SU1352411A1 - Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках - Google Patents

Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках Download PDF

Info

Publication number
SU1352411A1
SU1352411A1 SU864044244A SU4044244A SU1352411A1 SU 1352411 A1 SU1352411 A1 SU 1352411A1 SU 864044244 A SU864044244 A SU 864044244A SU 4044244 A SU4044244 A SU 4044244A SU 1352411 A1 SU1352411 A1 SU 1352411A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric
sample
vibrating
measured
charge density
Prior art date
Application number
SU864044244A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Михайлович Алейников
Original Assignee
Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола filed Critical Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority to SU864044244A priority Critical patent/SU1352411A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1352411A1 publication Critical patent/SU1352411A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано при производстве приборов, ос- ванных на электретном эффекте. Способ определени  плотности зар да в плоских диэлектриках реализован в устл .. I -С31 /7/7///////////Л ройстве. Регулиру  напр жение на вибрирующем и невибрирующем электродах (Э) 2 и 3 соответственно, добиваютс  исчезновени  тока в исходном положении невибрирующегоЭ3, например, когда он примыкает к образцу 1 диэлектрика . При этом измер ют исходное компенсирующее напр жение V . Перемещают невибрирующий Э 3 в новое положение и измер ют величину его смещени  Л 1. Снова добиваютс  компенсации тока и .измер ют компенсирующее напр жение . Определ ют полную плотность зар да образца 1 диэлектрика по формуле 6 - (V - V, ог р, )/4l, где .р - диэлектрическа  посто нна . Повьшаетс  точность определени  плотности зар да в плоских диэлектриках. 2 шт. i (Л оо ел ю 4: 4 И, S/

Description

11
Изобретение относитс  к электроизмерительной технике и может быть использовано при производстве приборов , основанных на электретном эффекте .
Целью изобретени   вл етс  повышение точности определени  плотности зар да в плоских диэлектриках.
Предлагаемый способ позвол ет оп редел ть не только полную плотность зар да диэлектрика ё, но и эффективные плотности э и (э, зар дов на поверхности диэлектрика, при этом дл  его осуществлени  необ зательно знат толщину и диэлектрическую проницаемость диэлектрика.
На фиг. 1 представлена схема реализации предлагаемого способаj на фиг, 2 - графическое определение ве- личины компенсирующего напр жени  в случае S 0.
На фиг, 1 обозначены исследуемый образец диэлектрика 1 толщиной S, вибрирующий 2 и невибрируюпщй 3 элек троды плоского конденсатора, источник 4 компенсирующего напр жени  V, Е, Ej - напр женности пол  в зазорах между диэлектриком 1 и электродами 2 и 3, равных S, и S.,
Сущность способа заключаетс  в следующем.
35
Дл  определени  плотности зар да ё., регулиру  напр жение на электроах 2 и 3 конденсатора, добиваютс  исчезновени  тока в исходном полоении невибрирующего электрода 3, например, когда электрод примыкает к образцу диэлектрика 1. При этом д змер ют исходное компенсирующее напр жение V . Затем перемещают невибрирующий электрод 3 в новое положение , сохран   параллельность между электродами конденсатора. Величину g перемещени  31 измер ют микрометрическим устройством, В новом положении электрода снова добиваютс  компенсации тока, измер ют компенсирующее напр жение V и вычисл ют раз- ность ЛУ .
Напр женность пол  Ё., между диэлектриком 1 и вибрирующим электродом 3 при включении компенсирующего 55 напр жени  V (фиг.1) равна
S,E,- . ,Ч).
112
где S,, Sj - зазоры между диэлектриком 1 и электродами 2, 3;
S - толщина образца диэлектрика 1;
- диэлектрическа  проницаемость диэлектрика; 11 2 плотность зар дов на 1 и 2-й поверхности диэлектрика 1 соответственно .
В момент компенсации тока Е 0, разность между двум  компенсирующими напр жени ми V, и V при различных положени х невибрирующего электрода 3 - S и8™, полна  плотность зар да диэлектрика равна
- (i - -to j
(1)
где л I Sj - Sj; V YOJ-VO, ,
r
+ 6,
ё 1 - & ijj.
Кроме того, данный способ позвол ет определить эффективный зар д 6 . Это достигаетс  устремлением зазора Sj к нулю в момент приложени  компенсирующего напр жени  V и отсутстви  тока в цепи конденсатора (Е/ 0).
Формула (1) переходит в известную формулу дл  определени  эффективного .зар да
о Vo
,
Sj-.0 E,co
Величину V можно определить графически , аппроксимиру  зависимость VCSj) до пересечени  с осью ординат (см. фиг, 2), или по формуле
Voi S 2 - Vo2 Sj
Vo
с II с I bjbj

