SU1388962A1 - Jumper between two microstrip lines - Google Patents

Description

(2)) 4152118/24-09(2)) 4152118 / 24-09

(22) 26Л.86(22) 26L.86

(46) 15.04.88, Бюл № 14(46) 04/15/88, Bull No. 14

(71)Куйбьшевский авиационный институт им„акаДс,,Королева(71) Kuibshev Aviation Institute named „akaDs ,, Koroleva

(72)А.А.Рахаев и В„В.Пахомов(72) A.A.Rakhaev and V. „V.Pakhomov

(53)621.372.833 (088,8)(53) 621.372.833 (088.8)

(56)Калив В„Го, Гвоздев В„Ио Шлейф- ные переходы между миниатюрными ли-.:, ни ми передачи с пленочными проводниками .-Электронна  техника, сер.Электроника СВЧ, 1979 № 6, с.36-43.(56) Kaliv VGo, Gvozdev YV Io Plume transitions between miniature li -.: Transmissions with film conductors. -Electronic equipment, microwave ser.Electronics, 1979 No. 6, p.36-43.

Патент СМА № 3771075, кл. Н 01 Р 5/02, 1973.Patent AGR No. 3771075, cl. H 01 R 5/02, 1973.

(54)ПЕРЕХОД МЕЖДУ ДВУМЯ МИКРОПОЛОС- КОВЫМИ ЛИНИЯМИ. .(54) TRANSITION BETWEEN TWO MICROLANDS. .

(57)Изобретение относитс  к технике СВЧ м„б. использовано при построении сложных миниатюрных устр-в с высокой степенью интеграции. Цель изобретени  - расширение диапазона частот. Переход между двум  микрополосковыми лини ми содержит две диэлектрические подложки, разделенные заземл ющим основанием. На внешних по- верхност х диэлектрических подложек . размещены токонесущие проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим. В заземл ющем основании выполнены полуволнова  щель и четвертьволнова  щель, расположенные перпендикул рно токонесущим проводникам симметрично относительно них. Полуволнова  щель расположена на четвертьволновом рас-- сто нии In от разомкнутьк концов токонесущих проводников. Благодар  наличию четвертьволновой щели и ее рассто нию If, от концов токонесущих проводников,равному 1/8 длины(57) The invention relates to a microwave technique. used in the construction of complex miniature devices with a high degree of integration. The purpose of the invention is to expand the frequency range. The transition between two microstrip lines contains two dielectric substrates separated by a grounding base. On the external surfaces of dielectric substrates. current-carrying conductors open at one end and located one above the other. A half-wave gap and a quarter-wave gap located perpendicular to the current-carrying conductors are made symmetrically with respect to them in the grounding base. The half-wave gap is located at a quarter-wavelength In distance from the disconnection of the ends of the current-carrying conductors. Due to the presence of a quarter-wave gap and its distance If, from the ends of the current-carrying conductors, equal to 1/8 of the length

волны,ухудшение КСВ между частотами невелико, не более чем до КСВ 1,2, Рабочий диапазон перехода между микрополосковьши лини ми в результате расшир етс  до 5 октав. 3 ил.waves, CWS degradation between frequencies is small, no more than to CWS 1.2. The working range of the transition between the microstrip lines as a result expands to 5 octaves. 3 il.

00 X00 X

эоeo

Изобретение относитс  к технике СВЧ и может быть использовано при построении сложных миниатюрных устройств с высокой степенью интеграции ,The invention relates to microwave technology and can be used to build complex miniature devices with a high degree of integration,

Целью изобретени   вл етс  расши- ,рение диапазона частот I На фиг показана конструкци  пе- I рехода между двум  мтг крополосковыми I лин ми; на фиг„2 и 3 - соответствен- I но, сечени  А-А и Б-Б на фиг„1оThe aim of the invention is to expand the frequency range of I. FIG. 1 shows the design of a junction between two mtg crochet I lines; Figs 2 and 3, respectively I, sections A-A and BB in Fig. 1o.

Переход между двум  микрополоско- выми лини ми содержит две диэлектрические подложки 1 и 2, разделенные I заземл ющим основанием 3 На внешних поверхност х диэлектрических подло- 1жек 1 и 2 размещены токонесуп1;Ие про- Iводники 4 и 5, разомкнутые на одном конце и расположенные один над дру- ;гим. В-заземл ющем основании 3 выполнены полуволнова  6 и четвертьволно- ва  7 щели, расположсшные перпендиПереход между двум  микрополосковы ми лини ми, содержащий две диэлектрические подложки, разделенные заземл ющим основанием, на внешних поверхThe transition between the two microstrip lines contains two dielectric substrates 1 and 2, separated by an I grounding base 3 On the outer surfaces of the dielectric substrate 1 and 2 are placed current suppressors 1; Ie wires 4 and 5 open at one end and located one over the other; On the grounding base 3 there are half-wave 6 and quarter-wave 7 slots arranged perpendicular. The transition between two microstrip lines, containing two dielectric substrates separated by grounding base, on external surfaces

