SU1365127A1 - Memory device - Google Patents
Memory device Download PDFInfo
- Publication number
- SU1365127A1 SU1365127A1 SU864083480A SU4083480A SU1365127A1 SU 1365127 A1 SU1365127 A1 SU 1365127A1 SU 864083480 A SU864083480 A SU 864083480A SU 4083480 A SU4083480 A SU 4083480A SU 1365127 A1 SU1365127 A1 SU 1365127A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- outputs
- keys
- power
- input
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть исгюльзовано в твердотельных приемниках изображени дл хранени и коммутации информации с одного из элементов матрицы приемника на шину обра0 , ботки сигнала. Цель изобретени - повышение быстродействи - достигаетс введением в устройство генератора 8 тактовых импульсов, фазового селектора 9, преобразователей 10, 11 уровней напр жени и ключей 7 разр да. Управление питанием усилителей 1, дешифратора 2, регистра 3 хранени , ключей 7.разр да и ключей 6 с выходов преобразователей 10 и 11 уровней напр жени позволило уменьшить врем переключени транзисторов и увеличить скорость нарастани переднего и зад него фронтов импульсов напр жени питани , которые вырабатываютс генератором 8 тактовых импульсов и формируютс фазовым селектором 9 и преобразовател ми 10 и 11 уровней напр жени . 4 ил. Л (Л оо о; ел иг.1The invention relates to computing, in particular, to storage devices, and can be used in solid-state image receivers for storing and switching information from one of the elements of the receiver matrix to the signal processing bus. The purpose of the invention — an increase in speed — is achieved by introducing 8 clock pulses, a phase selector 9, converters 10, 11 voltage levels, and 7-bit switches into the generator device. The power control of amplifiers 1, decoder 2, storage register 3, keys 7. Size and keys 6 from the outputs of converters 10 and 11 of voltage levels reduced the switching time of the transistors and increased the rise time of the front and rear edges of the power voltage pulses a clock pulse generator 8 and are formed by a phase selector 9 and converters 10 and 11 voltage levels. 4 il. L (L oo o; ate ig.1
Description
11eleven
Изобретение относитс к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам, и может быть использовано в твердотельных приемника изображени дл хранени и коммутаци информации с одного из элементов матрицы приемника на шину обработки сигнала .The invention relates to computing, namely, storage devices, and can be used in solid-state image receivers for storing and switching information from one of the elements of the receiver matrix to the signal processing bus.
Целью изобретени вл етс повыше ние быстродействи устройства,The aim of the invention is to increase the speed of the device,
На фиг,1 представлена функциональна схема предлагаемого устройства; на фиг.2 - электрическа схема преобразовател уровней напр жени ; на фиг.З - электрическа схема чейки; на фиг. f - временные диаграммы, по сн ющие работу устройства.Fig, 1 shows a functional diagram of the proposed device; Fig. 2 is an electrical circuit of a voltage level converter; FIG. 3 is an electrical circuit diagram; in fig. f - timing diagrams explaining the operation of the device.
Устройство (фиг.1) содержит входные усилители 1, дешифратор 2, ре- гистр 3 хранени , чейки 4 пам ти регистра 3, выходные ключи 5 и 6, ключи 7 разр да, генератор 8 тактовых импульсов, фазовый селектор 9, преобразователи 10 и 11 уровней напр же- ни , адресные входы 12, шину 13 нулевого потенциала, шины 14-16 питани , синхронизирующий вход 17, выходы 18 и 19 и информационный вход 20. Преобразователь 10 или 11 уровней напр же- ни (фиг.2) выполнен на транзисторах 21-23, резисторах 24-31 и конденсаторах 32-34. Ячейка 4 пам ти выполнена на транзисторах 35-38.The device (Fig. 1) contains input amplifiers 1, decoder 2, storage register 3, register 4 memory cells 4, output keys 5 and 6, discharge bits 7, clock generator 8, phase selector 9, converters 10 and 11 levels, for example, address inputs 12, bus 13 of zero potential, power bus 14-16, clock input 17, outputs 18 and 19, and information input 20. Converter 10 or 11 levels of voltage (figure 2) is made on transistors 21-23, resistors 24-31 and capacitors 32-34. Cell 4 of the memory is made on transistors 35-38.
Устройство работает следующим об- разом.The device works as follows.
Код через усилитель 1 поступа ет на вход дешифратора 2 под воздействием выработанных генератором 8 тактовых импульсов и выделенных фазовым селектором 9 четной фазы, высокий уровень которой обеспечиваетс преобразователем 10 уровн .The code through the amplifier 1 is fed to the input of the decoder 2 under the influence of 8 clock pulses generated by the generator and allocated by the even phase phase selector 9, the high level of which is provided by the level converter 10.
Одновременное по вление кода адреса на входе 12 и четной фазы на выхо- де преобразовател 10 обеспечиваетс импульсами по входу 17, при этом записываетс логическа 1 в регистр 3The simultaneous appearance of an address code at input 12 and even phase at the output of converter 10 is provided by pulses at input 17, and logical 1 is written to register 3.
