SU1414015A1 - Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet - Google Patents

Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet Download PDF

Info

Publication number
SU1414015A1
SU1414015A1 SU864151321A SU4151321A SU1414015A1 SU 1414015 A1 SU1414015 A1 SU 1414015A1 SU 864151321 A SU864151321 A SU 864151321A SU 4151321 A SU4151321 A SU 4151321A SU 1414015 A1 SU1414015 A1 SU 1414015A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
niobium
calcium
gallium garnet
single crystals
crystals
Prior art date
Application number
SU864151321A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Н.А. Еськов
Н.А. Грошенко
А.Г. Крутиков
И.В. Островский
Original Assignee
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе filed Critical Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
Priority to SU864151321A priority Critical patent/SU1414015A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1414015A1 publication Critical patent/SU1414015A1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электронной технике и позвол ет повысить качество монокристаллов. Способ включает выдержку расплава перед выращиванием при давлении не более 0,1 мм рт.ст. в течение 1-10 мин и рост монокристалла кальций-ниобий-галлиево- го граната на вращающуюс  затравку в атмосфере инертного газа, содержащего кислород. Получень монокристаллы диаметром 30-35 мм, содержащие не более дефектов типа газовых пузырьков. Малоугловое светорассе - ние 0,1-0,3 отн. ед. 1 табл. 1The invention relates to electronic engineering and allows improving the quality of single crystals. The method involves holding the melt before growing at a pressure of not more than 0.1 mm Hg. within 1–10 min and the growth of a single crystal of calcium – niobium – gallium garnet per rotating seed in an atmosphere of an inert gas containing oxygen. Obtained single crystals with a diameter of 30-35 mm, containing no more defects like gas bubbles. Small angle light scattering 0.1-0.3 rel. units 1 tab. one

Description

JtJt

N1N1

4i4i

1one

j 4 АОj 4 AO

Изобретение относитс  к выращива нию монокристаллов и может быть ис пользовано при вырапивании монокристаллов гранатов, примен ющихс  в ла зерной технике, магнитной микроэлектронике и дл  ювелирных целей.The invention relates to the growth of monocrystals and can be used for breaking out single crystals of garnets used in laser technology, magnetic microelectronics, and for jewelry purposes.

Целью изобретени   вл етс  повы шение качества монокристаллов.The aim of the invention is to improve the quality of single crystals.

Пример. Кристаллы кальций- ниобий-г-галлиевого граната (КНГГ), в которые ввод т различные примеси (Hd Сг, Fe Ni % Со Ег, ton , Рг ,и т.д.), выращивают по методу Чохральского на установке До- нец-3 с индукционнь м нагревом. Граhaтообразующие компоненты, предвари тельно просушенные при 15Q°C, вэве- агивают на аналитических весах и перемешивают до образовани  гомогенной смасн. Типичный состав шихты,мае.%;Example. Calcium-niobium-g-gallium garnet crystals (CNGG), in which various impurities are introduced (Hd Cr, Fe Ni% CoEg, ton, Pr, etc.), are grown by the Czochralski method at the Dontsy facility. 3 with induction heating. Grade-forming components, pre-dried at 15Q ° C, spin out on an analytical balance and mix until a homogeneous mass is formed. The typical composition of the charge, May.%;

СаО 24,355CaO 24,355

Шэ,05 32„А37She, 05 32 „A37

43,208 43,208

Из смеси прессуют таблеткиj кото- рые отжигают при температура . Отожженные таблетки загружают в пла- Гйковьй тигель диаметром 60 ммц, который помещают в ростовую камеру уста но вк}5 в,Tablets are pressed from the mixture which are annealed at a temperature. The annealed tablets are loaded into a flat-crucible crucible with a diameter of 60 MHz, which is placed in a growth chamber of a 5-V mouthpiece

В ростовой Kai-sepe создают химиче™ ски нейтральную шш окислительную среду при давлении рт.ст. и нагревают шихту выше температуры плавлени  КНГГе составл ющей . Затем снижают давление над расплавом путем откачивани  ростовой камеры до давлени  ке более 0,1 мм рт.ст, Ни врем  3 мин, после чего камеру ааполн ют ииертныь газом и кислоро- дом (АГ 5 об.% 0). Выращивание кристалла провод т при в центре тигл . Максимальна  температура у стенок ткгл  составл ет 1550 С. Выт гивание кристалла осу дествл - In a growth Kai-sepe, they create a chemically-neutral neutral shsh oxidizing environment at a pressure of Hg. and heat the mixture above the melting point of the CNGG component. Then, the pressure above the melt is reduced by pumping out the growth chamber to a pressure of more than 0.1 mm Hg. At no time for 3 minutes, after which the chamber is filled with iert gas and oxygen (AH 5 vol.% 0). Crystal growing is carried out at the center of the crucible. The maximum temperature at the walls of the cruise line is 1550 ° C. Extending the crystal to the final -

i52i52

гот со скоростью 3 мм/ч при скоро- сти вращени  30 о.б/мин.goat at a speed of 3 mm / h at a rotation speed of 30 o.b / min.

