SU1525901A1 - Method of producing transistor gate - Google Patents

Abstract

Изобретение может быть использовано в источниках вторичного электропитани , где требуетс  высока  надежность. Цель изобретени  - повышение КПД и надежности. Магнитно-транзисторный ключ содержит силовой транзистор 1 и трансформатор 2 тока с положительной обратной св зью, два управл ющих транзистора 6 и 7, базами подключенные к шине 13 управл ющих сигналов. За счет введени  резисторов 8,11, диода 10 и конденсатора 12 улучшаютс  режимы коммутации силового транзистора 1 и по вл етс  возможность использовани  более низковольтных управл ющих транзисторов. 1 ил.The invention can be used in secondary power sources where high reliability is required. The purpose of the invention is to increase efficiency and reliability. The magnetically-transistor switch contains a power transistor 1 and a current transformer 2 with positive feedback, two control transistors 6 and 7 connected to the bus 13 of the control signals with bases. Due to the introduction of resistors 8, 11, diode 10 and capacitor 12, the switching modes of the power transistor 1 are improved, and it is possible to use lower voltage control transistors. 1 il.

Description

ii

(Л(L

Изобретение относитс  к силовым коммутирующим устройствам радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано в источниках вторичного электропитани .The invention relates to power switching devices of electronic equipment and can be used in sources of secondary power supply.

Цель изобретени  - повышение К1Щ и надежности.The purpose of the invention is to increase K1SC and reliability.

На чертеже представлена прин1щ- пиальна  электрическа  схема устройства .The drawing shows the general electrical circuit of the device.

Устройство содержит силовой транзистор 1, трансформатор 2 тока с первичной обмоткой, включенной в последовательную цепь с нагрузкой 3 и шинами источника питани , разв зывающий конденсатор 4, первый резистор 5 в цепи нагрузки управл ющего транз1 стора 6 обратного типа проводимости относительно другого управл ющего транзистора 7, в коллекторную цепь которого включен дополнительный резистор 8, диоды 9 и 10, дополнительный и пр мовключен- Hbrfi, дополнительные резистор 11 и конденсатор 12.The device contains a power transistor 1, a current transformer 2 with a primary winding connected in series with the load 3 and the power supply buses, which decouples the capacitor 4, the first resistor 5 in the load circuit of the control transistor 1 of the reverse type 6 conductor relative to the other control transistor 7 , the collector circuit of which includes an additional resistor 8, diodes 9 and 10, an additional and directly connected Hbrfi, an additional resistor 11 and a capacitor 12.

Разв зывающий конденсатор 4 включен ме щу второй шиной источника питани  и шиной дополнительного источника питани . Дополнительный диод 9 обратно включен между шиной дополнительного источника питани  и первым выводом вторичной обмотки положительной обратной св зи трансформатора тока 2, который через пр мовключеиный диод 10 соединен с o6ii:5iM выводом дополнительных резисторов 8 и 11, к диоду 10 подключен дополнительный конденсатор 12, ог- раничиваюп ;ий напр жение. Базы управл ющих транзисторов 6 и 7 подключены к шине 13 управл51ю1цих сигналов.The spreading capacitor 4 is connected by a second power supply bus and an additional power supply bus. An additional diode 9 is inversely connected between the bus of the additional power source and the first output of the secondary winding of the positive feedback of the current transformer 2, which is connected via an external diode 10 to the o6ii: 5iM terminal of the additional resistors 8 and 11, an additional capacitor 12 is connected to the diode 10, og - restricting; str. The bases of the control transistors 6 and 7 are connected to the bus 13 of the control signals.