При этом емкость выхода чейки 4 пам ти регистра 3 и затвора транзис- тора одного из ключей 5 обнул етс через открытый транзистор соответствующего ключа 7 разр да, а входы 20 либо обнул ютс , либо зар жаютс до потенциала второго выхода 19, либо переключаетс информаци входов 20 на второй выход 19. С прекращением действи четного тактового импульса закрываютс транзистор ключа 7 и со272At the same time, the output capacity of cell 4 of register 3 and the gate of the transistor of one of the keys 5 is nullified through the open transistor of the corresponding key of the 7th bit, and the inputs 20 are either nullified or charged to the potential of the second output 19, or the information of the inputs 20 to the second output 19. With the termination of the action of the even clock pulse, the switch transistor 7 and co272 are closed
ответствующий ключ 6. При этом потенциал выхода преобразовател 10 равен нулю и в одной из чеек 4 пам ти сохран етс зар д. С приходом нечетного тактового импульса высокого уровн с преобразовател 11 и благодар использованию МДП-варактора в чейке 4 пам ти формируетс накопление зар да: быстро открываетс транзистор 37 и импульс управлени поступает на затвор транзистора ключа 5, который открываетс и коммутируетс на первьм выход 18. Св зь входов управлени питани дешифратора 2 усилител 1, затворов всех транзисторов ключей 7 разр да и ключей 6 с выходами преобразователей 10, 11 и формирование соответствующих импульсов управлени генератора 8 тактовых импульсов, фазового селектора 9 позвол ют с высокой скоростью перераспределить зар ды, что способствует увеличению быстродействи за счет меньшени времени переключени . При этом достигаетс увеличение скорости нарастани переднего и заднего фронтовthe corresponding key 6. At the same time, the output potential of the converter 10 is zero and the charge is stored in one of the 4 memory cells. With the arrival of an odd high-level clock pulse from the converter 11 and through the use of a MIS-varactor, the memory accumulates in the memory cell 4 : the transistor 37 quickly opens and the control pulse arrives at the gate of the transistor of key 5, which opens and switches to the first output 18. The power control inputs of the decoder 2 of amplifier 1, the gates of all transistors of keys 7 are connected, and keys 6 with the outputs of the converters 10, 11 and the formation of the corresponding control pulses of the generator 8 clock pulses, the phase selector 9 allows for a high rate of redistribution of the charge, which contributes to an increase in speed due to the smaller switching time. An increase in the rate of rise of the front and rear fronts is achieved.
ee
,cc
- -с 1Пл- - with 1Pl
U2()U2 ()
и:о-; ) and about-; )
раз.time.
еe
и, - амплитуда напр жени входа управлени чеек 4 пам ти, дешифратора 2, усилител 1 затворов транзисторов ключей 5 и 6 в известном устройстве;and, - voltage amplitude of the control input of the memory cells 4, decoder 2, gate amplifier 1 of the transistors of the keys 5 and 6 in the known device;
и - амплитуда напр жени на этих же входах в предложенном устройстве;and - voltage amplitude at the same inputs in the proposed device;
R - сопротивление цепи перезар да в известном устрой„ Ri-HjR is the resistance of the recharge circuit in the known device “Ri-Hj
К, ---- - сопротивление этойK, ---- - the resistance of this
Iv 3 1ч Iv 3 1h
цепи в предложенном устройстве; RJ - сопротивление открытогоthe circuit in the proposed device; RJ - open resistance
транзистора ключа 7 разр даtransistor key 7 bit yes
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864083480A SU1365127A1 (en) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | Memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864083480A SU1365127A1 (en) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | Memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1365127A1 true SU1365127A1 (en) | 1988-01-07 |
Family
ID=21243637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864083480A SU1365127A1 (en) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | Memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1365127A1 (en) |
-
1986
- 1986-07-02 SU SU864083480A patent/SU1365127A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Справочное пособие:/ /Под ред. С.Б.Якубовского. М.: Радио и св зь, 1984, с.431, 373. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1409910A (en) | Semiconductor data stores | |
GB2269285A (en) | Programmable logic circuit arrangement | |
US4137464A (en) | Charge-transfer binary search generating circuit | |
US5073872A (en) | Data output control circuit for semiconductor storage device | |
US3935474A (en) | Phase logic | |
GB2091008A (en) | A semiconductor memory | |
US4661728A (en) | Programmable logic array circuit | |
US4447892A (en) | Pre-charge for the bit lines of a random access memory | |
US4691302A (en) | Circuit arrangement comprising a matrix-shaped memory arrangement for variably adjustable delay of digital signals | |
GB1380570A (en) | Logical circuit arrangements | |
US3708688A (en) | Circuit for eliminating spurious outputs due to interelectrode capacitance in driver igfet circuits | |
SU1365127A1 (en) | Memory device | |
KR870002585A (en) | Semiconductor memory device | |
US4572974A (en) | Signal-level converter | |
US5966407A (en) | Bus driving system and integrated circuit device using the same | |
US4379345A (en) | Dynamic read amplifier for metal-oxide-semiconductor memories | |
GB1561197A (en) | Electrical circuits | |
US5073775A (en) | Broadband signal switching equipment | |
GB1302105A (en) | ||
US3641360A (en) | Dynamic shift/store register | |
GB1244683A (en) | Data storage apparatus | |
US3609393A (en) | Bidirectional dynamic shift register | |
SU1285534A1 (en) | Storage based on complementary insulated-gate field-effect transistors | |
US4063113A (en) | Logic transfer circuit employing MOS transistors | |
GB1380317A (en) | Storage-processor elements |