;.кул рно токонесущим проводникам 4 и; .core-current-carrying conductors 4 and

15 симметрично относительно них Полу-25 ност х которых размещены токонесущие I волнова  щель 6 расположена на чет- I вертьволновом расото  нии 1 „ от ра- 1зомкнутых концов токонесущих провод- IНИКОВ 4 и. 5у а четвертьволнова  щель: I7 - на рассто нии 1, равном 1/8 ны волныо15 symmetrically with respect to them, the Semi-25 nostas of which are placed the current-carrying I wave gap 6 is located on the quarter-I quarter wavelength 1 ”from the open-ended ends of the current-carrying wires. 5th quarter-wave gap: I7 - at a distance of 1, equal to 1/8 of a wave

I Переход между двум  микрополоско™ выми лини ми работает следующим об- I разомI The transition between two micro-strip lines works as follows:

проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим, а в заземл ющем основании выполнена полуволнова  щель, расположенна  перпендикул рно токонесущим проводникам симметрично относительно них и на четвертьволновом рассто нии от их разомкнутых концов, о тличаю- щ и и с   тем, что, с целью расширени  диапазона частот, в заземл ющем основании дополнительно выполнена, четвертьволнова  щель, расположенна  параллельно полуволновой щели и симметрично относительно токонесущих проводников на рассто нии от их разомкнутых концов, равном 1/8 длины волны,, ,conductors open at one end and located one above the other, and in the grounding base there is a half-wave gap, located perpendicular to the current-carrying conductors symmetrically relative to them and at a quarter-wave distance from their open ends, about which In order to expand the range of frequencies, a quarter-wave gap is additionally made in the grounding base, located parallel to the half-wave gap and symmetrically with respect to the current-carrying conductors at a distance from their open ontsov equal to 1/8 wavelength ,,,

I СВЧ-сигнал, поступающей на токоне- Iсущий проводник 4, возбуждает полу- |волновую и четвертьволновую щели 6 и 17 и переходит в токонесущий проводник So На частотах, на которых длина полуволновой щели 6 кратна половине длины волны, а рассто ние 1 от нееI The microwave signal supplied to the current-carrying conductor 4 excites the half-wave and quarter-wave slits 6 and 17 and goes into the current-carrying conductor So At frequencies at which the half-wave gap is 6 times half of the wavelength, and 1 from it

до разомкнутых концов проводников - кратно четверти длины волны, элементом св зи между токонесуи;ими провод- никами  вл етс  полуволнова  щель 6, а на частотах в два раза больших - четвертьволнова  щель 7 оuntil the open ends of the conductors are a multiple of a quarter of the wavelength, the element of communication between tokonesui; the conductors are half-wavelength slit 6, and at frequencies twice as large - quarter-wavelength slit 7 o

Благодар  наличию четвертьволновой щели 7 и ее рассто нию 1„ от концов токонесуп(их проводников Д и 5, равному 1/8 длины волны, ухудшение КСВ между частотами, на которых имеет место полное прохождение СВЧ-сигнала, невелико, не более чем до КСВ 1,2Due to the presence of a quarter-wave gap 7 and its distance 1 "from the ends of the current wavelength (their conductors D and 5, equal to 1/8 of the wavelength, the CWS deterioration between the frequencies at which full passage of the microwave signal takes place is small, no more than CWS 1.2

Рабочий диапазон перехода между ми- крополосковыми лини ми в результате расшир етс  до 5 октавThe working range of the transition between the microstrip lines as a result extends to 5 octaves.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Переход между двум  микрополосковы- ми лини ми, содержащий две диэлектрические подложки, разделенные заземл ющим основанием, на внешних поверхност х которых размещены токонесущие A transition between two microstrip lines, containing two dielectric substrates separated by a grounding base, on the external surfaces of which current-carrying ност х которых размещены токонесущие which are current-carrying проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим, а в заземл ющем основании выполнена полуволнова  щель, расположенна  перпендикул рно токонесущим проводникам, симметрично относительно них и на четвертьволновом рассто нии от их разомкнутых концов, о тличаю- щ и и с   тем, что, с целью расширени  диапазона частот, в заземл ющем основании дополнительно выполнена, четвертьволнова  щель, расположенна  / параллельно полуволновой щели и симметрично относительно токонесущих проводников на рассто нии от их разомкнутых концов, равном 1/8 длины волны,, ,conductors open at one end and located one above the other, and in the grounding base there is a half-wave gap, located perpendicular to the current-carrying conductors, symmetrically relative to them and at a quarter-wave distance from their open ends, which is similar to that In order to expand the range of frequencies, a quarter-wave gap is located in the grounding base, located / parallel to the half-wave gap and symmetrically relative to the current-carrying conductors at a distance from their open ends equal to 1/8 of the wavelength ,,