей, снабженных несущим растром дл фототермопластической записи информации,)The invention relates to a register of optical information, in particular, the acquisition of carriers equipped with a carrier raster for photothermoplastic information recording,
Целью изобретени вл етс повыше- йие производительности процесса и Качества носител 0The aim of the invention is to increase the productivity of the process and the quality of the carrier 0
Растрированный рельефографичес- кий носитель получают следующим образом .A rasterized relief carrier is obtained as follows.
Используют носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, фотополупроводниковый слой из стекло- ()бразного халькогенида млшь ка и термопластический слой на основе стиро- #а, бутилметакрилата и п-аминостиро- #а. На носитель покадрово проецируют 0птическую растровую картину, образованную , например, двум сход щимис когерентными лучами с длиной волны 0,63 мкм с экспозицией 10 ь- /смг Проецируема интерференционна картина преобразуетс на поверхности термопластического сло в фазово- рельефное изображение под действием пондемоторных сил электростатического пол о Полученный таким образом электростатический растр про вл ют нагревом дл образовани геометрического рельефао Полученный рельеф фиксируют сплошной засветкой УФ-из- лучением с длиной волны в интервале 0,2-0,4 мкм с экспозицией 50-70 Дж/ /см о В результате этого происходит структурирование макромолекул полимера и потер последним термопластических свойство Последним этапом вA carrier containing a substrate of polyethylene terephthalate, a photo semiconductor layer made of glass- () brass chalcogenide is used, and a thermoplastic layer based on styrene, butyl methacrylate, and p-amine. A 0-bit raster pattern is projected onto a carrier, for example, by two convergent coherent rays with a wavelength of 0.63 microns with an exposure of 10 / cmg. The projected interference pattern is transformed on the surface of a relief-like image under the action of ponderomotive forces of an electrostatic field o The electrostatic raster thus obtained is developed by heating to form a geometric relief. The resulting relief is fixed by continuous illumination by UV radiation from lengths th wavelength in the range of 0.2-0.4 microns with exposure to 50-70 Joules / / cm on a result of the structuring of the polymer macromolecules occurs and the latter loss of thermoplastic property in a final step
СПSP
SЈSЈ
получении растрированного носител вл етс нанесение второго термопластического сло на основе стирола0obtaining a rasterized carrier is the application of a second thermoplastic layer based on styrene0
Пример 1„ Растрированный носитель получают на основе рельефографического носител с фотополупроводниковым слоем 0,5 As.Se, - 0,5 As2S3 толщиной 2,0 мкм и термопластическим слоем из сополимера стирола с бу- тилметакрилатом и n-аминостиролом толщиной 1,5 мкм0 Рельефографический носитель помещают в чейку фототермопластической записи, где подверга- ют покадровому нагреву до 65-68 С при одновременном проецировании растровой интерференционной картины с частотой 250 мин/мм, образованной двум сход щимис когерентными чами с длиной волны 0,63 мкм с экспозицией 10 7 - Дж/см2, и зар дке в поле коронного разр да при потенциале на коронирующей нити 4,2 кВ. Под действием пондемоторных силExample 1 “A rasterized carrier is obtained on the basis of a relief carrier with a photo semiconductor layer of 0.5 As.Se, –0.5 As2S3 with a thickness of 2.0 μm and a thermoplastic layer of styrene copolymer with butyl methacrylate and n-aminostyrene with a thickness of 1.5 μm0 Relief the carrier is placed in a photothermoplastic recording cell, where it is subjected to frame-by-frame heating to 65-68 C while simultaneously projecting a raster interference pattern with a frequency of 250 min / mm, formed by two converging coherent chases with a wavelength of 0.63 µm with an exposure 10 7 - J / cm2, and charging in a corona discharge field with a potential on a corona filament of 4.2 kV. Under the action of ponderomotive forces
электростатического пол термопластический слой.деформируетс в соответствии с проецируемой растровой картиной, причем более светлые участки изображени формируют деформа- цией с большей глубинойс Полученное таким образом изображение электростатического растра смещают и формируют раст на следующем кадре. Фиксирование геометрического рельефа элект ростатического растра осуществл ют путем сплошной засветки УФ-иэлучениеМо Длительность засветки 10-15 мин. При засветке происходит структурирование макромолекул материала термо- пластического сло , что приводит к потере им полимерных свойство Растрированный термопластический слой после засветки в УФ-излучении становитс малочувствительным к действию растворителей, например толуола, и другим внешним факторам,, Нанос т второй термопластический слой из сополимера стирола с бутилметакрилатом толщиной 1,0 мкмоelectrostatic field thermoplastic layer. is deformed in accordance with the projected raster pattern, and the lighter areas of the image are formed by deformation with deeper depth. The thus-obtained image of the electrostatic raster is shifted and formed in the next frame. The fixation of the geometrical relief of the electrostatic screen is carried out by continuous illumination of UV and radiation. The duration of illumination is 10–15 min. During the exposure, the macromolecules of the material of the thermoplastic layer are structured, which leads to the loss of the polymer property. The rasterized thermoplastic layer after exposure to UV radiation becomes insensitive to solvents, such as toluene, and other external factors, a second thermoplastic layer of styrene copolymer is applied. with butyl methacrylate 1.0 μm thick
