SU1309301A1

SU1309301A1 - Схема согласовани уровней ТТЛ-ЭСЛ

Info

Publication number: SU1309301A1
Application number: SU853947707A
Authority: SU
Inventors: Игорь Владимирович Черняк; Евгений Викторович Григорьев
Original assignee: Организация П/Я А-3106
Priority date: 1985-08-30
Filing date: 1985-08-30
Publication date: 1987-05-07

Abstract

Изобретение относитс к области импульсной техники. Может быть использовано при создании ИС согласовани уровней . Цель изобретени - повышение надежности , достигаемое путем упрощени . Устройство содержит транзисторы 4, 5, 11, 16, 17 и 18, диоды Шоттки 21 и 22, диод 2, резисторы 3, 6, 8, 9 и 10. Дл достижени поставленной цели в устройство введены диод Шоттки 24, диод 28, транзисторы 25, 26 и 27. 2 ил. ZO оо о СО со о Фие. 1

Description

; Изобретение относитс к импульсной тех- нике и может быть использовано при создании ИС согласовани уровней.

Целью изобретени вл етс повышение надежности, достигаемое путем упрощени . На фиг. 1 представлена электрическа принципиальна схема согласовани уровней ТТЛ-ЭСЛ; на фиг. 2 - таблица истинности входной схемы согласовани .

Устройство содержит первую входную шину 1, соединенную с катодом первого диода 2, анод которого соединен с первым выводом первого резистора 3 и базой первого транзистора 4, коллектор которого соединен с базой второго транзистора 5 и через второй резистор 6 - с вторым выводом первого резистора 3, с шиной 7 питани , первыми выводами третьего 8, четвертого 9 и п то1 о 10 резисторов и с кол- :лекторами второго 5 и третьего 11 транзисторов , эмиттеры которых соединены соответственно с первой 12 и второй 13 выход- - шинами и с пе)вы.ми выводами пер- )огс) 14 и второго 15 источников тока. Вторые выводы четвертого 9 и п того 10 резисторов соединены соответственно с кол- .лектором и базой четвертого транзистора 16, эмиттер которого соединен с эмиттером iicpBOix) транзистора 4, база четвертого транзистора 16 соединена с базой и коллектором п того транзистора 17, база и коллектор шестого транзистора 18 соединены вместе , а эмиЧтер соединен с обшей шиной 19 и с вторыми выводами первого 14 и второго 15 источников тока. Втора входна шина 20 соединена с катодом первого диода Шоттки 21, анод которого соединен с анодами второго диода Шоттки 22 и с обшей шиной 19. Перва входна шина I соединена с катодами второго диода Шоттки 22, иервый вывод третьего источника 23 тока соединен с общей шиной 19.

Кроме того, схема содержит третий диод Шоттки 24, седьмой 25. восьмой 26 и дев тый 27 транзисторы и второй диод 28, катод которого соединен с второй входной шиной 20. а анод - с вторым выводом третье1 0 резистора 8, с базой седьмого транзистора 25 и с базой и коллектором восьмого транзистора 26, эмиттер которого соединен с базой четвертого транзистора 16 и с катодом третьего диода Шоттки 24, анод которого соединен с базой первого транзистора 4, коллектор седьмого транзистора 25 соединен с базой третьего транзистора И, а эмиттер - с вторым выводом- третьего источника 23 тока и с эмиттером первого транзистора 4, эмиттер п того транзистора 17 соединен с коллектором и базой дев того транзистора 27, эмиттер которого соединен с коллектором нюстого транзистора 18.

Устройство работает следующим образом. Транзистор 16 вл етс опорным и подключен к источнику опорного напр жени (резистор 10, транзисторы 17, 27 и 18).

При поступлении на обе шины 1 и 20 входного напр жени низкого уровн потенциал на базе транзистора 16 выше потенциалов на базах транзисторов 4 и 25. Ток источника 23 тока переключаетс в транзистор 16 и создает падение напр жени на

резисторе 9. На шине 13 устанавливаетс выходное напр жение пизкого уровн , а на шине 12 - выходное нанр жение высокого уровн .