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ определени  плотности зар да в плоских диэлектриках, заключающийс  в том, что на образец диэлектрика воздействуют полем плоского конденсатора, образованного невибрирующим и вибрирующим электродами , осуществл ют компенсацию пол  образца диэлектрика путем подачи посто нного напр жени  на плоский конденсатор , измер ют величину компенсирующего напр жени  в момент полной компенсации, отличаю - щ и и с   тем, что, с целью повышени  точности определени , невиб31352А
    рирующий электрод смещают в направлении , перпендикул рном поверхности образца диэлектрика, измер ют величину смещени , повторно осуществл ют компенсацию пол  образца диэлектрика и измер ют величину компенсирующего напр жени , а полную плотность зар да образца диэлектрика определ ют по формуле .10
    5
    V,f
    2 фи5.2
    Составитель О.Красновский Редактор Л. Веселовска  Техред л. Сердюкова Корректор Г. Решетник
    Заказ 5563/45 Тираж 730Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
    /- с 0 ТГ
    где „ - диэлектрическа  посто нна ;
    10
    5 4V
    Vpj -Vj,- разность величин компенсирующих напр жений; ul - величина смещени  невибрирующего электрода.
    02
    г г
    - б.
SU864044244A 1986-03-27 1986-03-27 Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках SU1352411A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864044244A SU1352411A1 (ru) 1986-03-27 1986-03-27 Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864044244A SU1352411A1 (ru) 1986-03-27 1986-03-27 Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1352411A1 true SU1352411A1 (ru) 1987-11-15

Family

ID=21229101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864044244A SU1352411A1 (ru) 1986-03-27 1986-03-27 Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1352411A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Губкин А.Н. Электреты, М.: Наука, 1978, с. 96. Электреты / Под ред. Г.Сессегера, М.: Мир, 1983, с. 28. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0157373B1 (ko) 코로나 방전 건
KR100209040B1 (ko) 반도체 기판 상의 절연층 두께 측정 방법
US4441038A (en) Electret device
US3373353A (en) Electron beam scanning system for quality control of materials
Dove Possible influence of electric charge effects on the initial growth processes occurring during the vapor deposition of metal films onto substrates inside the electron microscope
SU1352411A1 (ru) Способ определени плотности зар да в плоских диэлектриках
CN110927472A (zh) 一种不依赖测量的孤立导体电荷控制方法
Couturier et al. Influence of oxygen on electrical properties of βPbF2 thin films
JP2904697B2 (ja) 半導体ウェハのc−v測定方法および可動イオン量測定方法
GB2079056A (en) Electret device
US4577147A (en) Arrangement and method for voltage measurement at a buried test subject
DK131389D0 (da) Fremgangsmaade, maaleelektrode og apparat til elektrisk maaling af syrers koncentration
JPS6046665B2 (ja) 絶縁物破壊電圧検査法
SU1429060A1 (ru) Способ измерени напр женности электрического пол в твердом диэлектрике
SU1078363A1 (ru) Способ определени поверхностного зар да в МДП структурах
SU1341494A1 (ru) Способ определени площадок контакта поверхностей двух электропроводных твердых тел
RU2178156C1 (ru) Способ измерения температуры лазерной плазмы
SU1471152A1 (ru) Способ определени плотности зар да в диэлектриках
Cabruja et al. Influence of the degradation on the surface states and electrical characteristics of EOS structures
JPS60243674A (ja) 帯電装置
SU1337695A1 (ru) Способ измерени импульсного давлени
SU1226025A1 (ru) Накладной емкостный датчик
SU1357780A1 (ru) Способ определени длины усталостной трещины
Fukunaga et al. Space charge and external current measurements of a filler-free epoxy resin
Rosenman Electron emission imaging of the ferroelectric domains