Приме р 2 „ Носитель получают по примеру 1 о В качестве растрируемого структурируемого сло используют термопластический слой на основе сополимера бутилметакрилата со сти- ролом и n-аминостиролом при соотношении компонентов по весу 60:30slO соответственно и толщиной 1,5 мкм, При фиксировании растра путем сплошной засветки термопластического сло ультразвуковым излучением (УФ) за врем от 15 мин и более происходит срыв деформации растра,, а за меньшее врем засветки не достигаетс необходима степень структурировани макромолекул материала термопластического сло , что приводит к растворению растра толуолом при нанесении второго термопластического сло 0Example 2 “Carrier is prepared as in Example 1 o. As a rasterized structured layer, a thermoplastic layer based on a copolymer of butyl methacrylate with styrene and n-aminostyrene is used with a ratio of components by weight of 60: 30slO, respectively, and 1.5 μm thick. When fixing the raster by continuous illumination of the thermoplastic layer with ultrasonic radiation (UV) during a time period of 15 minutes or more causes the deformation of the raster deformation, and after a shorter exposure time, the required degree of structuring of macromolecules is not achieved thermoplastic layer which causes the dissolution raster toluene during application of the second thermoplastic layer 0
.Пример 3, Носитель получают по примеру 1. На поверхность растрированного структурируемого термопластического сло методом термического испарени в вакууме нанос т металлический (А1) слой толщиной до 400 А, предназначенный дл визуализации (усилени контраста) рельефно-фазового изображени за счет большого коэффициента отражени о Полученный носитель используют в качестве топографической дифракционной решетки с дифракционной эффективностью до 30%,Example 3, Carrier is prepared as described in Example 1. A metal (A1) layer up to 400 A thick is applied to the surface of a rasterized structured thermoplastic layer by thermal evaporation in vacuum, which is used to visualize (enhance contrast) the relief-phase image due to the high reflection coefficient The resulting carrier is used as a topographic diffraction grating with a diffraction efficiency of up to 30%,
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884405151A SU1583916A1 (en) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | Method of obtaining screened reliefographic powdery images |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884405151A SU1583916A1 (en) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | Method of obtaining screened reliefographic powdery images |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1583916A1 true SU1583916A1 (en) | 1990-08-07 |
Family
ID=21366625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884405151A SU1583916A1 (en) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | Method of obtaining screened reliefographic powdery images |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1583916A1 (en) |
-
1988
- 1988-04-05 SU SU884405151A patent/SU1583916A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4013465A (en) | Reducing the reflectance of surfaces to radiation | |
US3580657A (en) | Blazed surface hologram | |
CA1053959A (en) | Metal film recording media for laser writing | |
KR101060324B1 (en) | Systems and methods for fabricating optical microstructures using cylindrical platforms and scanned radiation beams | |
US3993401A (en) | Retroreflective material including geometric fresnel zone plates | |
JPH0469361B2 (en) | ||
CA2057017A1 (en) | Master for optical element replication | |
JPH0244060B2 (en) | ||
JPS5944700B2 (en) | How to form an embossing pattern on the flat surface of a substrate | |
US4179532A (en) | Process for producing a disc-shaped information carrier which has information in the form of a beam-reflecting structure | |
US4945551A (en) | Soft X-ray lithographic system | |
JPS6246523A (en) | Manufacture of mask for x-rays deep lithography | |
US7335461B2 (en) | Method of structuring of a subtrate | |
US3995948A (en) | Phase mask for use in holographic apparatus | |
SU1583916A1 (en) | Method of obtaining screened reliefographic powdery images | |
US20020160312A1 (en) | Method for producing photoresist master for optical information medium, and method for producing stamper for optical information medium | |
GB2079536A (en) | Process for producing an optical network | |
US4316279A (en) | Optical recording in thin photoresist | |
EP0288140B1 (en) | Improvements relating to the formatting of optical data storage members | |
US7166393B2 (en) | Reflection mask for projecting a structure onto a semiconductor wafer and method for producing the mask | |
Aoyama et al. | Micro-Fresnel lens fabricated by electron-beam lithography | |
JP2004046003A (en) | Fine structure, manufacturing method of fine structure and manufacturing device thereof | |
Puech | Thin film optical components duplication method | |
EP0365031A2 (en) | Hologram stamper, method of manufacturing the same, and method of manufacturing hologram | |
JPH07234373A (en) | Optical scanning device |