При поступлении на шину 1 входного

напр жени высокого уровн диод 2 закрываетс . От шины 7 питани через резистор 3, диод Шоттки 24, транзисторы 17, 27 и 18 начинает протекать ток в общую шину 19. За счет протекани этого тока нотенциал на базе транзистора 4 становитс выше уровн анодного напр жени на величину падени напр жени на пр - мосмещениом диоде Шоттки. Если на шину 20 но-преж1-:ему поступает входное напр жение низкого уровн , то ток источника 23 тока переключаетс в транзистор 4 и создает падение напр жени на резисторе 6. На шине 12 устанавливаетс выходное напр жение низкого уровн , а на шине 13 - выходное напр жение высокого уровн .

При поступлении на шину 20 входного напр жени высокого уровн диод 28 закрываетс . От шины 7 питани через резистор 8, транзистор 26 в диодном включении , транзисторы 17, 27 и 18 начинает протекать ток в общую HJHHy 19. За счет иротекани этого тока потенциал на базе транзистора 25 становитс вьпие уровн опорного напр жени на величину падени напр жени на пр мосме-цениом диоде 26. Если на шину 1 поступает входное напр жение низкого уровн , то ток источника 23

тока переключаетс в транзистор 25 и создает падение напр жени на резисторе 9. На UJИнe 12 устанавливаетс выходное напр жение высокого уровн , а на in и не 13 - выходное напр жение низкого уровн .

При поступлении на обе шины 1 и 20 входного напр жени высокого уровн диоды 2 и 28 закрыты. От шины 7 питани в общую шину 19 начинают протекать два тока: первый через резистор 3, диод Шоттки 24,

транзисторы 17, 27 и 18, второй через резистор 8, диод 26, транзисторы 17, 27 и 18. За счет протекани этих токов потенциал на базе транзистора 25 выше потенциала на базе транзистора 4.

Путем подбора параметров диода 26 и

диода Шоттки 24 эта разность выбираетс достаточной дл того, чтобы ток источника 23 тока полностью переключилс в транзистор- 25 и создал падение напр жени

на резисторе 9. На шине 13 устанавливаетс выходное напр жение низкого уровн , а на шине 12 - выходное напр жение высокого уровн .

Диоды Шоттки 22 и 21 вл ютс анти- звонными. Резистор 10 служит дл смещени транзисторов 27 и 18, выполн емых в диодном включении КБ-Э. Источники 14 и 15 тока служат дл смещени переходов база-эмиттер транзисторов 5 и 17 соответственно , а также дл перезар да емкостей нагрузок.

Claims

Формула изобретени

Схема согласовани уровней ТТЛ-ЭСЛ, содержаща первую входную щину, соединенную с катодом первого диода, анод которого соединен с первым выводом первого резистора и базой первого транзистора , коллектор которого соединен с базой второго транзистора и через второй резистор - с вторым выводом первого резистора , с шиной питани , первыми выводами третьего, четвертого резисторов и с коллекторами второго и третьего транзисторов , эмиттеры которых соединены соответственно с первой и второй выходными щи- нами и с первыми выв одами первого и второго источников тока, вторые выводы четвертого и п того резисторов соединены соответственно с коллектором и базой четвертого транзистора, эмиттер которого соединен

0

5

с эмиттером первого транзистора, база четвертого транзистора соединена с базой и коллектором п того транзистора, база и коллектор щестого транзистора соединены вместе, а эмиттер соединен с общей щиной и с вторыми выводами первого и второго источников тока, втора входна щина соединена с катодом первого диода Шоттки, анод которого соединен с анодом второго диода Шоттки и с общей щиной, перва входна шина соединена с катодом второго диода Шоттки, первый вывод третьего источника тока соединен с общей шиной, отличающа с тем, что, с целью повышени надежности, в нее введены третий диод Шоттки , седьмой, восьмой и дев тый транзисторы и второй диод, катод которого соединен с второй входной щиной, а анод - с вторым выводом третьего резистора, с базой седьмого транзистора и с базой и коллектором восьмого транзистора, эмиттер ко- 0 торого соединен с базой четвертого транзистора и с катодом третьего диода Шоттки, анод которого соединен с базой первого транзистора, коллектор седьмого транзистора соединен с базой третьего транзистора и с вторым выводом четвертого резистора, а эмиттер - с вторым выводом третьего источника тока и с эмиттером первого транзистора , эмиттер п того транзистора соединен с коллектором и базой дев того транзистора , эмиттер которого соединен с коллекторами шестого транзистора.

5