SU1557650A1 - Controllable ac voltage-to-ac voltage converter - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике. Целью изобретени   вл етс  упрощение. Преобразователь содержит вольтодобавочный трансформатор 1, три полупроводниковых ключа 7, 8, 9, полностью управл емый полупроводниковый прибор 20, блок управлени  21. Секции первичной обмотки вольтодобавочного трансформатора 1 в соответствии с алгоритмом работы блока управлени  21 через полупроводниковые ключи 7, 8 и 9 подключаютс  к источнику входного напр жени , создава  режимы вольтодобавки, либо вольтоотбавки. Поставленна  цель достигаетс  выполнением полупроводниковых ключей 7, 8 и 9 в виде двух последовательно соединенных тиристоров и объединением их одноименных выводов в общие точки 18 и 19, что позвол ет использовать дл  регулировани  выходного напр жени  один полностью управл емый полупроводниковый прибор 20, включенный между общими точками. 1 ил.The invention relates to electrical engineering. The aim of the invention is to simplify. The converter contains a booster transformer 1, three semiconductor switches 7, 8, 9, a fully controlled semiconductor device 20, a control unit 21. The primary winding sections of the booster transformer 1 are connected via a semiconductor switches 7, 8 and 9 to the input voltage source, creating voltage boosting modes, or voltage gains. The goal is achieved by making the semiconductor switches 7, 8 and 9 as two series-connected thyristors and combining their like terminals into common points 18 and 19, which allows one fully controlled semiconductor device 20 connected between common points to be used to control the output voltage. . 1 il.

Description

Изобретение относитс  к электротехнике .The invention relates to electrical engineering.

Цель изобретени  - упрощение. На чертеже представлена схема преобразовател .The purpose of the invention is simplification. The drawing shows a diagram of the Converter.

Устройство содержит вольтодоба- вочный тран9форматор 1, вторична  обмотка 2 ко торого включена между первым входным 3 и первым выходным 4 выводами. Первична  обмотка воль- тодобавочного трансформатора 1 содержит две последовательно соединенные секции 5 и 6, обша  точка которых соединена с первым входным выводом 3. Вывод секции 5 первичной обмотки вольтодобавочного трансформатора 1 соединен с первым выводом первого полупроводникового ключа 7. Вывод секции 6 первичной обмотки воль тодобавочного трансформатора I соединен с первым выводом второго полупроводникового ключа 8. Первый вывод третьего полупроводникового ключа 9 соединен с вторым входным выводом 10 и вторым выходным выводом 11. Полупроводниковые ключи 7-9 выполнены в виде двух последовательно соединенных тиристоров 12 и 13, 14 и 15, 16 и 17 соответственно. Средн   точка соединени  тиристоров 12 и 13, 14 и 15, 16 и 17 образует первый вывод полупроводниковых ключей 7-9 соответственно . Аноды тиристоров 12, 14 и J6  вл ютс  вторыми выводами полупроводниковых ключей 7-9, а, катоды тиристоров 13, J5 и 17 - третьими выводами полупроводниковых ключей 7-9. Вторые и третьи выводы полупроводниковых ключей 7-9 объединены соответственно в две общие точки 18 и 19, которые зашунтированы полностью управл емым полупроводниковым прибором 20. Входы блока 21 управлени  соединены с первым 4 и вторым 11 выходными выводами а выходы соединены с управл ющими выходами тиристоров 12-17 и полностью управл емого полупроводникового ключа 20. The device contains a voltage transformer 1, the secondary winding 2 of which is connected between the first input 3 and the first output 4 terminals. The primary winding of the boost transformer 1 contains two serially connected sections 5 and 6, the common point of which is connected to the first input terminal 3. The output of section 5 of the primary winding of the additional booster transformer 1 is connected to the first output of the first semiconductor switch 7. The output of section 6 of the primary winding of optional additional transformer I is connected to the first terminal of the second semiconductor key 8. The first terminal of the third semiconductor key 9 is connected to the second input terminal 10 and the second output terminal 11. Semiconductor switches 7-9 are made in the form of two series-connected thyristors 12 and 13, 14 and 15, 16 and 17, respectively. The midpoint of the thyristors 12 and 13, 14 and 15, 16 and 17 forms the first pin of the semiconductor switches 7-9, respectively. Thyristor anodes 12, 14 and J6 are the second pins of the semiconductor switches 7-9, and the cathodes of the thyristors 13, J5 and 17 are the third pins of the semiconductor switches 7-9. The second and third pins of semiconductor switches 7-9 are combined respectively into two common points 18 and 19, which are shunted with a fully controlled semiconductor device 20. The inputs of control unit 21 are connected to first 4 and second 11 output pins and outputs are connected to thyristor 12 control outputs -17 and fully controlled semiconductor key 20.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Если выходное напр жение выше номинального выходного напр жени , то в начале каждого полупериода входного напр жени  блок 21 управлени  вклчает полностью управл емый полупровониковый прибор 20 и полупроводниковые ключи 7 и 8. Выходное напр жение практически равно входному напр If the output voltage is higher than the rated output voltage, then at the beginning of each half-cycle of the input voltage, the control unit 21 turns on the fully controllable semiconductor device 20 and the semiconductor switches 7 and 8. The output voltage is almost equal to the input voltage

00

5five

5five

д d

00

5five

00

4545

5050

жению. С временным сдвигом, определи- емым величиной отклонени  выходного напр жени  от номинальной величины.to life. With a time shift determined by the magnitude of the deviation of the output voltage from the nominal value.