Кристаллы имеют диаметр 30-35 мм при хорошем оптическом и структурном совершенстве.The crystals have a diameter of 30-35 mm with good optical and structural perfection.

Данные о режимах роста и качестве кристаллов сведены в таблицу.Data on growth modes and quality of crystals are summarized in the table.

Как видно из таблицы, вьщержка расплава перед вьфащиванием при давлении значительно больше 0,1 NJM.PT.CT не приводит к снижению дефектности кристаллов. Увеличение времени выдержки расплава при пониженном давлении вьпае О мин приводит к снижению качества кристалла вследствие испарени  компонент шихты. В тигл х малого диаметра(40 мм) пузырьки газа успевают всплыть и разорватьс  за 1 мин. Снижение давлени  над расплавом ниже 0,1 мм рт.сТо нецелесообразно , т, к. уже при данном давлении создаютс  услови  дл  всплыти  и рыва газовых пузырьковAs can be seen from the table, the melt suction before puffing at a pressure significantly higher than 0.1 NJM.PT.CT does not reduce the defectiveness of the crystals. An increase in the holding time of the melt under reduced pressure of higher than 10 min leads to a decrease in the quality of the crystal due to the evaporation of the charge components. In crucibles of small diameter (40 mm) gas bubbles have time to ascend and burst within 1 minute. A decrease in pressure above the melt below 0.1 mmHg is inexpedient, t, because even at a given pressure, conditions are created for the ascent and burst of gas bubbles.

По сравнению с прототипом в полученных монокристаллах по крайней ме ре в 5 раз снижено количаство дефектов типа газовых пузырьков. Описанный способ позвол ет значительно, повысить оптическое качество кристаллов КНГГ, снизив малоугло бе светорассе ние в 10 раз, и сделать их пригодными дл  применени  ij лазернойCompared with the prototype, the number of defects such as gas bubbles is reduced by at least 5 times in the single crystals obtained. The described method makes it possible to significantly increase the optical quality of KNHG crystals, reducing the low-angle light scattering by a factor of 10, and make them suitable for use ij laser

технике.technology.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ вьфащивани  монокристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната из расплава на вращамдуюс  затрззку в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, отличающийс  тем5 что, с целью повышени  качества монокристаллов, перед выращиванием расплав вьщерживают при давлени газа KG более 0,1 мм рт.ст в течени 1-10 минThe method of melting a calcium-niobium-gallium garnet monocrystal from a melt onto a spinning rotor in an atmosphere of an inert gas containing oxygen, characterized in that, in order to improve the quality of the single crystals, before melting the melt is held at a gas pressure of KG greater than 0.1 mm Hg during 1-10 min
SU864151321A 1986-11-25 1986-11-25 Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet SU1414015A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864151321A SU1414015A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864151321A SU1414015A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1414015A1 true SU1414015A1 (en) 1991-06-23

Family

ID=21269056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864151321A SU1414015A1 (en) 1986-11-25 1986-11-25 Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1414015A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4534821A (en) Single crystal growing of rare earth-gallium garnet
KR100345020B1 (en) Langasite wafer and method of producing same
SU1414015A1 (en) Method of growing crystals of calcium-niobium-gallium garnet
CA1171342A (en) Method of making magnetic film substrate composites
JPH11322495A (en) Langasite type crystal and its production
JP2017105668A (en) RAISING METHOD OF CaMgZr-SUBSTITUTED GADOLINIUM GALLIUM GARNET SINGLE CRYSTAL
CN114752991A (en) Method for growing relaxor ferroelectric single crystal by top seed crystal method
RU2328561C1 (en) Method of preparation of optically transparent single crystals of terbium-gallium garnet
US4302280A (en) Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions
RU2108418C1 (en) Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate
US4634492A (en) Chrysoberyl single crystal and method of producing the same
EP0018111B1 (en) Method of producing ferrite single crystals
RU2108417C1 (en) Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate
RU2350699C2 (en) Method for growing of sapphire single crystals from melt
JPH05121319A (en) Manufacture of semiconductor device
SU1059029A1 (en) Process for preparing single crystals of fe bo3 from melt solution
JPH07115996B2 (en) Neodymium gallium garnet single crystal and method for producing the same
SU1220394A1 (en) Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet
SU1633031A1 (en) Method of producing ferrite-garnet epitaxial films
JPH07206577A (en) Process for growing rare earth-gallium-perovskite single crystal
JPH0411513B2 (en)
JPH0793212B2 (en) Oxide garnet single crystal
RU2156327C2 (en) Method of preparing charge for growing lanthanum-gallium silicate monocrystals
RU2152462C1 (en) Method of growing complex rare-earth gallium-containing oxides
JP2647052B2 (en) Method for producing rare earth vanadate single crystal