SU1417167A1 - Amplitude detector - Google Patents

Amplitude detector Download PDF

Info

Publication number
SU1417167A1
SU1417167A1 SU864093290A SU4093290A SU1417167A1 SU 1417167 A1 SU1417167 A1 SU 1417167A1 SU 864093290 A SU864093290 A SU 864093290A SU 4093290 A SU4093290 A SU 4093290A SU 1417167 A1 SU1417167 A1 SU 1417167A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
base
resistor
amplitude detector
Prior art date
Application number
SU864093290A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Александрович Попов
Игорь Иванович Черный
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7170
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7170 filed Critical Предприятие П/Я А-7170
Priority to SU864093290A priority Critical patent/SU1417167A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1417167A1 publication Critical patent/SU1417167A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике . Цель изобретени  - увеличение чувствительности. Амплитудный детектор содержит транзисторы 1 и 2, резисторы 3,4 и 5, резистивный делитель напр жени  6 к конденсаторы 7 и 8. Входной сигнал через конденсатор 8 поступает на базу транзистора , выполн ющего ф-цию усилени  и температурной компенсации изменени  по рогового напр жени  детектировани . За счет одинакового дрейфа по посто нному току напр жений на коллекторе транзистора 1 и на переходе ба- за-змиттер транзистора 2, выполн ющего ф-цию амплитудного детектировани , обеспечиваетс  высока  стабильность чувствительности детектора при изменении температуры окружающей среды . 1 з.п. ф-лы, 2 ил.The invention relates to radio engineering. The purpose of the invention is to increase the sensitivity. The amplitude detector contains transistors 1 and 2, resistors 3,4 and 5, a resistive voltage divider 6 to capacitors 7 and 8. The input signal through capacitor 8 goes to the base of the transistor, which performs the function of amplification and temperature compensation of horn voltage detection. Due to the same DC drift of the voltages on the collector of transistor 1 and on the transition of the base-emitter of transistor 2, which performs the amplitude detection function, the sensitivity of the detector is highly stable when the ambient temperature changes. 1 hp f-ly, 2 ill.

Description

(L

ригЛrig

Изобретение относитс  к радиотех- ике и может быть использовано в раиоприемных устройствах.The invention relates to radio engineering and can be used in radio reception devices.

Цель изобретени  - увеличение чувствительности .The purpose of the invention is to increase the sensitivity.

На фиг.1 приведена структурна  электрическа  схема амплитудного детектора; на фиг.2 - схема-амплитудного детектора с регулируемым автоматическим смещением.Figure 1 shows a structural electrical circuit of an amplitude detector; figure 2 - scheme-amplitude detector with adjustable automatic offset.

Амплитудный детектор (фиг.1) соержит первый и второй транзисторыAmplitude detector (figure 1) counters the first and second transistors

1и 2, первый, второй и третий резисторы 3, 4 и 5, резистивный делитель1 and 2, first, second and third resistors 3, 4 and 5, resistive divider

6 напр жени  и первый и второй конг, енсаторы 7 и 8. .6 voltages and the first and second Kongs, capacitors 7 and 8..

Амплитудньй детектор, показанный на фиг.2, содержит полевой транзистор 9, дополнительный конденсатор 10 и дополнительный резистор 11.Amplitude detector, shown in figure 2, contains a field-effect transistor 9, an additional capacitor 10 and an additional resistor 11.

Амплитудный детектор работает сле- дуюищм образом.The amplitude detector works in the following way.

Входной сигнал через второй конденсатор 8 поступает на базу первого транзистора 1. Первый и второй транзисторы 1 и 2 включены по схеме с общим эмиттером. Второй транзистор 2 выполн ет функцию амплитудного детектировани  , а первьй транзистор 1 - функцию усилени  и температурной компенсации изменени  порогового напр жени  детектировани .The input signal through the second capacitor 8 is supplied to the base of the first transistor 1. The first and second transistors 1 and 2 are connected according to the circuit with a common emitter. The second transistor 2 performs the function of amplitude detection, and the first transistor 1 performs the function of amplifying and compensating for temperature variations in the detection threshold voltage.