гg

с блока 2) управлени  снимаютс  импульсы управлени , поступающие на управл ющие входы полностью управл емого полупроводникового прибора 20 и полупроводниковых ключей 7 и 8. После закрыти  тиристоров полупроводникового ключа 8 импульсы управлени  подаютс  на полностью управл емый полупроводниковый прибор 20 и полупроводниковые ключи 7 и 9, в результате чего обеспечиваетс  подключение секции 5 первичной обмотки вольтодобавочного трансформатора 1 к источнику входного напр жени , чем обеспечиваетс  режим вольтоотбавки. Если входное напр жение уменьшаетс , то в начале каждого полупериода входного напр жени  включаетс  полностью управл емый полупроводниковый прибор 20 и полупроводниковые ключи 8 и 9, обеспечива  подключение секции 6 первичной обмотки вольтодобавочного трансформатора 1 к источнику входного напр жени , чем обеспечиваетс  режим вольтодобавки. С временным сдвигом, определ емым величиной отклонени  выходного напр жени  от номинальной величины, с блока 21 управлени  снимаютс  импульсы управлени , поступающие на управл ющие входы полностью управл емого полупроводникового ключа 20 и полупроводникового ключа 9. После запи- рани  тиристоров полупроводникового ключа 9 подаютс  импульсы управлени  на управл юшие входы полностью управл емого полупроводникового прибора 20 и полупроводниковых ключей 7 и 8. В этом случае выходное напр жение практически равно входному напр жению .control block 2) removes control pulses arriving at the control inputs of the fully controlled semiconductor device 20 and semiconductor switches 7 and 8. After the thyristors of the semiconductor key 8 are closed, the control pulses are fed to the fully controlled semiconductor device 20 and semiconductor switches 7 and 9, as a result, the primary winding section of the booster transformer 1 is connected to the input voltage source, which ensures the voltaic mode. If the input voltage decreases, then at the beginning of each half-cycle of the input voltage, the fully controlled semiconductor device 20 and the semiconductor switches 8 and 9 turn on, providing connection of the primary winding section 6 of the booster transformer 1 to the input voltage source, which provides the booster mode. With a time shift determined by the magnitude of the output voltage deviation from the nominal value, control unit 21 removes control pulses fed to the control inputs of the fully controlled semiconductor key 20 and semiconductor key 9. After the thyristors of the semiconductor key 9 are locked, control pulses are sent to the control inputs of the fully controlled semiconductor device 20 and the semiconductor switches 7 and 8. In this case, the output voltage is almost equal to the input voltage.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Регулируемый преобразователь переменного напр жени  в переменное, содержащий вольтодобавочный трансформатор , вторична  обмотка которого включена между первым входным и первым выходным выводами, а первична  обмотка содержит две последовательно соединенные секции, обща  точка которых соединена с первым входным выводом , первый, второй и третий полупроводниковые ключи, один из кото515576506An adjustable AC-to-voltage converter contains a booster transformer, the secondary winding of which is connected between the first input and the first output pins, and the primary winding contains two sections connected in series, the common point of which is connected to the first input terminal, the first, second and third semiconductor switches, one of which515576506 рых зашунтирован полностью управл в-двух последовательно соединенныхryh shunted fully controlled in two connected in series мым полупроводниковым прибором, при-первого и второго тиристоров, средчем выводы секций первичной обмоткин   точка которых  вл етс  первымmy semiconductor device, at the first and second thyristors, among which the outputs of the primary winding sections of the point are the first вольтодобавочного трансформатора сое-выводом полупроводниковых ключей,booster transformer by co-output semiconductor switches, динены соответственно с первыми выво-аноды первых тиристоров и катодыdinene according to the first output anodes of the first thyristors and cathodes дами первого и второго полупроводни-вторых тиристоров соответственно объковых ключей,и блок управлени ,единены и образуют две общие точки,The dami of the first and second semiconductor-second thyristors, respectively, of the ob-keys, and the control unit, are united and form two common points, входы которого соединены с первым вл ющиес  вторыми и третьими выводаи вторым выходными выводами, причем JQми полупроводниковых ключей, которыеthe inputs of which are connected to the first are the second and third pins and the second output pins, and JQmi semiconductor switches, which второй выходной и второй входнойзашунтированы полностью управл емымthe second output and the second input are fully controlled выводы объединены, отличаю-полупроводниковым прибором, а первыйthe pins are combined, I distinguish with a semiconductor device, and the first щ и и с   тем, что, с целью упро-вывод третьего полупроводниковогоu and with the fact that, in order to simplify the output of the third semiconductor щени , первый, второй и третий полу-ключа соединен с вторым входным выпроводниковые ключи выполнены в виде $водом.Scheni, the first, second and third semi-key connected to the second input of the wiring keys are made in the form of water.