SU1518670A1 - Устройство дл контрол шероховатости поверхности - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике, в частности к приборам, предназначенным дл  исследовани  и контрол  шероховатости поверхности по методу темного пол . Цель изобретени  - уменьшение габаритов устройства за счет исключени  из конструкции световода большой длины и диафрагм (зон нечувствительности). Устройство содержит точечный монохроматический источник 1 излучени , установленный в отверстии фотоприемника 2, подключенного к регистратору 3. На чувствительную площадку фотоприемника 2 нанесено интерференционное покрытие 4 переменной толщины, определ емой из услови  максимального отражени  зеркальной составл ющей лучистого потока. 3 ил.

Description

СП

00 05

О

Ф1/г.7

Изобретение относитс  к измерительной технике, в частности к приборам , предназначенным дл  исследовани  и контрол  шероховатости поверхности по методу темного пол .

Цель изобретени  - улучшение габаритов устройства за счет ис1 люче- ни  из конструкции световоДа большой длины и диафрагм (зон нечувствительности ) .

ita фиг.) показана принципиальна  схема устройства; на фиг.2 и 3 - ход лучей в покрытии при вьщелении рассе нной составл ющей отраженного от контролируемой поверхности потока излучени  ,

Устройство состоит из монохроматического точечного источника 1 излучени , установленного в отверстии чувствительной площадки фотоприемника 2, подключен}юго к регистратору 3. На чувствительную площадку на- Hecefio интерференционное покрытие 4 переменной толщины, определ емой по формуле

k

hXx)

где n - показатель преломлени  пленочного покрыти ; 1 - длина волны излучени ; h - толщина покрыти ; k - 1, 2, 3 - .. - целое число; X - рассто ние от центра отверсти  фотоприемника до точки падени  луча.

Источник 1 излучени , фотоприемник 2 и электр1-г1еские выводы к ним установлены в корпусе 5. Устройство удалено от контролируемой поверхности 6 на заданное рассто ние 1.

Устройство работает следующим образом .

От источника 1 излучение падает на кoнтpoлиpye ryю поверхность 6, отражаетс  от нее и попадает на интер- фере 1ционное покрытие 4. При зтом отраженный поток содержит две составл ющие: зеркальную, интенсивностью I,, попадающую на фотоприемник 2 под углом падени  б и рассе нную, интенсивностью IP, котора  попадает на фотоприемник 2 под углами, отличными от б .

Если в точке, удаленной от центра отверсти  фотоприемника 2 на рассто - ние X, толщина пленки будет такой,

что оптическа  разность хода между интерферирующими лучами а и b кратна  длине волны, то попадающа  в эту точку под углом 8 зеркальна  составл юща  будет максимально усилена

при отражении и не проходит через пленку. В то же врем  рассе нна  составл юща  (лучи е, f),попадаю- ща  D зту же точку от других участков контролируемой поверхности 6, имеет

углы падени , отличные от 0 . Вследствие этого интерферирующие на границе покрыти  лучи е , е и f , f имеют разность фаз, не кратную , и рассе нна  составл юща  (лучи е, Г)

поступает на чувствительную площадку фотоприемника 2. По величине электру - ческого сигнала фотопр 1емн1 ка 2, пропорционального рассе нной составл ющей , в регистраторе 3 оцениваетс  lueроховатость контролируемой поверхности 6 .

I

В качестве источника 1 излучени  с устройстве могут быть использованы бескорпусные полупроводниковые свето- диоды (например, арсенид-галлиевые типа ЛЛ 109), отличающиес  узким спектром излучен11Я, фотоприемником 2 могут служить чувствительные площадки фотодиодов на основе кремни , обеспечивающие хорошее согласование по спектру с арсенид-галлиевыми све- тодиодами.

40

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  контрол  шероховатости поверхности, содержащее источник злучени , фотоприемник с отверстием , в котором установлен источник излучени , и регистратор, подключен- ньм к фотоприемнику, отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  габаритов устройства, на чувствительную площадку фотоприемника нанесено интерференционное покрытие переменной толщины, определ емой из услови  максимального отражени  зеркальной составл ющей потока излучени .

   li

   f V

   vO

   i

   //

   e f

   r/ /// // // f/

   CD иг. г

   Шиг.