Использование детектирующего второго транзистора 2 в режиме усилени  с учетом коэффициента усилени  первого транзистора 1 по переменному току позвол ет иметь коэффициент передачи амплитудного детектора равным 40- 50 дб, что дает возможность детектировать .сигналы с амплитудой единицы милливольт.Using the detecting second transistor 2 in the gain mode, taking into account the gain of the first transistor 1 in alternating current, allows you to have an amplitude detector transmission ratio of 40-50 dB, which makes it possible to detect signals with an amplitude of millivolt units.

За счет одинакового дрейфа по посто нному току напр жений на коллек торе первого транзистора 1 и переходе база-эмиттер второго транзистораDue to the same DC drift of the voltage across the collector of the first transistor 1 and the base-emitter junction of the second transistor

2обеспечиваетс  высока  стабильность чувствительности а мплитудного детектора при изменении температуры окружающей среды.2, a high stability of the sensitivity of the amplitude detector is provided when the ambient temperature changes.

Предложенна  структура св зи транзисторов позвол ет обеспечить работоспособность амплитудного детектора вплоть до напр жений питани , близких к напр жению 1В. Верхний предел питающего напр жени  ограничиваетс  максимально допустимым напр жением дл  транзисторов.The proposed coupling structure of the transistors allows the amplitude detector to operate up to power voltages close to 1V. The upper limit of the supply voltage is limited by the maximum allowable voltage for the transistors.

Дл  расширени  диапазона входных напр жений и сохранени  при этом стабильности режима работы нижнееTo extend the range of input voltages and at the same time maintain the stability of the operating mode, the lower

плечо резистивного делител  6 напр жени  может быть выполнено управл емым , например в виде полевого транзистора (фиг.2).The resistive voltage divider 6 voltage can be made controlled, for example in the form of a field effect transistor (Fig. 2).

Управл емое плечо делител  выполнено на полевом транзисторе 9, затвор которого через дополнительный резистор соединен с выходом детектора . Дополнительный конденсатор 10 обеспечивает управление полевым транзистором 9 только по посто нному току .The controlled shoulder of the divider is made on the field-effect transistor 9, the gate of which is connected to the detector output via an additional resistor. An additional capacitor 10 provides control of the field effect transistor 9 only by direct current.

При увеличении амплитуды несущей частоты входного сигнала уменьшаетс  напр жение на коллекторе второгоAs the amplitude of the input signal carrier increases, the voltage on the collector of the second decreases.

транзистора 2. Отфильтрованное цепью конденсатор 10 - резистор 11 это напр жение передаетс  на затвор полевого транзистора 9. В результате омическое сопротивление канала полевогоthe transistor 2. The capacitor 10 filtered by the circuit; the resistor 11 transfers this voltage to the gate of the field-effect transistor 9. As a result, the ohmic resistance of the field channel

транзистора и амплитуда на входе (базе) второго транзистора 2 умень- щаютс .the transistor and the amplitude at the input (base) of the second transistor 2 are reduced.

Таким образом, амплитудный детектор обладает более высокой чувствительностью , стабильностью и сохран ет работоспособность при уменьшении напр жени  питани  до малых значений Thus, the amplitude detector has a higher sensitivity, stability and maintains operability while reducing the supply voltage to small values

C-iB).C-iB).