При входном сигнале отрицательно пол рности на шине 13 открыт транзистор 6 и к базе силового транзистора 1 приложен отрицательный потенциал , равный напр жению дополнительного источника питани . Силовой транзистор 1 закрыт. При этом на коденсаторе 12 накоплен некоторый зар д от предыдущего рабочего такта. В момент изменени  пол рности управл ющего импульса транзистор 6 закрываетс , а транзистор 7 открываетс , при этом начинает разр жатьс  конденсатор 12 через базовута цепь транзистора 1 и создаетс  импульс тка , форсирующий открывание силового ключа. После по влени  тока в кол0When the input signal is negative polarity, the transistor 6 is open on the bus 13 and a negative potential is applied to the base of the power transistor 1, equal to the voltage of the additional power source. The power transistor 1 is closed. At the same time, some charge is accumulated on the codensor 12 from the previous operating cycle. At the moment of changing the polarity of the control pulse, the transistor 6 closes, and the transistor 7 opens, and the capacitor 12 starts discharging through the base of the transistor 1 circuit and a pulse is generated that forces the opening of the power switch. After the appearance of the current in the count

5five

00

5five

00

5five

00

лекторе управл ющего транзистора 7 начинает поступать ток в базовую цепь силового транзистора 1 из вторичной обмотки трансформатора 2, напр жение конденсатора 12 устанавливаетс  пропорционально току коллектора силового транзистора 1. В момент смены управл ющего сигнала происходит закрывание транзистора 7 и открывание транзистора 6. Силовой транзистор 1 начинает рассасьшатьс , но его коллекторный ток и, соответственно , ток базы в это врем  не прекращаетс  и поэтому зар жает конденсатор 12, емкость которого рассчитана так, что его зар да хватает на создание импульса тока в базовой цепи силового транзистора 1 на врем  по влени  обратной св зи по току. Если ключ находитс  в нерабочем состо нии , то конденсатор 12 зар жаетс  через резистор 11, ток через ко- торьш гораздо меньше базового тока силового транзистора 1. Если ключ в работающем состо нии, то конденсатор 12 зар жаетс  после выключени  транзистора 7, т.к. ток коллектора силового транзистора 1 не сразу прекращаетс  при изменении тока базы, а так как ток вторичной обмотки трансформатора тока 2 пропорционален току первичной (коллекторной) обмотки , то он и зар жает конденсатор 12. За счет улучшени  режимов коммутации силового транзистора 1 уменьшаютс  потери, а возможность использовани  низковольтных управл ющих транзисторов повышает надежность устройства.The control transistor 7 lector begins to flow into the base circuit of the power transistor 1 from the secondary winding of the transformer 2, the voltage of the capacitor 12 is proportional to the collector current of the power transistor 1. At the time the control signal changes, the transistor 7 closes and the transistor 6 opens. Power transistor 1 it begins to dissolve, but its collector current and, accordingly, the base current does not stop at this time and therefore it charges the capacitor 12, whose capacitance is designed so that its charge Vata to create a current pulse in the basic circuit of the power transistor 1 at the time of occurrence feedback current. If the key is in the idle state, then the capacitor 12 is charged through the resistor 11, the current through is far less than the base current of the power transistor 1. If the key is in the running state, the capacitor 12 is charged after turning off the transistor 7, because . the collector current of the power transistor 1 does not immediately stop when the base current changes, and since the secondary current of the current transformer 2 is proportional to the current of the primary (collector) winding, it charges the capacitor 12. By improving the switching modes of the power transistor 1, losses are reduced, and the ability to use low voltage control transistors improves device reliability.

Формула -изобретени Invention Formula

Магнитно-транзисторный ключ, со- держащий силовой транзистор, коллектор которого через последовательно соединенные первичную обмотку трансформатора тока и нагрузку подключен к первой шине источника питани , эмиттер - к второй его щине, вторична  обмотка положительной обратной св зи трансформатора тока первым выводом соединена с первым вьшодом пр мовыключенного диода, разв зьша- ющий конденсатор, включенный между второй шиной источника питани  и шиной дополнительного источника питани , два управл ющих транзистора разного типа проводимости, базы которых соединены с шиной управл ющих сигналов, эмиттеры - с базой силового транзистора, и первый резистор, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД и надежности, дополнительно введены два резистора , конденсатор и диод, причем дополнительные резисторы включены последовательно между коллектором управл ющего транзистора одного типа проводимости с силовым транзистором и объединенными выводами первичной обмотки трансформатора тока и нагрузки , общий вывод дополнительных резисторов соединен с вторым выво0A magnet-transistor switch containing a power transistor, the collector of which is connected to the first power supply bus through the serially connected primary winding of the current transformer and the load, the emitter to its second bus, the secondary winding of the positive feedback of the current transformer is connected to the first output terminal of a switched-on diode, a separate capacitor connected between the second bus of the power source and the bus of an additional power source, two control transistors of different types of wires The bridges are connected to the control signal bus, the emitters are connected to the base of the power transistor, and the first resistor is different in that, in order to increase efficiency and reliability, two resistors are added, a capacitor and a diode, with additional resistors connected in series between the collector control transistor of the same type of conductivity with a power transistor and the combined terminals of the primary winding of the current transformer and load, the common terminal of additional resistors is connected to the second output