Claims (2)

1. Амплитудный детектор, содержащий первый транзистор, между коллектором и базой которого включен первый резистор, а эмиттер соединен с общей шиной, второй резистор, один . из выводов которого подключен к щине питани , резистивный делитель Напр жени , включенный между коллектором1. Amplitude detector containing the first transistor, between the collector and the base of which is connected the first resistor, and the emitter connected to the common bus, the second resistor, one. from the terminals of which is connected to the power supply terminal, a resistive voltage divider connected between the collector первого транзистора и общей шиной, второй транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к отводу резистивного делител  напр жени , третий резистор,the first transistor and the common bus, the second transistor, the emitter of which is connected to the common bus and the base is connected to the tap of the resistive voltage divider, the third resistor, включенный между шиной питани  и коллектором второго транзистора, и конденсатор , включенный между общей шиной и коллектором второго транзистора , который  вл етс  выходом амплитудного детектора, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  чувствительности, введен, второй конденсатор, один из вьтодов которого подключен к базе первого транзис тора , другой вывод второго конденсатора ,  вл етс  входом амплитудного детектора, а другой вывод второго резистора соединен с коллектором первого транзистора.connected between the power supply bus and the collector of the second transistor, and a capacitor connected between the common bus and the collector of the second transistor, which is an amplitude detector output, characterized in that, in order to increase the sensitivity, a second capacitor is inserted, one of which is connected to the base The first transistor, the other terminal of the second capacitor, is the input of the amplitude detector, and the other terminal of the second resistor is connected to the collector of the first transistor. 2. Детектор по п.1, о тли ч аю- .щ и и с   тем, что резисторный эле2. The detector according to claim 1, about aphi h ayu. And also with the fact that the resistor element мент резистивного делител  напр жени , включенньш между базой второго транзистора и общей шиной, выполнен в виде полевого транзистора, между затвором и общей шиной которого включен дополнительный конденсатор, а между затвором и коллектором второго транзистора - дополнительный резистор.The resistive voltage divider connected between the base of the second transistor and the common bus is designed as a field-effect transistor, an additional capacitor is connected between the gate and the common bus, and an additional resistor between the gate and the collector of the second transistor. .. 1one фиг.22
SU864093290A 1986-05-07 1986-05-07 Amplitude detector SU1417167A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864093290A SU1417167A1 (en) 1986-05-07 1986-05-07 Amplitude detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864093290A SU1417167A1 (en) 1986-05-07 1986-05-07 Amplitude detector

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1417167A1 true SU1417167A1 (en) 1988-08-15

Family

ID=21247400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864093290A SU1417167A1 (en) 1986-05-07 1986-05-07 Amplitude detector

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1417167A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453035C1 (en) * 2011-02-24 2012-06-10 Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Method for amplitude modulation and demodulation high-frequency signals and apparatus for realising said method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 564707, кл. Н 03 D 1/18, 1976. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453035C1 (en) * 2011-02-24 2012-06-10 Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Method for amplitude modulation and demodulation high-frequency signals and apparatus for realising said method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3845405A (en) Composite transistor device with over current protection
EP0109081A1 (en) Bidirectional constant current driving circuit
US4479052A (en) Avalanche photo-diode bias circuit
GB1074577A (en) Signal translating circuits using field-effect transistors
US4380687A (en) Power supply control circuit for subscriber carrier telephone system
KR920007091B1 (en) Received signal strength indicator
US2955257A (en) Transistor class b signal amplifier circuit
EP0324456B1 (en) An output circuit of a charge transfer device
EP1625656B1 (en) Circuit for improved differential amplifier and other applications
US4728815A (en) Data shaping circuit
US3281718A (en) Field effect transistor amplitude modulator
GB1171644A (en) Direct Coupled Amplifier Circuit
US3612912A (en) Schmitt trigger circuit with self-regulated arm voltage
US4319094A (en) Three-terminal power supply circuit for telephone set
SU1417167A1 (en) Amplitude detector
GB1066634A (en) Signal translating circuits using field-effect transistors
US3441749A (en) Electronic clamp
US4359693A (en) Full wave amplitude modulation detector circuit
GB1352056A (en) Voltage level shift circuits
EP0157447A1 (en) Differential amplifier
CA1258501A (en) Slice amplifier using fet's
US3030504A (en) Automatic gain control circuit
EP1050956A1 (en) Detector circuit
US3936720A (en) Half-wave rectifier circuit
US4349756A (en) Phase detector with low offsets