5five

дом пр мовключенного диода и через дополнительный конденсатор - с эмиттером силового транзистора и вторым выводом вторичной обмотки положительной обратной св зи трансформатора тока, дополнительный диод обратно включен между первым выводом вторичной обмотки положительной обратной св зи трансформатора тока и шиной дополнительного источника питани , котора  через первый резистор соединена с коллектором управл ющего транзистора другого типа проводимости относительного силового транзистора.home of the connected diode and through an additional capacitor - with the emitter of the power transistor and the second output of the secondary winding of the positive feedback of the current transformer, the additional diode is connected between the first output of the secondary winding of the positive feedback of the current transformer and the bus of the additional power source, which through the first resistor connected to the collector of the control transistor of a different type of conductivity relative to the power transistor.

Claims (1)

Формула -изобретенияClaim Магнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, коллектор которого через последовательно соединенные первичную обмотку трансформатора тока и нагрузку подключен к первой шине источника питания, эмиттер - к второй его шине, вторичная обмотка положительной обратной связи трансформатора тока первым выводом соединена с первым выводом прямовыключенного диода, развязывающий конденсатор, включенный между второй шиной источника питания и шиной дополнительного источника питания, два управляющих транзистора разного типа проводимости, базы ко5 <A magnetic transistor switch containing a power transistor, the collector of which is connected in series through the primary winding of the current transformer and the load to the first bus of the power supply, the emitter to its second bus, the secondary winding of the positive feedback of the current transformer with the first output connected to the first output of the diode, decoupling capacitor connected between the second bus of the power source and the bus of the additional power source, we conduct two control transistors of different types spines, base co5 < торых соединены с шиной управляющих сигналов, эмиттеры - с базой силового транзистора, и первый резистор, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и надежности, дополнительно введены два резистора, конденсатор и диод, причем дополнительные резисторы включены последовательно между коллектором управляющего транзистора одного типа проводимости с силовым транзистором и объединенными выводами первичной обмотки трансформатора тока и нагрузки, общий вывод дополнительных резисторов соединен с вторым выво1525901 дом прямовключенного диода и через дополнительный конденсатор - с эмит тером силового транзистора и вторым выводом вторичной обмотки положительной обратной связи трансформатора тока, дополнительный диод обратно включен между первым выводом вторичной обмотки положительной οβίθ ратной связи трансформатора тока и шиной дополнительного источника питания, которая через первый резистор соединена с коллектором управляющего транзистора другого типаof which are connected to the control signal bus, emitters - to the base of the power transistor, and the first resistor, characterized in that, in order to increase efficiency and reliability, two resistors, a capacitor and a diode, are additionally introduced, and additional resistors are connected in series between the collector of the control transistor of the same type conductivity with a power transistor and combined leads of the primary winding of the current and load transformer, the common output of additional resistors is connected to the second vyvod1525901 house of a direct-connected diode and through an additional capacitor - with an emitter of a power transistor and a second terminal of the secondary winding of the positive feedback of the current transformer, an additional diode is back connected between the first terminal of the secondary winding of a positive οβίθ feedback of the current transformer and the bus of the additional power source, which is connected through the first resistor to the collector of the control transistor other type 15 проводимости относительного силового транзистора.15 conductivity relative power transistor.